「C v」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Copy the file (Ctrl-C; -C on Mac), then in the IDE, select the Web Pages node in the Projects window and press Ctrl-V; -V on Mac).例文帳に追加

ファイルをコピーし (Ctrl-C、Mac の場合は □-C)、IDE の「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを選択して、Ctrl-V キー (Mac の場合は □-V) を押します。 - NetBeans

The equation (1) is C≤0.12×V-8.例文帳に追加

Ｃ≦０．１２×Ｖ−８ …（１） - 特許庁

Pm=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10.例文帳に追加

Ｐｍ＝Ｃ＋Ｓｉ／３０＋Ｍｎ／２０＋Ｃｕ／２０＋Ｎｉ／６０＋Ｃｒ／２０＋Ｍｏ／１５＋Ｖ／１０ - 特許庁

Carbon equivalent=C+0.15Si+0.03(Cr+Mo)+0.04(Mn+V+Co)+0.05(Ni+W)+0.13Nb.例文帳に追加

炭素当量＝Ｃ＋０．１５Ｓｉ＋０．０３（Ｃｒ＋Ｍｏ）＋０．０４（Ｍｎ＋Ｖ＋Ｃｏ）＋０．０５（Ｎｉ＋Ｗ）＋０．１３Ｎｂ - 特許庁

The pinout of the usual 9 pin plug as used for serial mice is: center; r c l. pin name used for 2 RX Data 3 TX -12 V, Imax = 10 mA 4 DTR +12 V, Imax = 10 mA 7 RTS +12 V, Imax = 10 mA 5 GND Ground This is the specification, in fact 9 V suffices with most mice. 例文帳に追加

シリアルマウスで使われる普通の 9 ピンプラグのピン配列は以下である:center;r c l.pin name used for2 RX Data3 TX -12 V, Imax = 10 mA4 DTR +12 V, Imax = 10 mA7 RTS +12 V, Imax = 10 mA5 GND Groundこれは仕様書であり、実際はほとんどのマウスでは 9 V で十分である。 - JM

Based on the initial C-V characteristics, the final C-V characteristics, and the measured amount of electric charges, a charge center position in the insulating film is evaluated.例文帳に追加

そして、前記初期C-V特性、前記終期C-V特性及び測定した前記電荷の量から前記電荷の前記絶縁膜中における前記荷電中心位置を評価する。 - 特許庁

C-V MEASURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板のＣ−Ｖ測定方法 - 特許庁

For a peripheral pixel 303 horizontally located immediately after the target pixel 302, the calculation part calculates a driving signal Out(C+1)=In(C+1)-(V-In(C))/2.例文帳に追加

対象画素３０２の水平方向の直後側に隣接する周辺画素３０３については、算出部は、その駆動信号をOut(C+1)=In(C+1)-(V-In(C))/2として算出する。 - 特許庁

Display the version and compilation date. 例文帳に追加

"C-a v (version)"バージョンとコンパイルされた日時を表示する。 - JM

For a peripheral pixel 301 horizontally located immediately before the target pixel 302, the calculation part calculates a driving signal Out(C-1)=In(C-1)-(V-In(C))/2.例文帳に追加

対象画素３０２の水平方向の直前側に隣接する周辺画素３０１については、算出部は、その駆動信号をOut(C-1)=In(C-1)-(V-In(C))/2として算出する。 - 特許庁

I'd like to ask a grammarian, isn't it possible to think of 'be + participle' like you do V C and such? 例文帳に追加

文法屋に聞きたいんですが、「be+分詞」はV Cなどのように考えることはできないんですか？ - Tanaka Corpus

I'd like to ask a grammarian, isn't it possible to think of 'be + participle' like you do V C and such?例文帳に追加

文法屋に聞きたいんですが、「be+分詞」はV Cなどのように考えることはできないんですか？ - Tatoeba例文

Cr(%)≤(1/3)(6.5-Ni(%))1/2...(1) Pcm=C+ Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10...(2).例文帳に追加

Cr (％) ≦(1/3)(6.5 −Ni (％))^1/2 ・・・・・(1) Pcm ＝Ｃ＋Si/30 ＋Mn/20 ＋Cu/20 ＋Ni/60 ＋Cr/20 ＋Mo/15 ＋V/10・・・・・(2) - 特許庁

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

A calculation part in a display control part 104 sets, for a target pixel 302, a driving signal Out(C)=V.例文帳に追加

