「拡散セル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法例文帳に追加

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, P-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY CELL MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法例文帳に追加

N TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD OF N TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL - 特許庁

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL - 特許庁

セル分離部１０４は、逆拡散信号を接続セルの信号と観測セルの信号とに分離する。例文帳に追加

A cell separating section 104 separates a despread signal into a signal of connection cell and a signal of observation cell. - 特許庁

電圧源１１ｂは、駆動対象のセルを除く他のセル中のＮ^＋拡散層４１に対して、Ｐ^＋拡散層４３よりも高い電位を与える。例文帳に追加

A voltage source 11b applies a potential higher than the potential of the p^+ diffusion layer 43 to the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven. - 特許庁

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

The p-type diffusion layer and a solar battery cell having the p-type diffusion layer are manufactured by coating the p-type diffusion layer forming composition and performing thermal diffusion on the composition. - 特許庁

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

The p type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce a p type diffusion layer and solar cells having the p type diffusion layer. - 特許庁

このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

The n type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce an n type diffusion layer and solar cells having the n type diffusion layer. - 特許庁

このｎ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

The n-type diffusion layer and the solar cell having the n-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the n-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment. - 特許庁

このｎ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

The p-type diffusion layer and the solar cell having the p-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the p-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment. - 特許庁

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。例文帳に追加

This composition for forming a p-type diffusion layer is applied to the substrate and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a p-type diffusion layer and a solar battery cell including the p-type diffusion layer are produced. - 特許庁

（２）拡散層はセル外部のフレーム２９により引張力がかけられる。例文帳に追加

(2) The tensile force is applied to the diffusion layer by a frame 29 outside the cell. - 特許庁

ガス拡散層用素材シートおよびそれを用いた燃料電池セル例文帳に追加

RAW MATERIAL SHEET FOR GAS DIFFUSION LAYER, AND FUEL BATTERY CELL USING THE SAME - 特許庁

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。例文帳に追加

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type. - 特許庁

符号分割多重セルラにおける拡散符号割り当て方法及び基地局例文帳に追加

SPREADING CODE ASSIGNING METHOD FOR CODE DIVISION MULTIPLEX CELLULAR AND BASE STATION - 特許庁

スペクトル拡散信号受信装置及び干渉キャンセル装置例文帳に追加

SPREAD SPECTRUM SIGNAL RECEIVER AND INTERFERENCE CANCELLER - 特許庁

符号分割多重セルラにおける拡散符号割り当て方法及び基地局例文帳に追加

METHOD FOR SPREAD CODE ASSIGNMENT OF CODE-DIVISION MULTIPLEX CELLULAR AND BASE STATION - 特許庁

第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。例文帳に追加

The second standard cell SC2 includes a diffusion region An21 continued to the diffusion region An11, a function element region FE2 facing the diffusion region An21, and a diffusion region CR21 formed between the diffusion region An21 and the function element region FE2. - 特許庁

駆動対象のセルを除くセル中のＮ^＋拡散層４１とＰ^＋拡散層４３との間のバイアスおよびＮ^—拡散層４２とＰ^—基板５０との間のバイアスは逆バイアスとなり、漏れ電流は発生しない。例文帳に追加

No current leak occurs because the bias between the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven, and the p^+ diffusion layer 43 is reverse to the bias between the n^- diffusion 42 and the p-substrate 50. - 特許庁

ガス拡散電極とその製造方法、及び当該ガス拡散電極を用いる燃料電池及び食塩電解セル例文帳に追加

GAS DIFFUSION ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND FUEL CELL AND ELECTROLYTIC CELL FOR SODIUM CHLORIDE USING THE GAS DIFFUSION ELECTRODE - 特許庁

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。例文帳に追加

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed. - 特許庁

ウェル・コンタクトおよびグランドへのＰ＋拡散交差部またはＶＤＤへのＮ＋拡散交差部を有するＳＲＡＭセル例文帳に追加

SRAM CELL HAVING P+ DIFFUSION CROSS-LINKED SECTION TO WELL CONTACT AND GROUND OR N+ DIFFUSION CROSS-LINKED SECTION - 特許庁

電圧源１１ａは、駆動対象のセル中のＰ^＋拡散層４３ｃに対して、Ｎ^＋拡散層４１ｃよりも高い電位を与える。例文帳に追加

A voltage source 11a applies a potential higher than that of an n^+ diffusion layer 41c to the p^+ diffusion layer 43c of the cell to be driven. - 特許庁

特に符号分割多元接続のセルラ移動無線システムにおける伝送のための、スペクトラム拡散または逆拡散装置例文帳に追加

SPREAD SPECTRUM OR INVERSELY SPREAD DEVICE ESPECIALLY FOR TRANSMISSION IN CELLULAR MOBILE RADIO SYSTEM OF CODE DIVISION MULTIPLE ACCESS - 特許庁

ＮＡＮＤセルユニット内の最も端の拡散層１３ｂ，１３ｃ上には、拡散層１３ｂ’，１３ｃ’が形成される。例文帳に追加

On the terminal diffusion layers 13b and 13c inside the NAND cell unit, diffusion layers 13b' and 13c' are formed. - 特許庁

