「拡散セル」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

スペクトラム拡散変調を用いたセルラー通信網における移動加入者局の送信電力レベルを自動的に適応的に制御するシステムおよび方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and a method for automatically and adaptively controlling a transmission power level of a mobile subscriber station in a cellular communication network using spread spectrum modulation. - 特許庁

メーンノズルから噴出する燃料の微粒化を図ると共に燃料の吸気通路内への拡散を防止して、加速時のアクセルレスポンスを向上させるようにしたピストン型気化器を提供するものである。例文帳に追加

To provide a piston type carburetor capable of improving the acceleration response at the time of acceleration by atomizing the fuel ejected from a main nozzle and preventing the fuel from diffusing into an intake passage. - 特許庁

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。例文帳に追加

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'. - 特許庁

直交周波数分割多重化スペクトラム拡散多重接続（ＯＦＤＭ−ＳＳＭＡ）セルラーワイヤレスシステムで使用される適応アンテナアレイ技法を提供する。例文帳に追加

To provide an adaptive antenna array technique to be used in an orthogonal frequency division multiplex spread spectrum multiple access(OFDM- SSMA) cellular wireless system. - 特許庁

さらにセルは、各転送デバイスの第１および第２の拡散電極の一つに隣接し、電気的に接続される少なくとも一つノードを有する差分蓄積キャパシタを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The DRAM cell further includes a difference storage capacitor which has at least one node that is adjacent to the first and the second diffusion electrodes of each transfer device, and is electrically connected with the same. - 特許庁

燃料電池スタックにおいて、スタック構造の積層方向の両端部に配置される端セル４０ｅは、カソード側ガス拡散層４２の表面に、水素酸化触媒を備える水素酸化触媒層４２ｃが形成されている。例文帳に追加

In each of end cells 40e arranged at both ends in the stacking direction of a stack structure in a fuel cell stack, a hydrogen oxidation catalyst layer 42c having a hydrogen oxidation catalyst is formed on a surface of a cathode-side gas diffusion layer 42. - 特許庁

燃料ガスの拡散性能を向上させることができ、強度補強および集電効率を高めることのできる固体酸化物燃料電池用セルを提供する。例文帳に追加

To provide a battery cell for a solid oxide fuel cell improving diffusion performance of a fuel gas and increasing strength reinforcement and current collection efficiency. - 特許庁

スタックセル電極同士の間に不純物拡散層と自己整合的に接続されるコンタクト電極を有するスタック型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、素子分離膜の膜減りを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent the thickness of an element isolation film from decreasing in a method for manufacturing a stack-type non-volatile semiconductor storage with a contact electrode that is connected in self alignment manner between stack cell electrodes. - 特許庁

触媒、含フッ素イオン交換樹脂及び温度２０℃における２質量％の水溶液の粘度が１０００ｃＰ以上のセルロース類が溶媒に分散又は溶解された粘性混合物からガス拡散電極を形成する。例文帳に追加

A gas dispersion electrode is formed of a viscous compound in which catalyst, fluorine ion exchange resin, and cellulose whose water solution of 2 wt.% has viscosity of not less than 1000 cP at 20°C are dispersed or melted in a solvent. - 特許庁

コンタクト開口１２１は、メモリセルサブアレイに対して外側にある規定された領域のビットライン拡散部１１５の表面まで下がった誘電層１２０に形成される。例文帳に追加

A contact opening 121 is formed in the dielectric layer 120 lowered to the surface of a bit line diffused part 115 of the specified region at the outside of the memory cell sub-array. - 特許庁

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask. - 特許庁

単位セル１２Ａ，１２Ｂは、不純物領域１４およびチャネル形成領域１６によって構成されるフィールド拡散領域と、ゲート電極１８によって構成されるゲート形成領域とを含む。例文帳に追加

The unit cells 12A and 12B includes a field diffusing region comprising an impurity region 14 and a channel forming region 16 and a gate forming region comprising a gate electrode 18. - 特許庁

一つの本体（半導体レール）領域と第１および第２の拡散電極を各々含む完全に空乏状態の第１および第２の転送デバイスを有するメモリ・セル（２素子型ＤＲＡＭ）である。例文帳に追加

The DRAM cell is a memory cell (two-device type DRAM) including first and second transfer devices in a completely deplete state each including one body(semiconductor rail), and first and second diffusion electrodes. - 特許庁

燃料電池において、電極層内における水の滞留、特にガス拡散層と触媒層との界面付近における水の滞留を防止することによって、セル電圧などの電池特性を向上させる。例文帳に追加

To improve cell characteristics, such as a cell voltage, by preventing stay of water in an electrode layer, especially stay of water near an interface of a gas diffusion layer and a catalyst layer in a fuel cell. - 特許庁