表示制御部１０４の算出部は、対象画素３０２については、その駆動信号をOut(C)=Vとする。 - 特許庁

(A): Ta, Nb, V, (B): Cr, Mo, W, (C): Ti, Zr, Hf.例文帳に追加

（Ａ）Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、（Ｃ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ - 特許庁

The biaxially oriented polyarylene film is characterized in that when a dielectric breakdown voltage at 23°C is defined as V(23) (V/μm) and that at 150°C is defined as V(150) (V/μm), the relations: V(150)/V(23)≥0.85 and V(150)≥300 are satisfied.例文帳に追加

２３℃での絶縁破壊電圧Ｖ（２３）（Ｖ／μｍ）と１５０℃での絶縁破壊電圧Ｖ（１５０）（Ｖ／μｍ）がＶ（１５０）／Ｖ（２３）≧０．８５かつＶ（１５０）≧３００であることを特徴とする二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルムである。 - 特許庁

A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.例文帳に追加

検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁

The abrasive part 2 is mainly composed of iron, and carbon equivalent weight Ceq expressed by a formula: Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, is set to be 0.02 mass% or less.例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｍｎ／６＋Ｓｉ／２４＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４ - 特許庁

VARIABLE VOLTAGE CAPACITOR WITH IMPROVED C-V LINEARITY例文帳に追加

Ｃ−Ｖ線形性が改良された電圧可変コンデンサ - 特許庁

(c) rights listed in item (v) or (vi) of paragraph (2). 例文帳に追加

ハ　第二項第五号又は第六号に掲げる権利 - 日本法令外国語訳データベースシステム

You can also run rc-update show (without -v) to just view enabledinit scripts and their runlevels. 4.c. 例文帳に追加

(-vなしで）rc-update showを実行し、有効なinitスクリプトとそれらのランレベルをみることができます。 - Gentoo Linux

All of the values (C, H, V, X, Y, Z, a, b, u, v, y, x) are floating point values.例文帳に追加

この数値のいくつかには 0 から上限値の間の値を持つという制限がある。 - XFree86

Concretely, e.g. in the case of 0.08≤C%≤0.30, the following expression is applied: V={0.003×cast piece surface temperature °C+0.5}-{0.005×cast例文帳に追加

具体的には、例えば、０．０８≦Ｃ（％）≦０．３０の場合、下式（１）を適用する。 - 特許庁

Each of the vehicles V, A, B and C has a communication terminal device 1.例文帳に追加

車両Ｖ、Ａ、Ｂ、Ｃは通信端末装置１を備える。 - 特許庁

Thus, the current positions of the vehicles V, A, B and C are displayed on the communication terminal device 1 of each of the vehicles V, A, B and C.例文帳に追加

これにより、各車両Ｖ、Ａ、Ｂ、Ｃの現在位置を、各車両Ｖ、Ａ、Ｂ、Ｃの通信端末装置１に表示させる。 - 特許庁

Ceq=C+Si/24+Mn/6+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, wherein C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo and V represent the contents (mass%) of respective elements; and the content of an element which is not contained is made zero.例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｓｉ／２４＋Ｍｎ／６＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４、ここで，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ：各元素の含有量（ｍａｓｓ％）で含有しない元素は０とする。 - 特許庁

The operational expression is: ic'=V×ωo×C×[cos WaveData]×K.例文帳に追加

この演算式は、ｉｃ´＝Ｖ×ωo×Ｃ×[cos WaveData]×Ｋである。 - 特許庁

A riding feeling evaluation value H is determined by a following expression based on the magnitude V of floor vibration and the magnitude S of a vehicle compartment sound: H=a(S)×V+C (C is a slice).例文帳に追加

フロア振動の大きさＶ及び車室音の大きさＳに基づいて、以下の式より乗り心地評価値Ｈを求める。 - 特許庁

A value of A±B [V] to be the first voltage and a value of C±D [V] to be the second voltage are made different from each other.例文帳に追加

そして、第１電圧となるＡ±Ｂ［Ｖ］と第２電圧となるＣ±Ｄ［Ｖ］とを異なる値とする。 - 特許庁

A rotary table 10 is fittingly attached to an annular V-V rolling guide 11 situated at a fixed body 12 and has the V-V rolling guide 11 rotatably mounted with the center of the annular V-V rolling guide 11 taken as a rotary shaft C.例文帳に追加

固定体に設けたリング状のＶ−Ｖころがり案内に嵌着され、リング状のＶ−Ｖころがり案内の中心を回転軸として回転可能に取付けられたＶ−Ｖころがり案内を有する回転テーブルとした。 - 特許庁

