「活性珪素」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

この薄膜トランジスタは、活性層に珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて作製された結晶性珪素膜を用いている。例文帳に追加

In this thin-film transistor, a crystallized silicon film made of a metallic element promoting crystallization of silicon is used for active layers. - 特許庁

高い不純物の活性化率を保ちながら平滑な炭化珪素の表面が得られる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, wherein a smooth silicon carbide surface can be obtained while holding high impurity activation ratio. - 特許庁

アルキル—またはアリル—ハロゲンシランの調製のための活性珪素粉末及びその製造方法例文帳に追加

ACTIVATED SILICON POWDER FOR PREPARING ALKYL-OR ARYL- HALOSILANE AND ITS PRODUCTION - 特許庁

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。例文帳に追加

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation. - 特許庁

硬化型珪素系樹脂組成物及びそれを使用した光触媒活性を有するフィルム例文帳に追加

CURING TYPE SILICON-BASED COMPOSITION AND FILM HAVING PHOTOCATALYTIC ACTIVITY USING THE COMPOSITION - 特許庁

炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor. - 特許庁

加熱炉１に、一酸化珪素粉末１５を入れた坩堝２を配置し、不活性ガス１６を流しながら、一酸化珪素粉末１５を所定の温度において所定時間加熱することによって、結晶性珪素マイクロチューブを製造する。例文帳に追加

The crystalline silicon microtube is manufactured by disposing a crucible 2 containing silicon monoxide powder 15 in a heating furnace 1, and heating the silicon monoxide powder 15 at a prescribed temperature for a prescribed time while flowing an inert gas 16. - 特許庁

主鎖が珪素原子のみからなる有機珪素高分子化合物、及び／または、主鎖が珪素原子と炭素原子のみからなる有機珪素高分子化合物と、固体炭素を含有する多孔質体等の成形体を、窒素ガス以外の不活性ガス雰囲気中、或いは、窒素ガス雰囲気中で加熱処理することを特徴とする炭素珪素ウイスカー或いは窒素珪素ウイスカーの製造方法。例文帳に追加

A formed body such as a porous body containing an organosilicon polymer compound whose main chain is made of only a silicon atom and/or an organosilicon polymer compound whose main chain is made of only a silicon atom and a carbon atom and a solid carbon is subjected to heat-treatment in an inert gas atmosphere except gaseous nitrogen or a gaseous nitrogen atmosphere. - 特許庁

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film. - 特許庁

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、雰囲気不活性ガス中に珪素の水素化物、炭素の水素化物又は珪素及び炭素を含む水素化物から選ばれる１種又は２種以上のガスを含有させ、炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。例文帳に追加

In growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, one or ≥2 kinds of the gases selected from hydride of silicon, hydride of carbon or hydride containing silicon and carbon are incorporated into atmosphere inert gas and the silicon carbide single crystal is grown, by which the silicon carbide single crystal ingot having high quality is obtained. - 特許庁

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

架橋剤を使用せずに、ポリカルボシラン等の炭化珪素前駆体高分子を不活性気体中において４００℃以下で加熱して熱的に架橋した炭化珪素前駆体を形成し、該架橋前駆体を熱処理することにより炭化珪素系多孔質成形体を製造する。例文帳に追加

The porous silicon carbide-based formed body is manufactured by a process wherein a thermally crosslinked silicon carbide precursor is formed by heating a silicon carbide precursor polymer such as a polycarbosilane at 400°C or lower in an inert gas without using a crosslinking agent and the crosslinked precursor is heat-treated. - 特許庁

高温下の熱処理や酸素濃度の厳密な管理を不要とし、しかも成形前後の炭化珪素の形状に依存せず、すべての形状の炭化珪素材料に対してその高表面積化を実現することができる、新規な活性炭化珪素の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing activated silicon carbide without high heat treatment and strict control of oxygen concentration, which method is not depended on a shape of silicon carbide before and after forming and can realize high surface area for all shapes of silicon carbide materials. - 特許庁

