「直方導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

各半導体薄膜は、導通層と電極との間に電圧が印加されることにより基板の表面に対して略垂直方向に発光する発光素子を含む。例文帳に追加

Each semiconductor thin-film contains light-emitting elements emitting lights in approximately the vertical direction to the surface of the substrate by applying voltages among the conductive layers and the electrodes. - 特許庁

搭載や取り外しが水平方向で行い、垂直方向において処理又は計測を行う為に半導体ウェーハ又は薄い材料のプレートを支持する装置を提供する。例文帳に追加

To provide an equipment to support a semiconductor wafer or a thin material plate for the purpose of performing installation and removal in the horizontal direction and processing or instrumentation in the vertical direction. - 特許庁

この装置は、ある導体が上記アンテナの垂直方向の下にある場合その値を確実に表示することができ、かつその深さを表示できるパラメータを計算する。例文帳に追加

This apparatus calculates parameters whose values can be reliably indicated when a conductor is located vertically beneath the antenna, and can indicate its depth. - 特許庁

基板面に垂直方向の超伝導特性に優れた、（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜を提供し、またその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a (100)-oriented copper oxide superconductor thin film having superior superconductivity in a direction perpendicular to a substrate surface, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

半導体レーザチップ１がパッケージベース基板２にボンディングされ、上記パッケージベース基板２に対して電極端子15が垂直方向に貫通して設けられている。例文帳に追加

A semiconductor laser chip 1 is bonded onto a package base substrate 2, and electrode terminals 15 is provided through the package base substrate 2 vertically. - 特許庁

半導体基板ホルダ２０により、研磨処理は、移動式プレートの２つの異なる垂直方向の末端位置に対応する２つの基本的な処理モードで実行されることができる。例文帳に追加

Polishing operation can be executed by a semiconductor substrate holder 20 in two fundamental processing modes, corresponding to two different end positions of the movable plate in a vertical direction. - 特許庁

単一のセルのレイアウトの定義であっても、デザインレイヤーの垂直方向に対して様々な配置の形態を実現することのできる半導体集積回路の設計装置、方法及びプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit designing device, a semiconductor integrated circuit designing method, and a semiconductor integrated circuit designing program for arranging cells in various ways in the vertical direction of a design layer even in defining layout of a single cell. - 特許庁

垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit. - 特許庁

レーザ発光素子１０は、例えば面発光レーザ等のように、半導体基板の一面側から該基板の主面に対して垂直方向にレーザ光Ａを放出する特性を有している。例文帳に追加

The laser emitting element 10, as for example a planer emitting laser, etc., has a characteristic emitting a laser A from one side of the semiconductor substrate in the direction perpendicular to the principal plane of the substrate. - 特許庁

直方体の誘電体の隣接する２表面のそれぞれに島状の導体膜の入出力電極を形成し、その周囲と他の表面に入出力電極とは絶縁されたアース電極を形成する。例文帳に追加

Input/output electrodes of conductor films in an island shape are formed on two adjacent surface of a dielectric in a rectangular parallelepiped shape and an earth electrode which is insulated from the input/output electrodes is formed at its periphery and on other surfaces. - 特許庁

冷媒流路には、半導体モジュール２と密着する冷却面３３に垂直な冷却面垂直方向Ｘに冷却媒体を移動させる冷媒移動手段を設けてなる。例文帳に追加

The coolant passage includes a coolant moving means which moves the coolant in a direction X perpendicular to a cooling surface 33 being in close contact with the semiconductor module 2. - 特許庁

この発明は、ソース電極層、半導体層及びドレイン電極層を順次に積層し、これらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立ててゲート絶縁層及びゲート電極層を順次に設けたものである。例文帳に追加

A source electrode layer, a semiconductor layer, and a drain electrode layer are successively laminated, and a gate insulating layer and a gate electrode layer are successively disposed so as to be vertically erected in contact with one-sidewalls of the layers. - 特許庁

一対の絶縁体２０は、互いに対向する側面２０ａの間に半導体素子１０を適切に挟み込むことができるように、その形状や寸法などが設定されており、その形状は例えば直方体状である。例文帳に追加

For the pair of insulators 20, their shapes and dimensions are set so that the semiconductor element 10 is appropriately interposed between the sides 20a opposite to each other and their shapes are, for example, rectangular parallelepiped. - 特許庁

