「AlD」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

When the process for producing a thin film of metal oxide utilizing CVD or ALD is employed, a thin film having a fine structure is formed and thereby a thin film can be obtained with a small leak current.例文帳に追加

また本発明によるＣＶＤまたはＡＬＤを利用した金属酸化物薄膜の製造方法を使用すれば、微細構造を有する薄膜が成長するために漏れ電流の低い薄膜を得ることができる。 - 特許庁

Subsequently, ALD processing is performed continuously on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film subjected to plasma nitriding so that the surface is not exposed to the atmosphere, and a silicon nitride film is deposited thereon (step S3).例文帳に追加

そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。 - 特許庁

To provide an improved process where, using an ALD process, a tungsten-containing material having satisfactory uniformity, hardly having contamination or having no contamination at all, and also having high electrical conductivity, i.e., low resistivity.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a thin film wherein the purge efficiency in the thin film forming process according to ALD method is increased to be able to prevent the remaining of a raw material gas and an oxidizing gas and to reduce the purge time.例文帳に追加

ＡＬＤ法による薄膜形成工程のパージ効率を高めることで、原料ガスおよび酸化性ガスの残留を防ぐとともに、パージ時間を短縮可能な薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Using the iridium-containing film deposition material as the raw material, an iridium-containing film is produced by a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, an ALD (Atomic Layer Deposition) process, a spin coating process or the like.例文帳に追加

このイリジウム含有膜形成材料を原料として、ＣＶＤ法、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：ＡＬＤ法）、スピンコート法などによりイリジウム含有膜を製造する。 - 特許庁

To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加

阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁

After the deposition of the amorphous hafnium oxide by ALD method, the amorphous hafnium oxide is re-oxidized by an oxygen radical generated by low temperature remote plasma, etc., to obtain an amorphous hafnium oxide film having little dopant.例文帳に追加

ＡＬＤ法により堆積させた後、低温リモートプラズマなどで生成される酸素ラジカルにより再酸化させることにより、非晶質で、不純物の少ない酸化ハフニウム膜を実現することが可能である。 - 特許庁

Since a nonmagnetic layer 15 with uniform thickness is deposited by an ALD method between the distal end part 40A and the two side shields 18R and 18L, spaces SR and SL are constant irrespective of positions.例文帳に追加

先端部４０Ａと２つのサイドシールド１８Ｒ，１８Ｌとの間に、ＡＬＤ法により形成された均一な厚さの非磁性層１５が設けられているため、間隔ＳＲ，ＳＬは位置によらずに一定である。 - 特許庁

In the ALD technique, the steps constituted under different conditions such as a "gas supplying/adsorbing step", a "purge step", a "gas supplying/reacting step", and the "purge step", are sequentially repeated multiple times for a growing face to obtain a desired film thickness.例文帳に追加

ＡＬＤ手法では、成長面に対し順次「気体供給・吸着過程」、「パージ工程」、「気体供給・反応過程」、及び「パージ工程」の如く、異なる条件から成るステップを複数回繰り返し所望の膜厚を得る。 - 特許庁

The substrate processing device hermetically connects a film deposition device 101 for performing ALD and a heat treatment device 102 for performing annealing treatment to a vacuum transfer chamber 103, and is provided with a rotating stage 132 as a revolution mechanism in the vacuum transfer chamber 103.例文帳に追加

ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。 - 特許庁

In the film forming apparatus, film formation is performed by atomic layer deposition by outputting precursor gases 10A and 10B to a base material 20 by a plurality of ALD heads 11A and 11B, while conveying the base material 20 by using a plurality of guide rolls 13 and 14.例文帳に追加

複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。 - 特許庁

To improve the within-wafer uniformity of the density of active species and ions supplied to the surface of a substrate and increase the amount of the active species and ions supplied to the surface of the substrate, when carrying out a substrate processing step by an ALD method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a precursor and a method for producing a Hf-based oxide gate insulation film by using the precursor, by specifying the precursor having little Zr content and physically and economically suitable for an ALD (Atomic Layer Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＡＬＤやＣＶＤ用として、物性的にも経済的にも好都合な、Ｚｒの少ないプリカーサーを特定し、その製造方法とそのブリカーサーを用いたＨｆ系酸化物ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The hafnium silicate film is formed by the ALD method by combining Hf[N(CH_3)_2]_4 and Si(OCH_3)_4 which are compounds each having a small particle size, sufficient steam pressure at a low temperature, and high reactiveness with water.例文帳に追加

分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４とＳｉ（ＯＣＨ_３）_４の組み合わせによって、ＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.例文帳に追加

圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁

When SiH_2Cl_2 and NH_3 are used to form an Si_3N_4 film, the SiH_2Cl_2 and NH_3 excited by plasma or the like are allowed to flow alternately in a first step, and a thin Si_3N_4 film is formed on a base film by ALD method.例文帳に追加

