「直方導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

第１の電極層１、半導体層２及び第２の電極層３が順次積層された半導体装置において、それらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立てて設けた第１の電気絶縁層４及び第３の電極層５を順次有する半導体装置とする。例文帳に追加

This semiconductor device has an electrode layer 1, a semiconductor layer 2, and a second electrode layer 3, which are successively layered in this order, and a first electrical insulation layer 4 and a third electrode layer 5, which are formed vertically in this order so as to be brought into contact with one-side sidewalls of the layered layers 1, 2, and 3. - 特許庁

第一半導体レーザー発光手段１及び第二半導体レーザー発光手段２が組み込まれた半導体レーザー発光ユニットと受光手段とを含む光学ユニットは、縦２００ｍｍ，横１４０ｍｍ，高さ８５ｍｍの直方体内に収納可能な形状である。例文帳に追加

An optical unit including a semiconductor laser beam emitting unit assembled in with the first semiconductor laser beam emitting means 1 and the second semiconductor laser beam emitting means 2, and the photoreception means, is formed into a shape stored in a rectangular parallelepiped having 200mm of longitudinal length, 140mm of lateral length and 85mm of height. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１の図における上面からこれに対向する下面にかけて、一方の開口面付近に内導体非形成部４ａ〜４ｃを設て、内側に内導体３ａ〜３ｃをそれぞれ形成した内導体形成孔２ａ〜２ｃを形成している。例文帳に追加

Inner conductor forming holes 2a-2c with inner conductors 3a-3c respectively formed on their inside faces are formed from the upper face to the opposite lower face of an almost rectangular dielectric block 1 while inner conductor non-forming parts 4a-4c are formed near one openings. - 特許庁

平行２線式アンテナ１は、略平行に配置された２つの平板状導体２と３、及び平板状導体２と３を電気的に短絡する短絡導体４から構成されるアンテナ素子が、略直方体の形状を有する誘電体５に内包される構造を有している。例文帳に追加

The twin-lead type antenna 1 has a structure where two plate-like conductors 2 and 3 disposed approximately in parallel and an antenna element constructed from a short-circuiting conductor 4 for electrically short-circuiting the plate-like conductors 2 and 3 are involved in a dielectric 5 having an approximately parallelepiped shape. - 特許庁

それぞれが異なる発振波長を有するとともに出射光パワーが異なる複数の半導体レーザのうち出射光パワーが最も大きい半導体レーザから出射されるレーザ光の垂直方向の放射角と他の半導体レーザから出射されるレーザ光の垂直方向の放射角が実質的に同一である。例文帳に追加

In a plurality of semiconductor lasers that have different oscillation wavelengths and different outgoing light powers respectively, a radiation angle of laser light in a vertical direction emitted from a semiconductor laser largest in outgoing light power is substantially the same as that of laser light in a vertical direction emitted from another semiconductor laser. - 特許庁

半導体ウエーハの特性測定用水銀電極は、面積が同一でない２個の水銀電極から構成され、上記２個の水銀電極は、半導体ウエーハの表面に対して水平関係を維持しながら半導体ウエーハの表面に対して垂直方向に下降して半導体ウエーハの表面に接触する。例文帳に追加

The mercury electrode for characteristics measurement of a semiconductor wafer is formed of a couple of mercury electrodes having different areas, and two mercury electrodes are placed in contact with the surface of semiconductor wafer while it is moving downward to the surface of the semiconductor wafer by sustaining the horizontal relationship to the surface of semiconductor wafer. - 特許庁

導体回路上に電気めっきによって導体バンプを形成する回路基板の製造方法であって、前記導体バンプの水平方向の形成速度に対して、垂直方向の形成速度が２〜１０倍であること、さらに、前記電気めっきの電流密度を、漸増して導体バンプを形成するものであることを特徴とする回路基板の製造方法である。例文帳に追加

In the method for producing a circuit board where a conductor bump is formed on a conductor circuit by electroplating, the forming rate in the vertical direction of the conductor bump to the forming rate in the horizontal direction is controlled to 2 to 10 times, and further, the current density of the electroplating is gradually increased, so as to form the conductor bump. - 特許庁

