「Channel Length」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ESTIMATING METHOD OF EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ実効チャネル長の評価方法 - 特許庁

The guard interval length for the MBMS channel is set longer than the guard interval length for the unicast channel.例文帳に追加

ＭＢＭＳチャネル用のガードインターバル長はユニキャストチャネル用のガードインターバル長より長く設定される。 - 特許庁

The channel length L_1 and the channel width W_1 of the N channel transistor 30N and the channel length L_2 and the channel width W_2 of the P channel transistor 30P satisfy an expression of W_1/L_1<W_2/L_2.例文帳に追加

Ｎチャネル型トランジスター３０Ｎのチャネル長Ｌ_1、チャネル幅Ｗ_1、Ｐチャネル型トランジスター３０Ｐのチャネル長Ｌ_2、Ｐチャネル型トランジスター３０Ｐのチャネル幅Ｗ_2は、下式 Ｗ_1／Ｌ_1 ＜ Ｗ_2／Ｌ_2を満たしている。 - 特許庁

Thus, the channel length of the p-type channel type TFT is set smaller than that of the n-channel type TFT.例文帳に追加

そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 - 特許庁

In such a case, to balance both characteristics, a channel length L1 of the P-channel type TFT is made longer than a channel length L2 of the N-channel type TFT, and a channel width W1 of the P-channel type TFT is made wider than a channel width W2 of the N-channel type TFT.例文帳に追加

この際、両者の特性を均衡させるために、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長Ｌ１を、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長Ｌ２よりも長くし、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル幅Ｗ１を、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル幅Ｗ２よりも広くする。 - 特許庁

In addition, the area of the channel formation region can be increased by making a channel width longer than a channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

In addition, area of the channel formation region can be increased by making channel width longer than channel length.例文帳に追加

また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 - 特許庁

Thereby, since a channel length is defined by a film thickness of the semiconductor region, this enables to refine the channel length and to improve reproducibility.例文帳に追加

チャネル長が、半導体領域の膜厚で決まるため、チャネル長の微細化や再現性向上が可能になった。 - 特許庁

A second finger has a channel length direction reverse to a channel direction of a first finger.例文帳に追加

第２のフィンガーのチャネル長方向は、第１のフィンガーのチャネル方向の逆方向である。 - 特許庁

To achieve a minute semiconductor device having a short channel length while preventing a short channel effect.例文帳に追加

短チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を実現する。 - 特許庁

To miniaturize a fine semiconductor device with short channel length, while preventing single channel effect.例文帳に追加

単チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を微細化する。 - 特許庁

Furthermore, the length of the channel region 3C is not larger than 2 μm.例文帳に追加

さらに、チャネル領域３Ｃのチャネル長は２μｍ以下である。 - 特許庁

To easily manufacture an organic thin-film transistor having a short channel length.例文帳に追加

チャネル長の短い有機薄膜トランジスタを容易に製造する。 - 特許庁

The ceramic sheaths 46 are arranged around the elongated channel 12 and each length of them is shorter than the length of refrigerant channel 12.例文帳に追加

セラミックシース４６は細長チャネル１２の周囲に配置されており、それぞれの長さは冷媒チャネル１２の長さよりも短い。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH INCREASED CHANNEL LENGTH AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

チャネル長を増大させた半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a high-performance transistor structure having a short channel length in which channel punchthrough and a short channel effect are reduced.例文帳に追加

チャネルパンチスルーおよび短チャネル効果が低減された、高性能な短チャネル長のトランジスタ構造を提供すること。 - 特許庁

A drive transistor DR has a different ratio of a channel width W to a channel length L for each light-emitting color.例文帳に追加

駆動トランジスタＤＲは、発光色毎にチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比が異なる。 - 特許庁

Run length data is extracted by counting the pulse length data by a virtual channel clock.例文帳に追加

そしてパルス長データを仮想チャンネルクロックによりカウントすることでランレングスデータを抽出する。 - 特許庁

The second outlet channel section has a substantially continuous cross-sectional shape and a length that is greater than a length of the first outlet channel section.例文帳に追加

第２の出口チャネル区域は、実質的に連続的な断面形状を有し、第１の出口チャネル区域より長い長さを有する。 - 特許庁

Channel lengths of the transistor M1 and M3 are set to be shorter than the channel length of the transistor M2.例文帳に追加

