「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｎ型半導体成長用るつぼ２は、たとえば二酸化シリコンで構成されており、Ｐ型半導体成長用るつぼ３は、たとえばグラファイトで構成されている。例文帳に追加

The n-type semiconductor growing crucible 2 is made of e.g. silicon dioxide, and the p-type semiconductor growing crucible 3 is made of e.g. graphite. - 特許庁

前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。例文帳に追加

The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region. - 特許庁

エピタキシャル成長の選択性を確保するとともに、ゲート酸化膜の劣化を防止することができる半導体素子の選択エピタキシャル成長法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of selective epitaxial growth of a semiconductor device by which the selectivity of the epitaxial growth can be ensured and the degradation of a gate oxide film can be prevented. - 特許庁

反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びｐ型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を成長させる。例文帳に追加

An organic metal gas to be a metal component source, an oxygen component source gas and a p-type dopant gas are supplied into a reaction container, thereby growing a p-type Mg_xZn_1-xO layer by a metal organic vapor phase deposition. - 特許庁

コバルト／炭化タングステン複合体において、粒子成長を抑制して一層微粒な微細構造をもつと共に、酸素に対する敏感性を低下する、粒子成長阻止剤の配合方法を与える。例文帳に追加

To give a process to incorporate a grain growth inhibitor, in a cobalt/tungsten carbide composite, which minimizes grain growth, so as to form a finer grain structure, and further minimizes the oxygen sensitivity thereof. - 特許庁

透明導電膜からなる光起電力素子用基板において、その表面に成長した異常成長部を、酸またはアルカリ溶液でのエッチングにより、溶解した光起電力素子用基板。例文帳に追加

In the substrate for photovoltaic elements made of a transparent conductive film, an abnormal growth section growing on the surface is dissolved by etching with an acid or an alkali solution. - 特許庁

シリコン基板２の表面にたとえばシリコンの酸化物による第１の無機膜４を形成し、つづいてシリコン基板２をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層６を形成する。例文帳に追加

A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth. - 特許庁

不純物領域１３を形成し、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層１５，１６，３７を形成する。例文帳に追加

An impurity region 13 is formed, and the silicon oxide films are subjected to silicon growth under selective conditions to form silicon growth layers 15, 16, and 37. - 特許庁

ＩｎＰ上に選択ＭＯＶＰＥ成長用の酸化膜によるマスクパターンを形成し、パターニング基板を用いて選択ＭＯＶＰＥ成長を行い、活性層と光導波路層を直接形成する。例文帳に追加

Selective MOVPE growth is conducted, by using a patterning substrate, and an active layer and an optical waveguide layer are formed directly. - 特許庁

単結晶成長時における雰囲気ガスとして、単結晶成長温度での粘度ηが750μP (マイクロポアズ) 以下の非酸化性ガス、例えば、ヘリウムまたはヘリウムを主成分とする混合ガス、を使用する。例文帳に追加

A non-oxidative gas whose viscosity η at a single-crystal growth temperature is not more than 750 μP (micro poise), for example helium or a gaseous mixture which makes helium a principal component is used as an atmospheric gas at the time of single-crystal growth. - 特許庁

気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。例文帳に追加

A vapor deposition apparatus 10 comprises: a vapor deposition chamber 36; a heating chamber 8; a mixing chamber 38; a first storage shed 42 for storing a trichlorosilane gas; and a second storage shed 40 for storing a silane-based gas which reacts with a hydrochloric acid gas. - 特許庁

多結晶シリコン層６ｂを種として選択成長された選択成長部６ｃがシリコン酸化膜８、９上に突出して張り出して形成される。例文帳に追加

A selective growth portion 6c which is selectively grown with a polycrystalline silicon layer 6b as a seed is formed protruding and overhanging silicon oxide films 8 and 9. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

単分子および低分子型シアル酸および上皮細胞成長因子および／または繊維芽細胞成長因子の両者またはこれら全ての混合物を含む化粧料または育毛剤による。例文帳に追加

The cosmetic or hair grower includes monomolecular and low-molecular type sialic acids and both of epidermal cell growth factor and/or fibroblast growth factor or a mixture of all of them. - 特許庁

本発明は、上皮細胞成長因子や繊維芽細胞成長因子を分解することなく、分子量の小さいシアル酸を含有する化粧料や育毛剤を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a cosmetic or hair grower that does not decompose epidermal cell growth factor (EGF) and fibroblast growth factor (FGF) and contains a sialic acid having a low molecular weight. - 特許庁