一面側が半導体に接し他面側が冷却パイプに接続される半導体の冷却構造において、一面側が放熱シートを介して半導体をそれぞれ個々に冷却する冷却プレートと、一方端がこの冷却プレートの他面側に接続され他方端側が前記冷却パイプの外周面に接触し鉛直方向に摺動する接続部と、を具備したことを特徴とする半導体の冷却構造である。例文帳に追加

The semiconductor cooling structure configured so that one surface side thereof contacts with a semiconductor and the other surface side is connected to a cooling pipe includes, a cooling plate one surface side of which individually cools each semiconductor, and a connection part having one end connected to the other surface side of the cooling plate and the other end side vertically sliding in contact with the outer circumferential surface of the cooling pipe. - 特許庁

一の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に積層され、垂直方向に直列接続された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、半導体基板上に設けられ、所望の電圧をメモリセルアレイに供給する電源回路とを備える。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory device related to one embodiment comprises: a semiconductor substrate; a memory cell array including a plurality of memory cells that are laminated on the semiconductor substrate and connected to one another in series in a vertical direction; and a power supply circuit that is disposed on the semiconductor substrate and supplies a desired voltage to the memory cell array. - 特許庁

記憶部１０は、半導体記録媒体と、半導体記録媒体が実装される配線基板と、半導体記録媒体に記憶されているデータを出力するために配線基板に接合部で接合されているリード線１３と、半導体記録媒体及び配線基板を収容する直方体状の収容ケース１４とを備える。例文帳に追加

A storage section 10 is provided with a semiconductor recording medium, and a wiring board to which the semiconductor recording medium is packaged; a lead wire 13 jointed to the wiring board by a junction section, to output data stored in the semiconductor recording medium; and a storage case 14 in a rectangular parallelepiped shape for storing the semiconductor recording medium and the wiring board. - 特許庁

光半導体装置１０は、半導体基板２０上に形成された端面入射型の受光素子４０と、半導体基板２０上に、受光素子４０の端面４１に相対するようにして形成され、端面４１に相対する面の対面に、半導体基板２０面に対して垂直方向に周期構造３１を有するフレネルレンズ３０とを具備することを特徴としている。例文帳に追加

The optical semiconductor device 10 comprises an end face incident light receiving element 40 formed on a semiconductor substrate 20, and a Fresnel lens 30 formed opposite to an end face 41 of the light receiving element 40 and having a cyclic structure 31 in the vertical direction to the face of the semiconductor substrate 20 on an opposite face of the face opposed to the end face 41. - 特許庁

直方体の誘電体基板４と誘電体基板４の上面に正方形の放射導体２を形成し、放射導体２の給電点Ｆ側の一辺２１の中点から誘電体基板４の端部まで帯状の給電ライン５を形成し、放射導体２を取り囲むように接地導体３を形成する。例文帳に追加

The microstrip antenna is configured such that a square radiation conductor 2 is formed on a rectangular solid dielectric board 4, a feeder line 5 is formed from the center point of one side 21 of the radiation conductor 2 at a side of a feed point F to an end of the dielectric board 4 and a ground conductor 3 is formed to surround the radiation conductor 2. - 特許庁

本発明は、式（１）で示されるアセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させてなる結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜であり、該薄膜において式（１）の分子の長軸を基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法である。例文帳に追加

The acene compound inducer thin film is produced by depositing vapor of an acene compound inducer shown by formula (1) on a substrate, and the long axis of a molecule in the thin film shown by formula (1) is oriented in the direction perpendicular to the surface of the substrate in the process for producing the acene compound inducer thin film. - 特許庁

ウェーハ搭載体３０の外側に突出する突出部３１を保持部材２２９の保持部２２０で保持し、突出部３１’を保持部２２０’で保時することによって、２つのウェーハ搭載体３０を鉛直方向に積み重ねて保持し、２枚の半導体ウェーハ３、３を鉛直方向に積み重ねる。例文帳に追加

A projected part 31 projecting outside a wafer mounter 30 is held by a holding part 220 of a holding member 229, and a projected part 31' is held by a holding part 220', whereby the two wafer mounters 30 are laminated vertically and held, and two semiconductor wafers 3, 3 are laminated vertically. - 特許庁

