「Blt」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FERROELECTRIC BLT FILM AND ITS MANUFACTURING PROCESS例文帳に追加

ＢＬＴ系強誘電体膜およびその製造方法 - 特許庁

This food called BLT; what's in it? 例文帳に追加

このＢＬＴという料理は、どんな材料なのですか。 - Tanaka Corpus

This food called BLT; what's in it?例文帳に追加

このＢＬＴという料理は、どんな材料なのですか。 - Tatoeba例文

To stabilize the frequency characteristics of an ultrasonic vibrator (BLT).例文帳に追加

超音波振動子（ＢＬＴ）の周波数特性を安定させる。 - 特許庁

BLT FERRODIELECTRIC THIN FILM CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＢＬＴ強誘電体薄膜キャパシタ及びその作製方法 - 特許庁

LANTHANUM COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING BLT FILM BY USING THE SAME例文帳に追加

ランタン錯体及びそれを用いたＢＬＴ膜の製造方法 - 特許庁

Driving voltage is applied from a drive circuit 61 to BLT parallel circuits 68 in which ultrasonic transducers (BLT) are connected parallel.例文帳に追加

ドライブ回路６１から、超音波振動子（ＢＬＴ）が並列に接続されてなるＢＬＴ並列回路６８に、駆動電圧を印加する。 - 特許庁

A shift word line SWL and a shift memory cell SMC are arranged so that the N type sense amplifier NSAt can amplify potential difference of the bit lines BLt, /BLt.例文帳に追加

Ｎ型センスアンプＮＳＡｔがビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔの電位差を増幅できるようにシフトワード線ＳＷＬ及びシフトメモリセルＳＭＣを設ける。 - 特許庁

BLT FERROELECTRIC THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFORE AND APPLICATION LIQUID THEREFOR例文帳に追加

ＢＬＴ系強誘電体薄膜とその作製方法とその為の塗布液 - 特許庁

The complementary bit line includes first and second bit lines BLT and BLB.例文帳に追加

相補ビット線は、第１ビット線ＢＬＴと第２ビット線ＢＬＢからなる。 - 特許庁

Also,with the Pmw.Blt interface to BLT, the busy, graph, stripchart, tabsetand vector commands are be available.The initial ideas for Pmw were taken from the Tk itclextensions [incr Tk] by Michael McLennan and [incrWidgets] by Mark Ulferts. 例文帳に追加

BLTに対するPmw.Bltインタフェースを持ち、busy、graph、stripchart、tabsetおよびvectorコマンドが利用できます。 Pmwの最初のアイディアは、Michael McLennanによるTk itcl拡張[incr Tk]とMark Ulfertsによる[incr Widgets]から得ました。 - Python

Bit line pre-charge circuits PCt, PCb pre-charging bit lines BLt, /BLt to ground voltage GND are arranged, and reference word lines RWLo, RWLe and a reference memory cell RMC are arranged so that potential difference is caused surely between bit lines BLt and /BLt when a word line WL is activated.例文帳に追加

ビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔを接地電圧ＧＮＤにプリチャージするビット線プリチャージ回路ＰＣｔ，ＰＣｂを設け、ワード線ＷＬが活性化されたときビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔ間に必ず電位差が生じるように参照ワード線ＲＷＬｏ，ＲＷＬｅ及び参照メモリセルＲＭＣを設ける。 - 特許庁

BLT FERROELECTRIC THIN FILM, COMPOSITION FOR FORMING THE SAME, AND PRODUCING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

ＢＬＴ強誘電体薄膜、その形成用組成物及び形成方法 - 特許庁

A bit line equalizer BLE equalizes the potential of the bit line pairs BLt and Blc.例文帳に追加

ビット線イコライザＢＬＥは、ビット線対ＢＬｔ，ＢＬｃの電位をイコライズする。 - 特許庁

Respective BLT elements 1 are fixed to the frame through a holding structure 20.例文帳に追加

それぞれのＢＬＴ素子１は、保持構造２０を介してフレームに取り付けられる。 - 特許庁

The BLT expressed by the following formula (1) is manufactured in the form of the thin film and the BLT very hardly causes fatigue phenomenon even if only metal electrodes are layered on the upper part and under part, and a capacitor having excellent reliability and large capacity can be manufactured from the BLT thin film.例文帳に追加

下記一般式（１）で表わされるＢＬＴは薄膜の形態で製造され、その上部及び下部に金属電極のみを積層しても疲労現象が極めて生じ難く、信頼性に優れ、かつ高い容量を有するキャパシタを製造することができる。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a sense amplifier SA, a pair of bit lines BLT, BLB, a transfer switch SW provided between the sense amplifier SA and the pair of bit lines BLT, BLB, a pre-charge circuit PC pre-charging the sense amplifier SA and the pair of bit lines BLT, BLB to the same potential, and a control circuit CTL.例文帳に追加

センスアンプＳＡと、ビット線対ＢＬＴ，ＢＬＢと、センスアンプＳＡとビット線対ＢＬＴ，ＢＬＢとの間に設けられたトランスファースイッチＳＷと、センスアンプＳＡとビット線対ＢＬＴ，ＢＬＢを同電位にプリチャージするプリチャージ回路ＰＣと、制御回路ＣＴＬとを備える。 - 特許庁

