「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

核１０２の上には、炭素、珪素、炭化珪素、窒化硼素、二酸化珪素の中から選ばれる少なくとも１種類を含む結晶を成長させる。例文帳に追加

On the nucleus 102, a crystal containing at least one kind selected from among carbon, silicon, silicon carbide, boron nitride and silicon dioxide is grown up. - 特許庁

園芸成長媒体はポリイソシアン酸塩-ポリオル-ベースの重合体及び少なくともひとつの充填材料１２から成る。例文帳に追加

This horticultural growing medium comprises a polyisocyanate- polyol-based polymer and at least one filler material 12. - 特許庁

また、生成したヘキサフルオロアルミン酸ナトリウムの結晶を反応系に保持しながら、その結晶を大きく成長させる。例文帳に追加

The crystal of sodium hexafluoroalminate is largely grown while holding the crystal of the produced sodium hexafluoroalminate in the reaction system. - 特許庁

酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を結晶成長させる際に、サファイア単結晶中への気泡の混入をより抑制する。例文帳に追加

To suppress mixing of air bubbles into a sapphire single crystal when the sapphire single crystal is grown from the melt of aluminum oxide. - 特許庁

平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium oxide single crystal substrate which is smoothed and surface-cleaned and suitable for growing a semiconductor film, and its manufacturing method. - 特許庁

基板２上に形成したバッファ層３上に、酸化亜鉛をエピタキシャル成長させ、チャネル層４を形成する。例文帳に追加

Zinc oxide is epitaxial grown on a buffer layer 3 formed on a substrate 2, and a channel layer is formed. - 特許庁

圧電体薄膜として（００１）方位にエピタキシャル成長させたチタン酸バリウムの薄膜を用いる。例文帳に追加

A thin film of barium titanium is used as a piezoelectric thin film, which is epitaxially grown in a (001) orientation. - 特許庁

もう一つの態様において、成長するペプチド鎖１当量当たり約１．５当量のアミノ酸を使用する。例文帳に追加

Another embodiment thereof comprises using an amino acid in an about 1.5 equivalent relative to one equivalent of a growing peptide chain. - 特許庁

有機酸塩を有効成分とする摘花剤は、花粉管の成長を阻害することによって受精を妨げ、その結果として摘花効果が発揮される。例文帳に追加

A defloration agent containing an organic acid salt as an active ingredient prevents fertilization by inhibiting the growth of pollen tubes, and as a result it exhibits defloration effect. - 特許庁

特性の良好な酸化物単結晶膜を得ることができる、液相エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid-phase epitaxial growth machine that can give an oxide single crystal film of good properties. - 特許庁

酸化テルルナノワイヤーは、金属テルルおよび生成基板を同時に加熱し、生成基板上に成長させる。例文帳に追加

The tellurium oxide nano-wire is grown by heating metal tellurium and a forming substrate simultaneously. - 特許庁

４，６−ジメトキシインドール−２−カルボン酸又はその誘導体からなる毛髪の成長を刺激又は誘発、及び／又は抜毛を防止するための薬剤例文帳に追加

MEDICAMENT FOR STIMULATING OR INDUCING HAIR GROWTH AND/ OR PREVENTING HAIR LOSS CONSISTING OF 4, 6- DIMETHOXYINDOLE-2-CARBOXYLIC ACID OR DERIVATIVE THEREOF - 特許庁

そして触媒の温度が所定温度以下である状態で酸素を供給することで、貴金属の粒成長が抑制される。例文帳に追加

The growth of the noble metal grains is suppressed by supplying oxygen in the state that the temperature of the catalyst is ≤ the prescribed temperature. - 特許庁

結晶成長用装置１０は、シリコン酸化物からなる固体表面１１ａおよびアルミナからなる固体表面１２ａを有する。例文帳に追加

The crystal-growth device 10 has a solid surface 11a made of silicon oxide and a solid surface 12a formed by alumina. - 特許庁

成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which suppresses introduction of oxygen into a group III-V compound semiconductor layer containing Al due to growth interruption. - 特許庁

