「銅厚膜層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

集電体となる銅基材２上に、膜厚が０．１μｍ以上の導電性を有する有機薄膜層３を形成したものである。例文帳に追加

A conductive organic thin film layer 3 having a film thickness of 0.1 μm or more is formed on a copper base material 2 which is to be a current collector. - 特許庁

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。例文帳に追加

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside. - 特許庁

耐熱層１２は、膜１１の前面側に積層される金属箔、例えば、厚さが３０μｍのアルミニウム箔または銅箔で形成されている。例文帳に追加

The heat-resisting layer 12 is formed of metal foil, for example, aluminum foil or copper foil of 30 μm in thickness laminated on the front side of the film 11. - 特許庁

銅を含む１層またはそれ以上の層からなる素材上に、１０重量パーセント以下の銅を含むスズ合金メッキ層が施されている試料のメッキ厚みと銅濃度を同時に測定することができるＸ線膜厚計を提供する。例文帳に追加

To provide an X-ray film thickness meter, capable of simultaneously measuring plating thickness of a sample, whereon a tin alloy plating layer containing copper of 10 wt.% or less is laid on a material, consisting of one layer or more containing copper. - 特許庁

金属表面１に５０μｍ〜２０００μｍの厚膜の銅メッキ層２を形成し、この銅メッキ層２に所定の切削加工を施し、切削加工を施した銅メッキ層２の表面２１にニッケルメッキ層、クロムメッキ層等の所定の金属メッキ層４を形成する。例文帳に追加

The method for treating a metal surface comprises the steps of forming a copper-plating layer 2 having a thickness of 50 to 2,000 μm on the surface, subjecting the layer 2 to predetermined machining, and forming a predetermined metal-plated layer 4 such as a nickel-plated layer, a chromium- plated layer or the like on the surface 21 of the cut layer 2. - 特許庁

銅薄膜層と芳香族ポリアミドからなるシート状基材とからなり、かつ銅薄膜層の厚みが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。例文帳に追加

The substrate for flexible printed circuit comprises a thin film layer of copper and a sheet-like substrate of aromatic polyamide wherein the thin film layer of copper has a thickness of 50-500 nm. - 特許庁

銅被覆ポリイミド基板の銅めっき被膜層の厚み分布の均一性を向上させる銅被覆ポリイミド基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a copper coating polyimide substrate by which the uniformity of the distribution of the thickness of a copper plating film layer of the copper coating polyimide substrate is improved. - 特許庁

この接着剤付き銅箔積層体は、剥離可能な保護層にするための樹脂フィルムの一面に、膜厚１０μｍ以下の銅箔層を形成し、次いで形成された銅箔層の上に接着剤層を形成することによって作製することができる。例文帳に追加

The copper foil laminate with an adhesive can be made by forming a not more than 10 μm thick copper foil layer on one surface of the resin film as a peelable protective layer and then forming an adhesive layer on the surface of the formed copper foil layer. - 特許庁

この接着剤付き銅箔積層体は水溶性または水に膨潤する樹脂フィルムの一面に、膜厚１０μｍ以下の銅箔層を形成し、次いで形成された銅箔層の上に接着剤層を形成することによって作製することができる。例文帳に追加

The method for manufacturing the copper foil laminate with the adhesive comprises the steps of forming the copper foil layer having a film thickness of 10 μm or less on one surface of the water soluble or water swelling resin film, and then forming the adhesive layer on the formed copper foil layer. - 特許庁

めっき処理を行って厚膜レジスト１０の開口部１０ａに金属（銅）をめっきして層間接続電極６を形成する。例文帳に追加

The interlayer connecting electrode 6 is made by performing plating treatment, thereby plating the opening 10a in the thick resist 10 with metal (copper). - 特許庁