ライン描画手段は、光源としての可視光半導体レーザ４２と、この可視光半導体レーザ４２から放射された可視レーザ光を垂直方向に拡散化する屈折レンズ４３と、この屈折レンズ４３の前方に配され屈折レンズ４３によって垂直方向に拡散化された可視レーザ光のうち水平面より上方へ向かって進む上向き成分を遮光するシェード４５とを備えて構成される。例文帳に追加

The line drawing means includes a visible-light semiconductor laser 42 serving as a light source, a refractive lens 43 for diffusing vertically the visible laser beam radiated from the visible-light semiconductor laser 42, and a shade 45 disposed in front of the refractive lens 43 for blocking upward components of the visible laser beam diffused vertically by the refractive lens 43, which components propagate upward of the horizontal plane. - 特許庁

直方体状の誘電体１を、中空直方体状の遮蔽導体２内に、支持部材３を介して固定するとともに、入出力線路として結合アンテナ４を備え、ＴＭモードが励振可能な誘電体共振器であって、所望の共振モードが不要な隣接モードから充分離れるように、誘電体１と遮蔽導体２とのサイズの比を規定している。例文帳に追加

In the dielectric resonator in which a parallelepiped dielectric body 1 is fixed within a hollow parallelepiped shielding conductor 2 via a supporting member 3, a coupling antenna 4 is provided as an input/output line, and a TM mode is excited, a ratio of sizes of the dielectric body 1 and the shielding conductor 2 is regulated to make the desired resonance mode sufficiently away from the unwanted adjacent mode. - 特許庁

アノード側透明電極層１２には、半導体結晶がアノード側透明電極層１２から基板平面に対して垂直方向に成長した柱状結晶組織として形成された多孔質の半導体結晶層１３が形成されている。例文帳に追加

A porous semiconductor crystalline layer 13 formed as a columnar crystalline structure in which a semiconductor crystal is grown in the vertical direction to the substrate plane from the anode side transparent electrode layer 12 is formed in the anode side transparent electrode layer 12. - 特許庁

色素増感素子光センサを構成する遷移エネルギーの大きい金属酸化物半導体膜をこの金属酸化物半導体膜を形成する基板上に形成した透明電極に対して垂直方向に伸びた柱状構造とする。例文帳に追加

A metal oxide semiconductor film with large transition energy constituting the dye sensitizing element optical sensor is allowed to have a columnar structure which is vertically extended with respect to a transparent electrode formed on a substrate with the metal oxide semiconductor film formed thereon. - 特許庁

その後、あるいは研磨した表面を保護用フィルムで被覆した後、隣接する半導体素子間の研磨した封止樹脂と実装基板、あるいはさらに保護用フィルムを切断して個片化し、ほぼ直方体形状の半導体装置を形成する。例文帳に追加

Thereafter, or after the polished surface is covered with a protection film, the almost rectangular parallelopiped semiconductor device is formed by cutting into pieces the polished sealing resin provided between adjacent semiconductor elements and mounting substrate or the protection film. - 特許庁

半導体集積回路装置パッケージ１は直方体パッケージであり、複数のカード端子４の形状はストレート状であり、ストレート状の複数のカード端子４を半導体集積回路装置パッケージ１の一表面の全面に配置する。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device package 1 is a rectangular parallelepiped package, the shape of the plurality of card terminals 4 is straight, and the plurality of straight card terminals 4 are arranged on the entire one surface of the semiconductor integrated circuit device package 1. - 特許庁

この発明のウェーハ搬送部材１１，１２，１３，１４は、取り扱われる半導体ウェーハがその上に一枚ずつ載置され、それが半導体ウェーハ処理装置の中で、間隔を開けて水平に、平行移動するがごとくに鉛直方向に複数段設置される。例文帳に追加

Semiconductor wafers to be handled are installed on the wafer transfer members 11, 12, 13 and 14 one by one and they are installed for plural stages in the vertical direction as through they move horizontally and in parallel leaving intervals in a semiconductor processor. - 特許庁

保持部７によって半導体ウェハーＷを保持して閃光照射を行うときには、ガス供給源９９から供給された気体が各噴出口７４から鉛直方向上方に向けて噴出しており、半導体ウェハーＷが保持面７５から浮上している。例文帳に追加

