「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

経年時の酸化皮膜成長時の接触信頼性を向上させることができる電極金具を得ること。例文帳に追加

To obtain an electrode fitting with improved contact reliability when an oxide film grows after years have passed. - 特許庁

支持基盤１１となる＜１００＞シリコンウエハ上に、第１の絶縁層１となるシリコン熱酸化膜を２.０μｍ成長させる。例文帳に追加

A silicon thermal oxide film becoming a first insulation layer 1 is grown by 2.0 μm on a <100> silicon wafer becoming a supporting substrate 11. - 特許庁

酸化ガリウム基板上に成長された活性層を含み発光強度を向上可能なウエハ生産物を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a wafer product that contains an active layer grown on top of a gallium oxide substrate and can increase the emission intensity. - 特許庁

この（ａ）工程および（ｂ）工程を複数回繰り返すことによりｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する。例文帳に追加

By respectively the processes (a) and (b) are repeated a plurality number of times, the p-type ZnO-family oxide semiconductor layer is grown. - 特許庁

原子層成長法による高品質な特性を保持したまま、より迅速に金属酸化物や金属窒化物からなる膜が形成できるようにする。例文帳に追加

To form a film consisting of metal oxide and metal nitride more quickly, while retaining high-quality characteristics, generated by atomic layer growing method, as they are. - 特許庁

またジルコニア及びCe−Zr複合酸化物の少なくとも一方からなる担体は耐熱性に優れ、それに担持されたRhは粒成長が抑制される。例文帳に追加

Then, the carrier consisting of at least one of zirconia and the Ce-Zr composite oxide is excellent in heat resistance and Rh supported by it is controlled in particle growth. - 特許庁

ゴム材料を基材とし、酸化処理した気相成長炭素繊維を配合することを特徴とするゴム組成物である。例文帳に追加

The rubber composition comprises a rubber material as a base and is compounded with the oxidation-treated vapor-grown carbon fiber. - 特許庁

このように結晶格子中に酸化チタンが固溶し、粒成長が促進されているため、焼結体組織が均一になり、加工性が良好となる。例文帳に追加

Since the titanium oxide is solid-solved in the crystal lattice and grain growth is facilitated, the sintered body texture is made uniform and good processability is provided. - 特許庁

ガラス基板３上へのパーティクルＰの付着に伴うポリシリコン薄膜５およびゲート酸化膜６の異常な成長を防止できる。例文帳に追加

Abnormal growth of a polysilicon thin film 5 and the gate oxide film 6 associated with adhesion of the particles P onto the glass substrate 3 can be prevented. - 特許庁

貴金属３の移動が酸化物粒子２によって規制されると考えられ、貴金属３の粒成長が抑制される。例文帳に追加

A movement of the noble metal 3 is inhibited by the oxide particle 2 and a grain growth of the noble metal 3 is inhibited. - 特許庁

その後、マスクＳｉ_3Ｎ_4２領域を除いた領域を酸化し、ＰＡＤＳｉＯ_2４を形成し、再びＳｉ_3Ｎ_4成長を行う。例文帳に追加

Thereafter, a region excluding the region of the mask Si3N4 2 is oxidized, and PADSiO2 4 is formed, and Si3N4 is grown again. - 特許庁

従って、結晶成長させる酸化ガリウム単結晶に含有されるドーパント含有量の制御が容易化される。例文帳に追加

The control of the dopant content contained in the gallium oxide single crystal to be crystal-grown is therefore facilitated. - 特許庁

酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。例文帳に追加

To enlarge a homogeneous nitride crystal at a practical velocity by an ammonothermal method while using an acidic mineralizer. - 特許庁

有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。例文帳に追加

The remaining portion of the organometallic layer is oxidized to obtain a metal growth catalyst on the substrate which can be used for synthesis of carbon nanostructures. - 特許庁

有機アミンと金属水酸化物の相乗効果によりＢＩＴ塩の結晶析出・成長が防止されるものと推定された。例文帳に追加

It is estimated that the deposition and the growth of the crystal of the BIT salt are inhibited by the synergistic effect of the organic amine and the metal hydroxide. - 特許庁

