「電流ドレイン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

トランジスタＮ２のドレイン電流Ｉ４はトランジスタＮ１のドレイン電流Ｉ３に対応した電流値になる。例文帳に追加

Drain current I4 of a transistor N2 shows a current value corresponding to the drain current I3 of the transistor N1. - 特許庁

各トランジスタＭ３，Ｍ４のドレイン電流は定電流源１２の定電流Ｉ２と等しい。例文帳に追加

Drain current of each transistor M3, M4 is equal to constant current I2 of a constant current source 12. - 特許庁

電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。例文帳に追加

To reduce gate leakage current while reducing current collapse and increasing drain current. - 特許庁

各トランジスタＰ３，Ｎ１は直列接続されて共通のドレイン電流Ｉ３が流れ、ドレイン電流Ｉ３はトランジスタＰ１のドレイン電流Ｉ１に対応した電流値になる。例文帳に追加

The respective transistors P3, N1 are connected in series and common drain current I3 flows to them and the drain current I3 shows a current value corresponding to drain current I1 of a transistor P1. - 特許庁

スレッショルド電圧，トランスコンダクタンス，リニアドレイン電流，飽和ドレイン電流などの電気的パラメータを観測する。例文帳に追加

Electric parameters such as a threshold voltage, a transformer conductance, a linear drain current, a saturation drain current are observed. - 特許庁

初期しきい値電圧Ｖｔ、初期線形ドレイン電流Ｉdlin１及び初期飽和ドレイン電流Ｉdsat１を測定する。例文帳に追加

An initial threshold voltage Vt, an initial linear drain current Idlin1, and an initial saturation drain current Idsat1 are measured. - 特許庁

各セルＱ1 〜Ｑ26のドレイン電流の通路の抵抗値をコントロ−ルし、各セルのドレイン電流の密度をほぼ同一にする。例文帳に追加

Resistance value of a path of drain current of each cell Q1 to Q26 is controlled such that the density of drain current of each cell to be almost the same. - 特許庁

この電圧降下を測定して、ＦＥＴ増幅器（１４）の静止ドレイン電流を判定し、ドレイン電流を所望の動作点に維持する。例文帳に追加

The voltage drop is measured to judge the stationary drain current of the FET amplifier 14, thereby maintaining the drain current in a desired operating point. - 特許庁

電流制限抵抗１５はＴｒ１７のドレインに、電流制限抵抗１６はＴｒ１８のドレインにそれぞれ接続される。例文帳に追加

The current-limiting resistor 15 is connected to a drain of a Tr17 while the current- limiting resistor 16 is connected to a drain of a Tr18. - 特許庁

その結果、トランジスタＱ２のドレインのバイアス電流は少なくなり、トランジスタＱ２のドレインのバイアス電流も少なくなる。例文帳に追加

As a result, the bias current of the drain of the transistor Q2 is reduced and the bias current of the drain of the transistor Q2 is reduced as well. - 特許庁

このドレイン電流はＭＯＳ−ＦＥＴ３１にコピーされる。例文帳に追加

This drain current is copied by the MOS-FET 31. - 特許庁

ゲート電極とドレイン領域間のリーク電流の増加を抑制する。例文帳に追加

To suppress an increase in leakage current between a gate electrode and a drain region. - 特許庁

検出回路４０は、センストランジスタ６のドレイン電流を検出する。例文帳に追加

A detection circuit 40 detects a drain current of the sense transistor 6. - 特許庁

薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流モデリング方法及び装置例文帳に追加

SOURCE-DRAIN CURRENT MODELING METHOD AND DEVICE OF THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのドレイン電流の計算の精度を向上させる。例文帳に追加

To enhance calculation accuracy of the drain current of an MOS transistor. - 特許庁

ガスセンサにおいて、ドレイン電流のピークが小さくなり過ぎる。例文帳に追加

To prevent that the peak of a drain current becomes too small in a gas sensor. - 特許庁

ダイヤモンドＦＥＴにおいて、ドレイン電流特性を改善すること。例文帳に追加

To improve drain current characteristics in a diamond FET. - 特許庁

ドレイン電流減少率算出部１３は、劣化指標に基づき、トランジスタのドレイン電流減少率を算出し、伝播遅延増加率算出部１４は、ドレイン電流減少率に基づき、伝播遅延増加率を算出する。例文帳に追加

