「直方導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

または、ワイヤ８を半導体レーザ素子１からの出射光の方向とほぼ垂直方向に張る。例文帳に追加

Alternately, the wire 8 is stretched substantially perpendicular to the direction of outgoing light from the semiconductor laser device 1. - 特許庁

半導体レーザ１から出た光は、紙面と垂直方向に振動するＳ偏光である。例文帳に追加

Light, excited from the semiconductor laser 1 is S polarized light oscillating in the orthogonal direction to the surface of a sheet of paper. - 特許庁

第１の半導体チップ１１は、基板２０の平面に対して垂直方向に搭載される。例文帳に追加

The first semiconductor chip 11 is mounted perpendicular to the plane of the substrate 20. - 特許庁

コンタクト及びビアは、半導体基板の表面に対して垂直方向に配列されている。例文帳に追加

The contact and the via are arranged in the direction vertical to the surface of the substrate. - 特許庁

これにより、棒状導体１の軸線と垂直方向に突起部３と貫通孔６とを形成する。例文帳に追加

Consequently, the protrusion 3 and the through hole 6 are formed in the direction perpendicular to the axis of the rod-shaped conductor 1. - 特許庁

本発明は、共振器１２０が半導体基板１０１上に垂直方向に形成された面発光型半導体レーザ１００の検査方法である。例文帳に追加

The method for checking the surface emitting type semiconductor laser 100 has a resonator 120 formed in a perpendicular direction on a semiconductor substrate 101. - 特許庁

柱状半導体は、メモリストリングスのチャネル領域として機能し半導体基板に対し垂直方向に延びるように形成される。例文帳に追加

A columnar semiconductor functions as a channel region of the memory strings and is formed so as to extend in a vertical direction to a semiconductor substrate. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置１００は、半導体基板の主平面に対して垂直方向に積層された複数のメモリセルを備えている。例文帳に追加

This nonvolatile semiconductor storage device 100 includes a plurality of memory cells stacked in a direction vertical to a main plane of a semiconductor substrate. - 特許庁

薄型化、小型化ができ、かつ直方体形状の半導体装置を提供することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device for providing a rectangular parallelopiped semiconductor device which may be formed thinner and small in size. - 特許庁

鉛直放射導体２３を、略鉛直方向下方に伸びる第２放射導体２３ａと、第２放射導体２３ａの鉛直方向下方の端部において略水平方向で互いに異なる方向に分岐する１対の第３放射導体２３ｂ，２３ｂとを備えた略Ｔ字型に形成した。例文帳に追加

The vertical radiation conductor 23 is formed to have nearly a T shape provided with a second radiation conductor 23a extended downward nearly in a vertical direction; and a pair of third radiation conductors 23b, 23b branched in different directions nearly in a horizontal direction at an end downward in a vertical direction of the second radiation conductor 23a. - 特許庁

ヨーク側壁８ｂに対して垂直方向に配置された中心導体５３の導体幅Ａ３は、中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く形成されている。例文帳に追加

The conductor width A3 of the center conductor 53 placed vertically to the yoke side wall 8b is selected wider than the conductor widths A1, A2 of the center conductors 51, 52. - 特許庁

また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。例文帳に追加

Further, the method of manufacturing the same includes: a semiconductor layer forming process of forming the semiconductor layer on the substrate; and an electrode forming process of forming, on the semiconductor layer, the inter-digital electrode such that the width in the surface direction of the semiconductor layer is larger than the height in the direction perpendicular to the surface of the semiconductor layer. - 特許庁

磁性組立体５は、直方体角板状の磁性体５５に３つの中心導体５１，５２，５３を配置して構成され、磁性体５５の一辺に平行に配置された中心導体５３の導体幅Ａ３は、中心導体５１，５２の導体幅Ａ１，Ａ２よりも広く形成されている。例文帳に追加

A magnetic assembly 5 is configured by arranging three center conductors 51, 52, 53 on a magnetic body 55 of a rectangular plate shape, and a conductor width A3 of the center conductor 53 placed in parallel with one side of the magnetic body 55 is selected wider than the conductor widths A1, A2 of the center conductors 51, 52. - 特許庁

１対の接続用バスダクトの導体間を接続する可とう導体が伸縮しても、可とう導体が損傷することなく、短絡を防止して、バスダクトの導体の水平方向・垂直方向の軸移動を行うことができる、導体の軸調整システムを提供する。例文帳に追加

To provide a system for adjusting an axis of a conductor which prevents a short circuit and shifts the axis of the conductor of a bus duct in a horizontal direction and in a vertical direction without damaging a flexible conductor even if the flexible conductor connecting a pair of conductors of the bus duct for connection stretches and shrinks. - 特許庁

面発光型半導体レーザ１００は、半導体基板１０９上に、垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板１０９に垂直な方向にレーザ光を出射するものである。例文帳に追加

The surface emission semiconductor laser 100 has a resonator formed in the vertical direction on a semiconductor substrate 109 and emits laser light from the resonator in the direction perpendicular to the semiconductor substrate 109. - 特許庁

