「AlD」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁

After forming a groove 12 in the insulating layer 11 formed on a semiconductor substrate 10, a barrier metal layer 13 is formed on the insulating layer 11 by an ALD method to cover the side faces and the bottom face of the groove 12, and impurity layers 14, 17 are formed on the surface thereof according to an ion implantation method or ALD method.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a hafnium silicate film by an ALD method by supplying and using a material particularly required by the ALD method which has high steam pressure and a small particle size, and readily reacts with an oxygen supply source or a silicon supply source.例文帳に追加

ＡＬＤ法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法に関し、ＡＬＤ法用の原料として特に求められている、蒸気圧が高く、分子サイズが小さく、酸素供給源やケイ素供給源と反応しやすい原料を提供し、且つそれを用いてＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, a vapor phase precursor solution and a reaction solution are alternately pulsedly-supported into a deposition chamber to grow an ALD film of a predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a metal complex having properties suitable for precursors of CVD method and ALD method, especially, excellent melting point, heat resistance and solubility in organic solvents.例文帳に追加

ＣＶＤ法、ＡＬＤ法のプレカーサに適した性質を有し、特に、融点、耐熱性、有機溶剤への溶解性において、良好な金属錯体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Deposition is performed by an atomic layer deposition (ALD) process utilizing a first reactant provided during a first pulse period and a second reactant provided during a second pulse period.例文帳に追加

第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage in which an ALD film of the same composition can be formed on a member such as an electrode having a spacial configuration.例文帳に追加

立体構造を有する電極などの部材上に、組成の同じＡＬＤ膜を形成することの可能な半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加

蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is deposited by the atomic layer deposition (ALD) method, capable of reducing contamination of a substrate due to Na.例文帳に追加

ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices, which forms a film by an ALD method and which can reduce contamination of a substrate with Na.例文帳に追加

ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of cycles of a first atomic layer deposition (ALD) process is sequentially conducted to deposit a layer of a first material on the substrate in the deposition chamber.例文帳に追加

第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

Each of the ALD heads 11A and 11B is disposed so as to individually face the guide roll 13 so that the precursor gases 10A and 10B are locally output to the base material 20.例文帳に追加

各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。 - 特許庁

To achieve a new-type raw gas supply that does not degrade the quality of a thin film formed on a substrate, as has been often the case with a conventional device, when forming a film through ALD.例文帳に追加

ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a metal-containing layer having uniform, conformal thickness and smooth surfaces by ALD (atomic layer deposition) process using specific metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress plasma damage caused on a substrate when reaction products are laminated on a surface of the substrate by the ALD method and plasma modification is conducted to the reaction products.例文帳に追加

ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。 - 特許庁

A metal atomic layer and an oxygen atomic layer are formed in this sequence through an ALD method and subjected to quick thermal annealing through an RTA (Rapid Thermal Annealing) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法により、金属原子層、酸素原子層をこの順で形成した後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）による急速熱アニールを行う。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a film forming method capable of utilizing an ALD (Atomic Layer Deposition) process at high productivity without using a high speed switch valve, and capable of cleaning in a chamber.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

At that time, the ALD method and the MOCVD method are continuously carried out essentially at the same substrate temperature in one and the same film formation apparatus without being exposed to the air in the middle of the process.例文帳に追加

その際、ＡＬＤ法とＭＯＣＶＤ法とを連続して、同一の成膜装置中において、途中で大気に露出することなく、実質的に同一の基板温度で実行する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD).例文帳に追加

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a precursory raw material mixture useful for CVD and ALD, to provide a method for growing a film by using the same and to provide a method for forming an electronic device having the same film incorporated therein.例文帳に追加

ＣＶＤ及びＡＬＤに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。 - 特許庁

TERT-AMYLIMIDO-TRIS(DIMETHYLAMIDO)-NIOBIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, RAW MATERIAL SOLUTION FOR ALD USING THE SAME AND METHOD FOR FORMING NIOBIUM NITRIDE FILM OR NIOBIUM OXIDE FILM BY USING THE SAME例文帳に追加

ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）ニオブとその製造方法及びそれを用いたＡＬＤ用原料溶液並びにそれを用いた窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。 - 特許庁

Even when gas fed in the treatment container 10 in the ALD cycle is changed by the unit of several seconds, the exhaust conductance is kept constant, and the process pressure can be maintained stably.例文帳に追加

これにより、ＡＬＤサイクルで処理容器１０に送り込まれるガスが数秒単位で切り換わっても排気コンダクタンスを一定に保持し、プロセス圧力を安定に維持することができる。 - 特許庁

The MBTH reacts with the ALD to form an azine, and the MBTH is oxidized to another kind of substance, only when the MBTH is remained, to form a formazane by coupling with the azine.例文帳に追加