A drain current reduction rate calculation unit 13 calculates a drain current reduction rate of each transistor based on the deterioration index, and a propagation delay increase rate calculation unit 14 calculates a propagation delay increase rate based on the drain current reduction rate. - 特許庁

このドレイン電流は、定電流回路部２０のトランジスタＰＭ２２にも流れる。例文帳に追加

This drain current flows through the transistor PM22 of the constant current circuit part 20. - 特許庁

該Ｎ型ドレイン層１１ａを双方向スイッチのオン電流の流れる電流経路とする。例文帳に追加

The N-type drain layer 11a is turned to a current route where an on-state current of the bidirectional switch flows. - 特許庁

ｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴのドレイン電流の増加（電流駆動能力の向上）を図る。例文帳に追加

To increase drain current (to enhance current drivability) of an n-type FET and a p-type FET. - 特許庁

ＮＭＯＳ１１に流れ込む電流は、ＰＭＯＳ２２−０〜２２−２のドレイン電流の合計になっている。例文帳に追加

A current flowing through an NMOS 11 is the sum of drain currents of PMOS transistors(TRs) 22-0 to 22-2. - 特許庁

電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上（ドレイン電流の増加）を図る。例文帳に追加

To enhance the current driving capability of field-effect transistors. - 特許庁

所定のゲート電圧に対してドレイン電圧を変化させたときに、ドレイン電流特性に負性微分コンダクタンスが生じる。例文帳に追加

When a drain voltage is varied to a prescribed gate voltage, a negative differential conductance occurs in drain current characteristics of a semiconductor device. - 特許庁

ドレイン電流がドレイン電圧（Ｖｄ）における変化の影響を受けにくくなるので、結果的により線形性のあるデバイスが得られる。例文帳に追加

Since the drain current is hardly affected by the change of the drain voltage (Vd), a device which has better linearity can be obtained. - 特許庁

増幅器の位相シフト特性は、増幅素子１のバイアス（ドレイン電圧、ドレイン設定電流）によって変化する。例文帳に追加

The phase shift characteristics of an amplifier are changed according to the bias (drain voltage, drain setting currents) of an amplifying element 1. - 特許庁

ドレイン電圧−ドレイン電流温度特性を調整できるＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a MOS transistor capable of adjusting a drain voltage-drain current temperature characteristic. - 特許庁

半導体デバイスは、ソースと、ドレインと、ソースとドレインとの間に電流を選択的に流せるように構成されたゲートとを含む。例文帳に追加

A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively pass current between the source and the drain. - 特許庁

ゲートＧとドレインＤが接続している第１ｐＭＯＳ１３０は、ソースＳからドレインＤへ電流を通す整流素子として機能する。例文帳に追加

The first pMOS 130 with a gate G and a drain D connected thereto functions as a rectifying device for allowing a current to flow to the drain D from a source S. - 特許庁

第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１は、第２電流入力端子Ｔｉｎ２とドレインが接続され、ゲートが当該ドレインと接続される。例文帳に追加

In a first P-channel MOS transistor P1, a second current input terminal Tin2 is connected to a drain and a gate is connected to the drain. - 特許庁

櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧ＶＤを上げても、ＶＧ（ゲート電圧）−ＩＤ（ドレイン電流）特性が劣化しないようにする。例文帳に追加

To provide a comb-teeth type thin-film transistor which does not degrades VG (gate voltage) - ID (drain current) characteristics, even if drain voltage VD is increased. - 特許庁

ソース及びドレインのいずれか一方に高抵抗成分が付加されたときドレイン電流の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress decrease in drain current when a high-resistance component is added to one of a source and a drain. - 特許庁

反転入力端子ａ及び非反転入力端子ｂより入力された電圧差に基づいて、トランジスタＴｒ８のドレインからトランジスタＴｒ９のドレインへ電流が流れ、また、トランジスタＴｒ１０のドレインからトランジスタＴｒ１１のドレインへ電流が流れる。例文帳に追加

Based on the difference between voltages inputted from an inverted input terminal (a) and a noninverted input terminal (b), currents flow from the drain of a transistor Tr8 to the drain of a transistor Tr9 and from the drain of a transistor Tr10 to the drain of a transistor Tr11. - 特許庁

多段増幅回路５０内のトランジスタＱＮ１に流れるドレイン電流Ｉｄ１とトランジスタＱＮ２に流れるドレイン電流Ｉｄ２とは、電流調整回路６０によりそれぞれ異なった電流値とすることができる。例文帳に追加

