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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 活性珪素に関連した英語例文

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活性珪素の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 133



例文

光触媒活性を有する基体と、該基体を被覆する、実質的に細孔を有しない酸化珪素膜とを有し、アルカリ金属含有量が1ppm以上1000ppm以下である、光触媒を含有することを特徴とする無機硬化体を製造する。例文帳に追加

The inorganic hardened body is produced by incorporating a photocatalyst therein which comprises a base material having photocatalytic activity and a silicon oxide film, with which the base material is covered and which has no pore substantially, and has alkali metal content of 1-1,000 ppm. - 特許庁

添加剤としては、活性炭、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノファイバー、フラーレン、カーボンブラック、黒鉛、炭化珪素、ピッチコークス、ダイヤモンド及びダイヤモンドライクカーボンからなる群から選ばれる1又は2以上の物質が好ましい。例文帳に追加

The additive is preferably one or more substances selected from the group consisting of activated carbon, carbon nanotube (CNT), carbon nanofiber, fullerene, carbon black, graphite, silicon carbide, pitch coke, diamond, and diamond-like carbon. - 特許庁

極性変換基を少なくとも2つ以上有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(a)を含有し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)、を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。例文帳に追加

The actinic ray- or radiation-sensitive resin composition includes a resin (A) which has at least two polar conversion groups, includes a repeating unit (a) having at least either a fluorine atom or a silicon atom, and exhibits increased solubility in an alkali developer by the action of an acid. - 特許庁

半導体層は、III族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層71と、n型障壁層72と、活性層73と、p型障壁層74と、p型コンタクト層75とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate. - 特許庁

例文

窒化珪素系セラミックス焼結体の出発原料に、Co、Fe及びNiのうち1種または2種以上の炭酸化合物または硝酸化合物を高温分解により活性化させた酸化物を添加し焼結することにより黒色化したことを特徴とする。例文帳に追加

The compact is also characterized by blackening the compact by sintering its starting material after adding an oxide of one or more kinds of carbonate compound or nitrate compound based on Co, Fe and Ni activated by a high temperature decomposition. - 特許庁


例文

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。例文帳に追加

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated. - 特許庁

上記粉末の混合物を不活性ガス気流中で、1300〜1400℃で、40分〜2時間加熱することにより、直径が80〜300nmで、長さ数百μmの竹状形態を有する立方晶系炭化珪素ナノワイヤーを製造することができる。例文帳に追加

It is capable of manufacturing a silicon carbide nanowire of a cubic system which has a diameter of 80-300 nm and a bamboo-like shape of a length of several hundreds μm by heating the above mixture of powder in an inert gas stream at 1,300-1,400°C for 40 min-2 h. - 特許庁

有機珪素ポリマーのSiCへの転化率を高め、ポリマー含浸工程と不活性焼成工程におけるSiCの充填効率を高めて、気密性のあるセラミックス基複合材料を効率的に短期間で製造することができるセラミックス基複合材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a ceramics matrix composite material by which the conversion rate of an organosilicon polymer into SiC is raised and the filling ratio of the SiC in a polymer impregnating step and an inert baking step can be raised to efficiently produce the ceramics matrix composite material having airtightness in a short period. - 特許庁

熱可塑性樹脂成形品上に(メタ)アクリレート系化合物を含む活性エネルギー線硬化性組成物(Y)の硬化層、カウンターアニオンがヘキサフルオロアンチモネートまたはテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートであるヨードニウム塩系光重合開始剤(α)および珪素系化合物(β)を含有する活性エネルギー線硬化性組成物(X)の硬化物からなる層を順次有する積層体。例文帳に追加

In the laminated product, a cured layer of an active energy ray-curable composition Y, which contains a (meth)acrylate-based compound, and a cured layer of an active energy ray-curable composition X containing an iodonium salt-based photoinitiator (α) wherein a counter anion is hexafluoroantimonate or tetra(pentafluorophenyl)borate and a silicon-based compound (β) are sequentially formed on a thermoplastic resin molded product. - 特許庁