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。例文帳に追加

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method. - 特許庁

セレン化亜鉛粉末と一酸化ケイ素粉末を不活性気体中で、二段階の温度で加熱することにより、珪素ナノワイヤーとセレン化亜鉛ナノワイヤーが接合した珪素−セレン化亜鉛複合ナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

The silicon and zinc selenide compound nanowire with the silicon nanowire and the zinc selenide nanowire jointed is manufactured by heating zinc selenide powder and silicon monoxide powder in inert gas at two-stage temperature. - 特許庁

ガラス、金属、或いは酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化チタン、又はインジウム−スズ酸化物等の無機化合物の薄膜等に対する密着性が良好な活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an active energy ray-curable resin composition having good adhesiveness to a thin film of glass, metals, or inorganic compounds such as silicon oxide, silicon nitride, aluminium oxide, tin oxide, titanium oxide, or indium-tin oxide. - 特許庁

炭化珪素半導体層１８，６，８の表面を、少なくとも酸素元素を含むガスと、不活性ガスと、アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱して酸化珪素層４を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide layer 4 is formed by heating the surface of the silicon carbide semiconductor layers 18, 6, 8 in a mixed gas atmosphere including at least a gas including an oxygen element, an inert gas, and an ammonia gas. - 特許庁

本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which prevents a silicon carbide surface from getting rough when heat treatment is conducted for activating various kinds of ions after ion implantation. - 特許庁

光触媒活性を有する基体と、該基体の表面の少なくとも一部を被覆している、実質的に細孔を有しない酸化珪素膜、からなる酸化珪素被覆光触媒を、燃料電池用電極触媒に含有した構成とする。例文帳に追加

A silicon oxide covered photocatalyst comprising a substrate having photocatalyst activity and a silicon oxide film covering at least a part of the surface of the substrate and having practically no pores is contained in the electrode catalyst for the fuel cell. - 特許庁

光触媒活性を有する基体と、該基体を被覆する、酸化珪素膜を含む光触媒を、２段階からなる酸化珪素膜被覆工程を経て製造することにより、基材保護型光触媒が提供可能となる。例文帳に追加

The base material protection type photocatalyst can be provided by manufacturing the base material having photocatalytic activities, and a photocatalyst including a silicon oxide film covering the base material undergoing a silicon oxide film covering step including two stages. - 特許庁

基板の反りが抑制され、高い不純物の活性化率を保ちつつ従来よりも平滑な炭化珪素の表面を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device that suppresses warpage of a substrate and has smoother surface of silicon carbide than before, while keeping high activation of impurities. - 特許庁

炭化珪素前駆体高分子は、不活性気体中において２００〜４００℃で、１時間以上加熱して熱的に架橋することが好ましく、架橋した炭化珪素前駆体は５００〜１３００℃で、１時間以上熱処理することが好ましい。例文帳に追加

It is favorable that the silicon carbide precursor polymer is thermally crosslinked at 200-400°C in the inert gas for 1 hour or more and that the crosslinked silicon carbide precursor is heat-treated at 500-1,300°C for 1 hour or more. - 特許庁

物質表面に不活性コーティングを付着させる方法において、不活性ガスの存在下で表面を活性化するのに十分な時間前記表面をプラズマ放電に曝す第１工程、およびプラズマがない状態で、活性化された表面と、ガス状有機珪素物質とを接触させ、この活性化された表面に有機珪素物質を蒸着させる第２の工程を含む前記方法。例文帳に追加

The depositing method of an inert coating on a substance surface includes a first process to expose the surface to plasma discharge for an enough time to activate the surface in the presence of an inert gas, and a second process to bring the activated surface into contact with a gaseous org. silicon material without plasma and to carry out vapor deposition of the org. silicon material on the activated surface. - 特許庁

活性土壌は珪素、アルミナ、アロフェン、ヒューミン酸、フルボ酸、無機質、及び有機質の複合炭素からなっている。例文帳に追加

The active soil consists of silicon, alumina, allophane, fuming acid, fulvic acid, minerals and organic complex carbon. - 特許庁