A current adjustment circuit 60 makes the drain current Id1 that flows to a transistor QN1 and the drain current Id2 that flows to a transistor QN2 in the multistage amplifier circuit 50 current values different from each other. - 特許庁

このとき、ＭＯＳトランジスタＴ３のドレイン電流が定電流源９から流れる電流によって決まるため、ＭＯＳトランジスタＴ１のゲート電圧がこのドレイン電流に応じた値となるようにリセットされる。例文帳に追加

Since the drain current of the MOS TR T3 is determined by a current flowing from the constant current source 9, the gate voltage of the MOS TR T1 is reset so as to be a value corresponding to the drain current. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタ１４，１６は電流ミラー回路を形成し、電流ミラー回路にドレイン電流Ｉを供給する。例文帳に追加

A current mirror circuit is formed of PMOS transistors 14 and 16, and the drain currents I are supplied to the current mirror circuit. - 特許庁

電流方向検出回路１０は、スイッチングトランジスタＭ２のソース端とドレイン端との間に流れる電流の電流方向を検出する。例文帳に追加

A current direction detection circuit 10 detects a current direction of a current flowing between a source end and a drain end of a switching transistor M2. - 特許庁

この発振器ＯＳＣ１の制御電流Ｉ１と等しい電流がｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のドレイン電流Ｉ３として流れる。例文帳に追加

Current equivalent to control current I1 of the oscillator OSC1 is caused to flow as drain current I3 of an n type MOS transistor Q2. - 特許庁

ドレイン電流のオン／オフ比が高く維持されつつ、光電流とオフ電流が十分に小さい薄膜トランジスタを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor having sufficiently small optical current and off-current while keeping an on/off ratio of a drain current high. - 特許庁

これにより、ドレイン電流ＩD が参照電流Ｉｒに相当するクランプ電流ＩD(CL)にクランプされる。例文帳に追加

Consequently, the drain current ID is clamped to a clamp current ID(CL) corresponding to a reference current Ir. - 特許庁

ドレインに接続された負荷の負荷電流を開閉するパワーＭＯＳＦＥＴと、電流検出の基準となる定電流の供給をドレインに受けるＭＯＳＦＥＴとをソース共通、ドレイン共通に接続してカレントミラー回路を構成する。例文帳に追加

A power MOSFET for switching on and off a load current of a load connected to the drain, and a MOSFET for receiving a fed constant current at the drain as a reference for detecting the current, are wired in the source-common and drain-common connection to form a current mirror circuit. - 特許庁

第２のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン電流Ｉ_OUT1と、前記第３のＭＯＳＦＥＴ３のドレイン電流と第４のＭＯＳＦＥＴ４のドレイン電流の合計値Ｉ_OUT2が等しくなるときに、前記トランジスタ回路の出力電圧Ｖ_OUTから温度を検知する。例文帳に追加

When a drain current I_OUT1 of a second MOSFET 2 and a sum value I_OUT2 of a drain current of a third MOSFET 3 and a drain current of a fourth MOSFET 4 is equal to each other, temperature is detected on the basis of an output voltage V_OUT of a transistor circuit. - 特許庁

一方のソース／ドレイン電極１４の絶縁膜１６側表面から半導体層１４を介して他方のソース／ドレイン電極１４にドレイン・オフ電流が流れることを防止する。例文帳に追加

A drain off current is prevented from flowing from the insulating film 16 side surface of one source-drain electrode 14 to the other source-drain electrode 14 through the semiconductor layer 15. - 特許庁

パッド１０から第１ドレイン電極１４にＥＳＤ信号が印加されると、第１ドレイン電極１４から素子分離トレンチ１８を経由して第２ドレイン電極６にＥＳＤ電流が流れる。例文帳に追加

When an ESD signal is applied from the pad 10 to the first drain electrode 14, the ESD current flows to the second drain electrode 6 from the first drain electrode 14 through the element separation trench 18. - 特許庁

ドレイン電圧が上昇すると、ツエナーダイオードが降伏し、コンデンサーの容量が加わり、ドレイン電流とドレイン電圧は低速に変化し、サージ電圧が低く抑えられる。例文帳に追加

When the drain voltage increases, the Zener diode surrenders, the capacitance of the capacitor is added and the drain current and the drain voltage vary at a low speed, thereby suppressing the surge voltage low. - 特許庁