たとえば、半導体基板１１上に、２ライン分のＲＧＢ画像取得用画素１２と１ライン分のＤｅｐｔｈ情報取得用画素１３とが、垂直方向に対して交互に配置されている。例文帳に追加

For example, a pixel 12 for RGB picture acquisition for two lines and a pixel 13 for Depth information acquisition for one line are arranged alternately with respect to vertical direction on a semiconductor substrate 11. - 特許庁

半導体レーザパッケージ１は、ステム２、キャップ３、ＬＤ４、サブマウント用の直方体形状の基板５、アノード用リード６、カソード用リード７、ワイヤ１１を有している。例文帳に追加

The semiconductor laser package 1 comprises a stem 2, cap 3, LD4, box-like substrate 5 for sub-mount, lead 6 for an anode, lead 7 for a cathode, and wire 11. - 特許庁

半導体素子１０は、機能素子としての光素子１１および電極パッド１２を有しており、その形状は例えば直方体状や平板状である。例文帳に追加

The semiconductor element 10 has an optical element 11 and an electrode pad 12 as functional elements and its shape is, for example, rectangular parallelepiped or flat. - 特許庁

ＴＭＲ素子２３は縦型に配置されており、すなわち、ＴＭＲ素子２３を構成する磁気記録層２４、磁化固着層２５及びトンネル絶縁膜１９は、半導体基板に対して垂直方向に形成されている。例文帳に追加

The TMR element 23 is disposed vertically, that is, a magnetic recording layer 24, a magnetization fixing layer 25 and a tunnel insulation layer 19 for constituting the TMR element 23 are formed perpendicular with respect to a semiconductor substrate. - 特許庁

絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。例文帳に追加

By forming a convex part or a trench (groove) in an insulation layer and providing a channel formation region of a semiconductor layer in contact with the convex part or the trench, the channel formation region is extended in a substrate vertical direction. - 特許庁

第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。例文帳に追加

In the second bonding substrate, the width of each second projection in a direction (a depth direction) perpendicular to the second bonding substrate is larger than the film thickness of each first semiconductor film formed first. - 特許庁

センサ装置５は、半導体基板１が乗せられたトレー２の表面の垂直方向位置を測定し、且つ、それを示す信号をコントローラ９に送る。例文帳に追加

The sensor apparatus 5 measures a position in the vertical direction of the surface of the tray 2 on which the semiconductor substrate 1 is placed, and at the same time sends a signal for indicating the position to a controller 9. - 特許庁

直方体の誘電体に2つの共振器を長手方向に配置して形成した構造とし、誘電体の１表面にインターディジタル状に島状の導体膜を形成して入出力電極とする。例文帳に追加

In this dielectric filter, two resonators are arranged in a longitudinal direction in a rectangular parallelepiped dielectric body 11, and island- shaped conductor films 13 and 14 are interdigitally formed on one surface of the dielectric body as input and output electrodes. - 特許庁

実施形態の半導体記憶装置は、互いに隣接する選択トランジスタ間の基板表面に酸化膜が形成され、その下の所定方向に垂直方向の断面が凸型形状になっている。例文帳に追加

In the semiconductor storage device according to an embodiment, an oxidation film is formed on a substrate surface between mutually-adjacent selection transistors, and a cross section in a direction vertical to the predetermined direction below the oxidation film has a convex shape. - 特許庁

デフォッガ３には、垂直方向に延びる導体（デフォッガアンテナ９）が配線されており、そのデフォッガ３の上方には、ガラスアンテナ１０Ａが配設されている。例文帳に追加

A conductor (defogger antenna 9) extended vertically is wired to a defogger 3, and a glass antenna 10A is arranged at the upper portion of the defogger 3. - 特許庁

集中定数型アイソレータに組み込まれる中心電極組立体であって、直方体形状のフェライト２０と、３本の中心導体１１，１２，１３とで構成されている。例文帳に追加

The central electrode assembly is incorporated into a centralized constant-type isolator and constituted of a rectangular parallelepiped ferrite 20 and the three central conductors 11, 12 and 13. - 特許庁