A sense amplifier S/A is connected to bit line pairs BLt and BLc to read/write data.例文帳に追加

センスアンプＳ／Ａは、データの読み／書きを行うためにビット線対ＢＬｔ，ＢＬｃに接続される。 - 特許庁

To lower a crystallization temperature of a BLT(Bi, La, Ti) ferroelectric thin film and further improve morphology.例文帳に追加

ＢＬＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。 - 特許庁

Selection of a write column is performed in the non- activation state of the sense amplifier 3, write data are written in the pair of bit lines BLt/BLc belonging to a selected column when the sense amplifier 3 is in a non-activation state.例文帳に追加

そして、書き込みカラムの選択をセンスアンプ３が非活性状態のときに行い、書き込みデータを選択されたカラムに属するビット線対BLt/BLcに、センスアンプ３が非活性状態のときに書き込む。 - 特許庁

Before attaching respective BLT elements 1 to the frame, the holding material 23 is made to rotate so that distances between the ultrasonic radiation plane 8 and the joining part 30 become uniform for the plurality of the BLT elements 1.例文帳に追加

各ＢＬＴ素子１をフレームへ取り付ける前に、保持部材２３を回転させ、超音波放射面８と前記接当部３０との間の距離を複数のＢＬＴ素子１で均一になるよう揃える。 - 特許庁

BLT ELEMENT, ULTRASONIC TRANSDUCER, HOLDING STRUCTURE THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF ULTRASONIC TRANSDUCER例文帳に追加

超音波送受波器、ＢＬＴ素子の保持構造、ＢＬＴ素子、及び超音波送受波器の製造方法 - 特許庁

During the reading operation, a potential higher than that of the first bit line BLT appears in the second bit line BLB.例文帳に追加

読み出し動作時、第２ビット線ＢＬＢには第１ビット線ＢＬＴよりも高い電位が現れる。 - 特許庁

To provide a simple structure which can make a height of an ultrasonic radiation plane 8 of each BLT (bolt-clamped langevin type) element 1 uniform in an ultrasonic transducer which is composed by installing a plurality of the BLT elements 1 to a frame.例文帳に追加

複数のＢＬＴ素子１をフレームに取り付けて構成される超音波送受波器において、各ＢＬＴ素子１の超音波放射面８の高さを均一にできる簡素な構成を提供する。 - 特許庁

A memory cell array 11 includes a bit line BL (BLT or BLN) to which a plurality of memory cells 21 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１は、複数のメモリセル２１が接続されたビット線ＢＬ（ＢＬＴ又はＢＬＮ）を有する。 - 特許庁

A first transistor TR2 is provided between a true node A of a SRAM memory cell 102 and the true bit line (BLT).例文帳に追加

第１トランジスタＴＲ２は、ＳＲＡＭメモリセル１０２の真ノードＡと真ビットライン（ＢＬＴ）の間に設けられる。 - 特許庁

The latch type sense amplifier 70 senses the complementary data based on potential difference of the complementary bit lines BLT, BLB.例文帳に追加

ラッチ型センスアンプ７０は、その相補ビット線ＢＬＴ，ＢＬＢの電位差に基づいて、相補データをセンスする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory element having a BLT ferroelectric film that can improve electric characteristics of a capacitor and can be crystallized at a relatively low temperature, and to provide a ferroelectric memory device.例文帳に追加

キャパシタの電気的特性を向上させることができ、比較的に低い温度で結晶化可能なBLT強誘電体膜を有する強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ultrasonic complex vibratory device which is compact and has a large capacity by installing a plurality of sets of bolting Langevin ultrasonic transducers (hereinafter referred to as "BLT") perpendicularly on a bending vibration disk face having a small amount of vibration loss.例文帳に追加

振動損失の少ない曲げ振動円盤面に垂直にボルト締めランジュバン型超音波振動子（以下「BLT」という）を複数組設置することにより、小形で大容量の超音波複合振動装置を提供すること。 - 特許庁

LYSW 20_1 to 20_4 perform connection control between bit lines (BLT/BLB) and local I/O lines (LIO).例文帳に追加

ＬＹＳＷ２０_1〜２０_4は、ビット線（ＢＬＴ／ＢＬＢ）とローカルＩ／Ｏ線（ＬＩＯ）との間を接続制御を行っている。 - 特許庁

The bootstrap circuit 3 controls the timing to drive the bit line BLt to the negative potential, based on a boost enable signal boost_en.例文帳に追加

ブートストラップ回路３は、ブーストイネーブル信号ｂｏｏｓｔ＿ｅｎに基づいてビット線ＢＬｔを負電位に駆動するタイミングを制御する。 - 特許庁

To provide a concentrated application liquid having a high concentration which does not deteriorate electrical properties of BLT ferroelectric thin films.例文帳に追加

ＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液を提供すること。 - 特許庁

A current detecting circuit 64 detects the current value flowing through the BLT parallel circuits 68 with the applied driving voltage.例文帳に追加