例文

半導体装置としてのMOSFETの製造方法は、炭化珪素からなるウェハを準備するウェハ準備工程と、ウェハ上に炭化タンタルまたは炭化タングステンからなるキャップ層を形成するアニールキャップ形成工程と、ウェハを加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。例文帳に追加

The fabrication process of an MOSFET as the semiconductor device comprises a wafer preparation step of preparing a wafer comprising silicon carbide, an anneal cap forming step of forming a cap layer comprising tantalum carbide or tungsten carbide on the wafer, and an activation anneal step of carrying out activation annealing by heating the wafer. - 特許庁

例文

複合微粒子は、(1)活性水素を有する官能基及びポリシロキサン基を側鎖に有する含珪素ポリマーと、重合性官能基及び活性水素と反応する官能基を有する化合物とを反応させる工程と、(2)その反応生成物と、加水分解により金属酸化物を生成しうる金属化合物とを反応させる工程とを含む製造方法で製造される。例文帳に追加

The composite fine particles are manufactured by the manufacturing method comprising (1) the step of reacting a silicon-containing polymer, which has a functional group having an active hydrogen and a polysiloxane group in the side chain, with a compound having a polymerizable functional group and a functional group reactant with the active hydrogen and (2) the step of reacting this reaction product with a metal compound that can generate a metal oxide by hydrolysis. - 特許庁

基体上に、特に珪素、鉄、銅を含むアルミニウム基体上に機能性膜を形成する工程を含む電子写真感光体製造方法に於いて、前記電子写真感光体の形成工程前に界面活性剤を含む水で脱脂洗浄し、界面活性剤、二酸化炭素、特定のインヒビターのうち少なくとも1つを含む水で、前記基体表面を洗浄する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the electrophotographic photoreceptor which contains a process for forming a functional membrane on a substrate 101, especially on an aluminum substrate containing silicon, iron and copper, the surface of the substrate 101 is degreased and cleaned by water containing a surfactant before the process for forming the electrophotographic photoreceptor and then is cleaned by water containing at least one of the surfactant, carbon dioxide and a specific inhibitor. - 特許庁

表面に少なくとも印刷配線が形成されている基板の表面処理を行なう際に、水に溶解し且つ水中で分解しない界面活性剤(アニオン系、カチオン系、ノニオン系等の界面活性剤)及び、水溶性であり且つ残留性すなわち揮発性の少ない有機珪素化合物が含まれる水系洗浄剤を用いる。例文帳に追加

When the surface treatment of a board on the surface of which at least printed wiring is formed is performed, an aqueous cleaning agent containing a surface-active agent (anionic, cationic or nonionic surface active agent) that dissolves in water and does not decompose in water, and an organic silicon compound that is water-soluble and having residual property, that is, hard to volatilize is used. - 特許庁

ノルボルネンまたはノルボルネン誘導物を始めとする種々のモノマーを原材料とする飽和した環状ポリオレフィン系樹脂の表面に、厚さ500Å以下の珪素化合物からなる層が形成されていることを特徴とするマイクロチップ用基板を生化学的活性物質の固定化に用いる。例文帳に追加

The substrate for a microchip, which is used for fixating the biochemically active substance, is characterized in that on the surface of a saturated cyclic polyolefin resin using as the raw material various monomers including norbornene or a norbornene derivative there is formed a layer 500thick or thinner consisting of a silicon compound. - 特許庁

絶縁膜202上の結晶性半導体膜からなる活性層207を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。例文帳に追加

The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film. - 特許庁

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)、及び、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位(c)を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂(C)を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。例文帳に追加

The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains: resin (A) capable of increasing the solubility with an alkali developing solution by an action of an acid; and resin (C) having at least either a fluorine atom or a silicon atom and containing repeating unit (c) having at least two polarity conversion groups. - 特許庁

