「酸成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

従来の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜と同等の優れた絶縁性を持ち、その上に成長される窒化物半導体層の横方向の選択成長速度が速いという特性を持つアルミナ膜を用い、素子の作製工程が容易で、かつ高性能の窒化物半導体素子を実現する。例文帳に追加

To realize a nitride semiconductor element, wherein an alumina film having proper dielectric characteristics, similar to that of conventional silicon oxide films or silicon nitride films, and a characteristic that a lateral selective growth rate of a nitride semiconductor layer grown on the alumina film is high is used; the production process of the device is easy; and the performance of the device is high. - 特許庁

ヒノキ科の葉から酢酸エチルなどにより抽出される、中性から塩基性であって脂溶性の植物成長抑制物質を、土壌表面に散布および／または土壌に混合することにより、あるいは水中に浸漬することにより植物の成長を効果的に抑制することができる。例文帳に追加

The growth of a plant is effectively suppressed by using the fat-soluble plant growth inhibiting substance having neutral to basic nature and extracted from the leaf of the plant of family Cupressaceae with ethyl acetate, or the like, by spraying the substance on the surface of soil and/or mixing in soil or immersing the substance in water. - 特許庁

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。例文帳に追加

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate. - 特許庁

横磁場を印加するＣＺ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal production process which enables growth of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the growth direction of the single crystal being grown, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method. - 特許庁

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。例文帳に追加

Subsequently, an organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is employed as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate. - 特許庁

本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method by which a high quality oxide superconductive bulk material in which facet is finally grown can be produced by again treating a sample failed in the growth of the facet in a top seeding melt growth method. - 特許庁

シリコン酸化膜５０に形成された溝５２の内面に沿うように非晶質シリコン膜を形成し、非晶質シリコン膜の表面にシリコン核づけおよび粒成長促進のための熱処理を施して、非晶質シリコン膜から粒状シリコン結晶７６を粒成長させる。例文帳に追加

This manufacturing method is carried out through a manner where a groove 52 is provided to a silicon oxide film 50, an amorphous silicon film is formed along the inner surface of the groove 52, the surface of the amorphous silicon film is subjected to silicon nucleation and thermally treated to accelerate the growth of grains, and a granular silicon crystal 76 is grown in grains from the amorphous silicon film. - 特許庁

したがって、産業構造の変化の影響を除いても、1人当たりGDPの成長とともに二酸化炭素排出原単位が減少すると考えられる。これは、経済成長とともに省エネルギー・新エネルギー技術の導入が進展すること等が影響していると考えられる。例文帳に追加

Therefore, even excluding the effects from the change in the industrial structures, CO2 emissions intensities are expected to decrease as per capita GDP grows. Mainly, this is because implementation of energy saving and alternative energy technologies usually advances along with economic growth. - 経済産業省

水素と一酸化炭素を主成分とする合成ガスから炭化水素を合成するフィッシャー・トロプシュ合成において、一酸化炭素転化率と連鎖成長確率の高い触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst which has a high carbon monoxide conversion ratio and linkage growth probability in Fischer-Tropsch synthesis for synthesizing hydrocarbon from synthesis gas having hydrogen and carbon monoxide as the main ingredient. - 特許庁

植物成長剤は、ジベレリン類、オーキシン類、サイトカイニン類、エチレンガス、アブシジン酸、ブラシノステロイド、ジャスモン酸及びフロリゲンのうち少なくともいずれか一つを含有する。例文帳に追加

The plant growing agent comprises at least one of giberellins, auxins, cytokinins, ethylene gas, abscisic acids, brassinosteroids, jasmone acid and florigen. - 特許庁

イットリウム化合物はその近傍に存在する水酸化カドミウムの結晶成長を抑制する効果があるため，水酸化カドミウムがセパレータ１３で結晶化するマイグレーションを抑制することが可能となる。例文帳に追加

Since the yttrium compound has an effect of restraining crystal growth of cadmium hydroxide existing in the neighborhood of the yttrium compound, it is possible to restrain migration of cadmium hydroxide crystallizing on the separator 13. - 特許庁