When performing flash irradiation while holding the semiconductor wafer W with the holding part 7, a gas supplied from the gas supplying source 99 is ejected through each outlet 74 upward in the vertical direction and the semiconductor wafer W is floating over the holding face 75. - 特許庁

ここでチップ両端面に実装面に対して垂直方向に延びる溝２８が形成されており、前記引出導体の端部が溝内に達していて、前記外部電極は溝内を含むように形成され、該溝内で引出導体と外部電極が接続されている。例文帳に追加

The end of the leading conductor reaches the groove 28, the outer electrode is formed, so as to include the groove and connected to the leading conductor in the groove. - 特許庁

非揮発性半導体メモリ装置に関し、半導体メモリ装置のセルアレイを3次元で具現し、垂直方向に積層された1つの単位ブロックセルアレイが1つのセンスアンプ部を共有するようにしてチップサイズを低減させることができるようにする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device including 3-dimensional cell arrays to reduce a chip size by allowing one unit block cell array laminated in a vertical direction to share one sense amplifier unit. - 特許庁

３次元的にトランジスタが配置された構成において、垂直方向に隣接するトランジスタの間隔を小さくした場合に、カップリング容量に起因したトランジスタの誤動作を低減できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法、及び不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device reducing malfunctions of transistors caused by a coupling capacitance when reducing a space between vertically adjacent transistors in a configuration with the transistors three-dimensionally arranged, and the nonvolatile semiconductor memory device. - 特許庁

コンタクト１００は、略直方体状の導電ゴムであって、第１のリード端子１０の第１の導体部１２が圧入される第１の溝部１１０と、第２のリード端子２０の第２の導体部２２が圧入される第２の溝部１２０とを有する。例文帳に追加

The contacts 100 are of conductive rubber of nearly a rectangular parallelepiped shape, and each include a first groove part 110 with a first conductor part 12 of the first lead terminal 10 press-fitted and a second groove part 120 with a second conductor part 22 of the second lead terminal 20 press-fitted. - 特許庁

円弧の中央部に形成された直方体状の中央部２２と、この中央部２２を挟んでその両側それぞれに形成された４分の１の円弧の形状をした導体部２４，２６とを有する加熱用導体２０を誘導加熱コイル１０に形成した。例文帳に追加

A conductive body for heating 20 having a center part 22 with the shape of rectangular parallelepiped formed at the center of circular arc, and conductive body parts 24, 26 with the shape of a quarter of circular arc, facing each other with the center part 22 put between them, are formed to the induction heating coil 10. - 特許庁

その際、ノズル３８からのリンス液３９の吐出方向を半導体ウエハ１の表面１ａに対して垂直方向になるようにし、ノズル３８から吐出されたリンス液３９の液流が半導体ウエハ１の表面１ａの中心から離れた位置に当たるようにする。例文帳に追加

Then, the discharge direction of the rinse liquid 39 from the nozzle 38 is vertical relative to the surface 1a of the semiconductor wafer 1, and a liquid flow of the rinse liquid 39 discharged from the nozzle 38 is made to abut against a position separated from the center of the surface 1a of the semiconductor wafer 1. - 特許庁

半導体チップの一辺に対し垂直方向のチャネルを形成するＭＯＳトランジスタと水平方向のチャネルを形成するＭＯＳトランジスタを組み合わせることで、応力に起因する特性値変動を相殺し、特性値のシフトが少ない半導体装置とする。例文帳に追加

By combining a MOS transistor forming a channel in the perpendicular direction to one side of a semiconductor chip with a MOS transistor forming a channel in the horizontal direction, variations in characteristic value caused by a stress are offset, and a semiconductor device with a small shift in characteristic value is formed. - 特許庁

略直方体形状をなす誘電体チップに所定の導体板からなるアンテナ導体を埋め込んだチップアンテナにおいて、前記誘電体チップの下面側に該誘電体チップの取付姿勢を規制する所定高さの突出部を備える。例文帳に追加

The chip antenna, wherein an antenna conductor comprising a prescribed conductor board is embedded to a dielectric chip of nearly a rectangular solid shape, is provided with a projection of a prescribed height for regulating a mount attitude of the dielectric chip at a lower side of the dielectric chip. - 特許庁