プラスチックフィルム基材1の両面または片面に酸化珪素膜2を積層してなるガスバリア積層体において、差圧式ガス透過率装置(GTR−30XT、Yanaco)によって、JIS K7126に準じた方法で、測定される前記ガスバリア積層体のアルゴン透過の活性化エネルギーが35kJ/mol以上,45kJ/mol以下の範囲内である。例文帳に追加

The gas barrier lamination body is prepared by laminating the silicon oxide film 2 on both surfaces or one surface of a plastic film base material 1, wherein the activation energy of argon permeation of the gas barrier lamination body measured by a method according to JIS K7126 using a differential pressure type gas permeability apparatus (GTR-30XT, Yanaco) falls into the range of 35 to 45 kJ/mol. - 特許庁

酸化ストロンチウムおよび炭酸ストロンチウムの少なくとも1種を含むストロンチウム化合物と、窒化珪素と、窒化アルミニウムと、酸化アルミニウムと、酸化ユーロピウムとを含む蛍光体原料混合物を、50MPa〜200MPaの不活性ガス雰囲気下で、1400℃〜2200℃で焼成する蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a phosphor includes: a step of firing a strontium compound containing at least one of strontium oxide and strontium carbonate, and a raw material mixture of a phosphor containing silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and europium oxide at 1,400-2,200°C in an inert gas atmosphere of 50-200 MPa. - 特許庁

(A)珪素原子を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)露光用のエネルギー線の照射により分解しないアンモニウム塩、及び(D)溶剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。例文帳に追加

The positive type photoresist composition contains (A) an Si- containing resin having a velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid, (B) a compound which generates the acid when irradiated with active light or radiation, (C) an ammonium salt which is not degraded by irradiation with energy beams for exposure and (D) a solvent. - 特許庁

このプロセスによれば、活性アルミナは、比表面積が200m^2/gないし299m^2/gであり、少なくとも80%の酸化アルミニウム(Al_2O_3)、酸化珪素(SiO_2)、酸化鉄(Fe_2O_3)、および0.001%ないし7.25%の、少なくとも1種のアルカリまたはアルカリ土類金属の少なくとも1つの酸化物たとえば酸化ナトリウムおよび酸化カリウムを含む。例文帳に追加

Activated alumina has a specific surface area of 200-299 m2/g and contains at least 80% of aluminum oxide (Al2O3), silicon oxide (SiO2) and iron oxide (Fe2O3) and 0.001-7.25% of at least one oxide of alkali metal or alkaline earth metal, for example, sodium oxide or potassium oxide. - 特許庁

ホスホリン系触媒を用いて有機ポリイソシアネートをカルボジイミド化する変性ポリイソシアネートの製造方法において、比表面積が少なくとも400m^2/gで吸油量が少なくとも180ml/100gの二酸化珪素粒子を使用することで触媒を吸着不活性化しカルボジイミド化反応を停止させる方法を提供する。例文帳に追加

The method for preparing a modified polyisocyanate by carbodiimidizing a polyisocyanate using a phospholine catalyst is characterized by comprising a step of terminating the carbodiimidizing reaction by adsorbing and inactivating the phospholine catalyst by virtue of silicon dioxide particles having a specific surface area of at least 400 m^2/g and an oil absorption capacity of at least 180 ml/100 g. - 特許庁

上塗り層12は、光触媒活性を有する金属酸化物粒子(B)と、ビニル単量体及び加水分解性珪素化合物をそれぞれ重合させる工程を含む方法によって得られる重合体エマルジョン粒子(C)と、コロイダルシリカ(D)と、を含有する上塗り用コーティング組成物(II)の塗膜を乾燥して形成される膜である。例文帳に追加

The top coat layer 12 is a film formed by drying a coating film of a top coating composition (II) that contains metal oxide particles (B) having photocatalytic activity, polymer emulsion particles (C) obtained by a method involving the step of polymerizing a vinyl monomer and a hydrolytic silicon compound separately, and colloidal silica (D). - 特許庁