電流検出回路６４にて、駆動電圧の印加によりＢＬＴ並列回路６８に流れた電流値を検出する。 - 特許庁

The SRAM cell includes a first wordline wl_1, a second wordline wl_2, a first bitline blt and a second bitline blc.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルは、第１ワード線ｗｌ＿１と、第２ワード線ｗｌ＿２と、第１ビット線ｂｌｔと、第２ビット線ｂｌｃと、を含む。 - 特許庁

To provide a ferroelectric BLT film, in which crystal orientation to a direction of a film thickness is controlled, and its manufacturing process.例文帳に追加

膜厚方向に対する結晶配向性が制御されたＢＬＴ系強誘電体膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At timing when the potential of the replica bit line RBL reaches a predetermined value, the bootstrap circuit 3 drives the bit line BLt to the negative potential.例文帳に追加

ブートストラップ回路３は、レプリカビット線ＲＢＬの電位が所定の値となったタイミングでビット線ＢＬｔを負電位に駆動する。 - 特許庁

A driving voltage determining unit 76 determines the volume of the driving voltage to be applied to the BLT parallel circuits 68 so that the current value flowing through the BLT parallel circuits 68 are fixed at a prescribed value based on the result of detection of the current value by the current detecting circuit 64.例文帳に追加

駆動電圧決定部７６は、電流検出回路６４による電流値の検出結果に基づき、ＢＬＴ並列回路６８に流れる電流値が所定値で一定になるように、ＢＬＴ並列回路６８に印加する駆動電圧の大きさを決定する。 - 特許庁

As the current value flowing through the BLT parallel circuits 68 is nearly fixed, the output of the ultrasonic transducers can be nearly fixed.例文帳に追加

ＢＬＴ並列回路６８に流れる電流値がほぼ一定になるため、超音波振動子の出力をほぼ一定にすることができる。 - 特許庁

Not only common gates 11 and 12 are bent, but they are rotated with respect to the longitudinal direction of bit lines BLT and BLC by about 45 degrees.例文帳に追加

共通のゲート１１，１２が折り曲げられているだけでなく、ビットラインＢＬＴ，ＢＬＣの長手方向に対し約４５゜旋回されている。 - 特許庁

The solution for bismuth lanthanum titanate (BLT) thin film formation contains propylene glycol derivatives, titanium compounds, bismuth compounds and lanthanum compounds.例文帳に追加

プロピレングリコール誘導体、チタン化合物、ビスマス化合物およびランタン化合物を含有してなることを特徴とする、チタン酸ランタンビスマス（ＢＬＴ）薄膜形成用溶液。 - 特許庁

During read-out operation, after the complementary bit lines BLT, BLB are charged to the prescribed potentials by a pre-charge circuit 60, they are discharged in accordance with each of complementary data.例文帳に追加

読み出し動作時、相補ビット線ＢＬＴ，ＢＬＢは、プリチャージ回路６０によって所定の電位に充電された後に、相補データのそれぞれに応じて放電される。 - 特許庁

This memory device is provided with a pair of bit lines BLT/ BLB extending in a prescribed direction, a word line WL arranged to intersect with the pair of bit lines, and a memory cell 41 arranged between the pair of bit lines BLT/BLB and the word line WL and consisting of only two ferromagnetic capacitors 42a and 42b.例文帳に追加

このメモリ装置は、所定の方向に延びる１組のビット線対ＢＬＴ／ＢＬＢと、ビット線対ＢＬＴ／ＢＬＢと交差するように配置されたワード線ＷＬと、ビット線対ＢＬＴ／ＢＬＢとワード線ＷＬとの間に配置され、２つの強誘電体キャパシタ４２ａおよび４２ｂのみからなるメモリセル４１とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor storage device is equipped with the bit line pair BLT, the equalizing circuit 10 connected to a BLN, and a current limiting circuit 11 to supply the current to the equalizing circuit 10.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、ビット線対ＢＬＴ、ＢＬＮに接続されたイコライズ回路１０と、イコライズ回路１０に電流を供給する電流制限回路１１を備える。 - 特許庁

To provide a solution for bismuth lanthanum titanate (BLT) thin film formation in which coating characteristics are improved, thin film formation at a temperature as low as ≤700°C is made possible and an organic solvent having excellent operability and safety is used.例文帳に追加

塗布特性が良く、７００℃以下の低温での薄膜形成が可能で、かつ操作性、安全性に優れた有機溶剤を使用したチタン酸ランタンビスマス（ＢＬＴ）薄膜形成用溶液を提供する。 - 特許庁

The cell node stage potential setting circuit 121 is constituted of expansion word lines WLHLD<0>, <1>, and NMOS transistors QN21, QN22 controlled by this and fixing bit lines BLt, BLc to VSS.例文帳に追加

セルノード段電位設定回路１２１は、拡張ワード線ＷＬＨＬＤ＜０＞，＜１＞と、これにより制御されてビット線ＢＬｔ，ＢＬｃをＶＳＳに固定するためのＮＭＯＳトランジスタＱＮ２１，ＱＮ２２により構成される。 - 特許庁