シート材２の一側面２Ａに減圧アーク溶射機により膜厚が約４０〜６０μｍの銅・亜鉛擬似合金層３を形成する。例文帳に追加

The copper-zinc pseudoalloy layer 3 of about 40-60 μm film thickness is deposited on one side face 2A of the sheet material 2 by using a low-pressure arc spraying machine. - 特許庁

銅管表面に形成される防食層の膜厚を最適化することにより、伝熱管および熱交換器の防食能力の最適化を図る。例文帳に追加

To optimize anticorrosion performance of a heat transfer pipe and a heat exchanger by optimizing a film thickness of an anticorrosion layer formed on a surface of a copper pipe. - 特許庁

銅箔は、バンプ及び絶縁層と接する面に厚さ５０Å〜３５０Åの酸化膜が形成されている。例文帳に追加

In the copper foil, an oxide film having a thickness range of 50 Å-350 Å is formed on a surface, contacting the bumps and the insulating layer. - 特許庁

プラスチック容器に、電気めっき法によって厚さ５〜１５μｍの銅めっき皮膜を形成することを特徴とする電磁波シールド層の形成方法。例文帳に追加

A copper plating coat of thickness 5-15 μm is formed on the plastic vessel by an electric plating method. - 特許庁

第一の厚膜回路基板は、導体層３が７５０℃以下で焼成された銅系の導体よりなり、導通部２が銀系の導体よりなる。例文帳に追加

A 1st thin-film circuit board is made of a copper-based conductor whose conductor layer 3 is burnt below 750°C and a conduction part 2 is made of a silver-based conductor. - 特許庁

最表面にＳｉ換算付着量で０．５ｍｇ／ｍ^２以上のシラン化合物被膜が形成され、その下層に厚さ１０００〜２０００Åの酸化皮膜が形成された銅又は銅合金板・条材。例文帳に追加

The copper or copper alloy sheet/bar stock has a silane compound film having a coating weight of ≥0.5 mg/m^2 expressed in the terms of Si formed on the outermost surface, and an oxide film with a thickness of 1,000 to 2,000 Å formed on the lower layer thereof. - 特許庁

４０℃〜６０℃のシランカップリング剤水溶液を、銅又は銅合金板・条の表面に塗布して該表面にシラン化合物被膜を形成した後、これを加熱処理し、前記シラン化合物皮膜の下層に前記銅又は銅合金板・条の酸化皮膜を厚さ１０００〜２０００Åの厚さで形成する。例文帳に追加

A production method therefor comprises: coating the surface of a copper or copper alloy sheet/bar with a silane coupling agent aqueous solution heated at 40 to 60°C to form the silane compound film on the surface; then applying heating treatment to the silane compound film to form an oxide film of the copper or copper alloy sheet/bar on the lower layer of the silane compound film. - 特許庁

接続パッド３の貫通導体４と接続する面に形成された錫拡散層３ａと接続パッド３に接続する銅めっきから成る配線導体膜６との間に厚みが２μｍ以上の銅箔の層が介在している。例文帳に追加

A copper foil layer of 2 μm or greater in thickness is interposed between a tin diffusion layer 3a formed on a face of the connection pad 3 connected to a through-conductor 4 and the wiring conductor film 6 connected to the connection pad 3 and made by copper plating. - 特許庁

ポリイミドフィルム表面に形成された金属層表面にスパッタリング法により５０〜５００ｎｍの厚さを有する銅層を形成した後、該銅層上に電気めっきにより銅被膜を形成してなる基板を、１２０〜２００℃の温度下で熱処理に付すことを特徴とする。例文帳に追加

After forming a copper layer of 50-500 nm thick by sputtering on the surface of a metal layer formed on a polyimide film surface, a substrate having a copper film formed by electroplating on the copper layer is heat treated at temperatures of 120-200°C. - 特許庁

この部材のリチウム金属膜２の成膜時の熱負荷を低減するかまたは銅箔１の表面に予め拡散防止用の中間層を設けて膜２の表面からその膜２の膜厚の２０％の範囲内における銅成分を５原子％以下となし、リチウムの活性化を抑制する。例文帳に追加

