「造反する」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

防弾材料となる織物を、特定の構造反復単位を有する少なくとも２種の芳香族コポリアミドの組成物から得られた繊維を用いて構成する。例文帳に追加

The woven goods becoming bulletproof materials are constituted by using a fiber obtained from a composition of two kinds of aromatic copolyamides having specific structural repeating units. - 特許庁

謂れの無い上意討ちに元盛の実兄（波多野稙通など）が丹波国で造反するも、高国の政権は鎮定できぬほど軍事力の弱さを露呈したのである。例文帳に追加

When brothers of Motomori (such as Tanemichi HATANO) rebelled in Tanba Province in response to Takakuni's unjust punishment on innocent Motomori, the Takakuni government could not suppress the rebellion exposing the weakness of its military force.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

同年7月、浜松に帰還した家康は昌幸の造反を知ると八月に真田討伐を起こし、家臣の鳥居元忠、大久保忠世、平岩親吉ら約7000の兵を真田氏の本拠・上田城に派遣する。例文帳に追加

In July of that year, Ieyasu, who returned to Hamamatsu and got to know about the rebellion of Masayuki, started the subjugation of Sanada and sent an army about 7,000 strong including his vassals Mototada TORII, Tadayo OKUBO, and Chikayoshi HIRAIWA to the base of the Sanada clan, Ueda-jo Castle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ジカルボン酸とジオールとの反応によりポリエステルを製造する方法において、ジカルボン酸及び／又はジオールがバイオマス資源から得られたものであり、ポリエステル製造反応中の反応槽内の酸素濃度を１０％以下とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the polyester by a reaction of the dicarboxylic acid with the diol, the dicarboxylic acid and/or the diol are those obtained from the biomass resources and the oxygen concentration in the reactor during the polyester-manufacturing reaction is kept at 10% or lower. - 特許庁

新たな水除去塔を設けず、水が酸化反応器に入るのを前提条件とした上で、オレフィンオキシド製造反応の選択性の低下を抑制し、この選択率をできるだけ保持する制御方法を見出すことを目的とする。例文帳に追加

To find out a method for controlling an olefin oxide production reaction to inhibit the decrease of selectivity and hold the selectivity as much as possible, without installing a new water-removing column and considering that water comes in an oxidation reaction vessel as a premise condition. - 特許庁

重合終了時の中和度を７５〜９５モル％、およびポリマー固有粘度（ＩＶ）を５．０〜７．０として、下記（１）および（２）の構造反復単位を有するパラ型全芳香族コポリアミドを得、このポリマー溶液を用いて繊維を形成する。例文帳に追加

A para-type wholly aromatic copolyamide having the following structural repeating units (1)and (2) in which the neutralization degree at the time of the completion of polymerization is 75-95 mol% and in which the polymer intrinsic viscosity (IV) is 5.0-7.0 is obtained, and a fiber is formed by using the polymer solution. - 特許庁

ＴｉＯ_２に鉄族金属の２種を担持させた触媒が、合成ガス製造反応において、炭素析出を抑えるのに有効であり、更に、少量の遷移金属を添加することにより、さらに触媒活性の劣化を防止できることを見出した。例文帳に追加

It is found that a catalyst forced to carry a secondary class material of an iron family metal in TiO_2 is effective in suppressing carbon deposition in a reaction for manufacturing the synthetic gas, and furthermore that the deterioration of catalyst activity can be still more prevented by adding a little bit of a transition metal. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The bi-layer structure antireflection film is used when a resist layer is exposed by means of an exposure system which has a wavelength of 190 to 195 nm and has a numerical aperture of ≤1.0, and is formed between the resist layer and the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

本発明では、有機発光ダイオード素子において、新規オリジナルな光学薄膜を導入し、低屈折率でかつナノメータオーダの空隙を有する光学薄膜の領域を通して全反射の臨界角に制限されない散乱光として、上部へ光を取り出し光取り出し効率を改善しながら、前記光学薄膜を多層で繰り返し積層することによって、周期構造反射鏡として利用しスペクトルを分離させる。例文帳に追加

Thereby, the element utilizes the thin film as a periodical structure reflecting mirror to separate the spectrum. - 特許庁

エピハロヒドリンとの反応（エポキシ樹脂製造反応）において副反応が抑制され、良好な特性のエポキシ樹脂が得られ、特に電気電子材料分野に使用される樹脂原料あるいは樹脂中間体の原料として工業的に使用するのに適した３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノールを提供する。例文帳に追加

To provide a 3, 3', 5, 5'-tetramethyl-4, 4'-biphenol with which side reactions in the reaction (epoxy resin producing reaction) with epihalohydrin are suppressed and an epoxy resin having good properties can be obtained and which is suitable to use industrially as a raw material for a resin or a resin intermediate used especially in the electric or electronic material field. - 特許庁

比重１９．２５ｇ／ｃｍ^３のタングステンを反応器の内部全体にわたって均一に分布させて反応ガスとの接触面積を極大化させるにより、反応器の体積を著しく減少させたうえ、反応熱の制御をより容易にすることができ、反応効率を著しく改善させた六フッ化タングステンの製造反応システムの提供。例文帳に追加

To provide a reaction system for production of tungsten hexafluoride, which has a remarkably reduced reactor volume, can more easily control a reaction heat and significantly improves reaction efficiency by allowing tungsten having a specific gravity of 19.25 g/cm^3 to be distributed uniformly in the whole of reactor inside, thus maximizing the contact area between tungsten and reactant gas. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３を越え１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 0.93-1.0, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