「拡散セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

燃料電池セル１０は、ガス拡散層１４と多孔質体層１６の間に、シール層３０を備えている。例文帳に追加

The fuel cell unit 10 has a sealing layer 30 between a gas diffusion layer 14 and a porous layer 16. - 特許庁

拡散層からの排水を速やかに行い、安定したセル電圧を得ることができる燃料電池用セパレータおよび燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a separator for a fuel cell, and a fuel cell, capable of carrying out quick exhaust of water from a diffusion layer and obtaining a stable cell voltage. - 特許庁

メモリセルは、一対のビット線拡散層２及びその間の絶縁膜１４と、ワード線３との交差部分に構成される。例文帳に追加

The memory cells are formed on crossing parts of a pair of the bit line diffusion layers 2 and the insulation film 14 therebetween, with the word lines 3. - 特許庁

素子の微細化を図りつつ、セルトランジスタと選択ゲートトランジスタとの間に浅い拡散層が形成できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for forming a shallow diffusion layer between a cell transistor and a selection gate transistor while miniaturizing an element. - 特許庁

メモリセルトランジスタのワード線Ｗ_1 とｎ^+ 型拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12との間に、隙間１０３，１０４を形成する。例文帳に追加

Gaps 103 and 104 are formed between a word line W1 of a memory cell transistor and n+ type diffusion regions N21 and N12. - 特許庁

メモリＩＣ、特には、強誘電体ＩＣにおいて、水素がトランジスタへ拡散する経路を備えるメモリセルを提供する。例文帳に追加

To provide a memory cell, equipped with a path, through which hydrogen diffuses into a transistor in a memory IC, especially in a ferroelectric IC. - 特許庁

これにより、逆拡散開始タイミングを限定し、それ以外のタイミングではセルサーチ動作停止（消費電力の低減）可能とする。例文帳に追加

Thus, the inverse spread start timing is limited; and cell search operation suspension (reduction in the power consumption) is possible in the timing except the inverse spread start timing. - 特許庁

燃料電池内部で発電セルと交互に積層されるセパレータは、ガス拡散板１１２，１１３を備えている。例文帳に追加

These separators stacked alternately with power generation cells in the fuel cell are provided with gas diffusion plates 112 and 113. - 特許庁

そして、管内に設けられた試料をセル内の試薬に滴下して試料を試薬の表面に拡散させる。例文帳に追加

The sample provided in the pipe is dripped on the reagent in the cell, to diffuse the sample to the surface of the reagent. - 特許庁

セルロースアセテート等の難吸収フィラメント集合体を用いながらも、吸収速度および拡散性を向上させる。例文帳に追加

To provide an absorbent article in which the absorbing rate and diffusibility are improved even while using a hardly-absorbable filament aggregate such as a cellulose acetate. - 特許庁

２ビット／セルのメモリ素子において、コントロールゲート形成領域の両側に形成する不純物拡散領域の製造ばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce manufacturing fluctuation of an impurity diffusing regions formed in both sides of a control gate forming region in a 2-bit/cell memory element. - 特許庁

ストレージ拡散層を介したリーク電流の抑制が図られたメモリセルの作製に適した、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for forming a memory cell suppressed in leak current through a storage diffusion layer. - 特許庁

このために、単セル内酸化ガス流路４３中の水分が、ＭＥＡ１２を透過した後、アノード側ガス拡散層１３で透過し難くなる。例文帳に追加

Therefore, the water in the oxidizing gas flow passage 43 hardly permeates in the anode side gas diffusion layer 13 after permeating MEA 12. - 特許庁

液晶セル表面のガラス板との耐久性の良好な光拡散性の粘着層を有する粘着型光学部材を提供すること。例文帳に追加

To provide a tacky optical member having a tacky layer having excellent light diffusion and durability of adhesion to a glass plate of a liquid crystal cell surface. - 特許庁

シリコン基板１に、浮遊ゲート４と制御ゲート６、及びソース，ドレイン拡散層７ａ，７ｂを有するメモリセルが形成される。例文帳に追加

With this manufacturing method, a memory cell is formed which has a floating gate 4, a control gate 6, and source and drain diffused layers 7a and 7b on a silicon substrate 1. - 特許庁