黒鉛化炭素材料としては気相成長炭素繊維または黒鉛化カーボンブラックが好適であり、脂質としては脂肪酸が好適である。例文帳に追加

Preferably, the graphitized carbon material is a carbon fiber grown in a vapor phase or graphitized carbon black, and the lipid is a fatty acid. - 特許庁

酸化アルミニウム支持層１３０上での結晶成長によって製造された窒化ガリウムを含有する自立積層体を提供する。例文帳に追加

An independent laminate is provided containing a gallium nitride manufactured by crystal growth on the aluminum oxide support layer 130. - 特許庁

前段に配置される酸化触媒の熱特性を改善し、早期に昇温されしかも貴金属の粒成長を抑制できるようにする。例文帳に追加

To attain early temperature rise and to suppress the particle growth of noble metal by improving the thermal characteristics of an oxidation catalyst arranged in a prior stage. - 特許庁

オーバレイ皮膜は、主にα相からなるアルミナスケール２８の成長を促進するように予備酸化させる。例文帳に追加

The overlay coating is pre-oxidized to promote the growth of predominantly alpha phase alumina scale 28. - 特許庁

また、加熱装置は、板状部材２００を加熱して、エピタキシャル成長、熱酸化等の処理を行うものである。例文帳に追加

Further, a heating device heats the plate-like member 200 for conducting epitaxial growth, thermal oxidation, or the like. - 特許庁

金属膜上の酸化膜の成長を効果的に抑制できる、半導体基板の収納装置を実現すること。例文帳に追加

To realize a semiconductor substrate accommodation apparatus which can effectively control growth of an oxide film on a metal film. - 特許庁

ＳｉＣ基板の遊離原子Ｓｉは、ＨＤプラズマ生成酸化種へ結合され、ＳｉＯ_２層が成長する。例文帳に追加

The free atoms Si from the SiC substrate are coupled to oxidized species produced by HD plasma, and the SiO_2 layer is grown. - 特許庁

有機高分子化合物は、仮焼工程でのＡ元素の炭酸塩粉末の焼結および粒成長を抑制するように作用する。例文帳に追加

The high molecular compound acts so as to suppress sintering and grain growth of the carbonate powder of the A element in the calcining process. - 特許庁

このとき、成長させた半導体膜１３は、トレンチ１２内では単結晶１３ａとなり、酸化膜１１表面では多結晶１３ｂとなる。例文帳に追加

In this case, the semiconductor film 13 is grown in a single crystal 13a in the trench, and grown in a polycrystal 13b on the surface of the oxide film 11. - 特許庁

このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。例文帳に追加

Thus, a zinc oxide-based semiconductor 2 with p-type impurities doped therein is crystal-grown on the substrate 1. - 特許庁

当該酸化物層（４１８）の成長速度を制御して遅くすると約１０オングストローム以下の厚みの層が容易にできるようになる。例文帳に追加

When the growth speed of the oxide layer 418 is controlled for delaying, a layer having a thickness of approximately 10 angstroms or less can be easily formed. - 特許庁

ヒト成長ホルモン含有弱酸性溶液製剤の保存容器、及びその注射用カートリッジ、並びにその保存方法例文帳に追加

PRESERVING CONTAINER FOR WEAKLY ACIDIC SOLUTION PREPARATION CONTAINING HUMAN GROWTH HORMONE AND CARTRIDGE FOR INJECTION OF THE SAME AS WELL AS METHOD FOR PRESERVATION OF THE SAME - 特許庁

複数の実質的に平坦な領域は、前記光トラッピング層上で透明導電酸化物層の堆積及び成長を容易にする。例文帳に追加

The plurality of substantially flat areas facilitate deposition and growth of a layer of transparent conductive oxide over the light trapping layer. - 特許庁

他の局面では、基板上にＭ酸化物層を堆積するために、ＨＤプラズマ化学気相成長法が用いられる。例文帳に追加

In other aspects, HD plasma enhanced chemical vapor deposition is used, to deposit the M oxide layer on the substrate. - 特許庁

