「結晶図」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate capable of suppressing the occurrence of cracks, crystal defects or the like in a nitride semiconductor single crystal layer and improving the crystallinity of the nitride semiconductor single crystal layer. - 特許庁

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層４を形成する（図１（ｃ））。例文帳に追加

A first composite nano-crystalline layer 4 in which many grains of the polycrystalline silicone and many silicon crystallites are mixed is formed by a nano-crystallization process [Fig. (c)]. - 特許庁

昇華再結晶法により炭化珪素等の単結晶を成長させるにあたり、多結晶による成長阻害を抑制して、簡便に、成長する単結晶の口径拡大を図る。例文帳に追加

To readily enlarge the diameter of a growing single crystal by suppressing the obstruction of the growth by a polycrystal when growing the single crystal of silicon carbide or the like by a sublimation recrystallization method. - 特許庁

本発明は、高品質の結晶成長を高い歩留で成長させ、結晶歩留の改善を図る結晶成長装置または結晶成長方法に関する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for growing a crystal, which enables improvement of the crystal yield by growing a high quality crystal in a high yield. - 特許庁

結晶成長によって製造された塊状のサファイア単結晶の結晶欠陥の除去を図り、塊状のサファイア単結晶から得るサファイア製品の収率を向上させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for removing crystal defects in an ingot of a sapphire single crystal produced by crystal growth and improving the yield of sapphire products prepared from the ingot of the sapphire single crystal. - 特許庁

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate. - 特許庁

生成された結晶の取出しおよび結晶構造解析装置への結晶の装填のための操作を簡略化し、作業の効率化と労力の軽減化を図ることができる結晶生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal creating apparatus, capable of simplifying operation for loading a crystal to an apparatus for taking out the created crystal and analyzing a structure of the crystal, making work efficient and reducing labor. - 特許庁

このシリコン融液３にシリコンの種結晶７を浸漬し（図（ａ））、種結晶７を回転させつつ引き上げる（図（ｂ））。例文帳に追加

Then, a silicon seed crystal 7 is dipped in the silicon melt 3 (Fig.(a)), and the seed crystal 7 is pulled while being rotated (Fig.(b)). - 特許庁

酸化物粉末同士の焼結を抑制しつつ結晶性の向上を図る。例文帳に追加

To improve a crystallinity of oxide powder while preventing sintering among the powder. - 特許庁

単結晶引き上げクリーンルーム内での清浄度低下の防止を図る。例文帳に追加

To prevent reduction in cleanliness in a single crystal pulling clean room. - 特許庁

試料内部の結晶方位情報を容易に取得可能にすることを図る。例文帳に追加

To enable to easily obtain crystal orientation information of a sample interior. - 特許庁

結晶膜の結晶化度を正確に検査することができるとともに、所望の結晶化度が得られる結晶膜を形成することが可能となり、製造プロセスの安定稼動を図ることが可能となる結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection method and an inspection apparatus for crystal film with which crystallization of crystal film can be inspected accurately, a crystal film which can provide the predetermined crystallization can be formed, and the manufacturing processes can be executed stably. - 特許庁

結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層を形成してから、第１の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)). - 特許庁

３００ｍｍ以上の直径を有するシリコン単結晶を成長させる場合であっても、成長する単結晶に対する冷却効果を最大限に発揮し、結晶成長速度の高速化を図ることのできる単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a single crystal and a single crystal growing device which can attain high speed growing of the single crystal by making cooling effects to the growing single crystal maximum even in the case of growing a silicon single crystal of ≥300 mm diameter. - 特許庁

非晶質半導体膜をレーザー光の照射により結晶化する際に、非晶質半導体膜の形状変化（凸部または凹部）を用いて意図的に結晶成長の起点を規定し、結晶粒径の大粒径化を図る。例文帳に追加

At crystallization of a non-crystalized semiconductor film under laser irradiation, the change in shape of the semiconductor film (a protruding part or recessed part) is used intentionally to specify the start point of crystal growth, for larger crystal particle size. - 特許庁

第１の多結晶シリコン層３の表面を研磨により平滑化し（図１（ｃ））、第１の多結晶シリコン層３上に第２の多結晶シリコン層４をＣＶＤ法によって成膜する（図１（ｄ））。例文帳に追加