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。例文帳に追加

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate. - 特許庁

その後Ｎ型Ｓｉ層をエピタキシャル成長させると、高速用ＨＢＴの形成領域Ａではまずシリコン酸化膜３の蒸発が起こり除去されてからＮ型Ｓｉ層が成長する。例文帳に追加

After an n-type Si layer is epitaxially grown, the silicon oxide film 3 is first evaporated in the formation area A of the high-speed HBT and it is removed therefrom, and then the n-type Si layer is grown. - 特許庁

第１の方法として、化学気相成長によりシリコン酸化膜を成長させるに伴って発生してしまう結晶欠陥を少なくすべく、成膜の原料として、テトラエチルオルトシリケートSi(OC2H5)4を用いる方法を提供する。例文帳に追加

As a first method, tetraethylorthosilicate Si(OC2H5)4 is employed as a film deposition material in order to reduce crystal defects occurring as a silicon oxide film is grown by chemical vapor deposition. - 特許庁

高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ_2薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus growing a VO_2 thin film that is a large-area metal-insulator-transition (MIT) material according to in-situ deposition without using a conductive adhesive for high temperature, and to provide a method of growing large area oxide thin film. - 特許庁

多量の炭酸ガスナノバブルによって、血流量およびインスリン様成長因子を増加させる装置、並びに血流量およびインスリン様成長因子を増加させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for increasing a blood flow volume and an insulin-like growth factor by a major amount of carbon dioxide gas nanobubbles and a method for increasing a blood flow volume and an insulin-like growth factor. - 特許庁

減圧式の非選択エピタキシャル成長法により、ベース開口部８の内壁を覆うようにシリコン酸化膜７の全面に半導体膜、ここではＳｉＧｅ／ＳｉＧｅＣ膜９を成長する。例文帳に追加

By a low pressure non-selective epitaxial deposition method, a semiconductor film that is an SiGe/SiGeC film 9 in this case is grown on the entire surface of a silicon oxide film 7 so that the inner wall of a base opening 8 is covered. - 特許庁

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。例文帳に追加

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness. - 特許庁

非選択エピタキシャル成長法により、ベース開口部８の内壁を覆うようにシリコン酸化膜７の全面にＳｉＧｅ膜９を成長させる。例文帳に追加

A SiGe film 9 is grown on the entire surface of a silicon oxide film 7 by a nonselective epitaxial growth method so that the inner walls of a base opening 8 may be covered. - 特許庁

非選択エピタキシャル成長法により、ベース開口部８の内壁を覆うようにシリコン酸化膜７の全面にＳｉＧｅ膜９を成長させる。例文帳に追加

An SiGe film 9 is grown on the whole face of a silicon oxide film 7 by a nonselective epitaxial growth method so as to cover the inner wall of a base opening part 8. - 特許庁

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。例文帳に追加

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method. - 特許庁

リチウムと合金化可能な元素を含む活物質と、カーボンナノファイバの成長を促す触媒元素と、上記活物質の表面から成長させたカーボンナノファイバとを含む複合粒子を、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸塩およびポリメタクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも１種からなるバインダーで結着させる。例文帳に追加

Composite particles containing an active material containing an element capable of alloying with lithium, a catalyst element facilitating growth of carbon nano-fibers and carbon nano-fibers grown from a surface of the active material are bound by a binder comprising at least one kind selected from a group comprising polyacrylic acid, polyacrylate, polyacrylic ester, methacrylic acid, polymethacrylate and polymethacrylic acid ester. - 特許庁

トシル酸ソラフェニブには細胞の分裂を阻害する働きがあり、腫瘍の増殖に必要な新たな血管の成長を阻止できる可能性がある。例文帳に追加

sorafenib tosylate stops cells from dividing and may prevent the growth of new blood vessels that tumors need to grow.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

マレイン酸ロシグリタゾンには細胞の増殖を止める働きがあり、腫瘍の増殖に必要となる新たな血管の成長を阻止できる可能性がある。例文帳に追加

rosiglitazone maleate stops cells from growing and may prevent the growth of new blood vessels that tumors need to grow.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

チミジル酸合成酵素が高値となることは、特定の種類のがんにおいて、その成長の度合いや治療の奏効具合に関係している場合がある。例文帳に追加

high levels of thymidylate synthase may be involved in how certain types of cancer form and respond to treatment.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

