「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、密度が高く、均一に結晶が成長したオキシ水酸化コバルト粒子粉末に関する。例文帳に追加

To provide a cobalt oxyhydroxide particulate powder having high density and evenly-grown crystals. - 特許庁

固体表面の酸素除去方法、結晶成長方法、半導体製造方法及び半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING OXYGEN ON SOLID SURFACE, CRYSTAL GROWING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING ZINC OXIDE-BASED SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

二酸化ケイ素の成長速度の減小は、結果として、ウェーハ上に自己平坦化学膜を形成する。例文帳に追加

Decrease of the growth rate of silicon dioxide results in a formed self-planarized chemical film on a wafer. - 特許庁

このシード層の上に、少なくとも１つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる（１０３）。例文帳に追加

The growth of the at least one nanostructure of the polycrystalline zinc oxide is induced on the seed layer (103). - 特許庁

シリコン基板の１００及び１１１面上に均一な酸化物層を成長させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for growing a uniform oxide layer on the 100 and 111 planes of a silicon substrate. - 特許庁

針状結晶はアナターゼ二酸化チタンのｃ軸方向に異方成長したものである。例文帳に追加

The needle type crystal is a crystal which grows anisotropically in the direction of c-axis of anatase titanium dioxide. - 特許庁

酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING ZINC-OXIDE-BASED SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

また、ＣＶＤ（化学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。例文帳に追加

Alternatively, the silicon oxide layer 102 can be deposited by a CVD (Chemical Vapor Deposition method). - 特許庁

カルノジン酸誘導体およびそれを用いた神経成長因子合成促進剤例文帳に追加

CARNOSIC ACID DERIVATIVE AND SYNTHESIS PROMOTER FOR NERVE GROWTH FACTOR USING THE SAME - 特許庁

また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。例文帳に追加

Alternatively, the silicon oxide layer 102 can be deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition). - 特許庁

シリコン基板１０の裏面には、全体でＬＯＣＯＳ酸化膜４０Ｂが成長する。例文帳に追加

On the whole rear surface of the substrate 10, additionally, a LOCOS oxide film 40B is grown. - 特許庁

ゲート酸化膜１１の上に、ＤＰＳ膜１２、およびＷＳｉ膜１３を成長させる。例文帳に追加

A polysilicon film 12 doped with impurities and a WSi film 13 are further grown on the gate oxide film 11. - 特許庁

飼料用の成長安定化剤として、ソルビン酸を好ましくは1.2 重量％未満の割合で使用する。例文帳に追加

In the method, sorbic acid is used preferably <1.2 wt.% as a growth stabilizer for feed. - 特許庁

また、この熱処理においては、半導体薄膜の表面層に熱酸化膜を成長させる。例文帳に追加

Further, a heat oxide film is grown in a surface layer of the semiconductor thin film in the heat treatment. - 特許庁

植物成長調節剤、桂皮酸誘導体化合物、及びその製造方法例文帳に追加

PLANT GROWTH-ADJUSTING AGENT, CINNAMIC ACID DERIVATIVE COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

化学気相成長用原料及びこれを用いた酸化アルミニウム系薄膜の製造方法例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR GROWTH AND METHOD OF MANUFACTURING ALUMINUM OXIDE-BASED THIN FILM - 特許庁

以下、経済成長の進展と二酸化炭素排出量増加の関係を考える。例文帳に追加

The relationships between the progress of economic growth and the increase in CO2 emissions are discussed in the following section. - 経済産業省

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor thin film growing device suitable for forming various semiconductor devices for selectively growing a semiconductor thin film only on a substrate exposed surface, growing a semiconductor thin film over the whole face including an oxide pattern face, and growing a semiconductor thin film containing impurities at a high concentration. - 特許庁

成長ゾーン８では、原料ゾーン４から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段６から供給される水とを反応させて、基板保持手段１０に保持された成長基板１６上に酸化亜鉛半導体を成長させる。例文帳に追加

In the growth zone 8, zinc chloride supplied from the material zone 4 and water supplied from the water supply means 6 as an oxygen material react with each other, thereby growing a zinc oxide semiconductor on a growth substrate 16 held by the substrate holding means 10. - 特許庁

パピルスは、成長段階における二酸化炭素吸収量が木材の３乃至５倍であるため、車両等からの二酸化炭素排出量を効率よく低減することができ、成長期間も１年と短く、成長期の管理が容易であるため、バイオエタノールの量産化が可能になる。例文帳に追加