核粒子分散液または珪酸アルカリ水溶液に、電解質の存在下、珪酸アルカリ水溶液を添加して核粒子を成長させ、シリカゾルを製造する。例文帳に追加

The silica sol is manufactured by adding an aqueous alkali silicate solution in the presence of an electrolyte to a nuclear particle dispersion or the aqueous alkali silicate solution and growing the nuclear particles. - 特許庁

一酸化炭素若しく二酸化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気中で半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が減少する。例文帳に追加

The carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal is reduced by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal under an inert gas atmosphere containing carbon monoxide or carbon dioxide. - 特許庁

酸による加水分解又はイオン交換樹脂による加水分解してなるノイラミン酸類を、ＥＧＦ関連物質、ＦＧＦを含む細胞成長因子類、プラセンタ、コラーゲン、ＬＣＰなどに配合してなる。例文帳に追加

Neuraminic acids prepared by hydrolyzing by an acid or an ion exchange resin is blended with EGF related substances, a cell growth factor containing FGF, placenta, collagen, LCP and the like. - 特許庁

第１の工程は、気相成長法によって製造された第１のカーボンナノファイバーを酸化処理して表面が酸化された第２のカーボンナノファイバーを得る工程である。例文帳に追加

In the first step, a first carbon nanofiber produced by a vapor growth method is subjected to oxidation treatment to obtain a second carbon nanofiber having an oxidized surface. - 特許庁

プロピオン酸フルチカゾン微粒子であって、プロピオン酸フルチカゾン結晶核の周りに放射状に成長した針状結晶からなり、平均粒径が10〜60μmの範囲である微粒子。例文帳に追加

The fine particle of the fluticasone propionate includes needle crystals radially growing around a crystalline nucleus of the fluticasone propionate, and has an average particle diameter within the range of 10-60 μm. - 特許庁

無機アモルファス層又は有機固体層２の上に酸化物薄膜層３、４を形成し、更に、ペロブスカイト型酸化物薄膜５をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Oxide thin film layers 3, 4 are formed on the inorganic amorphous layer or the organic solid layer 2, and the perovskite-type oxide thin film 5 is grown epitaxially. - 特許庁

還元処理された金属酸化物粒子粉末、および該金属酸化物粒子の表面に成長した複数本の炭素繊維からなる導電性粒子粉末。例文帳に追加

The conductive particle powder is formed of metal oxide particle powder undergoing the reduction treatment and a plurality of carbon fibers growing up on the surfaces of the metal oxide particles. - 特許庁

金属触媒を用いることなしに、基板の表面の上の多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、パターニングされた酸化亜鉛のナノ構造を成長させる。例文帳に追加

A patterned zinc oxide nanostructure is grown without using a metal catalyst by forming a seed layer of a polycrystalline zinc oxide on the surface of a substrate. - 特許庁

ジルコニウム酸化物結晶の異常成長を防止することによって、厚さが均一で緻密なジルコニウム酸化物層が形成されたアクチュエータ装置及びその製造方法並びに液体噴射ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide an actuator device and a manufacturing method thereof, as well as a liquid jetting head, in which a dense zirconium oxide layer of uniform thickness is formed by preventing the abnormal growth of zirconium oxide crystal. - 特許庁

酸素のプラズマに弗素を含む硅素化合物ガスと水素を含む硅素化合物ガスとを混合させて導入し、気相成長を利用して基板４０の表面に弗素を含む酸化硅素薄膜を作成する。例文帳に追加

The fluorine containing silicon oxide thin film is formed on a surface of a substrate 40 using a vapor phase growth process by introducing a mixture of oxygen plasma, fluorine containing silicon compound gas, and hydrogen containing silicon compound gas. - 特許庁

しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。例文帳に追加

However the oxygen concentration decreases in the gallium nitride-based semiconductor layer grown so as to form the junction JC. - 特許庁

酸化物超電導薄膜の熱処理方法は、基板１の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ膜２を基板１上に成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱する。例文帳に追加

The heat treating method of an oxide superconducting thin film grows a YBCO film 2 having a smaller thermal expansion coefficient than that of a substrate 1 on the substrate 1 and quickly heats it in an oxygen- containing atmosphere. - 特許庁