ＳｉＨ_2Ｃｌ_2とＮＨ_3とを用いてＳｉ_3Ｎ_4膜を形成する際、第１ステップではＳｉＨ_2Ｃｌ_2とプラズマ等で励起したＮＨ_3とを交互に流し、ＡＬＤ法により下地膜上に薄いＳｉ_3Ｎ_4膜の成膜を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of achieving homogeneous filming over the entire surface of a wafer or the whole cylinder by controlling flows of gas by steps and improving coating property of a high-aspect structure in an atom layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法において、各ステップ毎にガスの流れを制御し高アスペクト構造での被覆性を向上させ、均質な成膜をウエハ全面及びシリンダー全体で得ることができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁

The second chemically reactive precursor dose amount may likewise be insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer or, alternatively, sufficient to result in a starved saturating deposition on the wafer.例文帳に追加

第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。 - 特許庁

A manufacturing method of the elastic wave device includes a process where the comb-shaped electrode 12 is formed on the piezoelectric substrate 10 and a process where the insulative film 16 including aluminum oxide is formed on the surface of the comb-shaped electrode 12 by using ALD method.例文帳に追加

圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 特許庁

The purge step after feeding a raw material gas and a reactive gas is composed of a vacuum purge and a gas purge steps, and a dielectric is formed by an ALD film forming method consisting of a gas flow sequence of more divided reactive gas feed steps.例文帳に追加

原料ガスおよび反応ガス供給後のパージステップを真空パージとガスパージの２段階パージとし、且つ、反応ガス供給ステップをさらに細分化したガスフローシーケンスからなるＡＬＤ成膜法により誘電体を形成するようにした。 - 特許庁

The ALD-SiN film 3 is used in a stopper, and the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9 is alternatively removed by etching from the clearance of the oscillating beam 13a, thereby forming a space (a) under the oscillating beam 13a.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３をストッパに用いて振動ビーム１３ａの隙間から第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム１３ａの下方に空間部ａを形成する。 - 特許庁

The method is used in a test for a solution or a solid phase such as a nylon film, and the later method may be used in measurement by a device or tool such as a color reader, and in combination of another ALD testing means and a pH testing means.例文帳に追加

この方法は溶液又はナイロン膜等の固相での試験、また後者の方法は色読取装置等の装置又は器具による測定、更に別のＡＬＤ試験手段及びｐＨ試験手段との組み合わせにおいて使用することもできる。 - 特許庁

The film forming method using the atomic layer deposition (ALD) method is characterized in that a liquid raw material composed of an organic metal compound is directly jetted into a film forming chamber 2 holding a substrate W therein by a liquid raw material jetting valve 41.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 - 特許庁

To perform film deposition processing with high in-plane uniformity in an ALD in which a plurality of semiconductor wafers are arranged along the circumferential direction of a table in a vacuum chamber and two reactant gases are sequentially supplied to the surface of the substrates for film deposition.例文帳に追加

真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。 - 特許庁

ALD bar alley 2 is emitted by a pulse current more than several times of a rated continuous current, the laser beam linearly emitted is converged by a cylindrical lens 8, a flat plate 20 of an object to be worked is irradiated with the laser beam as a linear beam converging spot 10.例文帳に追加

ＬＤバーアレイ２を定格連続電流の数倍以上のパルス電流によって発光させ、ライン状に出射されるレーザー光をシリンドリカルレンズ８によって集光して被加工物である平板２０にライン状集光スポット１０として照射する。 - 特許庁

The method for producing a hydrogen generating agent includes a step of molding a body 1 of the hydrogen generating agent, and a step of adding a specific metal oxide 2 to the body 1 of the hydrogen generating agent using an ALD (atomic layer deposition) method or an LPD (liquid phase deposition) method before the molding step.例文帳に追加

水素発生剤の主体１を成型する工程と、前記成型する工程の前に、ＡＬＤ法またはＬＰＤ法を用いて、水素発生剤の主体１に特定の金属酸化物２を添加する工程とを含む水素発生剤の製造方法。 - 特許庁

To solve the problem that the reliability of a dielectric formed on the pore bottom more reduces as pores for capacitors, etc. are more fined and deepened on a semiconductor substrate in an ALD film forming process using a longitudinal batch processor advantageous in improving the throughput.例文帳に追加

スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。 - 特許庁

A method of manufacturing a metal oxide film on a substrate using the ALD method includes a process of bonding a monomolecular layer of not more than one gas metal compounds onto a growth substrate, and a process of converting the bonded metal compounds into metal oxides.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって基板上に金属酸化物薄膜を製造する方法は、成長基板に約１つを超えない気体金属化合物の単分子層を結合させる工程と、結合した金属化合物を金属酸化物に変換する工程とを含む。 - 特許庁

