「直方導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

直方体の誘電体の対向する面に短面まで伸びる凹溝を形成し、この凹溝に導体を充填して共振素子を構成する。例文帳に追加

A recessed groove, extending to a short face, is formed on an face opposite to a dielectric of a rectangular parallelepiped, the recessed groove is filled with a conductor, and a resonance element is formed. - 特許庁

また、三相導体４は一辺が鉛直方向となる正三角形の各頂点を通過するように配置されている。例文帳に追加

Also, the three-phase conductors 4 are arranged in such a way as to pass each peak of an equilateral triangle, whose one side is positioned in the vertical direction. - 特許庁

室温において、電極に対して垂直方向に高いイオン伝導率を示すイオン伝導体を提供する。例文帳に追加

To provide an ionic conductor that exhibits high ionic conductivity in a vertical direction, in relation to an electrode at room temperature. - 特許庁

半導体基板の垂直方向より水平方向により厚くシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜が形成される異方性酸化又は異方性窒化を行う半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device performing anisotropic oxidation or anisotropic nitriding by which a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on a semiconductor substrate, thicker horizontally rather than vertically. - 特許庁

有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。例文帳に追加

An organic semiconductor layer 7 is held between the source or drain electrode 6 and a drain or source electrode 8, and an organic transistor channel is vertically formed on the interface of the organic semiconductor layer 7 with the gate insulation film 5. - 特許庁

本発明の面発光レーザ１００は、半導体基板１０１上に形成された共振器１２０を含み、かつ、半導体基板１０１と垂直方向に光を出射できる。例文帳に追加

The surface-emitting laser 100 includes a resonator 120 formed on a semiconductor substrate 101, and can emit light in a direction vertical to the semiconductor substrate 101. - 特許庁

直方体をなす半導体チップにおける６面のうちの対向する２組の面に半導体デバイスが形成されるとともに、貫通孔が、残りの対向する２面に開口するように形成されている。例文帳に追加

A parallelepiped semiconductor chip has semiconductor devices on two sets of opposed sides among the six sides thereof and through-holes opened at the remaining opposed sides. - 特許庁

第１のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して垂直方向であり、かつ第２のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して斜め方向であることが好ましい。例文帳に追加

The light axis of the first laser beams is preferably vertical to the surface of the semiconductor thin film and that of the second laser beams is preferably oblique to the surface of the semiconductor thin film. - 特許庁

半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。例文帳に追加

Semiconductor substrates 20 are held with their primary surfaces inclined from the vertical direction and the horizontal direction, and then the semiconductor substrates 20 are immersed in cleaning fluid 26 containing acid. - 特許庁

半導体レーザ素子の信頼性を低下させることなく、垂直方向のレーザ光成分を吸収し、波長ホッピング現象の生じない光出力の安定した半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which does not generate wavelength hopping phenomenon and can produce a stable light output, by absorbing laser beam components in the vertical direction, without reducing the reliability of the element. - 特許庁

半導体チップパッケージ積層モジュールでは半導体チップパッケージそれぞれの機能部及び実装部がそれぞれ垂直方向に一列に整列されている。例文帳に追加

In the stacked module of the semiconductor chip package, each of functional part and packaging part of each semiconductor chip package is aligned vertically in a line. - 特許庁

半導体素子１とフレーム2を接続するボンディングワイヤー５を、パッケージ前に少なくともフレームの半導体素子載置面方向と垂直方向に塑性加工する。例文帳に追加

A bonding wire 5 connecting a semiconductor element 1 with a frame 2 is plastic formed at least in the direction of semiconductor element mounting plane and in the vertical direction of the frame before packaging. - 特許庁

スーパージャンクション構造１３とは、ドリフト領域において、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とが交互に、電流の流れる方向に対して垂直方向に並んだ構造のことである。例文帳に追加

The super junction structure 13 is a structure wherein first conductive semiconductor regions and second conductive semiconductor regions are arranged alternately in a direction vertical to a current flow in a drift region. - 特許庁

半導体装置１０は、半導体素子１２およびボンディングワイヤ１４が樹脂封止されて、薄厚の直方体形状に形成された樹脂封止部１８とされる。例文帳に追加

In a semiconductor device 10, a semiconductor element 12 and a bonding wire 14 are sealed by resin as a resin-sealing section 18 that is formed in a thin cubic rectangular parallelepiped shape. - 特許庁

折り曲げ可能な実装用基板に半導体素子およびチップ部品を載せた後、実装用基板の折り曲げ辺部で９０度折り曲げて立方体もしくは直方体の半導体装置の一固体を組み立てる。例文帳に追加

