「拡散セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

このとき、発泡樹脂材２の発泡セル３が断熱材となって熱の拡散を防ぐため溶融池４での蓄熱が促されるとともに、透明樹脂材１への効果的な伝熱が可能となる。例文帳に追加

At this time, since the foamed cells 3 of a foamable resin material 2 become a heat insulating material to preven the diffusion of heat, the accumulation of heat in the molten basin 4 is accelerated to effectively transfer heat to the transparent resin material 1. - 特許庁

燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。例文帳に追加

In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed. - 特許庁

サーチ処理部１６２は、移動先セルから信号を受信した場合には、当該信号の拡散に用いられたスクランブリングコードを周辺コード記憶部１６０及び固定コード記憶部１６１の中から検索する。例文帳に追加

When a signal is received from the transfer destination cell, a search processing part 162 retrieves the scrambling codes used for spreading the signal from the peripheral code storage part 160 and the fixed code storage part 161. - 特許庁

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。例文帳に追加

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor. - 特許庁

このような消去方法によると、セルの消去カップリング比（Ｅｒａｓｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒａｔｉｏ）の偏差に起因して発生する消去後の閾値電圧分布の拡散を抑制できる。例文帳に追加

According to this erasing method, the spread of a threshold-voltage distribution profile after erasing, which results from deviations of erase coupling ratios between memory cells, can be reduced. - 特許庁

多数発の液滴で１ピクセルを表現できる液滴吐出ヘッドの情報保存部に、多値誤差拡散用の境界値テーブルを構成する境界値数を選択する情報を吐出条件別に保存しておく。例文帳に追加

In an information storing part for the liquid droplet delivering head expressing one pixel with a number of liquid droplets delivered, information for selecting the number of the boundary values constituting a boundary value table for diffusing multi-value errors is stored on every delivering condition. - 特許庁

ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。例文帳に追加

The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors. - 特許庁

拡散導体は、ゲートラインを浮遊ゲートに結合する導体経路を形成し、ゲート容量を変化させ、これによりメモリセルの状態を変化させる。例文帳に追加

The diffused conductor forms a conductor path for connecting the gate line with the floating gate and varies the gate capacity thus varying the state of the memory cell. - 特許庁

流路詰まりがなく、流れ先端の判別が可能な、燃料電池の（セル面内方向のガス流路内および／または拡散層内の）ガス流れ計測方法とその装置の提供。例文帳に追加

To provide a gas flow measurement method and its device of a fuel cell (in a gas-flow channel in a direction toward inside a cell face and/or in a diffusion layer) free from flow-channel clogging and capable of discerning a tip of a flow. - 特許庁

液体を溜めたセル３中に加工対象物を設置し、走査型プローブ顕微鏡によるスクラッチ加工を前記液中で実施し、切り粉が液中に拡散して試料面に残らないようにした。例文帳に追加

A workpiece is installed in a cell 3 with liquid pooled, and the scratch working by the scanning probe microscope is implemented in the liquid, thereby making the chips diffuse in the liquid so that it does not remain on the testpiece. - 特許庁

製造工程の増大を最小限に抑制しつつ、ソース拡散層の低抵抗化を実現できるメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory array structure, which allows resistance of a source diffusion layer to be reduced, with the increase in a manufacturing process controlled to a minimum. - 特許庁

ビット線の付加容量に対応した参照電位を発生する複数のダミーセルＤＭＣは、第１、第２の拡散層５１、５２及び浮遊ゲート及び制御ゲートを有している。例文帳に追加

A plurality of dummy cells DMC for generating reference potential corresponding to additional capacitances of bit lines have first and second diffused layers 51, 52, a floating gate, and a control gate. - 特許庁

そして、セルブロック１０は、半導体装置においてフィールド拡散領域およびゲート形成領域並びにウェルの電位固定に課される所定の設計ルールを満たす。例文帳に追加

A cell block 10 satisfies a predetermined design rule that is set for the field diffusing region, the gate forming region and the fixation of the potential of the well in the semiconductor device. - 特許庁

排水孔ｈ２の直径φ２を毛管力の作用を生じさせ得る程度に設定することで、触媒層近傍からガス拡散層１０２ｃの表面ｓｆ１に生成水を吸い上げ、セル外に排出させる。例文帳に追加

By establishing the diameter ϕ2 of the drainage hole h2 to a degree as can generate a capillary pressure, the generated water can be sucked from the vicinity of the catalyst layer to the surface sf1 of the gas diffusion layer 102c and is discharged to the outside of the cell. - 特許庁

移動局側でのセルサーチに際して、試験基地局側に割り当てられている特定の長周期拡散符号を誤って捕捉してしまわないようにする。例文帳に追加

To prevent a specific long period spread code allocated to a test base station from being caught in error when a cell is searched on the mobile station side. - 特許庁

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。例文帳に追加

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM. - 特許庁

Ｃｒ拡散量が非常に少ない耐熱性導電部材、燃料電池用合金部材及び燃料電池用集電部並びにセルスタック、燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a heat resistant conductive member very small in a Cr diffusion amount; to provide an alloy member for a fuel cell; to provide a current collecting member for a fuel cell; to provide a cell stack; and to provide a fuel cell. - 特許庁

