「窓電流」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。例文帳に追加

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。例文帳に追加

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106. - 特許庁

磁心の窓部に主巻線１５による主磁束の磁気回路と制御巻線１４による制御磁束の磁気回路との共通磁路を形成し、制御巻線１４の励磁電流により当該共通磁路の透磁率を調整して主磁束φ１を制御する。例文帳に追加

A common circuit of a magnetic circuit for primary magnetic flux due to the primary winding 15 and a magnetic circuit for control magnetic flux due to the control winding 14 is formed on each of windows in the cores, and permeability of the common circuit is adjusted by excited current of the control winding 14 to control the primary magnetic flux ϕ1. - 特許庁

半導体発光素子の窓層として、金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層を形成し、且つ同時に粗面化することが可能な真空蒸着装置、この真空蒸着装置に利用するフィルタ、それらを用いて作製した半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a vacuum deposition system where, as a window layer for a semiconductor light emitting device, a current dispersion layer composed of a transparent electrically conductive film of metal oxide is formed, and simultaneously, its roughening is possible, to provide a filter utilized for the vacuum deposition system, and to provide a semiconductor light emitting device produced by using them. - 特許庁

１Ａ以上、特に１０〜３０Ａ以上の直流電流を印加する場合に、導電性フィラーが酸化したり、樹脂分が炭化したりせず、発熱を最小限に押さえ、抵抗の上昇を押さえた導電性接着剤とその接着方法およびそれを用いた自動車用窓ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide a conductive adhesive in which a conductive filler is not oxidized, a resin content is not carbonized, and the generation of heat is suppressed to a minimum with an increase in resistance suppressed, in the case of impressing a DC of 1A or larger, particularly not smaller than 10 to 30A, its bonding method, and an automobile windowpane using the same. - 特許庁

さらに、ターゲット８をＸ線透過窓７から電気的に絶縁して、ターゲット８に流れる電流を測定しＸ線強度とみなし、偏向器３を調整することで、電子ビーム１０をターゲット８上に位置調整することができる。例文帳に追加

Furthermore, by electrically insulating the target 8 from an X-ray transmission window 7, current that flows in the target 8 is measured to be regarded as the X-ray intensity, and the electron beam 10 can be subject to position adjustment on the target 8 by adjusting the deflector 3. - 特許庁

発光ダイオード１０７と電気的に直列関係に接続されて定電流電源装置９から給電され、投光窓５２からの照射光を阻害する雪を溶かすヒータ１０８と、ヒータ１０８の温度を検知し、検知温度が所定値以上の場合にはヒータをバイパスする電気回路を形成する温度検知手段１０９とを有する。例文帳に追加

The beacon light includes a heater 108 which is electrically connected to a light emitting diode 107 in a serial relation, receives power from a constant current power source device 9 to melt the snow obstructing the illuminating light through the projection window 52; and a temperature detecting means 109 which detects temperature of the heater 108 and forms, when the detected temperature is a predetermined value or higher, an electric circuit bypassing the heater. - 特許庁

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。例文帳に追加

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode. - 特許庁

開閉可能な戸又は窓に太陽電池セルを配列し、太陽電池モジュールとして設置し、その太陽電池モジュールで発生した電流を電磁誘導による無接点方式などで、逆流防止ダイオード又は太陽電池充放電制御器を介し、バッテリー及びインバーターなどに送電することにより、この課題を解決する。例文帳に追加

These advantages are overcome by arranging solar cells in a door or a glass that can be opened and closed to provide a solar cell module and sending a current generated in the solar cell module to a battery, an inverter, etc., via a reverse-current preventing diode or a solar cell charge/discharge controller using a non-contact scheme such as a scheme utilizing electromagnetic induction. - 特許庁

導電性透明酸化物層を窓層としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に設けてなるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤにおいて、台座電極より供給される動作電流を開放発光領域に充分に均一に拡散させ、発光強度の均一性に優れ、且つ高発光強度のＬＥＤを提供する。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor LED having excellent uniformity of light emitting intensity and high light emitting intensity by sufficiently uniformly diffusing an operating current supplied from a pedestal electrode to an open light emitting region in the LED having a conductive transparent oxide layer as a window layer on a III-V compound semiconductor layer. - 特許庁

光入射側の窓層の半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加し光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion device having improved photoelectric conversion efficiency by increasing open circuit voltage and a short-circuit current without the need for a semiconductor layer as a window layer on a light incident side to contain a high-concentration impurity element, while suppressing the exhaust amount of carbon dioxide, when manufactured. - 特許庁

半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device 20 includes a lower DBR layer 21, a lower spacer layer 22, an active layer 23, an upper spacer layer 24, a current constriction layer 25, an upper DBR layer 26, and a contact layer 27 in sequence from the side of a substrate 10, wherein a columnar mesa part M1 including an optical outgoing window 28A is formed on the contact layer 27. - 特許庁

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method. - 特許庁

ＤＮＡを含有する電解質溶液の試料中に、シトシン（C）とメチルシトシン（mC）両塩基に基づく酸化を検出可能な電位窓を酸化側に有する作用電極、対極及び参照電極を挿入し、作用電極に電位を印加して試料中の両各核酸塩基の電解酸化電流を測定することにより、ＤＮＡ中のメチル化を電気化学的に検出、定量する。例文帳に追加

This method comprises the steps of putting a working electrode having a potential window capable of detecting oxidation due to both cytosine (C) and methyl cytosine (mC), a counter electrode, and a reference electrode in an electrolyte solution sample containing DNA, applying a potential to the working electrode, measuring the electrolytic oxidation current of respective nucleic acid bases in the sample, electrochemically detecting and quantifying methylation in the DNA. - 特許庁

半導体レーザ素子の窓構造を無秩序化によって形成する際、空孔原子を与える膜として、意図的に、よりストレスの高い膜を用いることにより、より容易に、高出力時の駆動電流，駆動電圧を低減し、且つ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element that can more easily reduce a drive current and a drive voltage at a high output with excellent long term reliability by intentionally using a film with a high stress for a film providing void atoms in the case of forming a window structure of the semiconductor laser element through disordering, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

作製時に汎用性があり、多くの基板に適用可能で、かつ電位窓が広く、電極反応生成物が吸着しにくく、ノイズの要因になる充電電流等が低く、極微小電極に加工する際に十分な平坦性を有する高感度電気化学検出のための炭素薄膜電極を提供すること。例文帳に追加

To provide a carbon thin film electrode for electrochemical detection of high sensitivity having general-purpose properties at the time of predetermined, adaptable to many substrates, having a wide potential window, hard to adsorb an electrode reaction product, low in charging current or the like causing noise having a sufficient flatness at the time of processing of an extremely fine electrode. - 特許庁