「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

少なくとも亜鉛と酸素とを基板上で反応させ、基板上に酸化亜鉛系結晶を成長させる。例文帳に追加

At least zinc is reacted with an oxygen on a substrate, and a zinc oxide crystal is grown on the substrate. - 特許庁

含銅複合酸化物において容易に高い結晶成長を実現し、作業性にも優れた酸化銅粉末を提供する。例文帳に追加

To provide copper oxide powder which easily realizes high crystal growth in a copper-containing multiple oxide and excels also in work efficiency. - 特許庁

含銅複合酸化物において容易に高い結晶成長を実現し、作業性にも優れた酸化銅粉末の提供する。例文帳に追加

To provide copper oxide powder which easily realizes high crystal growth in a copper-containing multiple oxide and excels also in work efficiency. - 特許庁

後続のＣＭＯＳ酸化処理工程の期間中浅いトレンチ分離体の中で酸化物成長を排除する方法例文帳に追加

METHOD OF EXCLUDING GROWTH OF OXIDE IN SHALLOW TRENCH ISOLATING MEMBER IN PERIODS FOLLOWING CMOS OXIDATION TREATMENT PROCESS - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物薄膜の機能膜をエピタキシャル成長させた酸化物薄膜素子を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide thin film element where a functional film of a high-quality oxide thin film is epitaxially grown on an Si single crystal substrate. - 特許庁

オゾンＴＥＯＳ法を用いて、側壁部１３ａおよび第１の酸化シリコン膜１２を埋設すべく、第３の酸化シリコン膜１７を成長させる。例文帳に追加

An ozone TEOS method is used to make a third silicon oxide film 17 grow, to embed the sidewall 13a and the first silicone oxide film 12. - 特許庁

これにより、二酸化シリコン膜１５の成長は、シリコン基板１と二酸化シリコン膜１５との界面（シリコン基板１の表面）で起こる。例文帳に追加

In this process, growth of the silicon dioxide film 15 occurs at the interface between the silicon substrate 1 and the silicon dioxide film 15 (that is, the surface of the silicon substrate 1). - 特許庁

次亜リン酸はＮｉを触媒とし還元作用を生じ、アルミニウム材表面では酸化反応が起こらず、余分な皮膜は成長させる。例文帳に追加

The hydrophosphoric acid causes a reduction action with Ni as a catalyst, oxidation reaction does not occur on the surface of the aluminum material, and an excessive film is made to grow. - 特許庁

予めシンタリングされた第１酸化物粒子１が拡散障壁となるので、第２酸化物粒子２の粒成長が抑制される。例文帳に追加

Since the first oxide grains 1 beforehand subjected to sintering serves as diffusion barriers, the grain growth of the second oxide grains 2 can be suppressed. - 特許庁

チタン酸塩を含む液を磁場中で加圧加熱処理し、チタン酸塩の針状化合物を細線状に成長させる。例文帳に追加

A solution containing a titanate is subjected to a pressurizing and heating treatment in a magnetic field to make a needle compound of the titanate grow into a thin wire shape. - 特許庁

酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growing method for preparing a highly pure and high quality zinc oxide crystal suitable as a substrate material for a zinc oxide device. - 特許庁

シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon oxide film on a base material by chemical vapor deposition of a silane oxide precursor at a relatively low temperature. - 特許庁

酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method of growing a single crystal of gallium oxide at a lower temperature than the melting point (1,900°C) of gallium oxide. - 特許庁

シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon dioxide film on a substrate through chemical vapor deposition of silane oxide precursors. - 特許庁

成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。例文帳に追加

To provide a zinc oxide-based substrate capable of reducing the impurity concentration of a zinc oxide-based semiconductor having been grown. - 特許庁

第２の酸化膜ＴＯ１ｂ上に第３の酸化膜ＴＯ２が気相成長法または塗布法により形成される。例文帳に追加

A third oxide film TO2 is formed in the second oxide film TO1b by a vapor growth method or application method. - 特許庁

成長されたＩｎＰ層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。例文帳に追加

Wet etching is applied to the grown InP layer using an etchant containing at least a hydrochloric acid and an acetic acid. - 特許庁

レジストパターン７を除去した後、酸化処理を行うことによって導電膜５の露出面に酸化膜９を成長させる。例文帳に追加

After removing the resist pattern 7, an oxide film 9 is grown on the exposed surface of the conductive film 5 by effecting oxidizing process. - 特許庁

空気の存在下で酸化する酸化組成物を、植物成長に適した土に改良する土壌改良剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a soil modifier capable of improving soil so that it becomes suitable for the growth of plants, that is, an oxidizing composition, which is oxidized in the presence of air. - 特許庁

本発明のエラグ酸分散物は、エラグ酸化合物と結晶成長抑制剤と水溶性高分子とを含有することを特徴とする。例文帳に追加

This ellagic acid dispersion comprises an ellagic acid compound, a crystal growth inhibitor and a water-soluble polymer. - 特許庁