高電流密度における運転において、電極内で生成・消費するガスおよび液体の拡散性を確保し、発電性能が低下を防止する燃料電池セルを提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell securing diffusion of gas and liquid produced/consumed in an electrode and preventing decrease in power generation performance in high current density operation. - 特許庁

外部に拡散されるドーパントを制御することによって、ＨＳＧグレーンサイズ、密度、均一度及びＤＲＡＭメモリセルの静電容量を向上できると同時に、リアクタスループットを維持できる。例文帳に追加

By controlling the dopant to be diffused outside, the grain size, density, and uniformity of HSG can be improved and hence the electrostatic capacity of a DRAM memory cell can be increased while keeping reactor throughput as it is. - 特許庁

電解質膜１にダメージを与えることなく、ガス拡散性を確保することができ、また、単位セル１００各層内の結着力が向上する燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell capable of securing gas diffusion capability without damaging an electrolyte membrane 1 and of increasing joining force in each layer of a cell 100. - 特許庁

遅延セルの遅延時間がターゲットの遅延時間からずれた場合であっても、出力クロックの変調度のがたつきを軽減することができるスペクトラム拡散クロックジェネレータを提供する。例文帳に追加

To provide a spread spectrum clock generator (SSCG) capable of reducing the fluctuation in modulation of an output clock even if the delay time of a delay cell deviates from a target delay time. - 特許庁

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。例文帳に追加

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed. - 特許庁

太陽電池における基板中の物質の拡散による悪影響を受けず、発電セルを構成する物質の劣化を抑えて、長期信頼性をより向上させる。例文帳に追加

To more improve long-term reliability by suppressing deterioration of material constituting a power generation cell without being adversely affected by diffusion of material within a substrate in a solar cell. - 特許庁

互いに隣接するビット線１０３間の領域に複数の素子分離用溝１０５を夫々形成し、その複数の素子分離用溝１０５により少なくとも互いに隣接するメモリセルのドレイン拡散領域１０６間を分離する。例文帳に追加

A plurality of grooves 105 for element separation are formed in the region between mutually adjacent bit lines 103, and the plurality of grooves 105 for element separation separate drain diffusion regions 106 of at least mutually adjacent memory cells. - 特許庁

単セル１５は、電解質膜２０の両側にアノード２１とカソード２２の両電極を備えた膜電極接合体（Membrane Electrode Assembly／ＭＥＡ）を、ガス拡散層２３、２４とガスセパレーター２５、２６で挟持する。例文帳に追加

In a cell 15, a membrane electrode assembly (MEA) comprising an anode 21 and a cathode 22 on both sides of an electrolyte membrane 20, is held between gas diffusion layers 23 and 24 and gas separators 25 and 26. - 特許庁

電極間における遷移金属の拡散が抑制されており燃料電池の発電性能を低下させない平板型燃料電池セルを効率的に大量生産できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method efficiently manufacturing a large number of flat plate type fuel cells in which the diffusion of transition metals between electrodes is suppressed and drop in the power generation performance of a fuel cell is prevented. - 特許庁

セパレータ３０を用いて構成した燃料電池では、各単セルに分配されたガスは、凹部４５，４６とガス拡散電極との間で形成される流路を通過しつつ、流路形成部２４によって攪拌される。例文帳に追加

In this fuel cell composed by using the separator 30, the gas distributed to each cell is kneaded by the passage forming parts 24 while passing the passages formed between the recessed parts 45, 46 and the gas diffusion electrode. - 特許庁

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics. - 特許庁

過酷な電解環境に曝される食塩電解用ガスを工業的に操業することを可能にするために、従来の電極に比較して、長期間安定で、セル電圧の小さい優れたガス拡散陰極を提供する。例文帳に追加

To provide a superior gas diffusion cathode which has long time stability and lowers cell voltage compared to a conventional electrode so as to enable the industrial production of gases through brine electrolysis in which the cathode is exposed to a harsh electrolysis environment. - 特許庁

燃料電池セルは、固体高分子電解質膜１０の両側に触媒層１１ａ、１１ｃおよびガス拡散層１２ａ、１２ｃ、さらにこれらを挟持するようにセパレータ１３ａ、１３ｃを備える。例文帳に追加

A fuel battery cell comprises catalyst layers 11a, 11c and gas diffusion layers 12a, 12c on both sides of a solid polyelectrolyte membrane 10, and further, comprises separators 13a, 13c so as to sandwich these. - 特許庁

半導体基板１００にセルトランジスタのソース／ドレインとして埋込み拡散層１０２を形成してから、ゲート誘電膜１０３とゲートパターン１０４を形成する。例文帳に追加

After forming a buried diffused layer 102 as sources/drains of cell transistors on a semiconductor substrate 100, a gate dielectric film 103 and gate pattern 104 are formed. - 特許庁