カネルチニブ二塩酸塩には、上皮成長因子受容体と呼ばれる蛋白の作用を阻害する性質があり、がん細胞を死滅させられる可能性がある。例文帳に追加

canertinib dihydrochloride blocks the action of proteins called epidermal growth factor receptors, and may cause cancer cells to die.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

硝酸塩の濃度が最高Nに換算して1ミリグラムまででは，培養時間3時間の間に一次生産者の成長速度に影響を与えなかった。例文帳に追加

The concentration of nitrate up to 1 mg/L as N did not affect the rate of primary producer during 3 hr of incubation. - 英語論文検索例文集

成長している細胞によって二酸化炭素が固定されるメカニズムについては，ほとんどまだ知られていない。例文帳に追加

Little as yet known about the mechanism of carbon dioxide fixation by growing cells. - 英語論文検索例文集

3時間の培養時間では，硝酸態窒素1mg/Lまで主生産者の成長速度には影響を与えなかった。例文帳に追加

Nitrate up to 1 mg/L as N did not affect the rate of primary producer during 3 hr of incubation. - 英語論文検索例文集

管理された森林の成長による二酸化炭素の固定効果を見込むものであり、削減リストの中で最も高いウェイトを占める。例文帳に追加

The anchor effect of carbon dioxide is expected through the growth of well-managed forests and it accounts for the largest part in the reduction list.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

更に、ウラシルとプロリンとグルタミン酸又はその塩類に対して、マグネシウムを含有させると、植物の成長が一段と向上する。例文帳に追加

Further the plant growth promoter remarkably improves the growth of plant by adding magnesium to uracil, proline and glutamic acid or its salt. - 特許庁

Ｓｉ系半導体基板２００を準備し、酸素イオン注入と、Ｓｉ系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。例文帳に追加

An Si based semiconductor substrate 200 is prepared, and oxygen ion implantation and epitaxial growth of an Si based semiconductor layer are repeated if required. - 特許庁

オーキシン、サイトカイニン、ペプチド、クエン酸シルデナフィルを混合した、植物成長調整剤の製造及び使用方法例文帳に追加

PRODUCTION OF PLANT GROWTH REGULATOR COMPRISING AUXIN, CYTOKININ, PEPTIDE AND SILDEINAFIL CITRATE MIXED THEREIN AND USAGE THEREOF - 特許庁

インスリン様成長因子（ＩＧＦ）結合蛋白複合体の酸不安定サブユニット（ＡＬＳ）の特徴付け。例文帳に追加

To provide an acid-labile subunit (ALS) of insulin-like growth factor (IGF) binding protein complex. - 特許庁

酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for growing a gallium nitride single crystal into which oxygen can be incorporated as an n-type dopant. - 特許庁

ウラシルとプロリンとグルタミン酸又はその塩類とを必須成分として含有してなる植物成長促進剤である。例文帳に追加

This plant growth promoter comprises uracil, proline and glutamic acid or its salt as essential components. - 特許庁

この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面３２ａ上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。例文帳に追加

Because of the inclination, a gallium nitride semiconductor epitaxially grown on the principal surface 32a of the gallium oxide support base has a flat surface. - 特許庁

アミン系化合物と金属アルコキシドとを原料として使用し、有機金属化学的気相成長法によって金属酸化物膜を製造する。例文帳に追加

The metal oxide film is produced by an organic metal chemical vapor phase growth method using an amine compound and a metal alkoxide as raw materials. - 特許庁

湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。例文帳に追加

The wet process gas and a nitriding gas form a processing ambient gas which reacts with the substrate such that an oxynitride film grows on the substrate. - 特許庁

バナジウムトリス（β−ジケトネート）を用いた気相成長法によるバナジウム含有酸化物薄膜の製造方法および原料溶液例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING VANADIUM-CONTAINING OXIDE THIN FILM BY VAPOR-PHASE GROWTH METHOD USING VANADIUM TRIS (β-DIKETONATE) AND RAW MATERIAL SOLUTION - 特許庁

トリス（エチルシクロペンタジエニル）ランタノイドとその製造方法およびそれを用いた気相成長法による酸化物薄膜の製造方法例文帳に追加

TRIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)LANTHANOID, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING OXIDE THIN FILM THROUGH VAPOR-PHASE - 特許庁