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２から垂直方向に成長しており、半導体基板２上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体３を備える。例文帳に追加

A nanowire solar cell 1 comprises a plurality of nanowire semiconductors 3 that grow in the vertical direction from a semiconductor substrate 2 and are arranged in a triangular lattice shape on the semiconductor substrate 2 in a plan view. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１に内導体形成孔２を設け、その内面に内導体を形成し、外面に外導体４を形成して同軸共振器とし、誘電体板１１，１２に設けた電極６，７によってコンデンサを構成する。例文帳に追加

Also, a capacitor is constituted of electrodes 6 and 7 provided at dielectric boards 11 and 12. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１には、内面に内導体３ａ〜３ｆがそれぞれ形成されている内導体形成孔２ａ〜２ｆが設けられ、外面には外導体４が形成されている。例文帳に追加

A dielectric block 1 of a substantially rectangular solid shape is provided with internal conductor formation holes 2a to 2f, formed respectively with internal conductors 3a to 3f on the internal surface thereof and are formed with an external conductor 4 on an external surface thereof. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１には、内面に内導体３１〜３６をそれぞれ形成した内導体形成孔２１〜２６を設けており、外面には外導体５を形成する。例文帳に追加

An approximately parallelepiped dielectric block 1 has inner- conductor formed holes 21-26, having inner conductors 31-36 formed in the inside and an outer conductor 5 formed on the outside. - 特許庁

基板上に誘電体層と半導体結晶層を有し、この半導体結晶層の少なくとも一部に光の伝搬方向に沿って基板平面に垂直方向の厚さが徐々に変化する垂直方向テーパ構造を有し、この垂直方向テーパ構造部の上面のラフネスが前記半導体結晶層を構成する原子１層分程度である、光結合器。例文帳に追加

The optical coupler includes a dielectric layer and a semiconductor crystal layer on a substrate, at least a part of the semiconductor crystal layer has a vertical tapered structure in which the thickness perpendicular to the substrate plane gradually varies along the light propagation direction, and the roughness of the upper face of the vertical tapered structure is in the order of one layer of molecules composing the semiconductor crystal layer. - 特許庁

コレットが半導体チップ２を吸着固定した状態で鉛直方向には容易に可動できるようにしてあり、半導体チップ２外周部の剥離が半導体チップ２中心部に向かって進行し、粘着シート１と半導体チップ２とが分離する。例文帳に追加

The collet can move easily in the vertical direction under the condition that it is attracting and fixing the semiconductor chip 2, and therefore peeling at the external circumference of the semiconductor chip 2 progresses toward the center of the semiconductor chip 2, resulting in peeling the adhesive sheet 1 and the semiconductor chip 2. - 特許庁

略直方体状の誘電体ブロック１に内導体形成用孔２、および所定の内導体形成用孔の途中を分断する孔６を形成し、内導体３、外導体４および信号入出力用電極５を形成する。例文帳に追加

An inner conductor forming hole 2 and a hole 6 that breaks on the way of a prescribed inner conductor forming hole are formed to a dielectric block 1 of a nearly rectangular prism, and an inner conductor 3, an outer conductor 4 and a signal input output electrode 5 are formed. - 特許庁

基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate; and an inter-digital electrode which is formed on the semiconductor layer such that the width in a surface direction of the semiconductor layer is larger than the height in a direction perpendicular to a surface of the semiconductor layer. - 特許庁

セラミック層５と内部導体７とを交互に積層してなる直方体状の電子部品本体１において、内部導体７の外部電極３との接続端１１以外の周縁領域１３に、該内部導体７の中央部１５よりも導体占有率の低い部分１７を設けた。例文帳に追加

In a rectangular parallelepiped electronic component body 1 which is formed by alternately laminating ceramic layers 5 and internal conductors 7, a portion 17 having a conductor space factor lower than that of a central part 15 is formed in a peripheral region 13 other than the connection terminals 11 of the internal conductors 7 with the external electrode 3. - 特許庁

半導体基板主面に形成されたＩ型半導体層を有するＰＩＮ接合部とを含んで、上記Ｉ型半導体層に対応した部分が上記主面に対して垂直方向に向かう平面的な面を持つＰＩＮ接合部側壁を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The method is used to manufacture a semiconductor device that includes a PIN junction part with an I-type semiconductor layer formed on the main surface of a semiconductor substrate and is provided with a PIN junction side wall having a flat face where a part corresponding to the I-type semiconductor layer is vertical to the main surface thereof. - 特許庁

特に、発光観測面側から見た開口部は光半導体素子の一対の電極間と略平行方向が垂直方向よりも長く、且つダイボンド部材１０１が光半導体素子１０２の一対の電極間と略垂直方向の開口部側壁２０８と光半導体素子２０２の側面を被覆している光半導体装置である。例文帳に追加