燃料電池の単セル１０は、固体高分子電解質膜２１の両側に触媒層２２、２３を形成し、触媒層２２、２３の外側にガス拡散層２６、２７を形成したＭＥＡ２０を備える。例文帳に追加

A single cell 10 of the fuel cell includes an MEA 20 including: catalyst layers 22 and 23 formed on both sides of a solid polymer electrolyte membrane 21; and gas diffusion layers 26 and 27 formed on the external sides of the catalyst layers 22 and 23. - 特許庁

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つことができる。例文帳に追加

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas. - 特許庁

この各ダミーゲート電極ＧＡｐ、ＧＡｎのゲート長は、拡散領域ＯＤｐ、ＯＤｎの端部を越えて、スタンダードセルＳの内方に向かって長く延ばされる。例文帳に追加

Gate length of the respective dummy gate electrodes GAp, GAn is prolonged toward the inside of the standard cell S, exceeding end portions of diffusion areas ODp, ODn. - 特許庁

スタッキング時の押圧力に対するセルの変形量の確保と、膜電極接合体への良好なガスの拡散性の双方を満足する燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell in which both of the securement of a cell deformation amount against a strength in stacking and the good diffusion property of gas to a membrane electrode assembly are satisfied. - 特許庁

Ｎ^+拡散ノードＮＳＬは、対応するメモリセル行の選択時にＬレベル（接地電圧Ｖｓｓ）に設定されるメインワード線／ＭＷＬ＜ｘ＞と接続される。例文帳に追加

The N+diffusion mode NSL is connected to a main word line/MWL<x> set to an L level (ground voltage Vss) when a corresponding memory cell line is selected. - 特許庁

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

拡散層の親水化を抑制し、燃料電池性能の低下を抑制することができる燃料電池セル及び燃料電池積層体を提供する。例文帳に追加

To provide a cell of fuel cell and a fuel cell stack capable of restraining a diffusion layer from getting hydrophilic, and capable of restraining fuel cell performance from getting worse. - 特許庁

コリレータ部５２ではそのデータに対してセル情報から指定された特定の拡散符号を用いて相関計算を行い、ディレイプロファイルを作成する。例文帳に追加

A correlator 52 makes a correlation calculation for the data by using a specified spread code specified with cell information to generate a delay profile. - 特許庁

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。例文帳に追加

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate. - 特許庁

離隔プレートの位置で反応ガスの離隔機能を回復することによって不利な点を克服して、各基本セルにおけるアノード及びカソードにおける拡散層の位置で水から反応ガスを離隔する。例文帳に追加

To separate a reaction gas from water, at a position of a diffusion layer in an anode and a cathode in each basic cell, by overcoming the disadvantageous point by recovering the separation functions of the reaction gas at the location of a separation plate. - 特許庁

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。例文帳に追加

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate. - 特許庁

Ｎ型拡散層１５のゲート電極１４に対する一方の領域には、電源端子１１から延びるセル内電源線１１ａが形成されている。例文帳に追加

In one region of the N-type diffused layer 15 about a gate electrode 14, an in-cell power line 11a extending from the power terminal 11 is formed. - 特許庁

拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer. - 特許庁

隣接する単位セル１間で、空気導入マニホールド２２と空気流路３１とを連結する拡散部３２の背面と冷却水流路１４とが向かい合い、冷却水流路１４によって冷却水を流す。例文帳に追加

The back face of a diffusion part 32 which connects the air intake manifold 22 and an air passage 31 and a cooling water passage 14 face each other and the cooling water is made to flow by the cooling water passage 14. - 特許庁

不純物拡散領域及びゲート電極のレイアウトを変更することなくトランジスタの並列接続数を変更することが可能なベーシックセルを用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which uses basic cells that are capable of changing the parallel connections of transistors in number without changing an impurity diffusion region and a gate electrode in layout. - 特許庁

単位セル１のカソードガス拡散層１３を撥水部２０ａと親水部２０ｂとによって構成し、隣り合う撥水部２０ａの間に親水部２０ｂを配設する。例文帳に追加

A cathode gas diffusion layer 13 of a unit cell 1 is constituted of water repellent part 20a and hydrophilic part 20b, and the hydrophilic part 20b is arranged and installed between neighboring water repellent parts 20a. - 特許庁

ＰウェルおよびＮウェルのコンタクトおよび好ましくはグランドへのＰ＋拡散交差部を有する低コストＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること例文帳に追加

To provide contacts of P well and N well and, suitably, a low cost SRAM (static random access memory) cell having a P+ a diffusion intersection section to ground. - 特許庁