後の転置に用いられるボンド基板は、端部が除去された領域の、ボンド基板に対して垂直方向における幅が、先に転置される半導体膜の膜厚より大きいものとする。例文帳に追加

The width in a perpendicular direction to the bond substrate used for the later transfer, of the region of the bond substrate corresponding to the removed end portion is larger than the thickness of the semiconductor film which is transferred first. - 特許庁

垂直方向と水平方向で放射角が大きく異なる半導体発光素子のビーム形状を整形し、かつ見かけの発光点位置を一致させることにより、光ファイバへの結合効率を高める。例文帳に追加

To increase efficiency of coupling with an optical fiber by shaping the beam of a semiconductor light emitting element which has greatly different vertical and horizontal radiation angles and making an apparent light emission position to coincide. - 特許庁

各発光部のレーザビームの発光源が基板と垂直方向に揃うと共に、簡単な製造工程で得られる構造の半導体レーザおよびその製法を提供する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser of a structure which is equipped with emission sources of laser beams of emission parts aligning in the direction perpendicular to the substrate, and obtained by a simple manufacturing process. - 特許庁

直方体状の電気絶縁体４の表面に２個の外部電極を設け、電気絶縁体４内に第１および第２の内部導体５、９をそれぞれ前記各外部電極に接続して埋設する。例文帳に追加

Two outer electrodes are provided on the surface of a rectangular parallelepiped shaped electric insulator 4, and first and second inner conductors 5 and 9 are embedded in the electric insulator 4 so as to be connected with the outer electrodes. - 特許庁

本発明は半導体基板の主表面上に、垂直方向に形成された複数個のチャンネル及びそれぞれのチャンネルの間に形成された複数個のトンネルを具備するアクティブチャンネルパターンが形成される。例文帳に追加

On a main surface of a semiconductor substrate, an active channel pattern which is equipped with a plurality of channels formed vertically and a plurality of tunnels formed between each of the channels, is formed. - 特許庁

導体板に対して垂直方向の磁束と結合する磁性体アンテナを、電子機器の筐体内に容易に組み込むことができ、且つアンテナの性能劣化を抑えたアンテナ装置を構成する。例文帳に追加

To configure an antenna device in which a magnetic substance antenna to be coupled with magnetic flux vertical to a conductor plate can be easily integrated into a cabinet of an electronic apparatus and performance deterioration of the antenna is suppressed. - 特許庁

ダミー第１〜第４ワード線導電層７２ａ〜７２ｄの端部は、配線領域Ａｒにて半導体基板Ｂａに対して略垂直方向に延びる直線に沿って揃うように形成されている。例文帳に追加

The ends of the dummy first to fourth word line conductive layers 72a to 72d are formed so as to be aligned along a straight line extending in the direction approximately perpendicular to the semiconductor substrate Ba in a wiring region Ar. - 特許庁

半導体レーザ２から照射されたレーザ光Ｌ１は、シリンドリカルレンズ３ａによって垂直方向の放射角を狭めて横長のビーム形状に整形され、非球面レンズ３ｂによって平行光に変換される。例文帳に追加

Laser light L1 emitted from a semiconductor laser 2 is shaped into a horizontally long beam of light by narrowing a vertical radiant angle via a cylindrical lens 3a, and then transformed into parallel light via a nonspherical lens 3b. - 特許庁

メモリストリングは、半導体基板に対して垂直方向に直列接続された複数のメモリセル、ダミートランジスタ、及びバックゲートトランジスタを有する。例文帳に追加

The memory string has a plurality of memory cells connected in series in the direction perpendicular to the semiconductor substrate, dummy transistors, and a back-gate transistor. - 特許庁

半導体チップ２０より小さい面積の頂面を有する剥離台２４を、真空ホルダ２２の開口２２ａ内に、垂直方向に移動可能に配置する。例文帳に追加

A separating table 24 with a top surface having an area smaller than that of a semiconductor chip 20 is placed in the opening 22a of the vacuum holder 22 in such away that it can be vertically moved. - 特許庁

反応容器内の鉛直方向にある複数のウエハ相互間の熱処理均一性を向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing device capable of improving uniformity of a heat treatment among a plurality of wafers located in the vertical direction in a reaction container; and a manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