フローティングゲート電極のエッジ部の寄生トランジスタの閾値は、その中央部のメイントランジスタの閾値よりも高い。 - 特許庁

To achieve a minute insulated gate semiconductor device of a short channel length while suppressing a short channel effect.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制しつつチャネル長の短い微細な絶縁ゲイト型半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a doping structure, for controlling even a short channel device having a channel length of 0.5 μm or less.例文帳に追加

０．０５μｍ以下のチャネル長を有する短チャネル装置をも制御するためのドーピング構造部を得る。 - 特許庁

The length in a channel width direction of the n^--type semiconductor region 14B is shorter than a channel width.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域１４Ｂのチャネル幅方向の長さは、チャネル幅よりも短く形成されている。 - 特許庁

The length of the second semiconductor layer 13b is adjusted to become >1/3 of the length of the third gate electrode 34 in the channel lengthwise direction.例文帳に追加

第２半導体層の厚さ＞（第３ゲート電極のチャネル長方向の長さ／３）が満たされる。 - 特許庁

The length of the first semiconductor layer 13a is adjusted to become ≤1/3 of the length of the first gate electrode 24 in the channel lengthwise direction.例文帳に追加

第１半導体層の厚さ≦（第１ゲート電極のチャネル長方向の長さ／３）が満たされる。 - 特許庁

In addition, the channel length of the drive transistor Trd is made longer than the channel length of the switching transistors Tr2, Tr3, Tr4 and thereby the variation of the threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

加えてドライブトランジスタＴｒｄのチャネル長をスイッチングトランジスタＴｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４のチャネル長より長くして、その閾電圧のバラツキを抑制する。 - 特許庁

The drain voltage dependence, the channel length dependence, the channel length dependence of the drain voltage, and the channel length dependence of the S factor of the threshold voltage of the thin film transistor are expressed with the approximate expression so that the experimental value can be reproduced.例文帳に追加

薄膜トランジスタのしきい値電圧の、ドレイン電圧依存性、チャネル長依存性、ドレイン電圧のチャネル長依存性およびＳファクタのチャネル長依存性を実験値を再現できるように、近似式で表す。 - 特許庁

for example, the electric power of a channel 5 of Walsh length 16 (W16) is 0 to -2[dBm].例文帳に追加

例えば、ウオルシュレングス16（W16）のチャネル5の電力は0から−2[dBm]である。 - 特許庁

A second channel region (C2) has a channel length shorter than the channel length of a first channel region (C1), and the second polycrystalline region (P2) has an average crystal grain size smaller than the average crystal grain size of the first polycrystalline region (P1).例文帳に追加

第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 - 特許庁

Threshold voltage of a transistor is set at a desired level by controlling the overlap of channel region and source region in the direction of channel length and the overlap of channel region and drain region in the direction of channel length.例文帳に追加

チャネル領域とソース領域のチャネル長方向の重なり量、及びチャネル領域とドレイン領域のチャネル長方向の重なり量に制御することでトランジスタのしきい値電圧を所望の値に設定する。 - 特許庁

The expansion chamber 33 is formed larger in channel cross sectional area than the first and second channels 31 and 32, having its channel length made different from a channel length of an adjacent other expansion chamber 33.例文帳に追加

拡張室３３は、第１及び第２流路３１，３２よりも流路断面積が大きく形成され、その流路長を隣接する他の拡張室３３の流路長と異ならせている。 - 特許庁

The length P in the direction of a channel length of an overlapping area of a source electrode S of each thin film transistor 40 and a channel forming semiconductor thin film 36 via a channel protective film 37 for configuring a static protective element is longer than the length R in the direction of a channel length of an overlapping area of a drain electrode D and the channel forming semiconductor film 36 via the channel protective film 37.例文帳に追加

静電保護素子を構成する各薄膜トランジスタ４０のソース電極Ｓとチャネル形成用半導体薄膜３６とのチャネル保護膜３７を介しての重合領域のチャネル長方向の長さＰは、ドレイン電極Ｄとチャネル形成用半導体薄膜３６とのチャネル保護膜３７を介しての重合領域のチャネル長方向の長さＲよりも長くなっている。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, the channel length of an input/output protective transistor in the width direction of a channel is made to change in the length for desired size.例文帳に追加

入出力保護用トランジスタのチャネル幅方向に関して、チャネル長を変化させた所望のサイズで設けた半導体装置の構成を成す。 - 特許庁

The length in the scanning direction of the laser light in the channel formation region in the plurality of transistors and the channel length are longer than the pixel pitch of the pixel, respectively.例文帳に追加