第１の工程は、気相成長法によって製造された第１のカーボンナノファイバーを酸化処理して表面が酸化された第２のカーボンナノファイバー４０を得る。例文帳に追加

In the first step, a first carbon nanofiber produced by a vapor growth method is oxidized to produce a second carbon nanofiber 40 having an oxidized surface. - 特許庁

本発明は、ノイラミン酸類によってＥＧＦ関連物質やＦＧＦを含む細胞成長因子類の活性化を図り、ノイラミン酸類の強化を図った美容組成物（化粧料、美容健康飲料）を提供する。例文帳に追加

To provide a cosmetic composition (a cosmetic, a beauty and health drink) to increase neuraminic acids for activating a cell growth factor containing EGF related substances or FGF by neuraminic acids. - 特許庁

本発明の方法においては、基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造を成長させる手法を提供する。例文帳に追加

The technique of growing the nanostructure of zinc oxide without using the metal catalyst by forming a seed layer of polycrystalline zinc oxide on the surface of a substrate is provided. - 特許庁

次に、弱酸溶液に浸漬して不要な部分に吸着したパラジウムを除去した後、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬して、該パラジウム活性化皮膜１６上にニッケル析出物１７を成長させる。例文帳に追加

Next, after so dipping the processed object into a weak acid solution as to remove palladium adsorbed in unnecessary portions, the processed object is so dipped into oxidation-reduction type electroless nickel plating liquid as to grow a nickel deposition 17 on the palladium-activated film 16. - 特許庁

ＴＥＡと酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法等の気相成長法の適用により、炭化珪素基板の表面上に酸化アルミニュームの膜を堆積する。例文帳に追加

Applying a vapor growth method such as the CVD or the like with a TEA and an oxygen gas as raw materials deposits an oxide aluminum film on the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁

溶液相からＹ１２３型結晶構造を有した酸化物結晶を成長させて酸化物結晶を液相法により作製する際に使用する溶液。例文帳に追加

The solution is used for producing the oxide crystal by growing the oxide crystal having the Y123-type crystal structure from the solution phase by a liquid phase method. - 特許庁

シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。例文帳に追加

An imperfect embedded oxide film 12 is formed in the surface layer by decreasing an ion implantation amount of oxygen in the surface layer of a silicon wafer 11 and heat-treating an ion implantation layer 15 during low temperature epitaxial growth. - 特許庁

光学活性マンデル酸類由来の二量体の結晶内への取り込みを抑制し、かつ結晶粒子を成長させながら、目的の光学活性マンデル酸類結晶を高い化学純度および高い収率で得ることができる。例文帳に追加

The crystals of the target optically active mandelic acids can be obtained with high chemical purity in a high yield while inhibiting the incorporation of a dimer derived from the optically active mandelic acids into the crystals and allowing crystal particles to grow. - 特許庁

引き続いて、第２層形成工程 において、酸素の導入を止め、シリコンのみを酸素含有シリコン膜２上にエピタキシャル成長させることにより、単結晶シリコン膜３が形成される。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon film 3 is formed in a second layer forming process (2) by stopping introduction of oxygen and growing only silicon epitaxially on a silicon film 2 containing oxygen. - 特許庁

ヒトインスリン様成長因子Ｉ受容体ＩＧＦ−ＩＲ特異的結合性マウスのモノクローナル抗体、並びにこれらの抗体をコードするアミノ酸配列及び核酸配列に関する。例文帳に追加

The present invention relates to monoclonal antibodies of murine, binding specifically to the human insulin-like growth factor I receptor IGF-IR, as well as amino acid and nucleic acid sequences coding these antibodies. - 特許庁

バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。例文帳に追加

The buffer layer 12 preferably contains at least one kind of a metal oxide of NaCl structure and a metal oxide of fluorite structure or preferably has cubic crystal (100) orientation and is formed by epitaxial growth. - 特許庁

ｈｕＨＧＦのアミノ酸５３４、６７３および／または６９２位にアミノ酸変化を有する、野生型ヒトＨＧＦ（ｗｔ−ｈｕＨＧＦ）の肝細胞成長因子（ＨＧＦ）変異体。例文帳に追加

The hepatocyte growth factor (HGF) variant of the wild type human HGF (wt-huHGF) has variations at positions 534, 673 and/or 692 of amino acids of the huHGF. - 特許庁