連続真空浸炭装置１の真空セル２内に、互いに真空シール扉で仕切られていない、昇温処理、浸炭処理、拡散処理、降温処理のいずれにも使用することができる加熱室６，７，８，９を設ける。例文帳に追加

Heating chambers 6, 7, 8 and 9 which are not partitioned with vacuum door and are used for any of a heat rising treatment, the carburization treatment, a diffusion treatment and a temperature dropping treatment are provided in a vacuum cell 2 of a continuous vacuum carburizing apparatus 1. - 特許庁

薄型、軽量で機械強度、光拡散性に優れた樹脂シートとその製造方法、およびそれを用いた液晶セル基板、液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin resin sheet which is light in weight and excellent in mechanical strength and light diffusion properties, a method for producing the sheet, a liquid crystal cell substrate using the sheet, and a liquid crystal display. - 特許庁

陽極２と酸素ガス拡散３を有し、陰極に酸素含有ガスと水を供給して過酸化水素を製造するための電解セルの前記陽極及び陰極を垂直方向に対して傾斜させる。例文帳に追加

The electrolytic cell for manufacturing hydrogen peroxide by comprising a positive pole 2 and an oxygen-gas diffusing negative pole 3 and by supplying an oxygen-containing gas and water to a negative pole, has the above positive pole and the above negative pole made to be inclined to the vertical direction. - 特許庁

これにより、コンパクト化を図りつつ、伝熱シート材６の吸熱・拡散特性を用いて流路内を気体・液体を流してセルの温度コントロールができ、全体の温度分布を制御・平滑化することが可能となる。例文帳に追加

With this, downsizing can be aimed at, temperature control of cells is made available by circulating gas and liquid inside the channel using endothermal/thermal diffusion properties of the heat transfer sheet materials 6, and the entire temperature distribution can be controlled/smoothed. - 特許庁

層間部材25が面圧拡散部材として機能し、電池パック20を構成する電池セル21の面圧が均一化されるため、電池パック20全体として寿命を延ばすことができる。例文帳に追加

The interlayer member 25 functions as a surface pressure diffusion member and the surface pressure of the battery cells 21 constituting a battery pack 20 is made uniform, thereby lifetime of the battery pack 20 can be extended as a whole. - 特許庁

EEPROMメモリセルは、フローティングゲート６０がｎウエル５４に形成されるｐ-拡散領域６８上に定められる場合、ｎウエル５４に形成されるPMOS型のフローティングゲートトランジスタを用いて制御キャパシタを形成する。例文帳に追加

An EEPROM memory cell uses a PMOS type floating gate transistor, formed in an n-well 54 to form a control capacitor, when a floating gate 60 is defined over a p-diffused region 68 formed in the n-well 54. - 特許庁

上述の複数の半導体不揮発性メモリセルの制御電極と電気的に接続されるワード線３３と、ワード線と交差するように配置され、かつ不純物拡散領域からなるビット線とを有している。例文帳に追加

There are word line 33 electrically connected to the control electrode of the plurality of semiconductor non-volatile memory cells, and a bit line that is arranged so that it crosses the work line and is made of the impurity diffusion regions. - 特許庁

また、本発明の一態様に係るガードバンドセル１１は、ＮウェルＮＷ１の上に形成された、Ｎウェル層と同じ導電型であるＮ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１を有する。例文帳に追加

Also, the guard band cell 11 according to one embodiment of the present invention includes an N-type guard band diffusion layer NGB1 which is of conductive type as is an N well layer, and which is formed on the N well NW1. - 特許庁

各メモリセル行において、アクセストランジスタのソース領域同士は、行方向に延在して設けられたＮ^+拡散ノードＮＳＬ０＜ｘ＞，ＮＳＬ１＜ｘ＞によって電気的に接続される。例文帳に追加

In each memory cell line, the source areas of the access transistors are electrically connected to each other by N^+ diffusion node NSL0<x>, NSL1<x> disposed being extended in a line direction. - 特許庁

スペクトラム拡散方式のセルラ移動体通信における情報通信のための無線資源の効率の良い利用を目的とした基地局配置で、移動局の距離検出、位置検出、速度検出等を行なうこと。例文帳に追加

To detect a position of a mobile station in base station arrangement for the purpose of using efficiently a radio source for information communication in a cellular mobile communication of a spread spectrum system. - 特許庁

移動機は無線基地局から報知される周辺隣接無線基地局の位置情報より移動機の移動速度、移動方向を算出し、また既知の拡散コードを用いて効率的に周辺セルの報知情報を得ることができる。例文帳に追加

The mobile set calculates a moving speed and a moving direction of itself on the basis of position information of near adjacent wireless base stations notified from a wireless base station and obtains efficiently notice information of surrounding cells by using a known spread code. - 特許庁