単セル１５は、アノード２１とアノード側ガス拡散層２３の間に介在する中間層３０に凸条３２と凹条３３を有する。例文帳に追加

A unit cell 15 comprises: a protruding groove 32 and a recessed groove 33 in an intermediate layer 30 interposed between an anode 21 and an anode-side gas diffusion layer 23. - 特許庁

セル抵抗およびガス拡散層と膜電極接合体との接触抵抗を低く保ち、フラッディングやプラッギングを防止することを課題とする。例文帳に追加

To prevent flooding and plugging with holding cell resistance and contact resistance between a gas diffusion layer and a film electrode conjunction low. - 特許庁

深い中央拡散部を削除することによりセル密度が増加し、かつＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を改善することができる。例文帳に追加

A deep central diffusion region is eliminated and accordingly cell density increases and on-resistance of the MOSFET is improved. - 特許庁

フローティング拡散領域においての電荷伝送効率を向上させることのできる光感知装置の単位ピクセルを提供する。例文帳に追加

To provide a unit pixel of a photo detecting apparatus capable of improving charge transfer efficiency in a floating diffusion region. - 特許庁

微量水分発生槽41は、温度制御器（図示せず）により温度制御するチャンバ42内に拡散管セル43を収納している。例文帳に追加

In a trace moisture generation tank 41, the diffusion pipe cell 43 is stored in a chamber 42 whose temperature is controlled by a temperature controller (not shown). - 特許庁

フローティング拡散領域のキャパシタンスを制御できる共有ピクセル型イメージセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a shared-pixel-type image sensor capable of controlling capacitance of a floating diffusion region. - 特許庁

拡散層配線密度の高集積化を実現したアンドタイプフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an AND-type flash memory cell by which the high-degree integration of a diffusion-layer wiring density can be obtained. - 特許庁

ＳＲＡＭセルはＳＯＩ／バルク混成構造を有し、ソース／ドレイン拡散領域２０６、２０８は下地絶縁物層２１２には到達していない。例文帳に追加

An SRAM cell has an SOI/bulk hybrid structure, where source/ drain diffusion regions 206, 208 have not reached an underlying insulator layer 212. - 特許庁

各クロック回路に含まれる論理セルを、矩形状に統一された拡散領域を有するトランジスタによって構成してもよい。例文帳に追加

A logic cell included in each clock circuit may be constituted with transistors including the diffusing regions which are uniformed in the rectangular shape. - 特許庁

ガス拡散性、膜電極接合体の冷却性に優れ、しかもセルの厚みを薄くできる燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell having high a gas diffusion property, an excellent cooling property of a membrane electrode conjugant, and capable of making the thickness of a cell thin. - 特許庁

導電体膜が埋め込まれたシャロートレンチ溝内にビットライン拡散層を設けてＳＯＮＯＳ構造セルとする。例文帳に追加

An SONOS structure cell is formed by providing a bit-line diffusion layer in shallow trenches in which a conductive film is embedded. - 特許庁

ガラス膜２９からｐベース領域２４へｎ型不純物を拡散させて、ｎ^+ソース領域２５をセルフアラインで形成する。例文帳に追加

The n-type impurities are made to diffuse from the glass film 29 to the p-base region 24, and an n^+ source region 25 is formed in a self aligned manner. - 特許庁

たとえば、各メモリセルＭＣのソース拡散層を、ローカルソース線ＬＳＬにより、ワード線ＷＬ方向に共通に接続する。例文帳に追加

For example, the source diffusion layer of each memory cell MC is commonly connected via local source lines LSL, along word lines WL direction. - 特許庁

各拡散符号の特性を利用することにより、高速セルサーチを行うことができで、簡易な構成を持ったＣＤＭＡ受信装置を提供する。例文帳に追加

To provide a CDMA receiver having a simple configuration, that by utilizing the characteristics of each spread code high-speed cell search is attained. - 特許庁

ビット線２５はセルトランジスタ２２の拡散層に接続され、強誘電体記憶素子の表面まで通っている。例文帳に追加

A bit line 25 is connected to the diffusion layer of the cell transistor 22 and extended up to the surface of the ferroelectric memory device. - 特許庁

天然セルロース繊維そのものが潜在的に有している優れた防汚性、吸水拡散性を発揮する織物を提供する。例文帳に追加

To provide a knitted fabric exhibiting stainproof and water-absorbing and diffusing properties originally owned by natural cellulose fiber itself. - 特許庁