A copper component existing at a part within 20% of a thickness from the surface of the lithium metal film 2 is restricted to 5 atom% or less, by reducing a thermal load when forming the lithium metal film 2 of the negative electrode member, or by preliminarily forming a middle layer for preventing diffusion on the surface of the copper film 1 to restrain activation of the lithium. - 特許庁

絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法が使用される。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes a wiring process of forming wiring grooves on an insulating film, forming a copper conductive layer by electrolytic plating, and reducing the thickness of the conductive layer. - 特許庁

石英を素材とする基板１の上に膜厚２０nmの銅の下地膜２が形成され、さらにその上に周期長７nm、周期数５０層対のMo（モリブデン）／Si（シリコン）多層反射膜３が形成される。例文帳に追加

A base film 2 of copper of thickness 20 nm is formed on a substrate 1 made from quartz, and furthermore a multilayer reflection film 3 is formed thereon with a periodic length 7 nm, and periodicity paired 50-layer Mo (Molybdenum)/Si (Silicon). - 特許庁

絶縁樹脂層の表面状態を最適化して無電解銅めっき膜厚のバラツキを少なくし、電解銅めっき膜厚のバラツキを少なくして電気信号伝達の性能低下を防止し、絶縁樹脂層の厚みバラツキを少なくして電子部品用多層配線基板としての性能低下を防止した電子部品用多層配線基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring board for electronic component and its producing method in which electric signal transmission performance is prevented from lowering by suppressing variation in the thickness of a copper electroless plating film and a copper electroplating film through optimization of surface state of an insulating resin layer, and the performance as a multilayer wiring board for electronic component is prevented from lowering by suppressing variation in the thickness of the insulating resin layer. - 特許庁

Ｓｎめっき皮膜の残存Ｓｎめっき層厚さが０〜０．３μｍの範囲内にあり、かつ、Ｓｎ酸化膜の平均厚さが１０〜３００Ａ（オングストローム）である端子・コネクター用Ｓｎめっき銅合金材。例文帳に追加

A Sn plated alloy material for a terminal connector has a remaining Sn plated layer being 0-0.3 μm in thickness and a Sn oxide film being 10-300A (angstrom) in average thickness. - 特許庁

銅極細線の表面に１０ｎｍ〜１００ｎｍ厚のパラジウム薄膜層を介して５０ｎｍ〜２００ｎｍ厚の熱硬化性共重合形ポリイミド樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂からなる絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする銅絶縁ボンディングワイヤ。例文帳に追加

The copper insulation bonding wire is characterized in that an insulating film of a thermosetting resin containing a 50 to 200 nm thick thermosetting copolymer type polyimide resin as a main component is formed on the surface of a copper fine wire via a 10 to 100 nm thick palladium thin film layer. - 特許庁

接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film in which adhesion of copper to a lower layer is improved without increasing a thickness of an adhesive layer so as to prevent copper from being diffused to the lower layer, and to provide metal wiring for a display panel, a thin film transistor display panel including the same, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

二層の抵抗体層の二層目を構成する抵抗体層を焼成抵抗体とすることなく、ニッケル・銅合金メッキ法で形成したニッケル・銅合金メッキ抵抗体層としたから、メッキ膜厚の調整制御によって低抵抗値での抵抗値の制御が容易になる。例文帳に追加

As the second-layer resistor layer of the two layers of the resistor layers is formed in the nickel-copper alloy plated resistor layer formed by a nickel-copper alloy plating method without forming a resistor layer constituting the second-layer resistor layer as the calcined resistor layer, a control of the resistance value of the component and a low resistance is facilitated by adjusting the thickness of a plated film. - 特許庁

広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a copper wiring layer, which makes it possible to form a copper wiring layer that has a uniform film thickness and is free from disconnection of wiring and generation of leak current between the copper wiring layer and an upper wiring layer in all conductive regions across a wide area. - 特許庁