炭化珪素と、無機結合成分と、酸化ニオブ、酸化アンチモンおよび酸化タングステンからなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物とを含んでなる担体に、五酸化バナジウムを含むと共に、アナターゼ型酸化チタンと、アルカリ金属、希土類、硫黄、リン、アンチモン、ニオブおよびホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物とを触媒活性成分として担持させる。例文帳に追加

A catalytically active component comprising vanadium pentoxide, anatase titanium oxide, and an oxide of at least one element selected from the group consisting of an alkali metal, a rare earth element, sulfur, phosphorus, antimony, niobium, and boron is allowed to be carried by a carrier comprising silicon carbide, an inorganic binder component, and at least one oxide selected from the group consisting of niobium oxide, antimony oxide, and tungsten oxide. - 特許庁

基板上に、特定の繰り返し構造単位を有する樹脂、加熱により酸を発生する化合物、及び酸により該樹脂を架橋する酸架橋性化合物を含有する層と、この上に珪素原子を含有する樹脂と活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するシリコン含有感輻射線性レジスト層を有するレジスト積層物。例文帳に追加

The resist laminated body has a layer containing a resin having specified repeating structural units, a compound which generates an acid when heated and an acid-crosslinking compound which crosslinks the resin under the acid on a substrate and a silicon-containing radiation sensitive resist layer containing a silicon-containing resin and a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation on the above layer. - 特許庁

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂(c)を2以上含有する樹脂、及び(D)溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。例文帳に追加

The positive resist composition comprises (A) a resin that, when acted on by an acid, exhibits an increased solubility in an alkali developer, (B) a compound that, when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid, (C) a resin containing two or more resins (c) each having at least either a fluorine atom or a silicon atom, and (D) a solvent. - 特許庁

コア(1a)およびクラッド(1d)から成る石英またはガラス製の光ファイバ(1)の外周面に、シリコンアルコキシドと加水分解反応を促進する活性アルコールとアルコールと水の混合液からゾル−ゲル法により合成したシリカミクロ多孔体溶液を塗布し、焼付けして、珪素を主成分とするシリカミクロ多孔体膜(2)を形成する。例文帳に追加

A solution of a silica microporous material synthesized by a sol-gel method from a mixture liquid of silicon alkoxide, active alcohol which promotes hydrolysis, alcohol and water is applied onto the outer surface of a quartz or glass optical fiber (1) composed of a core (1a) and a clad (1d) and is baked to form a silica microporous film (2) essentially made up of silicon. - 特許庁

前記複合酸化物は、気体状の亜鉛を酸素と水蒸気の存在下で酸化させる気相反応において、不活性ガス中に亜鉛蒸気を含むガスと、酸素と水蒸気とを含むガスを、反応器にそれぞれ導入し、反応器内で亜鉛の酸化反応をさせ、その反応帯に珪素含有組成物を導入し酸化することにより得られる。例文帳に追加

In the gas phase reaction for oxidizing gaseous zinc in the presence of oxygen and water vapor, the gas containing a zinc vapor in an inert gas and the gas containing oxygen and water vapor are respectively introduced into a reactor to effect the oxidation reaction of zinc wherein the reactor, and then the silicon containing composition is introduced into the reaction zone for the oxidization, whereby the complex oxide can be produced. - 特許庁

それはシリカ系含珪素フィラーを吸油量にて分類規定し、スクリーン印刷適正に優れたインキジェットインキ受像層形成用活性エネルギー線(紫外線・電子線)硬化型スクリーン組成物、及びその印刷物、それが情報記録媒体、コンパクトディスクであり、記録媒体へのダメージを皆無とする印刷物を提供する。例文帳に追加

The screen printed product is also disclosed the substrate to be printed of which is an information recording medium, in other words, a compact disc, not to damage the recording medium. - 特許庁