マリモカーボンは、触媒を担持した酸化ダイヤモンドと、この酸化ダイヤモンドから放射状に成長したカーボンナノチューブ又はコイン積層型カーボンナノグラファイトとで球状の微粒子で成っている。例文帳に追加

The aegagropila-like carbon is made of a globular fine particle, comprising diamond oxide carrying a catalyst, and a carbon nano tube radially grown from the diamond oxide or coin laminated type carbon nano graphite. - 特許庁

下触媒層２においては、セリア系酸化物から10重量％未満で含まれる他の酸化物へ移動する貴金属の割合がきわめて小さいので、貴金属の粒成長を効果的に抑制することができる。例文帳に追加

In the lower catalyst layer 2, since a ratio of the noble metal which moves from ceria oxide to other oxide included at less than 10 wt% there into is significantly small, the particle growth of the noble metal can effectively be suppressed. - 特許庁

ケイ素酸化物と炭素の混合物を加熱して、平板状炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法であって、前記混合物が、ケイ素酸化物と炭素が内部で接触した粒子を含んでなる。例文帳に追加

In a method for growing a silicon carbide single crystal on a planar silicon carbide seed crystal by heating a mixture of silicon oxide and carbon, the mixture contains particles in which the silicon oxide has a contact inside with the carbon. - 特許庁

窒素含有雰囲気中でシリコンを加熱して窒化物の薄い層を形成し、次に、薄い窒化された層を介して酸化物を成長させることは、酸化物厚さの違いを１％未満に低減する。例文帳に追加

When the silicon is heated in a nitrogen-containing atmosphere to form a thin layer of nitrogen, and then the oxide is grown via a thin nitrided layer, variations of the thickness of the oxide are reduced to less than 1 %. - 特許庁

配列番号２で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列からなるタンパク質又はその部分ペプチドを有効成分として含有する、神経細胞の成長又は移動の制御剤。例文帳に追加

The controller for the growth or movement of nerve cells contains a protein composed of an amino acid sequence equal to or substantially equal to the amino acid sequence represented by sequence No.2 or its partial peptide as an active ingredient. - 特許庁

本発明は、５〜３０ｎｍの五酸化アンチモンゾルを核ゾルに用い、任意大きさの粒子径、好ましくは４０〜３００ｎｍに成長させることを特徴とする五酸化アンチモンゾルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an antimony pentaoxide sol in which antimony pentaoxide sol particles 5-30 nm in particle size are used as nuclear sol particles, and the particles are made to grow to have an optional particle size, preferably 40-300 nm. - 特許庁

基板１上に金属酸化物の結晶粒が結晶成長してなる結晶膜２と、該結晶膜２内に分散した導電性ファイバ３とを有してなることを特徴とする金属酸化物膜。例文帳に追加

The metal oxide film is made up of a crystal film 2 formed by crystal growth of crystal grains of the metal oxide on a substrate 1, and conductive fiber 3 dispersed in the crystal film 2. - 特許庁

リン酸カルシウム結晶複合体は、支持体と、該支持体上に成長したリン酸カルシウムの繊維状結晶が多数寄り集まった繊維束からなる多数の結晶塊とから成る。例文帳に追加

The calcium phosphate crystal composite is composed of a support, and a large number of crystal blocks consisting of a fiber bundle in which a large number of fibrous crystals of calcium phosphate grown on the support has assembled together. - 特許庁

第１圧電体膜１５と第２圧電体膜１６とが、同じ金属材料（チタン酸ジルコン酸鉛）であることから、第２圧電体膜１６を、第１圧電体膜１５との界面から結晶成長させていくことが可能となる。例文帳に追加

Since the first and second piezoelectric films 15 and 16 are made of the same metal material (lead zirconate titanate), the second piezoelectric film 16 can be crystal-grown from an interface between itself and the first piezoelectric film 15. - 特許庁

溶液相からＹ１２３型結晶構造を有した酸化物結晶の結晶成長させるに際して、結晶性を向上させることができる酸化物結晶作製用溶液を提供すること。例文帳に追加

To provide a solution for producing an oxide crystal, with which it is possible to improve the crystallinity of the oxide crystal when the oxide crystal having a Y123-type crystal structure is grown from a solution phase. - 特許庁