純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。例文帳に追加

The purification compound removes impurities such as carbon while growing a film or suppresses oxidation of the etched material. - 特許庁

シリコン基板上にエピタキシャル成長によりシリコン層を形成した後に、シリコン層の表面を酸化する。例文帳に追加

The silicon layer is formed on a silicon substrate by the epitaxial growth, and then, the front surface of the silicon layer is oxidized. - 特許庁

酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently growing a high-purity nitride crystal with low oxygen concentration by means of an ammonothermal method. - 特許庁

不純物を活性化又は拡散させる熱処理後の半導体基板の裏面への自然酸化膜の成長を抑制する。例文帳に追加

To suppress growth of a natural oxide film to the back surface of a semiconductor substrate after a heat treatment for activating or diffusing impurities. - 特許庁

冷却水への金属の溶出と酸化皮膜の成長とを効果的に抑制する原子炉配管及び原子炉配管の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide nuclear reactor pipes efficiently controlling the elution of a metal to cooling water and the growth of oxidized film, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for the deposition of a silicon dioxide film of high quality onto a substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition and TEOS. - 特許庁

鉄系金属表面において過熱水蒸気による水蒸気酸化スケールの生成及び成長を抑制できる表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface treatment method capable of suppressing preparation and growth of steam oxidation scale due to superheated steam on an iron-based metal surface. - 特許庁

プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing a silicon dioxide film of high quality on a substrate by using a plasma enhanced chemical vapor phase growth and TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate). - 特許庁

気相成長法である減圧ＴＥＯＳＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いて開口１５上にＣＶＤ酸化膜１７を形成する。例文帳に追加

A CVD oxide film 17 is formed on an opening 15 by using a vapor phase growing method, a reduced pressure TEOSCVD method or an ordinary pressure CVD method. - 特許庁

焼結時間を短縮し、結晶粒成長の抑制と高密度化を両立し、さらには酸素量を低減して高磁化を達成する。例文帳に追加

To provide a rare earth sintered magnet satisfying both suppression in grain growth and densification by shortening the sintering time, and to provide its production process and system. - 特許庁

繊維素材の片面に、化学気相成長法による無機酸化物の蒸着膜からなる撥水層を設け撥水性繊維シートとする。例文帳に追加

The water-repellent fiber sheet is produced by providing a water-repellent layer made of a vapor-deposited film of an inorganic oxide on one side of a fiber material by using a chemical vapor deposition method. - 特許庁

炭酸カルシウムのスケールの成長を抑制しつつ、目詰まりが発生するのを防止し、塩含有粉体を効率良く水洗脱塩する。例文帳に追加

To provide a treatment method of salt-containing powder which conducts efficient desalination of salt-containing powder by preventing the clogging while controlling the growth of scale of calcium carbonate and to provide a treatment system. - 特許庁

使用する機構に関わらず、酸化物成長／分解のほぼ同時の処理は、実質的に規則的な間隔で孔を配置する構造の形成をもたらす。例文帳に追加

Irrespective of the mechanisms used, an approximately synchronous process of growth/decomposition of an oxide yields a structure in which holes are arranged at a substantially regular interval. - 特許庁

熱処理によって複合酸化物には適度のシンタリングが生じ、Ｒｈの粒成長が抑制される。例文帳に追加

By the heat treatment, a moderate sintering is caused to the compound oxide and consequently, the grain growth of Rh is suppressed. - 特許庁

特定領域１上に存する酸化膜１２の改質された表面１３のみに導電性物質１４を成長させる。例文帳に追加

Finally a conductive substance 14 is grown only on the reformed surface 13 of the oxide film 12 existing above the specified region 1. - 特許庁

酸化物の成長後、リキャスト部はケミカルミリングなどの化学的処理により実質的に除去される。例文帳に追加

After the growth of the oxide, the recast part is removed substantially by chemical treatment such as chemical milling. - 特許庁