金属酸化物が焼結過程での粒成長を抑制し、該スカッテルダイト化合物は、平均結晶粒径２０μｍ以下に微細化される。例文帳に追加

Metal oxide restrains crystal grains from growing in a sintering process, and a skutterudite compound is atomized into fine crystal grains which are 20 μm or less in average crystal grain diameter. - 特許庁

本発明においては、ＳｉＣ基板上にＳｉをエピタキシャル成長させ、Ｓｉ上にシリコン酸化膜を形成して縦型ＭＯＳＦＥＴを形成する。例文帳に追加

Si is epitaxially grown on a SiC substrate, a vertical MOSFET is formed by forming a silicon oxide film on the Si. - 特許庁

生産効率に優れ、粒子成長速度が速く、粒子径が均一で安定なシリカゾルおよびシリカ系複合酸化物ゾルを製造する。例文帳に追加

To manufacture a silica sol and silica-base multiple oxide sol which are high in a particle growth rate and are uniform in particle diameters with high production efficiency. - 特許庁

しかし、粒界に析出した金属間化合物により結晶粒の粒成長が抑制されるため、耐高温酸化性が高い。例文帳に追加

However, high-temperature oxidation resistance of the spark plug is high since grain growth of the crystal grains is restrained by the intermetallic compound precipitated on the grain boundaries. - 特許庁

結晶核２より成長させた酸化チタン結晶３の結晶形状は柱状を成し、高活性な光触媒機能が得られる。例文帳に追加

The crystal form of the titanium oxide crystal 3 formed by growing from the crystal nucleus 2 is columnar and the high active photocatalytic function is attained. - 特許庁

このような酸素の濃度低下領域Ｑと定濃度領域Ｐは、薄膜の成長温度を増加させる毎に形成される。例文帳に追加

Such oxygen concentration reduction area Q and constant concentration area P are formed each time a growth temperature of a membrane is elevated. - 特許庁

基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing zinc oxide having little crystal defect and being excellent in single crystallinity and flatness on a substrate. - 特許庁

また、硫黄被毒が生じた場合であっても、硫酸塩の成長が抑制され、SO_x は容易に脱離できるのでNO_x 吸蔵能の耐久性に優れている。例文帳に追加

Even if sulfur poisoning arises, the growth of a sulfate is suppressed and SO_X can be easily eliminated and therefore this catalyst is excellent in an NO_X absorbing capacity. - 特許庁

固着酸化物が係る態様で存在することで、焼成時のＡｌ粒子のネック成長が抑制される。例文帳に追加

Since the fixed oxide exists, in such a form, neck growth of Al particle, is restrained in baking. - 特許庁

Ｐ型埋込領域１０８は、エピタキシャル成長、および酸化膜１０３をマスクとしたエッチングによってトレンチ内に形成される。例文帳に追加

A p-type embedding area 108 is formed in a trench by epitaxial growth and etching while an oxide film 103 is used as a mask. - 特許庁

ｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF P-TYPE ZnO-BASED OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING DIODE USING THE GROWTH METHOD - 特許庁

炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。例文帳に追加

The electrode material is composed of radially growing zinc oxide whisker in the circumferential direction of a conductive fiber such as a carbon fiber. - 特許庁

少なくと２つの結晶方位を有するシリコンの複合面上に高品質の酸化物を成長させる改良された方法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved method for growing high quality oxide on a composite face of a silicon substrate having at least two crystal orientations. - 特許庁

次に、トレンチ１２内を含み酸化膜１１上に例えば厚さ１０μｍ程度の半導体膜１３を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor film 13 with a thickness, for example, of 10 μm is grown in the trench 12 and on the oxide film 11. - 特許庁

本発明は、ゲート酸化膜成長前の半導体基板表面の洗浄に特に好適に使用することができる。例文帳に追加

It is suitable to use this cleaning method, particularly for cleaning the surface of the semiconductor substrate prior to the growth of a gate oxide film. - 特許庁

気相輸送法で成長させた酸化亜鉛結晶の着色についてこの着色を任意にかつ精密に制御できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for arbitrarily and precisely control coloring in a zinc oxide crystal grown by a gas phase transport method. - 特許庁