The surface of the first polycrystalline silicon layer 3 is smoothed by grinding (fig.(c)) and a second polycrystalline silicon layer 4 is formed on the first polycrystalline silicon layer 3 by CVD method (fig.(d)). - 特許庁

ここで、「完全結晶」とは欠陥がない結晶性の平行平板を意味し、これは平面波で照らされるとき理想的な「点状の」回折図形を作る。例文帳に追加

Here, a perfect crystal means a parallel-sided slab of defect-free crystalline material, which produces an ideal point diffraction pattern when illuminated by a plane wave.  - 科学技術論文動詞集

また、多結晶体ダイヤモンドは、実質的にダイヤモンドのみからなるものであり、多結晶体ダイヤモンドには、意図的に他の物質が添加されていない。例文帳に追加

The polycrystal diamond substantially consists only of diamond without intentionally adding other substances to the polycrystal diamond. - 特許庁

図１（ｅ）中の５ａは凹部６ｃに充実された多数のシリコン微結晶からなる微結晶層を示す。例文帳に追加

5a in the figure (e) illustrates a microcrystal layer consisting of a number of silicon microcrystals enriched in the concave part 6c. - 特許庁

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。例文帳に追加

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase. - 特許庁

結晶子の方位や結晶の配向の程度等を極点図を用いて視覚的に明確、簡単且つ迅速に把握できるようにする。例文帳に追加

To grasp the azimuth of a crystallite or the orientation degree of a crystal visually clearly, simply and rapidly. - 特許庁

単結晶製造装置および単結晶製造方法において、再現性の向上および装置の小型化を図る。例文帳に追加

To improve a single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method which improve the reproducibility thereof and reduce the size of the apparatus. - 特許庁

窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal by which the growth rate of the aluminum nitride single crystal is enhanced. - 特許庁

必須成分としてＴｈ_2Ｎｉ_17型結晶相を有する磁石材料の結晶組織を微細化することによって、磁気特性の向上を図る。例文帳に追加

To improve the magnetic characteristics of a magnet material, having a Th2Ni17 crystal phase as an essential component, by refining the crystal structure of the material. - 特許庁

結晶欠陥の低減及び大口径化が図られたＳｉＣ単結晶及びその成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an SiC single crystal with decreased crystal defects and an enlarged bore diameter; and a growth method therefor. - 特許庁

ＫＴＮ結晶の振動に伴う超音波の効果的な減殺を図るとともに、ＫＴＮ結晶の温度制御を容易にする。例文帳に追加

To effectively reduce ultrasound accompanying oscillation of KTN crystals and facilitate temperature control of KTN crystals. - 特許庁

結晶核の均一化を図り、結晶性の良好な半導体膜を有する薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a display device including a thin-film transistor that uniformizes a crystal nucleus and includes a semiconductor film having excellent crystallinity. - 特許庁

従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。例文帳に追加

Thus, as shown in Fig.(b), a crystal having a facet plane is grown in a convex, and a crystal is also grown in a concave. - 特許庁

従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。例文帳に追加

Thus, as shown in a figure (b), a crystal having a facet plane is grown in a convex part, and a crystal is also grown in a concave part. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶の成長速度の低下の低減、ＳｉＣ単結晶の長時間成長、ＳｉＣ粉末原料の残留の低減を図る。例文帳に追加

To promote the reduction of the decline in growth rate of SiC single crystal, the long time growth of SiC single crystal, and the reduction of the residual amount of SiC powdered raw material. - 特許庁

無転位化に必要なネック部長さの短縮を図り、優れた結晶品質を得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which the length of a neck part required for achieving dislocation-free state can be shortened and excellent crystal quality can be obtained. - 特許庁

坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a crystal which suppresses cracking of a crucible and produces a crystal to which mixing of unintended impurities is suppressed. - 特許庁