After semiconductor elements and chip components are mounted on the bendable mounting board, a bending side part of the mounting board is bent at 90° to assemble one solid body of the cubic or cuboid semiconductor device. - 特許庁

キャパシタ下部電極を構成する導電性膜１５ａは、半導体基板１の主表面に対して垂直方向に延びる部分と、半導体基板１の主表面に対して平行方向に延びる部分とを有している。例文帳に追加

A conductive film 15a forming the lower electrode of the capacitor is equipped with a part which extends perpendicular to the main surface of the semiconductor substrate 1, and another part which extends in parallel with the main surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体装置における垂直方向の厚みのバラツキの影響を受けることなく、半導体装置における外部端子が設けられた面に対して、均一な押圧力を与える。例文帳に追加

To give uniform push force to a face providing an external terminal in a semiconductor device without receiving influence of irregularity of thickness of a vertical direction in the semiconductor device. - 特許庁

そして、その所定の端子に対応する導体面を生成し、導体面を回路基板と垂直方向に１メッシュ分ずらして配置する（Ｓ８０６）。例文帳に追加

Then, a conductor face corresponding to the predetermined terminal is generated, and the conductor face is arranged so as to be shifted by one mesh in a direction vertical to the circuit board (S806). - 特許庁

本発明の半導体装置では、半導体基板１０の上方に、第１の電極１７、第２の電極１８および容量絶縁膜１９が基板の上面と垂直方向に配置することにより、キャパシタ２０が構成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device; a first electrode 17, a second electrode 18, and a capacitance insulating film 19 are disposed in a direction perpendicular to the top surface of a substrate in the upper part of the semiconductor substrate 10, thereby forming the capacitor 20. - 特許庁

本発明の面発光型発光素子１００は、化合物半導体基板１０１上に形成された発光素子部１３２を含み、化合物半導体基板１０１と垂直方向に光を出射できる。例文帳に追加

The surface light-emitting element 100 of this invention comprises a light-emitting element part 132 that is formed on a compound semiconductor substrate 101 and is capable of emitting light in a vertical direction to the compound semiconductor substrate 101. - 特許庁

この導体は、車検シール３を貼り付けるときのガイドとなるように、左右に水平、且つ上下方向に垂直であり、且つ垂直方向の対向する導体間の距離は、車検シール３の横方向の長さより広い。例文帳に追加

The conductor is horizontal to the left and right and vertical in the vertical direction to be a guide for sticking the vehicle inspection seal 3 and distance between conductors opposite to each other in the vertical direction is wider than a lateral length of the vehicle inspection seal 3. - 特許庁

半導体発光素子の垂直方向においても高い光取り出し効率が得られ、発光強度等の素子特性に優れた半導体発光素子及びその製造方法、並びに発光特性に優れたランプを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element that can have high light extraction efficiency even in a vertical direction of the semiconductor light emitting element and a method of manufacturing the same, and a lamp having excellent light emission characteristics. - 特許庁

メモリストリングは、垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層と、メモリ柱状半導体層の側面を取り囲む電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲む複数層のワード線導電層とを備える。例文帳に追加

A memory string includes a columnar semiconductor layer for memory extending in a vertical direction, a charge storage layer surrounding a side surface of the columnar semiconductor layer for memory, and a plurality of word line conductive layers surrounding the charge storage layer. - 特許庁

内部導体（給電線）４１と外部導体４２とから構成される同軸線路４０には、接続されるアンテナ１５と信号処理装置１６との間に、分岐線路（分岐部）４３が、垂直方向に突出して設けられる。例文帳に追加

A branch line (branch unit) 43 projects in a vertical direction between the antenna 15 to be connected and the signal processor 16 in a coaxial line 40 comprising an internal conductor (power supply line) 41 and an external conductor 42. - 特許庁

半導体評価試験装置１０は、直方体状の箱体１１と、該箱体１１の上面に設けられた半導体装置装着用冶具１２とから構成されている。例文帳に追加

This testing device 10 is constituted of a cuboidal casing 11, and a semiconductor device attaching jig 12 provided in an upper face of the casing 11. - 特許庁

電流が導体箔１２に流れることによって、導体箔１２と回路基板４との間に電界が生じ、電界面と垂直方向に磁界が発生する。例文帳に追加

By the current flow to the conductive foil 12, an electric field is generated between the conductive foil 12 and the circuit board 4, and a magnetic field is generated in a direction perpendicular to an electric field surface. - 特許庁