酸化物担体の比表面積の低下を抑制でき、担持されている貴金属の粒成長も抑制できる触媒とする。例文帳に追加

To produce a catalyst in which the specific surface area of an oxide carrier can be restrained from being reduced and the grain growth of a noble metal to be deposited on the oxide carrier can also be restrained. - 特許庁

不一致の場合は、犠牲酸化膜の成長及びその除去等を行うことにより、シリコンウエハ１に付着した不純物を取り除く。例文帳に追加

When they do not mach each other, a sacrificial oxide film is grown and then removed and so on to remove impurities sticking on the silicon wafer 1. - 特許庁

ＣＭ−ＢＨ構造においてＡｌを含む再成長界面の酸化を防いで良好なレーザ特性および素子寿命を得る。例文帳に追加

To obtain a buried hetero semiconductor laser device which is improved in laser characteristics, having a prolonged service life by a method wherein a re-grown interface containing Al is protected against oxidation in a CM-BH structure. - 特許庁

回転炉床炉における堆積層の成長抑制方法およびそれに使用する金属酸化物の塊成化物例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING GROWTH OF DEPOSIT LAYER IN ROTARY HEARTH FURNACE AND AGGLOMERATE OF METALLIC OXIDE THEREFOR - 特許庁

そして、選択エピタキシャル成長によって溝部分にｐ型不純物を埋め込み、ｐ型エピタキシャル層を形成し酸化膜を除去する。例文帳に追加

A p-type impurity is embedded in the groove by a selective epitaxial growth, to form a p-type epitaxial layer and then the oxide film is removed. - 特許庁

酸化膜１２によって、めっき処理工程において半導体ウェハ２の端部側面２ｃにめっき１４が成長することが抑制される。例文帳に追加

The oxide film 12 suppresses growing of the plating 14 on the end side face 2c of the semiconductor wafer 2 in the plating step. - 特許庁

基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for growing a liquid phase epitaxial capable of removing an oxide film and an impurity on the surface of a substrate to a minimum. - 特許庁

耐酸化性、耐プラズマ性、耐蝕性等に優れ、長期間安定に使用することのできる気相成長装置用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member for a vapor phase growth apparatus which is excellent in oxidation resistance, plasma resistance, corrosion resistance, etc., and is usable stably for a long period of time. - 特許庁

これらにより、高密度化の促進と、粒成長の抑制、異相の抑制が同時に実現され、低炭素化や低酸素化も併せて実現される。例文帳に追加

Consequently, dencification is accelerated while suppressing grain growth and unusual appearance, and low carbon and low oxygen are also realized. - 特許庁

ウエハ等の金属汚染やパーティクルの発生、並びに酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるようにすること。例文帳に追加

To remove resist by inhibiting the generation of metal contamination such as a wafer and particles and the growth of an oxide film. - 特許庁

安定化次亜臭素酸ナトリウム及びイソチアゾロン類を含む微生物の成長阻害剤および阻害方法例文帳に追加

COMPOSITION AND METHOD FOR INHIBITING MICROBIOLOGICAL GROWTH CONTAINING STABILIZED SODIUM HYPOBROMITE AND ISOTHIAZOLONES - 特許庁

第２族アルカリ土類金属含有酸化物膜などの化学気相成長（ＣＶＤ）に使用する新規な金属前駆体の揮発源の提供。例文帳に追加

To provide a new vaporization source of a metal precursor used for chemical vapor deposition (CVD) of group 2 alkaline earth metal-containing oxide films and the like. - 特許庁

ＺｎＯ系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするように構成している。例文帳に追加

The ZnO-based substrate is configured so that the presence of carboxy group or carbonate group on the surface of a principal face, where a crystal is grown, is substantially zero. - 特許庁

この電極板３と針状体４２の成長時に生じた酸化亜鉛の薄膜４３を、電気的に確実に接続する。例文帳に追加

The electrode plate 3 and a thin film 43 of zinc oxide, which is produced at the growth of the needles 42, are electrically connected positively. - 特許庁