このような構成は、非晶質珪素膜の結晶化、不純物イオン注入の後の活性化等に利用することができる。例文帳に追加

Such structure can be used for the crystallization of an amorphous silicon film and activation after ion injections of impurities or the like. - 特許庁

それぞれの酸化珪素系部材の表面はフッ酸ガス１０３が吸着し、原子と原子の結合が切られ、化学的に活性になる。例文帳に追加

Hydrofluoric acid 103 is adsorbed on the surface of each silicon oxide-based member and the bond between atoms is broken, and the surface becomes chemically active. - 特許庁

好ましいブレンドは、約１０重量％〜約２０重量％のユーロピウム活性化アルカリ土金属珪素窒化物蛍光体を含有する。例文帳に追加

The preferable blend contains about 10 wt.% to about 20 wt.% of the europium activated alkaline earth metal silicon nitride phosphor. - 特許庁

炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, capable of suppressing surface roughness during activation annealing performed on a substrate including silicon carbide. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１０と、活性層２０と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０とを備えている。例文帳に追加

MOSFET 1 comprises a silicon carbide substrate 10, an active layer 20, a gate oxide film 30 and a gate electrode 40. - 特許庁

炭化珪素粉末と炭素粉末とを所定の割合で混合し成形して得られた平板状の炭化珪素-炭素質成形体を、金属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸させながら焼成するフラットディスプレイパネル熱処理用平板の製造方法である。例文帳に追加

A flat plate type silicon carbide-carbonaceous body obtained by mixing silicon carbide powder with carbon powder in a prescribed ratio and molding the mixture is impregnated with the metallic silicon in an inert gas atmosphere with pressure reduced in which the metallic silicon exists or in a vacuum and the obtained product is baked. - 特許庁

基板６０１上に、下地膜６０２、非晶質珪素膜６０３を形成し、この非晶質珪素膜６０３の表面に厚さ１０〜１００Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層６０４を形成し、非晶質珪素膜６０３を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。例文帳に追加

A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100 Å is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device. - 特許庁

硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。例文帳に追加

The zinc sulfide/silicon nanowires each having a core/shell structure are obtained by heating zinc sulfide powder at 1,150-1,250°C in an inert atmosphere and then reacting the formed zinc sulfide nanowires with silicon monooxide by heating them at 1,200-1,400°C in an inert atmosphere. - 特許庁

フッ素置換基を有する界面活性剤に加え、フッ素置換基及び珪素含有置換基のいずれもを含有しない非イオン系界面活性剤を配合することを特徴とするレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

The resist material contains a nonionic surfactant not containing a fluorine substituent and a silicon-containing substituent besides a surfactant having a fluorine substituent. - 特許庁

半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴの製造方法は、炭化珪素からなるウェハ３を準備する工程と、ウェハ３を加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。例文帳に追加

The method for manufacturing an MOSFET as a semiconductor device includes: a step of preparing a wafer 3 made of silicon carbide, and an activation annealing step of performing activation annealing by heating the wafer 3. - 特許庁

（ａ）加水分解性珪素基を有する重合体、及び（ｂ）シリコーン系界面活性剤を含有し、前記（ａ）重合体１００重量部に対し、前記（ｂ）界面活性剤５〜５０重量部を配合してなるようにした。例文帳に追加

The joint filler composition contains (a) a polymer having a hydrolyzable silicon group and (b) a silicone-based surfactant, and is obtained by formulating 5-50 pts.wt. of the surfactant (b) with 100 pts.wt. of the polymer (a). - 特許庁

二酸化珪素の微粒子と帯電防止剤としての界面活性剤、分散剤としての他の界面活性剤及び導電体の微粒子が配合されてなる、練り込み型帯電防止剤とした。例文帳に追加

The internal antistatic agent comprises silicon dioxide fine particles, a surface active agent as an antistatic agent, another surface active agent as a dispersing agent and fine particles of a conductive material. - 特許庁

基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射し、前記レーザー光が照射された珪素膜をパターニングして薄膜トランジスタの活性層を形成し、前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する薄膜トランジスタの作製方法において、前記レーザー光は幅方向に寸法Ｌ_nの領域でなる段階的なエネルギープロファイルを有しており、前記非晶質珪素膜に対して相対的に前記レーザー光を前記幅方向にピッチＤで走査し、Ｌ_n≧Ｄとすることを特徴とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法である。例文帳に追加