反応ガス／水拡散体とセパレータ／複極板とを積層し、拡散接合によって一体化させてセルの構成部品とする。例文帳に追加

This component of the cell is composed by stacking the reaction gas/water diffusing body on the separator/bipolar plate and integrating them with each other by diffusion joining. - 特許庁

拡散層Ａは、メモリセルＭ１，Ｍ２のみに共有され、拡散層Ａ以外の導電層に直接結合されることがない。例文帳に追加

A diffusion layer A is shared between the memory cells M1, M2 alone and is not directly connected to a conductive layer except the diffusion layer A. - 特許庁

燃料電池セル１００は、拡散層１２２及び拡散層１３２に夫々隣接するセパレータ２１０及びセパレータ２２０を備える。例文帳に追加

The fuel battery cell 100 is provided with separators 210 and separators 220 adjacent to diffusion layers 122 and diffusion layers 132 respectively. - 特許庁

Ｐ＋拡散層５ａおよびＮ＋拡散層６ａは、太陽電池セル１ａの長手方向の一方側に全体に屈曲して形成されている。例文帳に追加

The P+ diffusion layer 5a and N+ diffusion layer 6a are formed curving overall in the one length-directional side of the solar cell 1a. - 特許庁

液晶セル１と、バックライト装置２と、第１光拡散層３と、第１偏光板４と、第２光拡散層５とを設ける。例文帳に追加

The liquid crystal display device includes a liquid crystal cell 1, a back light device 2, a first light diffusion layer 3, a first polarizing plate 4, and a second light diffusion layer 5. - 特許庁

そして、求めた熱拡散率に基づいた構成材の接合判定や、熱拡散率の偏差に基づいた単セル２０の電池特性を評価する。例文帳に追加

A judgement of bonding of composing members is made based on the obtained thermal diffusion factors and cell characteristics of the unit cell is evaluated based on a differential of thermal diffusion factors. - 特許庁

また、隣接するワード線上でＳＲＡＭセルが共用するビット線拡散領域も、深い拡散領域にすることができる。例文帳に追加

A bit line diffusion region, shared by SRAM cells on adjacent word lines, may also be made a deep diffusion region. - 特許庁

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell. - 特許庁

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates. - 特許庁

本発明の好ましい実施形態によれば、現ピクセルについて入力ピクセル値を出力ピクセル値に変換する装置は、入力ピクセル値に加算して拡散ピクセル値を生成する拡散誤差を生成する拡散ブロックを有する。例文帳に追加

In the preferable embodiment of the invention, an apparatus for translating an input pixel value of a present pixel to an output pixel value has a diffusion block for generating a diffusion error to be added to the input pixel value for generating a diffused pixel value. - 特許庁

拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備えるセルを用いて、拡散層に対して接点を介して電位を供給する。例文帳に追加

Potential is supplied to a diffusion layer via a contact by using a cell which has the diffusion layer, a contact provided in almost perpendicular direction of the diffusion layer inside a wiring layer A different from the diffusion layer, and vertical wiring which passes through an intermediate layer between the diffusion layer and the wiring layer (a) and connects the diffusion layer and the contact. - 特許庁

光拡散板１０として本発明の耐熱性光拡散板１０または上記多層光拡散板１０を用いたバックライト装置４、液晶セル３と共に直下型液晶ディスプレイ２に備えられる。例文帳に追加

The backlight device 4 and a liquid crystal cell 3 which use the heat-resistant light diffusion plate 10 or the multilayer light diffusion plate 10 as a light diffusion plate 10 are provided on a direct type liquid crystal display 2. - 特許庁

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層形成組成物の製造方法、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL - 特許庁

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層形成組成物の製造方法、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING N-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF COMPOSITION FOR FORMING N-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL - 特許庁

ビット線絶縁膜の形成後に該ビット線拡散層を大きく拡散させることなく、接続部の面積を十分に確保し該接続部における拡散層抵抗の増大を抑制して、メモリセルの微細化を図れるようにする。例文帳に追加

To attain microfabrication of memory cells without diffusing the bit line diffusion layer greatly after formation of a bit line insulating film, while securing sufficient area of a joint and restraining the increase of the diffusion layer resistance in the joint. - 特許庁

液晶セルの基板に光拡散層が形成された内部光拡散層方式の反射型液晶表示装置において、画面内で均一かつ明るく表示できる光拡散層を得る。例文帳に追加

To obtain an optical diffusion layer uniformly and brightly producing a display in a screen in a reflective liquid crystal display device of an interior optical diffusion layer type with the optical diffusion layer formed on a substrate of a liquid crystal cell. - 特許庁

ストリエーションの発生を抑制しながら、ｎ型拡散層を形成することが可能なｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming an n-type diffusion layer which can form an n-type diffusion layer while suppressing occurrence of striation, and to provide a method for manufacturing an n-type diffusion layer and a method for manufacturing a solar cell. - 特許庁

ストリエーションの発生を抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer which can form a p-type diffusion layer while suppressing occurrence of striation, and to provide a method for manufacturing a p-type diffusion layer and a method for manufacturing a solar cell. - 特許庁

ダミーセル領域２２の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域２２に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。例文帳に追加

When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed. - 特許庁

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。例文帳に追加

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5. - 特許庁