成長されたＩｎＰ層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。例文帳に追加

A wet etching process using an etchant containing at least hydrochloric acid and acetic acid is applied to the grown InP layer. - 特許庁

次に、レジスト膜を除去し、拡散層１５の表面に形成されているシリコン酸化膜３１を成長させるために熱酸化を行う。例文帳に追加

The method also comprises steps of removing the resist film, and thermally oxidizing so as to extend the film 31 formed on the surface of the layer 15. - 特許庁

リン酸塩皮膜のリン酸塩結晶２は、基部がめっき層１に喰い込み、めっき層１から起立する方向に成長している。例文帳に追加

Regarding the phosphate crystals 2 of the phosphate film, the base parts are bitten into the plating layer 1, and are grown to a direction in which they stand up from the plating layer 1. - 特許庁

コハク酸を生成する生物の成長や増殖を維持させながらコハク酸を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining succinic acid while maintaining growth and proliferation of an organism to form succinic acid. - 特許庁

上皮成長因子ファミリー（ＥＧＦファミリー）に属し、上皮成長因子レセプターへの結合能を有する細胞成長因子、あるいは該細胞成長因子と相同または１もしくは数個のアミノ酸が欠失、置換、挿入もしくは付加されたアミノ酸配列からなるポリペプチドを含有する血管内膜肥厚抑制剤。例文帳に追加

This intimal thickening inhibitor comprises a cell growth factor belonging to an epidermal growth factor family(EGF family) and having a binding ability to an EGF factor receptor or a polypeptide homologous to the cell growth factor or comprising an amino acid sequence in which one or several amino acids are deleted, substituted, inserted or added. - 特許庁

部品本体２が与えるセラミック面が、たとえばチタン酸バリウム系セラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域１１と、たとえばジルコン酸カルシウム系セラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域１２とを有するようにする。例文帳に追加

The ceramic electronic component includes a component body 2 whose ceramic surface has a high-growth plating region 11 made of barium titanate ceramics, for example, indicating a relatively high plating growth rate and a low-growth plating region 12 made of calcium zirconate ceramics, for example, indicating a relatively low plating growth rate. - 特許庁

魚類用成長促進剤および魚類用抗痩せ病剤は、それぞれクエン酸、酢酸および乳酸の他に、更にフマル酸およびギ酸の少なくとも一方を有する。例文帳に追加

The growth promoting agent for fishes and the anti-leanness disease agent for fishes each have at least either one of fumaric acid or formic acid besides citric acid, acetic acid and lactate. - 特許庁

強誘電体キャパシタの上部電極を低酸化度の導電性酸化物膜と高酸化度の導電性酸化物膜で形成する時生じる異常成長や、酸素空位を防止する。例文帳に追加

To prevent abnormal growth and oxygen vacancy generated when forming the upper electrode of a ferroelectric capacitor with a conductive oxide film having a low degree of oxidation and a conductive oxide film having a high degree of oxidation. - 特許庁

従来の湿式酸化装置で酸化膜形成を抑制するために使用した不活性ガスを用いて、酸化膜の高品質を維持しつつ、酸化膜の厚さ及び成長速度を制御することができる湿式酸化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wet-type oxidation apparatus for controlling a thickness of an oxide film and speed of growing, while good quality of the oxide film is kept with an inert gas used as in a conventional wet-type oxidation apparatus for controlling the formation of the oxide film. - 特許庁

カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for growing the carbon nanotubes includes a process for growing carbon nanotubes by allowing catalytic fine particles, subjected to a heat treatment in an oxidizing atmosphere, to exist in a gaseous atmosphere containing carbon for growing the carbon nanotubes, without exposing the catalytic fine particles to atmosphere. - 特許庁

ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板、例えば酸化マグネシウム基板１０上にイリジウム層１１が形成されたダイヤモンド成長基板に、所定のパターンに沿って単結晶のダイヤモンド膜１３が形成された構成とする。例文帳に追加

In this method, a single crystal of diamond film 13 is formed along a specified pattern on a diamond growth substrate having a surface capable of epitaxial growth of diamond, for example, a diamond growth substrate which is a magnesium oxide substrate 10 on which an iridium layer 11 is formed. - 特許庁

タンタル化合物とチタニウム化合物との混合物からなる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いた化学気相成長用法によるチタニウム原子を添加した酸化タンタル薄膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a raw material for chemical vapor deposition consisting of a mixture of a tantalum compound and a titanium compound, and to provide a method for producing a tantalum oxide thin film to which titanium atoms are added by a chemical vapor deposition method using the raw material for chemical vapor deposition. - 特許庁

ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。例文帳に追加

By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions. - 特許庁

ＣＮＴ成長用基板の主面上に母線層、ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にＣＮＴ成長用の微細ホールを形成する。例文帳に追加

The method of forming a nanohole for the CNT growth includes the steps of forming a generator layer, an oxide layer formed of a catalyst metal as a catalyst layer for the CNT growth and an insulating layer on a main surface of a substrate for the CNT growth in their order, and etching the insulating layer to form the nanohole for the CNT growth therein. - 特許庁

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。例文帳に追加

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2. - 特許庁

また、炭酸カルシウム微粒子自体が成長して種晶効果を発揮することにより、系内で析出する炭酸カルシウム成分を炭酸カルシウム微粒子上に析出成長させて水中から除去することにより、スケール障害を防止する。例文帳に追加

A calcium carbonate particulates are grown to exhibit seed crystal effect, making calcium carbonate components separated in a system precipitate and grow on the calcium carbonate particulates and removed out of water, which prevents the scale trouble. - 特許庁

工業化に適する安定した製造条件を与える化学気相成長法によるチタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム又はチタン酸バリウムストロンチウム薄膜の製造方法及び化学気相成長用原料を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of producing a thin film of strontium titanate, barium titanate or barium strontium titanate by a chemical vapor deposition method, giving stable production conditions suitable for industrialization, and to provide a raw material for chemical vapor deposition. - 特許庁

酸化セリウムなどの希土類酸化物を従来よりも低い成長温度で（００１）面方位のシリコン基板上に（１１０）面方位で良好にエピタキシャル成長させ、エピタキシャルな希土類酸化物（１１０）／シリコン（００１）構造を実現する。例文帳に追加

To realize an epitaxial rare earth oxide (110)/silicon (001) structure by well epitaxially growing a rare earth oxide such as cerium oxide of the (110) face orientation on a silicon substrate of the (001) face orientation at a lower growth temperature than that of a conventional method. - 特許庁

出発基板３１の主面に酸化膜３２を選択的に形成し、その酸化膜３２の開口部分に露出する出発基板３１の主面に単結晶シリコン層３３をエピタキシャル成長させた後、酸化膜３２の上に多結晶シリコン層３４を成長させる。例文帳に追加

On a main surface of a starting substrate 31, an oxide film 32 is formed selectively and after a single crystal silicon layer 33 is epitaxially grown on the main surface of the starting substrate 31 exposed to an opening portion of the oxide film 32, a polycrystalline silicon layer 34 is grown on the oxide film 32. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。例文帳に追加

The single crystal layer 11 of zinc oxide is grown by blowing a material gas containing at least an organic zinc compound material not containing an oxygen atom and steam on the substrate 10 using an organic metal compound not containing oxygen and steam by an MOCVD method at a growing temperature of 250-450°C and a growing pressure of 1-30 kPa. - 特許庁

これにより、液中のリン酸イオンと反応してリン酸亜鉛やリン酸マンガン、リン酸カルシウム等の水に溶けにくい水和物結晶皮膜が成長する。例文帳に追加

A hydrate crystal film thereby grows which is hardly solved by an aqueous solution, like zinc phosphate, manganese phosphate and calcium phosphate through the reaction with phosphate ion in liquids. - 特許庁

酸化鉄ウィスカーからなる電界電子放出体であり、中でも鉄系基板を酸化雰囲気中で酸化させてその基板上に酸化鉄ウィスカーを直接成長させた構造であることを特徴とする。例文帳に追加

This electron emitting source is a field electron emitter comprising iron oxide whiskers, and has a structure in which an iron based substrate is oxidized in an oxidizing atmosphere to directly grow the iron oxide whiskers on the substrate. - 特許庁

熱酸化法によって、第１酸化窓１５ａ，第２酸化窓１５ｂの底面層に酸化膜を成長させてなる第１素子分離膜１６ａ、第２素子分離膜１６ｂを形成する。例文帳に追加

A first element separation film 16a and a second element separation film 16b are formed on the bottom layers of the first and second oxidation windows 15a and 15b by growing the oxide film. - 特許庁

酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっている酸化マグネシウム板状結晶５の集合体６とを有している。例文帳に追加

The magnesium oxide film 1 is provided with an aggregate 6 of a magnesium oxide thin film part 4 and magnesium oxide plate crystal 5 growing from the surface of and integrated with the magnesium oxide thin film part 4. - 特許庁

結晶粒が大きく成長しやすい酸化チタン膜２を薄膜化でき、微結晶の酸化ジルコニウム膜３が平坦であることにより、酸化ジルコニウム／酸化チタン積層膜表面の凹凸を低減することができる。例文帳に追加

The titanium oxide film 2, a crystal grain of which easily grows larger, can be thinned, and the microcrystalline zirconium oxide film 3 is flat, thereby the surface irregularities of a zirconium oxide/titanium oxide laminated film can be reduced. - 特許庁