大重量の単結晶であっても安全に引き上げることができる単結晶吊り下げ部を有し、一般的な通常の種結晶を使用することで種結晶に関して新たなコストを発生させることがなく、かつ種結晶を交換することなく半永久的に何回も再使用することができ、コストの削減を図ることができる単結晶引き上げ方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for pulling up a single crystal having the single crystal hanging part capable of pulling up safely even a heavy weight single crystal, without generating new cost regarding a seed crystal by using the general or ordinary seed crystal, allowing many time reusing semipermanently without changing the seed crystal, therefore the production costs can be reduced. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶の育成において、単結晶のコーン部を短時間で形成して単結晶の製造を効率的に行うことができ、またコーン部の軽量化を達成して単結晶のプライム領域の収率を向上させ、単結晶の生産性の向上を図ることのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal employing a Czochralski method by which the manufacturing of the single crystal can be efficiently performed by forming a cone part of the single crystal in a short period of time, the yield of the prime area of the single crystal can be enhanced by reducing the weight of the cone part and the productivity of the single crystal thereby can be increased. - 特許庁

結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon single crystal which can suppress the occurrence of a slip dislocation irrespective of the crystal orientation, can achieve a dislocation-free crystal simply, can improve the quality of the crystal, and is most suited in particular for pulling a <110> single crystal by using a seed crystal having a crystal orientation of <110> that is difficult to eliminate the slip dislocation. - 特許庁

説明図３に示すように、溶液から結晶が析出する場合、勾配磁場を結晶および溶液に印加することにより、溶液に下向きの磁気力、結晶に下向きもしくは上向きの磁気力を作用させて、重力と磁気力の合力で発生する浮力で結晶を溶液の上部界面に接するように浮上させ、この状態で結晶を析出、育成することにより結晶周辺で発生する対流を抑制することを特徴とする。例文帳に追加

In the explanation of the horizontal axis in Fig., the figure explaining a method for floating the crystal to the upper of the solution is written. - 特許庁

ランガサイト結晶における形状のいびつさの改善と、ランガサイト結晶における音速ばらつきの低減とを図り、ランガサイト結晶におけるＹ面とＺ面との成長速度をほぼ等しくする。例文帳に追加

To improve the irregular form of a langasite crystal, to reduce the dispersion of the acoustic velocity in the langasite crystal, and to approximately equalize the growth rates of the Y plane and the Z plane of the langasite crystal. - 特許庁

このマグネシウム合金は、凝固時にマグネシウムの結晶粒よりも高い温度域においてＡｌ_４Ｃ_３が多数形成され、これが結晶核として機能することで、アルミニウム結晶粒の均一かつ微細化が図られる。例文帳に追加

In the magnesium alloy, many of Al_4C_3 are formed in a temperature region higher than those of crystal grains of magnesium in solidification, Al_4C_3 functions as a crystal core, and thus, aluminum crystal grains are equalized and miniaturized. - 特許庁

ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a silica glass crucible for pulling a silicon single crystal, capable of suppressing the occurrence of brown mold and the occurrence of air pockets in the silicon single crystal and improving pulling yield of the silicon single crystal. - 特許庁

変換効率の向上を図れる多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a polycrystalline silicon thin film capable of improving conversion efficiency, a polycrystalline silicon thin film substrate and a polycrystalline silicon thin film type solar battery. - 特許庁

耐久性があり、交換が不要となり、保守費用の削減が図れ、かつ、シリコン単結晶引上げの生産性が高いシリコン単結晶引上げ装置を提供するシリコン単結晶引上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for pulling a silicon single crystal in which the apparatus has the durability, the exchange is not required, the maintenance expenditures are reduced and the productivity of silicon single crystal pulling is high. - 特許庁

第２の多結晶シリコン層４をナノ結晶化し、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶それぞれの表面に絶縁膜を形成することによって強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｅ））。例文帳に追加

By nano-crystallizing the second polycrystalline silicon layer 4 and forming an insulating film on respective surface of a large number of silicon crystallites of nanometer order, an intense-field drift layer 6 is formed (fig.(e)). - 特許庁

ｐ側結晶欠陥層１０８も同様であり、図１（ａ）に示されるように、ｐ側結晶欠陥層１０８とｎ側結晶欠陥層１０７とは隣接して交互に形成されている。例文帳に追加

A p-side crystal defect layer 108 is also formed similarly, and the p-side crystal defect layer 108 and n-side crystal defect layer 107 are formed contiguously and alternately as shown in Fig.1(a). - 特許庁

育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal manufacturing unit capable of speeding-up the growing speed of a single crystal by efficiently cooling the single crystal during its breeding. - 特許庁