直方体の誘電体ブロック１０の外導体の一部を除去して誘電体１６を露出させ、ここから漏れる電界、磁界を調整することによって共振器間の結合を調整する。例文帳に追加

A dielectric 16 is exposed by removing part of an external conductor of a dielectric block 10 in a rectangular solid shape and the coupling between resonators is adjusted by adjusting an electric field and a magnetic field leaking from the exposed part. - 特許庁

リード電極８４は、半導体チップ８２の他方の面に対向する接合部８４Ａと、接合部８４Ａに対して垂直方向に引き出されたリード部本体８４Ｂとを有する。例文帳に追加

The lead electrode 84 is provided with a bonding part 84A confronted with the other face of the semiconductor chip 82 and a lead part body 84B pulled out to a vertical direction with respect to the bonding part 84A. - 特許庁

その結果、多数本のカーボンナノチューブＣＮＴが、円筒部Ｔ１〜Ｔ３の外周からラジアル方向に向けて配向・成長し、かつ、鉛直方向に形成されたサセプタ１０（熱伝導体）を得る。例文帳に追加

Consequently, a susceptor 10 (heat conductor) is obtained which has many carbon nanotubes CNT oriented and grown in the radial direction from outer peripheries of the cylinder parts T1 to T3, and which is formed in a vertical direction. - 特許庁

ヘリカルアンテナ１０は、直方体状の誘電体からなる基体１１と、基体１１の長手方向（Ｙ方向）と平行な４つの主面１１ａ〜１１ｄに巻回されたヘリカル状の導体パターンとを備える。例文帳に追加

The helical antenna 10 includes: a substrate 11 formed of a dielectric substance like a rectangular parallelpiped; and a helical conductor pattern wound around four main surfaces 11a-11d parallel to the longitudinal direction (Y direction) of the substrate 11. - 特許庁

磁気センサ２４は、導体２２の周囲に発生する磁束のうち水平方向の磁束を検出してそれに応じた電気信号を出力し、その垂直方向の外部磁界には感知しないように構成されている。例文帳に追加

A magnetic sensor 24 detects a horizontal magnetic flux of magnetic fluxes generated around the conductive body 22 and outputs an electric signal according to the flux while it is structured not to sense outside magnetic field in the vertical direction. - 特許庁

磁気センサ２３は、導体２１の周囲に発生する磁束のうち水平方向の磁束を検出してそれに応じた電気信号を出力し、その垂直方向の外部磁界には感知しないように構成されている。例文帳に追加

A magnetic sensor 23 detects a horizontal magnetic flux of magnetic fluxes generated around the conductive body 21 and outputs an electric signal according to the flux while it is structured not to sense outside magnetic field in the vertical direction. - 特許庁

小型アンテナ１００は、略直方体形状の誘電体１１０とアンテナエレメント１２０と２本の給電用導体１２４、１２５と固定部１２６で構成されている。例文帳に追加

The compact antenna 100 is composed of: a dielectric 110 in an approximately rectangular parallelepiped shape; an antenna element 120; two power feeding conductors 124 and 125 and a fixed part 126. - 特許庁

直方体状の誘電体基体２における前端面２ａと表面２ｂと後端面２ｃと裏面２ｄの連続した４面に導体膜４を形成する。例文帳に追加

A conductor film 4 is formed on continuous four surfaces which are a front end face 2a, a front surface 2b, a rear end face 2c and a back surface 2d in a dielectric base body 2 in a rectangular parallelepiped shape. - 特許庁

半導体モジュールをハイブリッド車両の駆動装置に搭載することにより、車両搭載時の鉛直方向に小型化できるとともに、車両の重心位置を低くして走行安定性を向上することができる。例文帳に追加

The semiconductor module is mounted on the driving device for hybrid vehicle whereby the same can be miniaturized in the vertical direction upon mounting the same on the vehicle, while the running stability of the vehicle can be improved by lowering the position of center of gravity of the vehicle. - 特許庁

表示パネル1の後方に、導体板で囲まれた直方体で、前記表示パネル１に向かって横方向に開口部を有するスロットアンテナ3を設置し、回路基板をさらにその後方に配置する。例文帳に追加

At the back of a display panel 1, a slot antenna 3 is installed which is a rectangular parallelepiped surrounded with a conductor plate and has an opening in a direction lateral to the display panel 1 and further behind the slot antenna, a circuit board is disposed. - 特許庁