When viewed from the emission observing face side, the opening is longer in the direction substantially parallel with the pair of electrodes of the optical semiconductor element than in the vertical direction and the die bond member 101 covers the opening part side wall 208 in the direction substantially perpendicular to the pair of electrodes of the optical semiconductor element 102, and the side wall thereof. - 特許庁

垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor epitaxial substrate in which the penetration dislocation to a perpendicular direction is inhibited and the crystal quality is excellent. - 特許庁

エミッタ領域６４とコレクタ領域３４を結ぶ方向は、半導体基板２０の表面の垂直方向に対して傾斜している。例文帳に追加

A direction connecting the emitter region 64 and the collector region 34 is inclined to the vertical direction of the surface of the semiconductor substrate 20. - 特許庁

第１及び第２セクション内のトランジスタセグメントの各々は、垂直方向に延びる半導体材料のピラーを含む。例文帳に追加

Each of the transistor segments in the first and second sections includes a pillar of a semiconductor material extending in a vertical direction. - 特許庁

半導体基板の面に対して垂直方向に高周波回路のバイアス回路と配線層とを配設する。例文帳に追加

The bias circuit and wiring layer of a high frequency circuit are arranged vertical to the face of a semiconductor substrate. - 特許庁

窓部５０は、半導体基板３０の主面の垂直方向において、コレクタ領域３１が存在する範囲の一部に配置されている。例文帳に追加

The window 50 is arranged at a part of an area where a collector region 31 exists in the vertical direction of the main surface of the semiconductor substrate 30. - 特許庁

複数のレーザ光は基板の垂直方向から斜めに同じ入射角度φで入射することで高性能の半導体装置を提供する。例文帳に追加

The plurality of laser beams are made incident obliquely to the vertical direction of the substrate at the same angle ϕ of incidence to manufacture the semiconductor device having high performance. - 特許庁

プローブ接点はほぼ垂直方向にのみ移動し、半導体ウェハ上の対応する電気接点パッドとの一貫した接点力を与える。例文帳に追加

The probe contact moves only nearly vertical direction and gives a continuous contact force to a corresponding electric contact pad on a semiconductor wafer. - 特許庁

半導体パッケージにおいて、外部リード１１，１２が、パッケージ外縁辺で、垂直方向に上下２段、またはそれ以上配設されている。例文帳に追加

In a semiconductor package, external leads 11 and 12 are placed around the package in the top and bottom two steps or more in vertical direction. - 特許庁

垂直方向のチャンネルを有するアクセス素子、これを含む半導体装置、及びアクセス素子の形成方法例文帳に追加

ACCESS ELEMENT HAVING PERPENDICULAR CHANNEL, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。例文帳に追加

A seed crystal 14 is a rectangular parallelepiped group III nitride semiconductor whose longitudinal direction is m axis direction and sides along the longitudinal direction are a-plane and c-plane. - 特許庁

ＧａＮ基板上にＧａＡｌＮクラッド層を有する半導体レーザ素子において、垂直方向の放射角の低減を図る。例文帳に追加

To reduce a radiation angle in a vertical direction in a semiconductor laser device which has a GaAlN clad layer on a GaN substrate. - 特許庁

上記孔は、上記半導体基板１の垂直方向から見たとき、上記開口部内に形成されている。例文帳に追加

The hole is formed in the opening part when viewed in a vertical direction of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

単結晶半導体物質の垂直チャンネル１１６は前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される。例文帳に追加

A vertical channel 116 of single crystal semiconductor substance penetrating a plurality of the interlayer dielectrics and the gate patterns is extended in the vertical direction. - 特許庁

半導体基板面に対し垂直方向の活性層位置の面内均一性の向上及び高精度の活性層位置制御を図る。例文帳に追加

To improve in-plane uniformity at an active layer position in a direction vertical to a semiconductor substrate surface, and to accurately control the active layer position. - 特許庁

半導体発光素子１２ａは、垂直方向の拡がり角が水平方向の拡がり角よりも大きい光を出射する。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 12a irradiates light with a spread angle in a vertical direction larger than that in the horizontal direction. - 特許庁

垂直方向の放射角を小さくすると共に、発振閾値も低減することが可能なＤＦＢ半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a DFB semiconductor laser that can make an emission angle in a vertical direction small and also reduce an oscillation threshold. - 特許庁

基板面垂直方向における微細化に対して有利な半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device which is advantageous for size reduction, with respect to a direction perpendicular to a substrate surface, and to provide a method for manufacturing the device. - 特許庁

ヨーク側壁に対して垂直方向に配置された中心導体のポートの反射特性を向上した非可逆回路素子を提供する。例文帳に追加

To provide an irreversible circuit element that a reflectance characteristic of a port of a center conductor placed vertically to a yoke side wall is enhanced. - 特許庁

直方体の細溝２０の底部を半導体エピタキシャル成長物で充填する場合に、細溝２０の側面に｛１００｝面を露出させる。例文帳に追加

When a bottom part of a narrow groove 20 of a rectangular parallelepiped is filled with a semiconductor epitaxially grown material, a (100) plane is exposed to a side surface of the narrow groove 20. - 特許庁