支持体の熱膨張率を固体電解質に近づけることができるとともに、支持体からの元素拡散による固体電解質の特性劣化を抑制できる燃料電池セル及び燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a cell of a fuel cell capable of approaching a coefficient of the thermal expansion of a supporter to that of an solid electrolyte and suppressing the characteristic deterioration of the solid electrolyte caused by element diffusion from the supporter, and to provide the fuel cell. - 特許庁

また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。例文帳に追加

Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact. - 特許庁

スペクトラム拡散方式のセルラ移動体通信における情報通信のための無線資源の効率の良い利用を目的とした基地局配置で、移動局の距離検出及び位置検出を行なうこと。例文帳に追加

To detect a distance to and a location of a mobile station in a base station arrangement for the purpose of efficiently utilizing radio resources for information communications in spread spectrum cellular mobile communications. - 特許庁

ストラップコンタクトの抵抗値が増加することなく、且つストラップコンタクトがメモリセルトランジスタの拡散層に与える影響を抑制する。例文帳に追加

To suppress the influence of a strap contact on the diffusion layer of a memory cell transistor while avoiding an increase in the resistance value of the strap contact. - 特許庁

外筒２にロウ付けされたハニカム構造体５は、板厚２０μｍの大波板と小波板を交互に重ね巻きし拡散接合して円柱状に形成され、セル密度を１インチ平方あたり９００とする。例文帳に追加

A honeycomb structure 5 brazed to an outer cylinder 2 is formed cylindrical by winding large pitch corrugated plates and small pitch corrugated plates both having 20 μm thickness alternately and diffusion joining and the cell density is controlled to 900/in^2. - 特許庁

角部からのＣｒの拡散を防止できる耐熱性合金部材及び燃料電池用集電部材並びに燃料電池セルスタック、燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-resistant alloy member capable of preventing the diffusion of Cr from the corner part and to provide a current collecting member of a fuel cell, a fuel cell stack, and the fuel cell. - 特許庁

下面側にソーラセルを配設し、プラスチック基板で形成した時計用文字板において、前記プラスチック基板４に平均粒径３μｍ以下のガラス質からなる光拡散剤２を１３〜１８重量％分散する。例文帳に追加

In a dial for clocks formed by plastic substrate, with the solar cell placed at its bottom surface, optical diffusion agent 2 of 13 to 18 wt.% consisting of vitreous material of average particle size less than 3 μm are dispersed within a plastic substrate 4. - 特許庁

本発明は、ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、拡散領域の加工形状が変動しにくく、その結果としてトランジスタの特性ばらつきが少なく、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage that prevents a machined shape in a diffusion region from varying easily for reducing variation in the characteristics of a transistor, and can achieve high integration in a CMOS-type SRAM memory. - 特許庁

拡散層やコンタクトホールのパターンを変えずに配線パターンの追加又は削除のみにより、駆動能力を確保した複数種のＣＭＯＳ論理セルを作成する。例文帳に追加

To manufacture a plurality of kinds of CMOS logical cell, in which a driving capacity is secured, by only adding or deleting a wiring pattern without changing the pattern of a diffusion layer or a contact hole. - 特許庁

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。例文帳に追加

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment. - 特許庁

セルの少なくとも一方の前記拡散層２０１に、前記反応層において生成された水を外部に排出するための複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填される。例文帳に追加

A plurality of through holes for discharging water generated in the reaction layer are formed on the diffusion layers 201 of at least one of cells, and a filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole. - 特許庁

各セルは、Ｐ型トランジスタ配置領域に対し、正の電源電位ＶＤＤと異なる基板またはウェル電位ＮＷＶＤＤを給電するための不純物拡散領域を有する。例文帳に追加

Each of the cells includes an impurity doped region for supplying a substrate or well potential NWVDD which is different from a positive power supply potential VDD to a p-type transistor arranging region. - 特許庁

それによって、発光ダイオードの一部が故障した時に、故障した発光ダイオードが組み込まれた拡散板セルの交換だけで復帰させることができる。例文帳に追加

Thus, when getting out of order, the original state can be restored only by replacing the diffuser cells into which the damaged light-emitting diodes are built. - 特許庁

隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。例文帳に追加

A contact plug 40, which is electrically connected to an impurity diffusion region between sidewalls of two adjacent memory cells 1, is provided by penetrating an interlayer insulation film 18. - 特許庁

埋込型不純物拡散領域のピッチを効率的に縮小することにより、セルアレイ面積を縮小することができるマスクＲＯＭの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a mask ROM, capable of reducing a cell array region by efficiently reducing the pitch of an embedded type impurity diffused region. - 特許庁

よって、ガス流路１６を流れる全ガス流量のうち、エキスパンドメタル３０によりガス拡散層１４に偏向されるガス流の比率が高まり、セル１０の発電性能を向上させることができる。例文帳に追加

Accordingly, the ratio of the gas flow deflected to the gas diffusion layer 14 by the expanded metal 30 out of the total gas flow rates flowing through the gas passage 16 is increased and the power generation performance of a cell 10 can be enhanced. - 特許庁

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。例文帳に追加

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array. - 特許庁