基板との密着力が高く、微細かつ膜厚の大きい銅パターンを形成することが可能で、しかもゲル化が生じにくく、保存安定性に優れた感光性銅ペースト、それを用いた銅パターンの形成方法、回路基板、及びセラミック多層基板を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive copper paste having high adhesive strength to a substrate, capable of forming a fine thick copper pattern, less liable to gel and excellent in shelf stability and to provide a copper pattern forming method, a circuit board and a ceramic multilayer substrate each using the paste. - 特許庁

電極指２ａは、圧電基板１上に形成されている約２０ｎｍの膜厚を有するチタンからなる第１層１２と、第１層１２上に形成されている約３７４ｎｍの膜厚を有するアルミニウムおよび銅を含む第２層２２とから構成されている。例文帳に追加

The electrode finger 2a is comprised of a first layer 12 composed of titanium having film thickness of about 20nm formed on the piezoelectric substrate 1 and a second layer 22 containing aluminum and copper having film thickness of about 374nm formed on the first layer 12. - 特許庁

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。例文帳に追加

The multilayered printed wiring board has a preliminarily built-in IC chip 20 in a core substrate 30; and a transition layer 38 comprising a first thin layer 33, a second thin layer 36, and a thick forming layer 37 is arranged in the copper die pad 24 of the IC chip 20. - 特許庁

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。例文帳に追加

In the multilayer printed-wiring board, the IC chip 20 is built in a core board 30 in advance, and a transit layer 38 which is composed of a first thin-film layer 33, a second thin-film layer 36 and a thick layer 37 is arranged and installed at a copper die pad 24 on the IC chip 20. - 特許庁

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。例文帳に追加

In the multiplayer printed-wiring board, the IC chip 20 is located in a core board 30 in advance, a transition layer 38 consisting of a first thin film layer 33, a second thin film layer 36, and a thick film 37 are located on a copper die pad 24 of the IC chip 20. - 特許庁

特定の元素を含有した銅合金において極表層の酸化層、防錆皮膜の厚さを規制することにより、強度と導電性に優れ、かつ粗化処理を施さずに液晶ポリマーとの１８０゜ピール強度が５．０Ｎ／ｃｍ以上であり、積層板用の銅合金箔を提供する。例文帳に追加

In a copper alloy containing specified elements, by controlling the thicknesses of an oxidized layer as an outermost surface layer and a rust preventive layer, the copper alloy foil for the laminate sheet having excellent strength and electric conductivity, and having ≥5.0 N/cm 180° peel strength with a liquid crystal polymer, without undergoing roughening treatment, is provided. - 特許庁

ベースフィルム１６の一方の主面に銅箔等の均一な膜厚の導体層を所定の配線パターンにパターニングして得られる配線層１７が接着剤層１８により貼着されている。例文帳に追加

A wiring layer 17 obtained by patterning a conductor layer having a uniform film thickness such as a copper foil into a predetermined wiring pattern is bonded on one main surface of a base film 16 with an adhesive layer 18 disposed therebetween. - 特許庁

内蔵キャパシタ層形成に用いる両面銅張積層板の誘電体層が、骨格材なしで任意の膜厚形成が可能で、且つ、高い強度を備えるものの提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a double-side copper clad laminated board for forming a built-in capacitor layer, having a dielectric layer having a film thickness arbitrarily controllable without using a skeleton material and having high strength. - 特許庁

広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which a copper wiring layer having a uniform film thickness and being free from a disconnection or leak current occurring between an upper wiring layer over wide ranges of all electrically conductive regions, is formed in the semiconductor device. - 特許庁