To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.例文帳に追加

Ｃ−Ｖ特性におけるヒステリシスの小さなＧｅチャネル素子を得る。 - 特許庁

The undoped group III-V semiconductor is grown at the temperature of ≤600°C.例文帳に追加

このアンドープIII−Ｖ族半導体は６００度以下で成長される。 - 特許庁

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

This magnetic material has a composition of (Co-Fe)_aX_bB_c (a composition ratio of Co to Fe is optional, a=45-80%, b=5-25% and c=15-30%) prepared by adding an element X (Cr or V) to a Co-Fe-B alloy.例文帳に追加

Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 - 特許庁

1. Alloy materials made of alloy powders that fall under any of (c) 1. i. through v. 例文帳に追加

（一）　ハ（一）１から５までのいずれかに該当するものからなるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

C-V measuring is performed (32) while increasing the voltage toward a maximum value and the reaction of the semiconductor wafer to the C-V measuring is recorded.例文帳に追加

電圧を最大値に向かって増加させながらＣ−Ｖ測定動作を行い（３２）、このＣ−Ｖ測定動作に対する半導体ウェハの反応を記録する。 - 特許庁

If an undertaking referred to in paragraph 3.25 (4) (c) is given in respect of an application lodged under the 1952 Act, the reference to Chapter 5 of the Act in subparagraph 3.25 (4) (c) (i) includes a reference to Part V of the 1952 Act. 例文帳に追加

1952年法に基づいて提出された申請に関し，規則3.25 (4) (c)にいう約定が与えられた場合は，規則3.25 (4) (c) (i)における法律第5章についての言及は，1952年法第V部についての言及を含む。 - 特許庁

The method comprises steps of: (a) screening a clonal cell population for V gene diversity; (b) isolating one or more kinds of cells which display V gene diversity and comparing the rate of accumulation of mutations in the V genes and other genes of the selected cells; and (c) selecting a cell in which the rate of V gene mutation exceeds that of other gene mutation.例文帳に追加

a)クローン細胞集団をV遺伝子の多様性についてスクリーニングする工程；b)V遺伝子の多様性を示す1種以上の細胞を単離し、選別された細胞のV遺伝子と他の遺伝子における突然変異の蓄積速度を比較する工程；c)V遺伝子の突然変異率が他の遺伝子の突然変異率を上回っている細胞を選別する工程を含む上記方法。 - 特許庁

To enhance the C-V characteristics by planarizing a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層を平坦化して、Ｃ−Ｖ特性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

DEPLETION LAYER CAPACITANCE CALCULATION APPARATUS AND C-V CHARACTERISTIC MEASURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置 - 特許庁

The ophthalmic solution is prepared by compounding (a) a sulfa drug which does not form a metal salt, (b) a gellan gum with a content of 0.001 W/V% or more but not more than 0.07 W/V%, and (c) trometamol and/or monoethanolamine.例文帳に追加

及び（ａ）金属塩を形成していないサルファ剤、（ｂ）０．００１W/V％以上０．０７W/V％以下のジェランガム、及び（ｃ）トロメタモール及び／又はモノエタノールアミン、を配合することを特徴とする点眼剤。 - 特許庁

The method lastly comprises a step evaluating contamination of the facility by differentially analyzing a result of the after C-V measurement and a result of the initial C-V measurement (S7).例文帳に追加

最後に、アフターＣ−Ｖ測定の結果と、前述のイニシャルＣ−Ｖ測定の結果との差分解析により、評価対象設備の汚染評価を実施する（Ｓ７）。 - 特許庁

The Ceq value is expressed by a formula: Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, wherein Ceq is carbon equivalent (mass%), and each of C, Mn, Si, Ni, Cr, Mo, and V is the content of each alloy element (mass%).例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｍｎ／６＋Ｓｉ／２４＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４、ここで、Ｃｅｑ：炭素当量（ｍａｓｓ％）、Ｃ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ：各合金元素の含有量（ｍａｓｓ％）。 - 特許庁

To easily and accurately recognize the current positions of certain (e.g. V) of a plurality of vehicles V, A, B and C while being at the other vehicles (e.g. A, B and C).例文帳に追加

複数の車両Ｖ、Ａ、Ｂ、Ｃのうちの任意の車両（例えばＶ）の現在位置を他の車両（例えばＡ、Ｂ、Ｃ）で容易且つ正確に認識できるようにする。 - 特許庁