「AlD」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an apparatus for growing a thin film on a substrate by an ALD process.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスによって基板上に薄膜を成長させるための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

A first film is formed by ALD method first and thereafter, a second film is formed by MOCVD method.例文帳に追加

初めにＡＬＤ法により第１の膜を形成し、その後でＭＯＣＶＤ法により第２の膜を形成する。 - 特許庁

To provide a precursor containing no chlorine for CVD or ALD of metal silicate or oxide.例文帳に追加

金属ケイ酸塩又は酸化物のＣＶＤ又はＡＬＤのための塩素を含まない前躯体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film wherein oxygen shortage scarcely occurs when an oxide film is formed by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。 - 特許庁

IN-SITU HYBRID DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM USING ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)例文帳に追加

原子層堆積（ＡＬＤ）法及び化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積 - 特許庁

To improve uniformity and reproducibility when a film layer is deposited by using an ALD reactor or a CVD reactor.例文帳に追加

ＡＬＤ反応器またはＣＶＤ反応器で膜層を堆積させる場合の均一性と再現性を改良する。 - 特許庁

A method for depositing thin film, such as by ALD or CVD, using such a compound, is also provided.例文帳に追加

かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 - 特許庁

To provide a precursor which can deposit at low temperature via CVD, ALD or other processes for forming films containing silicon oxide or silicon nitride.例文帳に追加

酸化ケイ素又は窒化ケイ素をＣＶＤやＡＬＤなどのプロセスにより、低温で堆積できる前駆体を提供する。 - 特許庁

The insulative film 16 is formed by ALD method, thereby stabilizing filter characteristics and improving the reliability.例文帳に追加

絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method wherein an ALD gives superior conformality, film formation speed, and uniformity in comparison with a CVD.例文帳に追加

ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a film deposition method which can deposit a silicon nitride film with better film quality than in the past by ALD.例文帳に追加

ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the processor starts ALD operation and outputs a control voltage enough to provide a predetermined fixed attenuation level to a VAT controller.例文帳に追加

そして、ＡＬＤ動作を開始して、所定の固定減衰量となるような制御電圧をＶＡＴ制御部に出力する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING AMORPHOUS NIO THIN FILMS BY ALD PROCESS AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＡＬＤ工程による非晶質ＮｉＯ薄膜の製造方法、及び該非晶質ＮｉＯ薄膜を利用した不揮発性メモリ素子 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of efficiently depositing a film without necessitating frequent maintenance of a film deposition chamber, in vacuum film deposition by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供する。 - 特許庁

IMPROVEMENT OF SUPER OIL REPELLENCY THROUGH MULTISCALE ROUGHNESS BY ALD/CVD TECHNIQUE IN INKJET APPLICATIONS AND DECREASE OF ADHESIVENESS例文帳に追加

インクジェット用途においてＡＬＤ／ＣＶＤ技術によるマルチスケールの粗さを介して超撥油性を高め、粘着を減少させること - 特許庁

TI, TA, HF, ZR AND RELATED METAL SILICON AMIDES FOR ALD/CVD OF METAL-SILICON NITRIDE, SILICON OXIDE OR SILICON OXYNITRIDE例文帳に追加

金属−窒化ケイ素、酸化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のＡＬＤ／ＣＶＤ用のＴｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及び関連する金属のケイ素アミド - 特許庁

A processor generates transition of internal state by changing the ALC state to the ALD state, even in the protection period when state transition to the ALD state from the ALC state should not be generated, if an impressed output optical level is lower than the threshold level of ALC transition read from a memory.例文帳に追加

プロセッサは、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移が行われない保護期間中であっても、入力した出力光レベルが、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を切り替えて遷移させる。 - 特許庁

The method comprises a process that contacts an exposed copper surface with a gaseous compound comprising a noble metal, and a process that selectively forms a noble metal layer on the exposed copper surface by a copper substitution reaction or a noble metal selective depositing (for example, ALD or CVD).例文帳に追加

当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

Using a vacuum flow rate control valve dealing with ALD composed of the main valve 1 for operating the opening and closing of a valve member 15 via a valve shaft 20 by a valve driving mechanism part 4 and a butterfly valve 2 fitted to the main port 11 of the main valve, a film deposition operation by ALD is performed.例文帳に追加

弁駆動機構部４により弁シャフト２０を介して弁部材１５を開閉操作する主弁１と、主弁のメインポート１１に付設したバタフライ弁２によって構成されたＡＬＤ対応真空流量調整バルブを用いて、ＡＬＤによる成膜操作を行う。 - 特許庁