一軸の半導体センサ１０ａ〜１０ｃを略直方体のセンサブロック１２ａ〜１２ｃに取り付け、複数のセンサブロック１２ａ〜１２ｃの角度固定面を互いに貼り合わせて固定することにより、多軸半導体センサを構成する。例文帳に追加

Uniaxial semiconductor sensors 10a-10c are attached to sensor blocks 12a-12c having an almost rectangular parallelepiped shape, and the angle fixing surfaces of a plurality of the sensor blocks 12a-12c are mutually laminated and fixed to constitute the multi-shaft semiconductor sensor. - 特許庁

同軸コネクタ１は、外部導体１０の周囲に設けられると共に外部導体１０を回路基板に対して接地する略直方体状のシェル４０を具備している。例文帳に追加

A coaxial connector 1 includes a shell 40 roughly in the form of a rectangular parallelepiped provided around outer conductors 10 to ground the outer conductors 10 with respect to a circuit board. - 特許庁

このＦＰＣ２５を単独で折り曲げて直方体形状に加工しておき、このＦＰＣ２５に半導体チップ２３又はシリコン基板２１等のチップ部品を実装してＢＧＡ型の半導体パッケージ２０を形成する。例文帳に追加

The FPC 25 is bent individually and is machined in the shape of a rectangular parallelepiped, a chip part, such as the semiconductor chip 23 and the silicon substrate 21, is packaged on the FPC 25 to form a BGA type semiconductor package 20. - 特許庁

前記コア基板を素材とする直方体状の絶縁体１の左右両側面に前記帯状導体からなる複数の側部導体２ａを有する。例文帳に追加

The coil component has a plurality of side conductors 2a made of the beltlike conductors on both the right and left flanks of an insulator 1 in a rectangular parallelepiped shape which uses the core substrate as its raw material. - 特許庁

半導体装置１０は、封止部材１３の電極板１２側の端部において、半導体装置１０の長手方向に対して垂直方向に突起した鍔部１４を有する。例文帳に追加

A semiconductor device 10 has a flange 14 projected in the direction perpendicular to the lengthwise direction of the device 10 at the end of a sealing member 13 on the side of an electrode plate 12. - 特許庁

ＧａＰとＧａＡｓとの間の格子定数を備えるクラッド層を用いた半導体レーザにおいて、素子特性を劣化させることなく、垂直方向のビーム放射角を狭くする構造を備える半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser which is equipped with a clad layer having a lattice constant between GaP and GaAs and has a structure that is capable of narrowing a beam projecting angle in a vertical direction without deteriorating device characteristics. - 特許庁

さらに、伝送線路１３２の他端に、実装基板１５の表面に対して垂直になるように外部導体１２が接続されることにより、外部導体１２が実装基板１５の表面に対して垂直方向に実装されることになる。例文帳に追加

In addition, the conductor 12 is connected to the other end of the line 132 so as to be vertical to the surface of the substrate 15, thereby the conductor 12 is mounted in a direction vertical to the surface of the substrate 15. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１の内部に、内面に内導体を形成した内導体形成孔２ａ〜２ｇ，１０ａ，１０ｂを形成する。例文帳に追加

Inner conductor formation holes 2a-2g and 10a and 10b, wherein inner conductors are made, are formed within a dielectric block 1 roughly in the shape of a rectangular parallelepiped. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１の内部には、一方の面からこれに対向する他方の面にかけて内面に内導体３ａ〜３ｃを形成した内導体形成孔２ａ〜２ｃを設ける。例文帳に追加

Inner conductor forming holes 2a-2c, where inner conductors 3a-3c are made on the inner faces from one side to the other side opposed to this, are provided inside a dielectric block 1 roughly in the shape of a rectangular parallelepiped. - 特許庁

光半導体装置１は、光軸Ｌａｘが実装面５ｓの垂直方向となるように実装基板５に実装してある封止型光半導体素子２と、実装基板５とを備える。例文帳に追加

The optical semiconductor device 1 has a sealed type optical semiconductor element 2 packaged on a packaging substrate 5 so that the optic axis Lax is directed in the vertical direction of a packaging surface 5s and the packaging substrate 5. - 特許庁

複数の半導体発光素子を発光面に対し垂直方向に３次元集積した際、各半導体発光素子の結合効率を向上させ、漏れ光を防止する。例文帳に追加

To improve the efficiency of bonding respective semiconductor light emitting elements and to prevent light leakage when a plurality of semiconductor light emitting elements are three-dimensionally integrated in a direction perpendicular to light emitting surfaces. - 特許庁