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。例文帳に追加

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation. - 特許庁

強誘電体ＩＣにおいて、水素がトランジスタへ拡散する経路を備えるメモリセルを開示した。例文帳に追加

A memory cell equipped with a path, through which hydrogen diffuses into a transistor, is provided to be used in a ferroelectric IC. - 特許庁

即ち、拡散層に対し、所望の気孔率分布を与えることが可能となって、燃料電池セル１００の水分分布が良好に制御される。例文帳に追加

In other words, it becomes possible to provide a desired porosity distribution to a diffusion layer, and thus moisture distribution of the fuel battery cell 100 is controlled properly. - 特許庁

次に、このΔＺ値にもとづいて、位置拡散処理装置６が、ΔＺ値の大小に対応した範囲でピクセル位置情報の変更を行う。例文帳に追加

A position diffusion processor 6 changes, on the basis of the ΔZ-value, pixel position information within a range corresponding to the magnitude of the ΔZ value. - 特許庁

オーミックコンタクト及びガス拡散性が良好であり、高い燃料電池セル特性を実現可能な燃料電池用電極触媒を提供する。例文帳に追加

To provide an electrocatalyst for a fuel cell excellent in an ohmic contact and gas diffusion properties, and capable of achieving high fuel cell properties. - 特許庁

活性領域における拡散層の断線を防止できるようにすると共に、セル面積を低減することができるようにする。例文帳に追加

To prevent the wire breaking of a diffusion layer in an active layer, and also to reduce the cell area. - 特許庁

燃料電池の単セル１０は、ＭＥＡ２０、ガス拡散層１２０、１２１、セパレータ１３０、１４０を備える。例文帳に追加

The unit cell 10 of a fuel cell is provided with an MEA 20, gas diffusion layers 120, 121, and separators 130, 140. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルのパターン面積の増大を伴なうことなくソース拡散層の低抵抗化を行う。例文帳に追加

To reduce resistance of a source diffusion layer, without having to increase the pattern area of a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory device. - 特許庁

次いで、純粋なアルミニウムが基板をカプセル化し、ＡｌがＳｉＣ中に拡散されてＡｌＳｉＣを形成する。例文帳に追加

The aluminum layer from the sheath is made to sock in the SiC preform during the pressure casting process to diffuse the aluminum layer in the preform to form the aluminum silicon carbide(AlSiC) base layer 116. - 特許庁

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a p type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of a p type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the p type diffusion layer area-selectively while suppressing internal stress and warpage of each substrate without significantly lowering the life time in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates. - 特許庁

凸部および凹部で形成された流路を有し、高分子電解質膜、電極触媒層およびガス拡散層を挟持するセパレータを具備する固体高分子形燃料電池単セルにおいて、ガス拡散層が、開口部と細路部とからなる孔部を有する固体高分子形燃料電池単セルとする。例文帳に追加

In a polymer electrolyte fuel cell single cell equipped with separators each having a passage formed of projecting and recessed portions and holding therebetween a polymer electrolyte membrane, an electrode catalyst layer and a gas diffusion layer, the gas diffusion layer has a hole portion formed of an opening portion and a thin passage portion. - 特許庁

拡散防止壁８Ａは、拡散防止壁の一部分に、燃料電池セルスタック４から離間する方向に突設した突設部８２２を有し、電極部材は、突設部と燃料電池セルスタックの側面４Ａとの間に形成される電極配置空間に配置されている。例文帳に追加

The diffusion prevention wall 8A has a protruded portion 822 protruded to a separating direction from the fuel cell stack 4 at the portion of the diffusion prevention wall, wherein the electrode member is arranged in an electrode-arranged space formed between the protruded portion and the side face 4A of the fuel cell stack. - 特許庁

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed. - 特許庁

この半導体装置は、半導体基板１上にメモリセル部３０と銅配線１６ａ，１６ｂを含む配線部５０とを備え、メモリセル部を取り囲む領域に、配線部からの銅原子の拡散を阻止する銅拡散防止膜１４，９ｂ，１３ｂとを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a wiring part 50 containing copper wirings 16a and 16b and a memory cell part 30 on a semiconductor substrate 1, while in a region surrounding the memory cell part, copper diffusion preventing films 14, 9b, and 13b for preventing diffusion of the copper atom from the wiring part are provided. - 特許庁