略直方体形状の誘電体ブロック１にはそれぞれ内面に内導体膜３ａ〜３ｃを形成した貫通孔２ａ〜２ｃが形成されており、外面１ａを除く五面１ｂ〜１ｆの略全面に外導体膜４が形成されている。例文帳に追加

Through holes 2a to 2c on each of the internal surface of which inner conductive films 3a to 3c are formed are formed on a dielectric block 1 in the shape of an approximate rectangular parallelepiped and an outer conductor film 4 is formed almost all of five surfaces 1b to 1f except an outer surface 1a. - 特許庁

半導体ウェーハ周辺部の研磨方法は、表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハ１４を、研磨スラリー１１を保持し回転する研磨ローラ１３に接触回転させてウェーハの周辺部を研磨する。例文帳に追加

In the method of polishing the periphery of a semiconductor wafer, a plurality of semiconductor wafers 14 held in a vertical direction at predetermined intervals with their both surfaces being in a free state are rotated while being brought into contact with a polishing roller 13 that rotates while holding a polishing slurry 11 so as to polish the periphery of each of the wafers. - 特許庁

基板と、基板の一主面上に形成され、一主面に対して垂直方向にｃ軸配向した酸化物超電導体と、酸化物超電導体とは異なる結晶配向を有して平均粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の異相粒と、を含有した超電導層と、を備える。例文帳に追加

An oxide superconducting thin film includes a substrate and a superconducting layer containing: an oxide superconductor formed on one principal plane of the substrate and oriented along the c-axis in the vertical direction relative to the one principal plane; and a different phase particle having crystal orientation different from that of the oxide superconductor and having an average particle size of 100 nm or more and 500 nm or less. - 特許庁

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。例文帳に追加

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region. - 特許庁

誘電体層、導体層を重ねた多層体からなる直方体形状の電気素子において、上下の導体層に逆向きの電流を流すようにして、磁界の相殺を利用して自己インダクタンスを低減し、それによってＥＳＬを減少させて高周波ノイズを減少させる。例文帳に追加

In the electric element of a rectangular shape which is composed of a multilayered body obtained by overlapping a dielectric layer and a conductive layer, an inverted heading current is flown into the upper and lower conductive layer, whereby a self-inductance is reduced by utilizing an offset of a magnetic field and an ESL is reduced thereby to reduce the high frequency noise. - 特許庁

直方体形状の誘電体ブロック１１の外面に導電体膜１０を形成し、誘電体ブロック１１内に短絡導体１２ａ，１２ｂを配置するための結合調整用孔２６ａ，２６ｂを形成し、その内部に空気層１３ａ，１３ｂを介して短絡導体１２ａ，１２ｂを配置する。例文帳に追加

A conductive material film 10 is formed on an outer surface of a rectangular parallelepiped dielectric block 11, holes 26a and 26b for coupling adjustment for arranging short circuit conductors 12a and 12b in the dielectric block 11 are formed, and the short circuit conductors 12a and 12b are arranged in the holes 26a and 26b through air layers 13a and 13b. - 特許庁

熱圧力定着器で用いる加熱体において、前記加熱体には、被加熱材の導入方向に対し垂直方向に伸びる導体を導入方向に複数有し、前記導体の間に抵抗体を形成し、前記抵抗体を間引くことを特徴とする。例文帳に追加

In the heating body used for a heat pressure type fixing device, the heating body has a plurality of conductors vertically extending against the introducing direction of a heated material in the introducing direction, resistors are formed between the conductors, and the resistors are thinned out. - 特許庁

同軸ケーブル３０の外部導体３１は鉛直方向に沿って配置されるダイポール素子１１Ａ，１１Ｂのうち上側の素子（ダイポール素子１１Ａ）に接続され、同軸ケーブル３０の内部導体３２は下側の素子（ダイポール素子１１Ｂ）に接続される。例文帳に追加

An outer conductor 31 of the coaxial cable 30 is connected to an upper element (dipole element 11A), out of dipole elements 11A, 11B disposed in a perpendicular direction, and an inner conductor 32 of the coaxial cable 30 is connected to a lower element (dipole element 11B). - 特許庁

光照射部５と保持部７との間に設けられた透光板６１の上には、保持部７に保持された半導体ウェハーＷの直径よりも小さい径を有する照度調整板１０を、その中心が該半導体ウェハーＷの中心の鉛直方向直上に位置するように載置している。例文帳に追加