複数のトランジスタにおけるチャネル形成領域のレーザ光の走査方向の長さ及びチャネル長それぞれは、画素の画素ピッチよりも長い。 - 特許庁

The length of the flow channel is determined by a flow channel length determination means that determines the distance between the liquid droplet discharge window and the inhalation port according to working environment.例文帳に追加

流路長は使用環境に応じて液滴吐出窓から吸入口までの距離を決定する流路長決定手段によって決定する。 - 特許庁

Since channel length is determined by an etching apparatus, stable channel length can be obtained, by using the same device for trench etching and the etching of the gate electrode.例文帳に追加

また、チャネル長はエッチング装置で決まるので、トレンチエッチング及びゲート電極のエッチングは同一の装置を使うことで、安定したチャネル長を得ることができる。 - 特許庁

That is, an effective channel width W is shorter than a length (a) in the channel width direction of the effective active region 31.例文帳に追加

すなわち、実効チャネル幅Ｗは、実効アクティブ領域３１のチャネル幅方向の長さａより小さい。 - 特許庁

The time interval for channel selection is defined as a value obtained by dividing the packet length of the selected channel by a multiplexed transmission rate.例文帳に追加

チャネル選択の時間間隔は、選択したチャネルのパケット長を多重化伝送レートで除算した値とする。 - 特許庁

Both full-length fuel rods 18 and part-length fuel rods 19 are positioned within the channel 12.例文帳に追加

全長燃料ロッド（１８）及び部分長燃料ロッド（１９）の両方が、チャネル（１２）の内部に配置される。 - 特許庁

An integrated circuit 1 in an embodiment includes a circuit in which a first spin transistor 2 having the first channel length L_1 and a second spin transistor 3 having the second channel length L_2 different from the first channel length L_1 are connected in series.例文帳に追加

実施形態の集積回路１は、第１のチャネル長Ｌ_１を有する第１のスピントランジスタ２と、第１のチャネル長Ｌ_１とは異なる第２のチャネル長Ｌ_２を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 - 特許庁

Subsequently, the effect of reduction of the impurity concentration within the channel due to a channel length is evaluated using an analytic model formula and the ratio (r) of a residual impurity concentration within the channel in the proposed gate length to the impurity concentration within the channel on the side of a long channel is found (step 102).例文帳に追加

続いて、チャネル長によりチャネル不純物濃度が減少する効果を、解析的モデル式を用いて評価し、目的とするゲート長における残留チャネル不純物濃度と長チャネル側でのチャネル不純物濃度の比ｒを求める（ステップ１０２）。 - 特許庁

A channel region 8, in which a distance between a source electrode 6 and a drain electrode 7 is defined as a channel length L and a direction orthogonal to the direction of the channel length L is defined as a channel width W, is disposed in an organic semiconductor layer 5 and a direction parallel with the direction of the channel length L is defined as a strain detection direction to detect a strain.例文帳に追加

ソース電極６とドレイン電極７との間の距離をチャネル長Ｌ、このチャネル長Ｌの方向と直交する方向をチャネル幅Ｗとするチャネル領域８を有機半導体層５内に設け、チャネル長Ｌの方向と平行方向を歪検出方向として、歪みを検知することを特徴とする。 - 特許庁

The first channel length LC1 of a channel region CH corresponding to the first gate electrode 14N is thereby shorter than a second channel length LC2 of a channel region CH corresponding to the second gate electrode 14W.例文帳に追加

したがって、第１のゲート電極部分１４Ｎに対応したチャネル領域ＣＨの第１のチャネル長ＬＣ１は、第２のゲート電極部分１４Ｗに対応したチャネル領域ＣＨの第２のチャネル長ＬＣ２より短くなっている。 - 特許庁

To obtain a channel response estimate circuit that realizes an estimated channel longer than a correlation code series length by detecting a symbol pattern corresponding to the length of an estimated channel and selecting a range of an estimated channel response.例文帳に追加

推定するチャネルの長さに対応したシンボルパターンを検出し、また推定するチャネル応答の範囲を選択することにより、相関符号系列長より長いチャネルの推定を実現できるチャネル応答推定回路を得る。 - 特許庁

One bit is constituted of 8 ch of data channels, and a channel length is constituted of 4 ch of data channels.例文帳に追加

１ビットはデータチャンネル８ch、チャンネル長はデータチャンネル４chから構成される。 - 特許庁