感光性フィルムを積層して形成した厚膜レジスト層を用いたＬＩＧＡライクプロセスで、レジストパターン形状の変化に起因する銅厚膜パターンの形状劣化を防止することができるパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method capable of preventing pattern form deterioration of a copper thick film caused by variation in a resist pattern form in a Lithographie Galvanoformung Abformung-like process using a thick film resist layer formed by laminating light-sensitive films. - 特許庁

銅管１′の外表面に、スズまたはスズ合金からなり、膜厚ｄが３μｍ〜５００μｍの防食層３を形成して、結露水によって侵食されることがなくなるようにするとともに、防食層３の膜厚ｄの最適化を図ることができるようにする。例文帳に追加

The anticorrosion layer 3 composed of tin or tin alloy and having a film thickness d of 3-500 μm is formed on an outer surface of the copper pipe 1' to prevent corrosion by dew condensation water, and to optimize the film thickness d of the anticorrosion layer 3. - 特許庁

プラスチックフィルムの両面または片面に、接着剤を介さずに直接、シード層を形成し、そのシード層上に銅導体層を形成してなる銅被覆プラスチック基板において、シード層は、クロム濃度が１５重量％以上４０重量％以下であるニッケルクロム合金からなり、かつその膜厚は１０Å以上１５０Å以下であることを特徴とする銅被覆プラスチック基板などによって提供。例文帳に追加

In the copper-coated plastic substrate obtained by directly forming the seed layer on both surfaces or one surface of a plastic film without using an adhesive and forming the copper conductor layer on the seed layer, the seed layer comprises a nickel-chromium alloy with a chromium concentration of 15-40 wt.% and the thickness thereof is 10-150 Å. - 特許庁

第１工程では、コールドスプレー装置３０が、アルミ膜１２の厚さＶ１より小さい粒径Ｒ１の第１銅粉末４１を噴射することにより、アルミ膜１２の表面に下地層２１を形成する。例文帳に追加

In the first step, the cold spray device 30 jets first copper powder 41 having a particle diameter R1 smaller than the thickness V1 of the aluminum film 12, and thereby an underlayer 21 is formed on the surface of the aluminum film 12. - 特許庁

表面めっき層として厚さ０．４μｍ以上の錫又は錫合金めっき層を有する銅又は銅合金板条からなり、さらにその表面に０．０１〜１０ｍｇ／ｄｍ^２の有機潤滑剤皮膜が形成されている錫めっき付き電子材料。例文帳に追加

This tinned electronic material comprises a copper or copper alloy plate having a 0.4 μm or thicker tin or tin alloy layer as the surface plated layer and a 0.01-10 mg/dm^2 organic lubricant film formed thereon. - 特許庁

電解銅めっき厚みのばらつきを少なくして電気信号伝達の性能低下を防止し、絶縁樹脂層の膜厚ばらつきを少なくして電子部品用多層配線基板としての性能低下を防止した電子部品用多層配線基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a multi-layered circuit substrate for electronic components in which the variance of the electrolytic copper plating thickness is reduced to prevent degradation of the performance of the electric signal transmission, the variance of the film thickness of an insulating resin layer is reduced to prevent degradation of the performance as the multi- layered circuit substrate for electronic components. - 特許庁

厚み１０μｍから１ｍｍのフレキシブルシート基板１０は、フレキシブルなフィルム、例えばポリイミド層１１上に電極あるいはコイル用の金属薄膜、例えば銅層１２が接合されて形成される。例文帳に追加

A flexible sheet substrate 10 having a thickness of 10 μm to 1 mm is formed by jointing a metal thin film for an electrode or a coil, for instance, a copper layer 12 to a flexible film, for instance, a polyimide layer 11. - 特許庁

この絶縁層１の薄膜絶縁層１ａ上に電解銅めっきにより例えば５〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの厚さを有する所定の導体パターン２が形成される。例文帳に追加

Specified conductor patterns 2 each having a thickness of 5 to 50 μm, preferably 5 to 20 μm are formed on the thin-film insulating layer 1a of the insulating layer 1 by copper electroplating. - 特許庁