The laser beam has a stepwise energy profile having a region of a dimension Ln in its widthwise direction, the laser light is scanned at a pitch D in the widthwise direction relatively over the amorphous silicon film, where a relation Ln≥D is satisfied. - 特許庁

珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。例文帳に追加

In a semiconductor device which makes a crystallized crystalline silicon film using a metal element promoting crystallinity of a silicon to be an active layer, phosphor is doped to regions 114 and 116 where a source region or drain region is formed and heat treatment is performed. - 特許庁

不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部のエッチングを抑制し、ソース・ベース共通電極とベースコンタクト部とが、抵抗率の低いオーミックコンタクトとなる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a silicon carbide semiconductor device in which the problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer, etching of a base contact portion is suppressed in activated annealing, or the like, and low resistivity ohmic contact is established between the source-base common electrode and the base contact portion. - 特許庁

炭化珪素粉末、カーボンブラック、炭化ホウ素粉末、バインダ、分散媒を含有するスラリーを成形した後、乾燥し、不活性ガス雰囲気中または真空下、２０００℃以上２３００℃以下で焼成し、気孔率５％以下の自焼結体からなる自焼結炭化珪素質匣鉢を得る。例文帳に追加

The self-sintered silicon carbide sagger comprising a self-sintered body having porosity of ≤5% is obtained by molding a slurry containing a silicon carbide powder, carbon black, boron carbide powder, binder and dispersant, then drying and firing at a temperature of ≥2,000°C but ≤2,300°C. - 特許庁

質量％で、Ｓｉ含有量が４％未満の鋼板を、浸珪処理温度を１０２３℃以上、１２５０℃以下、無活性ガス雰囲気中の四塩化珪素濃度を３５ｖｏｌ％超え、好ましくは４０ｖｏｌ％超え、とする条件で浸珪処理し、高珪素電磁鋼板とする。例文帳に追加

A steel sheet containing, by mass, <4% Si is subjected to siliconizing treatment under the conditions in which siliconizing temperature is controlled to 1,023 to 1,025°C, and the concentration of silicon tetrachloride in an inert gas atmosphere is controlled to >35 vol.%, preferably to >40 vol.% to form a high silicon magnetic steel sheet. - 特許庁

２０〜２５０℃の導電率が１０^-10Ω^-1ｃｍ^-1以上、該導電率の活性化エネルギーが０．１ｅＶ以下であることを特徴とする炭化珪素からなることを特徴とし、特に前記炭化珪素が、３Ｃ型結晶を主体とすることが好ましい。例文帳に追加

The substrate for the magnetic head characteristically consists of silicon carbide characteristically having ≥10-10 Ω-1cm-1 electric conductivity at 20-250°C and ≤0.1 eV activation energy of the electric conductivity and the silicon carbide preferably comprises 3C type crystal primarily. - 特許庁

窒化珪素質焼結体からなるセラミック基板１の表面に活性金属ロウ材２を介して金属回路板３を取着して成るセラミック回路基板であって、前記金属回路板３の取着されているセラミック基板１の表面に厚さが０．１〜２μｍの酸化珪素膜４が被着されている。例文帳に追加

The ceramic circuit board is formed by fixing a metallic circuit board 3 to the surface of a ceramic substrate 1 through an active metal soldering material 2 wherein a silicon oxide film 4 of 0.1-2 μm thick is applied to the surface of the ceramic substrate 1 fixed with the metallic circuit board 3. - 特許庁

基板温度を４００℃以上８００℃以下にしてイオン注入を行うことで、イオン注入時の炭化珪素層の結晶性悪化が抑制され、不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部１５のエッチングが抑制される。例文帳に追加

When ions are implanted while holding the substrate temperature between 400-800°C, crystallinity aggravation of a silicon carbide layer is suppressed when ions are implanted, problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer and etching of the base contact portion 15 is suppressed in activated annealing, or the like. - 特許庁