Since papyrus has a carbon dioxide absorption of 3-5 times the absorption of wood in the growing stage, the carbon dioxide emission of vehicles, and the like, can be reduced in high efficiency, and the bioethanol can be produced in mass, because the growing period of papyrus is as short as 1 year and the management of the plant in the growing stage is easy. - 特許庁

酸素が含まれている基体に半導体層を成長させる液相成長法において、前記酸素による欠陥が前記基体の表面に１０００個／ｃｍ^2未満になるような温度のメルトに前記基体を接触させることにより第１の半導体層を成長させることを特徴とする。例文帳に追加

For a liquid phase growing method for growing this semiconductor layer on the substrate, which contains oxygen, the substrate is brought into contact with the melt of a temperature, so that defects caused by the oxygen is less than 1,000/cm2 on the surface of the substrate, and the first semiconductor layer is grown. - 特許庁

金属酸化物粒子群は、たとえば、化学気相成長法により形成された、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛および酸化錫から選ばれる少なくとも１種である。例文帳に追加

The group of metal oxide particles is at least one kind selected from titanium oxide, zirconium oxide, indium oxide, zinc oxide and tin oxide formed by e. g. a chemical vapor phase growth method. - 特許庁

ガリウム酸化物基板と、ガリウム酸化物基板上に６００℃以下の成長温度条件で、水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層とを有する窒化物半導体成長基板とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor growth substrate comprises a gallium oxide substrate, and a buffer layer of the nitride semiconductor which is formed on the gallium oxide substrate in the predetermined surface orientation with hydrogen carrier under the growth temperature condition of 600°C or lower. - 特許庁

一例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことは、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす。例文帳に追加

In one exemplary embodiment, inducing the growth of at least one zinc-oxide nanostructure induces growth of each zinc-oxide nanostructure substantially over a patterned polysilicon layer. - 特許庁

別の例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。例文帳に追加

In another exemplary embodiment, when growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced, each zinc-oxide nanostructure grows substantially over an etched silicon substrate layer. - 特許庁

オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、オキシカルコゲナイド系薄膜、酸化物半導体薄膜の成長方法、酸化物半導体薄膜、半導体装置の製造方法および半導体装置例文帳に追加

OXY-CHALCOGENIDE BASED THIN FILM, METHOD FOR GROWING THE SAME, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM METHOD FOR GROWING THE SAME, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

動物の細胞に対して、任意の箇所で、かつ、任意のタイミングで成長抑制効果および抗酸化作用を実現することのできるキノコ由来の動物細胞成長抑制剤および／または抗酸化剤を提供する。例文帳に追加

To obtain an animal cell growth retardant and/or an antioxidant derived from mushrooms realizing growth retarding effects and antioxidizing actions in any sites and in any timing for animal cells. - 特許庁

第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１２ａ上に酸化物の第１の層２０を成長させる段階を含み、第１のファセット１６ａがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。例文帳に追加

The method includes an example method including growing a first layer 20 of oxide on first and second facets 16a, 12a, with the first facet 16a having a faster oxide growth rate. - 特許庁

裏面に基板保護層を有し、表面に半導体材料を結晶成長させるガリウム酸化物基板と、前記ガリウム酸化物基板上に結晶成長させて形成した発光素子部とを有する発光素子とする。例文帳に追加

The light emitting element has a substrate protection layer on a rear face, the gallium oxide substrate where a semiconductor material is crystal-grown, and a light emitting element formed by crystal-growing it on the gallium oxide substrate on a surface. - 特許庁

エピタキシャル成長したセラミックス膜が形成された金属基板を用いて、セラミックス膜上に酸化物超電導層薄膜をエピタキシャル成長させ、超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide superconductive thin film wire rod having superconductive characteristics by epitaxially growing an oxide superconductive layer thin film on a ceramic film using a metal substrate on which the ceramic film epitaxially grown is formed. - 特許庁

第２の方法として、化学気相成長によりシリコン酸化膜を成長させた後、その際に発生してしまった結晶欠陥を修復すべく、希釈酸素雰囲気中で熱処理を行う方法を提供する。例文帳に追加

As a second method heat treatment is performed in a diluted oxygen atmosphere in order to repair crystal defects occurred during growth of the silicon oxide film by chemical vapor deposition. - 特許庁