炭素製の部材の表面にフェノール樹脂を含浸させたカーボンペーパーを巻き付け、フェノール樹脂を硬化させるか、或いは硬化させることなく、不活性雰囲気中で500℃〜600℃で仮焼し、該フェノール樹脂を炭化し、炭化珪素からなる耐酸化性保護層を形成するための保護層形成用層を形成することにより製造されうる耐酸化性保護層を形成するための保護層形成用層を有する炭素製部材、およびその製造方法により達成。例文帳に追加

The carbon part wound with a carbon paper which is impregnated with a phenol resin is calcinated before or after curing in an inert atmosphere of temperature 500-600°C, as the result that the resin is carbonized and oxidation resistant silicon carbide layer is formed on the surface of the carbon part. - 特許庁

エレクトロルミネセンス蛍光体とユーロピウム活性化アルカリ土類金属珪素窒化物蛍光体との混合物からなる蛍光体ブレンドであって、該エレクトロルミネセンス蛍光体が青色発光エレクトロルミネセンス蛍光体、青色−緑色発光エレクトロルミネセンス蛍光体又はこれらの組合せから選ばれる蛍光体ブレンドを使用して、高い演色指数(CRI)を有するエレクトロルミネセンスランプを作成することができる。例文帳に追加

The electroluminescent lamp having the high color rendering index (CRI) can be manufactured by using a phosphor blend composed of a mixture of an electroluminescence phosphor and an europium activation alkaline earth metal silicon nitride phosphor and the electroluminescence phosphor is selected from a blue emission electroluminescence phosphor, a blue-green emission electroluminescence phosphor, or a combination of them. - 特許庁

基材上に、光分解触媒としての機能を有する金属酸化物(A)の皮膜と、炭素数が5以上のフルオロアルキル基が結合した珪素原子を有するポリシロキサン(B)の皮膜を順次形成せしめて複層皮膜を調製した後、当該複層皮膜に活性エネルギー線を照射する親水性皮膜の形成方法、および、この方法により形成される親水性皮膜をトップコート層として設けてなる塗装物品。例文帳に追加

The hydrophilic coating film is formed by successively forming a coating film of metal oxide A having a function as a photodegradation catalyst and a coating film of polysiloxane B having silicon atom bonded with a ≥5C fluoroalkyl group to prepare a multilayer coating film and after that, irradiating the multilayer coating film with active energy beam and the coated article is provided with the hydrophilic coating film formed by the method as the top coat layer. - 特許庁

レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素膜に対して、凹凸が形成された結晶性半導体膜に不活性ガスを吹きつけるために、結晶性半導体膜上の近傍に設けられた複数の開口部と、凹凸が形成された結晶性半導体膜に照射されるレーザー光が通過するために、複数の開口部の中心に設けられた一つのスリットと、を有することを特徴とするレーザー照射装置を用いてレーザー光を照射する。例文帳に追加

The crystalline silicon film on which the unevenness is formed by irradiation of a laser beam is irradiated with a laser beam using a laser irradiation apparatus having a plurality of openings provided near on the crystalline semiconductor film to jet an inert gas on the crystalline semiconductor film having the unevenness, and a slit provided on the center of the plurality of openings through which the laser beam to be emitted to the crystalline semiconductor film having the unevenness pass. - 特許庁

例文

エレクトロルミネセンス蛍光体とユーロピウム活性化アルカリ土類金属珪素窒化物蛍光体との混合物からなる蛍光体ブレンドであって、該エレクトロルミネセンス蛍光体が青色発光エレクトロルミネセンス蛍光体、青色−緑色発光エレクトロルミネセンス蛍光体又はこれらの組合せから選ばれる蛍光体ブレンドを使用して、高い演色指数(CRI)を有するエレクトロルミネセンスランプを作成することができる。例文帳に追加

An electroluminescent lamp having a high color rendering index (CRI) can be manufactured by using a phosphor blend composed of a mixture of an electroluminescence phosphor and a europium activated alkaline earth metal silicon nitride phosphor, in which the electroluminescence phosphor is selected from a blue emission electroluminescence phosphor, a blue-green emission electroluminescence phosphor, or a combination of them. - 特許庁

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