In the ALD, supply ratios of TEMAZ and TEMASiH supplied at the same time are controlled by an Ar gas flow ratio, heating temperature or the like to form a metal silicon nitride film of resistivity in accordance with the supply ratios as a resistor thin film.例文帳に追加

ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 - 特許庁

To provide a film deposition operating method where, as a vacuum flow rate control valve is used in opening/closing in which the number of operations is reduced for retaining a vacuum in a chamber, vacuum pressure control in the chamber can be performed at high frequency and high velocity for ALD (atomic layer deposition) film deposition.例文帳に追加

真空流量調整バルブをチェンバーの真空維持のために作動回数の少ない開閉で使用しながら、ＡＬＤ成膜のために、高頻度、高速でチェンバー内の真空圧力調整を行うことを可能にした成膜操作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method of a thin insulating film having preferred characteristics with a low flatband voltage and a low interface state by employing an ALD method having a first step for depositing silicon atoms and a second step for nitriding the silicon atoms.例文帳に追加

絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The interconnection structure of the invention has improved technical extensibility for semiconductor society compared with the interconnection structure of the prior art in which a barrier material is formed by a conventional PVD process, conventional ionized plasma deposition, CVD, or ALD.例文帳に追加

本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。 - 特許庁

The method has a step of forming a high dielectric film using an organic metal material on a substrate 1 at ≤350°C using an ALD or CVD method, and a step of irradiating the high dielectric film with an ultraviolet ray in a low-pressure oxygen-containing atmosphere to desorb the hydrogen in the film.例文帳に追加

基板１上に有機金属原料を用いて３５０℃以下の温度でＡＬＤまたはＣＶＤにより高誘電体膜を成膜する工程と、低圧の酸素含有雰囲気で高誘電体膜に紫外線を照射して膜中の水素を脱離させる工程とを有する。 - 特許庁

In the gas barrier film alternately having barrier layers which consist of much more inorganic substance at least, and organic layers much more at least on a plastic plate; at least one layer of the barrier layers is a gas barrier film formed by the atomic layer depositing method (the Atomic Layer Deposition: ALD method).例文帳に追加

プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ法）によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

To provide a dense, low-resistive metal film having a smooth film surface at a low temperature in such a manner that its quality is made better compared with a titanium nitride film formed by a CVD method and the film deposition rate is made higher compared with a titanium nitride film formed by an ALD method, i.e., at high productivity.例文帳に追加

低温にて膜表面が滑らかであって緻密な抵抗率の低い金属膜を、ＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質とし、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供する。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

A pinhole is hardly generated, even when a film thickness of the metal base layer is set thinly, to enhance a production efficiency of the heat-resistant resin film with the metal base layer, since the metal base layer is formed on the metal seed layer free from the pinhole film-formed by the ALD method, according to the above method.例文帳に追加

この方法によれば、ＡＬＤ法により成膜されたピンホールのない金属シード層上に金属ベース層を形成しているため、金属ベース層の膜厚を薄く設定してもピンホールが生じ難く金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造効率の向上が図れる。 - 特許庁

Further, it is confirmed that the communication-disturbing agent which is prepared as a mixture, by mixing 6 mg of the E4,Z6-16:Ald into 100 mg of the E4,Z6-16:OAc, and comprises a two-component system is extremely improved in a communication-disturbing effect, when compared with that of a one-component system.例文帳に追加

そして、１００ｍｇのＥ４，Ｚ６−１６：ＯＡｃに対し、６ｍｇのＥ４，Ｚ６−１６：Ａｌｄを混合した混合物を作成し、交信攪乱剤を二成分系とすることにより、一成分系と比べ、交信攪乱効果が著しく向上することが確認された。 - 特許庁

In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加

電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁

The barrier film is constructed by forming a TiN film with an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a film selected from those of Ti, Ru, and Co, or an alloy film including at least two out of those is stacked on the TiN film surface with a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 - 特許庁

The titanium oxide film of rutile crystal structure is obtained by forming an amorphous titanium oxide film on an amorphous zirconium oxide film by ALD method by using methyl cyclopentadienyl tris dimethylamino titanium as a titanium precursor, and then annealing the amorphous titanium oxide film at a temperature of 300°C or higher thereby crystallizing.例文帳に追加

非晶質の酸化ジルコニウム膜上に、チタンプリカーサとしてメチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いてＡＬＤ法により非晶質の酸化チタン膜を形成し、３００℃以上の温度でアニールして結晶化することでルチル結晶構造を有する酸化チタン膜が得られる。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

On the high dielectric layer HK1, an oxygen supply layer HK2, which is made of hafnium oxide deposited by an ALD method and is thinner than the high dielectric layer HK1, is formed, a cap layer CL made of tantalum nitride is formed, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated.例文帳に追加

次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 - 特許庁