To meet the needs of thin film and to achieve a high deposition rate by improving the shortcomings of conventional CVD method and ALD method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。 - 特許庁

To supply a solid film deposition material stably in such a state that the solid film deposition material can be used in conventional film deposition method, e.g. CVD or ALD.例文帳に追加

固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。 - 特許庁

To improve a film forming speed while maintaining good film quality and uniformity, when using an ALD method as a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法としてＡＬＤ法を用いる際に、良好な膜質、均一性を維持しつつ、成膜速度を向上させる。 - 特許庁

To provide synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process.例文帳に追加

本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。 - 特許庁

The thickness of the head gap fill layer formed by the ALD method is in the range from about 5 nm to 100 nm, more preferably from about 10 nm to 40 nm.例文帳に追加

ＡＬＤ−形成されたヘッドギャップフィルレイヤーの厚みは、約５ｎｍ〜１００ｎｍの間、好ましくは約１０ｎｍ〜４０ｎｍの間である。 - 特許庁

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like.例文帳に追加

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method using fixed limited amount of MBTH in order to detect a fixed participation amount (POI) of aldehyde(ALD) in a sample.例文帳に追加

サンプル中の一定関与量（ＰＯＩ）のアルデヒド（ＡＬＤ）を検出するため、一定制限量のＭＢＴＨを用いる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method where, at the time of depositing a metal-containing thin film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, the film deposition rate can be increased.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To apply atomic layer deposition (ALD) methods to various film formations to improve throughput, and to miniaturize a device simultaneously.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。 - 特許庁

To provide a technique capable of stably obtaining a thin film of high quality restraining impurities from being mixed into the film or defects from occurring in the film in an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ法において、不純物の混入や膜の欠陥を抑制し、良好な膜質の薄膜を安定的に得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide an ALD(Atomic Layer Deposition) thin film vapor deposition apparatus provided with a cleaning apparatus by which dry cleaning is efficiently performed, and after the cleaning, thin film vapor deposition can easily be performed.例文帳に追加

効率良く乾式クリーニングし、クリーニング後、薄膜蒸着が容易に行えるクリーニング装置を備えたＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a structure for feeding a vaporized reactant to a vapor phase deposition reactor such as an atomic layer deposition (ALD) reactor from a liquid source.例文帳に追加

液体ソースから原子層堆積（ＡＬＤ）反応炉などの気相堆積反応炉に気化反応物を供給する方法および構造を提供すること。 - 特許庁

A plurality of cycles of a second ALD process is sequentially conducted to deposit a layer of a second material on the layer of the first material in the deposition chamber.例文帳に追加

第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

A self-selecting storage device is formed by depositing a zinc oxide (ZnO) over a phase-change material through the use of atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ）を使用して、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を層変化材料の上に堆積させることで、自己選択型記憶デバイスが形成される。 - 特許庁

A method is disclosed that uses a low temperature atomic layer deposition (ALD) process to manufacture an Sr_xTi_yO_3 based metal-insulator-metal (MIM) capacitor.例文帳に追加

低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。 - 特許庁

During the ALD treatment time, the feedback control to match the valve opening of the conductance valve 22 is matched with the reference value is performed by the pressure control unit 24.例文帳に追加

そして、ＡＬＤ処理時間中は、圧力制御部２４でコンダクタンスバルブ２２のバルブ開度を基準値に一致させるためのフィードバック制御を行う。 - 特許庁

To provide a dielectric substance forming method using an atomic layer deposition method (ALD) and a method for forming the dielectric film from the dielectric substance on the semiconductor device.例文帳に追加

原子層蒸着法を利用して誘電物質を形成する方法及び半導体装置上に物質から誘電膜を形成する方法を開示する。 - 特許庁

In formation of a capacity extending over a capacity part, a capacity contact part, and a cell contact part, a sputtering device using the ALD method, for example, should preferably be used.例文帳に追加

なお、容量部、容量コンタクト部およびセルコンタクト部にまたがる容量の形成には、ＡＬＤ法などによるスパッタ装置を用いることが好ましい。 - 特許庁

By now growing this seed layer with atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD), a high quality layer can be grown.例文帳に追加

ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, the vapor phase precursors and reaction solvents are pulsed into a deposition chamber to assure ALD film growth of predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

When ALD (atomic layer deposition) film-forming treatment starts, a source-gas-supplying section 40 alternately switches an operation mode between a source-gas-supplying mode and a source-gas-charging mode.例文帳に追加

ＡＬＤ成膜処理が開始されると、原料ガス供給部４０は、原料ガス供給モードと原料ガス充填モードとを交互に切り換える。 - 特許庁