On a light-transmitting plate 61, provided in between the light irradiator 5 and the holder 7, an illuminance adjusting plate 10 having a diameter smaller than the diameter of the semiconductor wafer W held by the holder 7 is mounted, such that its center is positioned right above the center of the semiconductor wafer W in a vertical direction. - 特許庁

この押し込みにより、半導体装置１０５の上面における厚みのバラツキが、コンタクトプッシャ１０１の下部に取り付けた複数のポゴピン１０３により吸収され、半導体装置１０５の上面に対して垂直方向に均一な押圧力を加えることができる。例文帳に追加

The irregularity of the thickness in the upper face of the semiconductor device 105 is absorbed by the plurality of the pogo pins 103 attached to the lower part of the contact pusher 101 and uniform push force can be applied in a vertical direction to the upper face of the semiconductor device 105. - 特許庁

面発光型半導体レーザ１００に対して、柱状部１１０が形成されている側から半導体基板１０１の表面と垂直方向にレーザ光３０１を照射し、酸化狭窄層１１４における反射光量からアパーチャ部１０７の形状を測定する。例文帳に追加

The method comprises the steps of irradiating the laser 100 with a laser beam 301 in a direction perpendicular to a surface of the substrate 101 from the side formed with the part 110, and measuring a shape of the part 107 from a reflecting beam amount on the layer 114. - 特許庁

半導体Ａと、半導体Ａ上に形成されたソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓ−ドレイン電極Ｄ間の通電方向に対して垂直方向に電界を印加するためのゲート電極Ｇと、半導体Ａとゲート電極Ｇとの間に形成されたゲート絶縁膜Ｂとを備えた電界効果素子１０。例文帳に追加

The field effect element 10 includes a semiconductor A, a source electrode S and a drain electrode D formed on the semiconductor A, a gate electrode G for applying an electric field in a direction perpendicular to a current feed direction between the source electrode S and drain electrode D, and a gate insulating film B formed between the semiconductor A and gate electrode G. - 特許庁

第１半導体発光素子１２ａは、水平線Ｈよりも下方で光出射面１２ａ１が鉛直方向下方を向くようにして設けられ、第２半導体発光素子１２ｂおよび第３半導体発光素子１２ｃは、水平線Ｈよりも上方で光出射面１２ｂ１，１２ｃ１が光軸Ｏを向くようにして設けられている。例文帳に追加

The first semiconductor light emitting device 12a is set below a horizon H so as a light-irradiating face 12a1 to be headed downward in a vertical direction, and the second semiconductor light emitting device 12b as well as the third semiconductor light emitting device 12c is set above the horizon H so as light-irradiating faces 12b1, 12c1 to be headed toward the light axis O. - 特許庁

本発明は、半導体ウェハを支持する検査用ステージ１１と、紫外線レーザ光を集光して半導体ウェハに対して照射する紫外光用対物レンズ４０と、この紫外光用対物レンズ４０に固定され半導体ウェハまでの距離を検出する複数の距離センサ４１と、上記検査用ステージ１１を垂直方向に移動制御する制御部とを備える。例文帳に追加

This device is provided with an examination stage 11 for supporting a semiconductor wafer, an objective lens 40 for ultraviolet light for converging ultraviolet laser light and irradiating the semiconductor wafer with that light, a plurality of distance sensors 41 fixed to this objective lens 40 for ultraviolet light for detecting the distance to the semiconductor wafer and a control part for vertically controlling the movement of the stage 11 for examination. - 特許庁

半導体発光素子を用いた発光素子に関し、従来の金ワイヤを用いたボンディング方式に代わり、半導体素子の積層方向と略垂直方向の面の幅が広い金属薄板と半導体発光素子上の電極とを接合することにより、ボンディング部の厚さの低減や実装用基板を不要とすることができ、大幅な厚さ軽減が可能となり、薄型化された発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a thin light emitting element using a semiconductor light emitting element for reducing thickness of bonding part, requiring no mounting substrate, and enabling remarkable reduction of thickness by joining a wide-width metal thin plate on the surface, in almost perpendicular direction to the laminating direction of the semiconductor element to an electrode on the semiconductor ligh emitting element in place of the existing bonding system using a gold wire. - 特許庁