ＭＢＴＨはＡＬＤと反応してアジンを形成し、ＭＢＴＨが残る場合のみＭＢＴＨは酸化されて別種類の物質になり、アジンと結合してフォルマザンを形成する。 - 特許庁

Thus, when various reactants used in the ALD process are discontinuously exhausted from the reaction part, the contact of the different reactants within the exhaust routes can effectively be prevented.例文帳に追加

これにより、ＡＬＤ過程に使われる色々な反応物質が断続的に反応部から排気されるとき、排気経路内で異なる反応物質が接触することを効果的に防止できる。 - 特許庁

The amorphous hafnium oxide is formed by so-called ALD method wherein, after low temperature adsorption of vapor phase reaction products in sequence, the vapor phase reaction products are deposited by low temperature oxidation.例文帳に追加

非晶質酸化ハフニウムは、気相反応物を順次に下部電極１４上に低温吸着後、低温酸化することにより堆積させる方法、いわゆるＡＬＤ法で形成される。 - 特許庁

To provide a titanium precursor which excels in reactivity with a reactant suitable for a CVD method, an ALD method or the like, especially with an oxidant, and in which the improvement in film formation speed and the low-temperature thin film become possible.例文帳に追加

ＣＶＤ法、ＡＬＤ法等に好適な反応剤、特に酸化剤との反応性に優れ、成膜速度向上及び低温薄膜化が可能となるチタニウムプレカーサを提供すること。 - 特許庁

To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.例文帳に追加

熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第１の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法によりテトラクロロシラン単分子層１層からなる第２の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層１層からなる第３の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In an integrated circuit, a method of forming the layer of the high-κ dielectric material includes a step of preparing a silicon substrate, a step of depositing a first metal oxide layer by an ALD which uses a metal nitrate precursor, a step of depositing another metal oxide layer by an ALD which uses a metal chloride precursor, and a step of completing the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路において、高κ誘電材料の層を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、硝酸金属前駆物質を用いるＡＬＤを用いて第１の金属酸化物の層を堆積する工程と、塩化金属前駆物質を用いるＡＬＤを用いて他の金属酸化物の層を堆積する工程と、集積回路を完成させる工程とを含む。 - 特許庁

In the film deposition method, an interlayer insulating film for insulating a reading head and a writing head from each other which are provided in a layer in a head of a hard disk or the like by the ALD method.例文帳に追加

成膜方法では、ＡＬＤ法によって、ハードディスク等のヘッドにおいて層状に設けられた読出し用ヘッドと書込み用ヘッドとの間を絶縁するための層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a metal oxide thin film deposition method capable of generating various kinds of metal oxide thin films, in particular, compound metal oxide thin films consisting of metals of different kinds by using the ALD (Atomic Layer Deposition)method without affecting the film deposition speed.例文帳に追加

成膜速度に影響を及ぼすことなく、多種の金属酸化物薄膜、特に異なる種類の金属からなる複合金属酸化物薄膜をＡＬＤ法を利用して生成する。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate.例文帳に追加

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition device that deposit a film of good quality on a substrate even when the film is deposited on the substrate by at a temperature of ≤200°C by applying an ALD method.例文帳に追加

２００℃以下の温度で、ＡＬＤ法を適用して基板上に膜を形成する場合であっても、基板上に良質な膜を生成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

Metal alkylamide (TEMAZ) and silicon alkylamide (TEMASiH) are used as a metal precursor and a silicon precursor, respectively, and the precursors are supplied to a reaction vessel 103 at the same time to perform ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a titanium amide complex (3) useful for manufacturing a titanium-containing thin film by a CVD method, an ALD method or the like from an easily available raw material simply in a good yield.例文帳に追加

チタン含有薄膜をＣＶＤ法やＡＬＤ法などにより製造するために有用なチタンアミド錯体（３）を、入手容易な原料から簡便に収率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Such precursors are liquids at room temperature, and can be employed in vapor deposition processes such as ALD to form zirconium-containing films, e.g., high k dielectric films on microelectronic device substrates.例文帳に追加

そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a film quality equivalent to that when the process temperature is high even when the process temperature is low while allowing high speed and low temperature in a film deposition process, in the ALD deposition process utilizing plasma.例文帳に追加

プラズマを利用して行うＡＬＤ成膜処理につき、成膜プロセスの高速化と低温化とを両立させつつ、プロセス温度が低温の場合でも高温の場合と同等の膜質が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a surface structure capable of preventing residual impurity in vacuum, in particular, remaining water molecules from being produced, while keeping acid resistance and heat resistance, in a vacuum processing chamber, such as an ALD apparatus or a CVD apparatus.例文帳に追加

ＡＬＤ装置やＣＶＤ装置等などの真空処理室において、耐酸性や耐熱性を保ちながら、真空中の残留不純物、特に残留水分子の発生を防止した表面構造を提供する。 - 特許庁