または、酸化物成長ステップの間、酸化物が、トレンチ壁よりもトレンチ底部で早く、かつ、薄く成長できるように、トレンチ底部がアモルファス化され、トレンチ壁が単結晶シリコンとして残される。例文帳に追加

In another embodiment, the bottom of the trench is grown amosphous and the walls of the trench are left as singly-crystal silicon so that the oxide may be grown much faster and thicker on the bottom than on the walls during an oxide growth step. - 特許庁

植物成長調節作用を有する新規化合物、４−クロロインドール−３−酢酸の乳酸誘導体及びその誘導体を有効成分として含有する植物成長調節剤を提供する。例文帳に追加

To provide a new compound having a plant growth-regulating property which is a lactic acid derivative of 4-chloroindole-3-acetic acid, and a plant growth-regulating agent containing the derivative as an active ingredient. - 特許庁

この負極６の構造は、酸化チタンが島状（クラスター）に点在したもの、島状酸化チタンを核として結晶が成長して柱状構造をなすもの、更に成長して多穴膜状になったものとする。例文帳に追加

The negative electrode 6 is constructed with titanium oxide interspersed in island (cluster) shapes, forming a columnar structure of a grown crystal formed by nucleating the island shaped titanium oxide of forming a further grown structure with a porous film shape. - 特許庁

例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。例文帳に追加

For example, a deposition method is disclosed about a chemical vapor deposition or an atomic layer deposition in a metal-containing film such as a metallic silicide film and a metallic oxynitride silicon film. - 特許庁

本発明の植物成長活性剤には少なくとも塩基性３リン酸５カルシウム（Ｃａ_５（ＰＯ_４）_３ＯＨ）と有機酸とが含まれており、植物成長活性剤は農作物の葉面に散布して使用する。例文帳に追加

A plant growth activator comprises at least basic pentacalcium triphosphate (Ca_5(PO_4)_3OH) and an organic acid and is used by spraying on foliar surfaces of the agricultural product. - 特許庁

表面平坦性に優れるとともに、酸素欠損の少ない高品質で高純度な酸化亜鉛系薄膜を、有機金属気相成長法により低温でエピタキシャル成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method whereby a high-quality and high-purity zinc-oxide-based thin film excellent in its surface flatness and having a few oxygen defects is grown in an epitaxial way at a low temperature by an organic-metal vapor-phase growth method. - 特許庁

コイルの酸化皮膜成長抑制方法及び装置において、コイル状の圧延材を適正に保管、冷却することで酸化皮膜の成長を抑制し、生産性の向上を図る。例文帳に追加

To suppress growth of an oxide film and to improve productivity by appropriately storing and cooling a coil shaped rolled material with respect to an oxide film growth controlling method and an apparatus therefor. - 特許庁

植物の成長の調整作用を有するα−ケトール不飽和脂肪酸誘導体および不飽和ケト脂肪酸誘導体例文帳に追加

UNSATURATED FATTY ACID DERIVATIVE OF α-KETOL HAVING ACTIVITY FOR REGULATING GROWTH OF PLANT, AND UNSATURATED KETO-FATTY ACID DERIVATIVE - 特許庁

高い一酸化炭素転化率および高い連鎖成長率で、一酸化炭素から炭化水素を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a hydrocarbon from carbon monoxide at a high carbon monoxide conversion rate and a high chain propagation rate. - 特許庁

ケトール脂肪酸誘導体およびこのケトール脂肪酸誘導体を有効成分とする植物成長調整剤例文帳に追加

KETOL FATTY ACID DERIVATIVE AND PLANT GROWTH REGULATOR COMPRISING THE SAME KETOL FATTY ACID DERIVATIVE AS ACTIVE INGREDIENT - 特許庁

オフ角を有するシリコン基板中にイオン注入する際、犠牲酸化膜５の成長においてラジカル酸素を用いる。例文帳に追加

When implanting ions into the silicon substrate having the off angle, radical oxygen is used in growing a sacrifice oxide film 5. - 特許庁

ケトール脂肪酸誘導体およびその製造方法並びにこのケトール脂肪酸誘導体を有効成分とする植物成長調整剤例文帳に追加

KETOL FATTY ACID DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND PLANT GROWTH REGULATOR COMPRISING THE KETOL FATTY ACID DERIVATIVE AS ACTIVE INGREDIENT - 特許庁