半導体装置１０のアウターリード３に、半導体パッケージ２端面と接触部３ａとの間にアウターリード３の長手方向に対して略垂直方向にアウターリード３の一部を突出させて折曲形成される突出部３ｄを設けてなる。例文帳に追加

A projection 3d is provided on the outer lead 3 of the semiconductor device 10. - 特許庁

本発明は、可動電極からの電流を下部端子に通電するフレキシブル導体を備えた真空開閉装置において、可動導体の途中に相対向する平面部を設け、それぞれの該平面部に接続導体を固定し、かつ、それぞれの前記接続導体に、フレキシブル導体を電極の軸方向に対し垂直方向に伸延させて接続していることを特徴とする。例文帳に追加

This vacuum switchgear provided with flexible conductors energized from a movable electrode to lower terminals is characterized in that flat parts facing each other are formed in an intermediate part of a movable conductor; connection conductors are fixed to the respective flat parts; and the flexible conductors are extended in the vertical direction with respect to the axial direction of the electrodes and connected to the respective connection conductors. - 特許庁

本発明の３重偏波アンテナは、少なくとも立方体の角をなす如く構成された３つの略直交した接地導体面を有する接地導体板（１１〜１３）と、３つの接地導体板の各導体面が交わる頂点付近より各導体面に略垂直方向に延びた３本の独立した放射器（１４〜１６）とを具備している。例文帳に追加

The triple polarization antenna is provided with ground conductor plates (11-13) configured to form at least angles of a cube and having three approximately orthogonal ground conductor planes, and three independent radiators (14-16) extending from an apex where the conductor planes of the three ground conductor plates cross one another approximately vertically to the conductor planes. - 特許庁

メモリストリングス１００は、基板に対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎの周りに絶縁膜を介して形成された複数の電荷蓄積層と、柱状半導体ＣＬｍｎと接してトランジスタを構成するドレイン側選択ゲート線ＳＧＤを有する。例文帳に追加

The memory strings 100 have a columnar semiconductor CLmn extending perpedicularly to a substrate, a plurality of charge storage layers formed around the columnar semiconductor CLmn through an insulating film, and a drain side selection gate wire SGD which consists a transistor contacting the columnar semiconductor CLmn. - 特許庁

基板１上に略直方体状に形成される半導体ピエゾ抵抗センサ３において、上記半導体ピエゾ抵抗センサの厚さ寸法Ｈを幅寸法Ｔで除したアスペクト比Ｈ／Ｔを“１”以上とした半導体ピエゾ抵抗センサ。例文帳に追加

In the semiconductor piezoresistance sensor 3 formed in an approximately rectangular-parallelepiped shaped on a substrate 1, an aspect ratio H/T obtained by dividing the thickness size H of the semiconductor piezoresistance sensor by the width size T is equal to 1 or more. - 特許庁

ウエハの表面に対して垂直方向における位置決めを容易に行うことができ、且つ、ウエハの種別を容易に確認することができる半導体ウエハへの印字方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of printing on a semiconductor wafer, along with a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device, capable of facilitating positioning in the direction perpendicular to the top of the wafer, and also capable of facilitating identifying the type of the wafer. - 特許庁

半導体チップ２とインターポーザ７との間をアンダーフィル９で封止した半導体装置であって、半導体チップ２の端面部３の少なくとも一部に、深さ方向の幅Ｗ_1が３０〜５０μｍの水平方向に沿った線状の凹凸部５を垂直方向に複数設けたことを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor device for sealing an area between the semiconductor chip 2 and an interposer 7 by using an underfill 9, a plurality of linear irregular sections 5 along a horizontal direction having widths W_1 of 30-50 μm in depth directions are provided at least at one portion of an end face 3 of the semiconductor chip 2. - 特許庁

乾燥チャンバ１内のウエハ保持部２に半導体ウエハ３を保持し、ロータ４を回転させ、各半導体ウエハ３に対して垂直方向の回転軸によりウエハ保持部２を回転させ半導体ウエハ３に付着した水を振り切る。例文帳に追加

Semiconductor wafers 3 are held in a wafer-holding part 2 in the drying chamber 1, a rotor 4 is rotated, the wafer-holding part 2 is rotated by using a rotating shaft in a direction perpendicular to the respective semiconductor wafers 3, and water stuck on the semiconductor wafers 3 is shaken off. - 特許庁