Co substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 243件
SUBSTRATE CO-FASTENING STRUCTURE, DETECTING METAL FITTING AND FASTENED STATE DETECTING METHOD例文帳に追加
基板の共締め構造、検出用金具および締結状態検出方法 - 特許庁
LOW TEMPERATURE CO-FIRING CERAMIC COMPOSITION, LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC SUBSTRATE COMPRISING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
低温同時焼成セラミック組成物及びこれを含む低温同時焼成セラミック基板並びにその製造方法 - 特許庁
Also, when Co-Fe-B in a third ferromagnetic layer on MgO is film-formed, it is formed while holding the temperature of the substrate at 100°C below freezing point, to obtain amorphous Co-Fe-B of B concentration of 6 at%.例文帳に追加
また、MgO上の第3の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下100℃に保持しながら形成することにより、B濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。 - 特許庁
The film forming method comprises placing a substrate W inside a processing vessel 1, adjusting the temperature of the substrate W to 160-300°C, feeding Co_2(CO)_8 gas to the processing vessel 1, and thermally cracking Co_2(CO)_8 on the substrate W, thereby depositing the Co film on the substrate W.例文帳に追加
処理容器1内に基板Wを配置し、基板Wの温度を160〜300℃とし、処理容器1内に気体状のCo_2(CO)_8を供給し、基板W上でCo_2(CO)_8を熱分解させて基板W上にCo膜を成膜する。 - 特許庁
In addition, multicomponent films are coated on a substrate by way of magnetron co-sputtering.例文帳に追加
そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。 - 特許庁
Protrusions CO are formed on the xy surface facing a TFT array substrate 201, of a counter substrate 202.例文帳に追加
対向基板202において、TFTアレイ基板201に対向するxy面上に、凸部COを形成する。 - 特許庁
When the maximum total-length size of the dielectric substrate 15 is represented by Lm (m), the substrate 15 satisfies Lm<{(Co/ f)/εr)^1/2}/4.例文帳に追加
誘電体基板15は、その最大差し渡し寸法をLm(m)としたとき、Lm<{(Co/f)/(εr)^1/2}/4を満たす。 - 特許庁
A seed layer 3 of an island-like film consisting of either a Co layer or a Co alloy layer is provided on a non-magnetic substrate 1 consisting of Al based alloy substrate or a glass substrate via an amorphous film 2.例文帳に追加
Al系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板1上にアモルファス膜2を介してCo層或いはCo合金層のいずれかからなる島状膜のシード層3を設ける。 - 特許庁
LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC SUBSTRATE HAVING DIFFUSION BARRIER LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法 - 特許庁
The method of synthesizing diamond on the WC-Co substrate comprises subjecting the surface of the WC-Co substrate to acid treatment, then immersing the treated WC-Co substrate to a suspension containing dispersed diamond particles, fixing seeds for the CVD diamond by an electrophoretic phenomenon, subjecting the substrate to a heat treatment, and synthesizing the diamond by the CVD method.例文帳に追加
表面を酸処理したWC−Co基体を、ダイヤモンド粒子を分散させた懸濁液に浸して電気泳動現象によりCVDダイヤモンドの種付けを行った後、基体を加熱処理し、ついでCVD法によりダイヤモンドを合成するWC−Co基体へのダイヤモンド合成方法。 - 特許庁
A substrate on the surface of which a Co film is formed as a seed layer is prepared, and when a Cu film is deposited on the Co film of the substrate by electrolytic plating using a plating solution mainly composed of a copper sulfate solution, before immersing the substrate surface into the plating solution, a negative voltage is applied to the substrate so that the surface potential of Co becomes lower than the oxidation potential of Co.例文帳に追加
表面にシード層としてCo膜が形成された基板を準備し、Co膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のCo膜上にCu膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Coの表面電位がCoの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 - 特許庁
First, a Co-Zr-Ta magnetic film 14 is formed on a substrate 10 by sputtering.例文帳に追加
まず、基板10上にCo−Zr−Ta系の磁性膜14をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁
To provide a method of synthesizing diamond on a WC-Co substrate, by which the diamond having a strong adhesive force to the WC-Co substrate can be synthesized by a CVD method.例文帳に追加
WC−Co基体上に付着力が強固なダイヤモンド薄膜をCVD法により合成することができるダイヤモンド合成のためのWC−Co基体へのダイヤモンド合成方法の提供 - 特許庁
A Co-Fe-B alloy layer being in an amorphous state can be obtained even at B concentration of 10 at% or less by holding temperature of the substrate at 100°C below freezing point from a process in which Co-Fe-B in a second ferromagnetic layer is film-formed through a process in which an insulating barrier layer MgO is film-formed.例文帳に追加
第2の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層MgOを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下100℃に保つことにより、B濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。 - 特許庁
A normal cleaning step and HF processing are performed, and a Co film is deposited on a substrate face through sputtering.例文帳に追加
通常の洗浄工程、HF処理を施し、Co膜をスパッタリングにより基板面に堆積させる。 - 特許庁
DIELECTRIC COMPOSITION AND LAMINATED CERAMIC CAPACITOR BUILT-IN LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加
誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板 - 特許庁
A fine particle 103 of a metal chosen from Co and Ni is directly formed on a substrate 10.例文帳に追加
基板10の上に、CoおよびNiより選択された金属の微粒子103を直接形成する。 - 特許庁
To prevent a solder fusion failure caused by the warpage of a mounting substrate or a co-planarity failure of an electronic component.例文帳に追加
実装基板の反りや電子部品のコプラナリティ不全によるはんだ未融合を防止できるようにする。 - 特許庁
The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加
Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁
Plenty of oxygen ions (active oxygen) are generated on the surface of the substrate 100 in parallel with the reduction and HC and CO in waste gas are efficiently oxidation-removed with the oxygen ions.例文帳に追加
それと同時に、基板 100表面上に多量の酸素イオン(活性酸素)が生成し、この酸素イオンによって排ガス中のHC及びCOが効率よく酸化浄化される。 - 特許庁
A p-GaN layer 5 as III-nitride-system compound or the like is formed on a sapphire substrate 1 with the MOVPE method, and a first metal layer 6 composed of Co/Au is formed on the layer 5.例文帳に追加
サファイア基板1上にMOVPE 法等によりIII 族窒化物系化合物半導体等であるp-GaN 層5を形成し、その上にCo/ Auからなる第1金属層6を形成する。 - 特許庁
This method patternizes a Ti film 2 in a desired area on a silicon substrate 1 and forms a Co film 3 on the substrate 1, covering the Ti film 2.例文帳に追加
シリコン基板1上の所望部位にTi膜2をパターン形成し、Ti膜2を覆うように基板1上にCo膜3を形成する。 - 特許庁
The substrate 1 on which the adhesive layer to the Co alloy protective layer 7 are layered is conveyed in a protective film forming chamber 21 (a step 102).例文帳に追加
Co合金キャップ層7まで積層した基板1を保護膜形成室21に搬入する(ステップ102)。 - 特許庁
The external substrate composition comprises 5-100 wt.% of the hydroxyethyl(meth)acrylamide in the monomers constituting the (co)polymer.例文帳に追加
(共)重合体を構成する単量体のうち、ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミドが5〜100重量%である。 - 特許庁
This substrate for an air bag, obtained by coating a substrate comprising nylon 66 fibers with a water-soluble resin such as sodium carboxymethylcellulose or Kurare Poval PVA 20 [Kurare Co. (Ltd)].例文帳に追加
カルボキシメチルセルロースナトリウム、クラレポバールPVA120(クラレ(株))等の水溶性樹脂を、ナイロン66繊維の織物等からなる基布に塗布して被覆する。 - 特許庁
The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加
透明基板とTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Nb,Mo,Ru,In,Sn,Sb,Ta,W,Re,Os,IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁
For coating a heat shield film 4, at first, a metallic bonding film 6 composed of MCrAlY with Fe, Ni, Co or a mixture of Ni and Co as M is laminated on a substrate of a superalloy.例文帳に追加
熱防御膜を塗布するために、まずFe,Ni,Co,またはNiとCoとの混合物をMとしたMCrAlYから成る金属結合膜を超合金の基体に積層する。 - 特許庁
A 1st magnetic layer 2 comprising a To-Co alloy film, a 2nd magnetic layer 3 comprising an No-Co alloy film and an antioxidant layer 4 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加
基板1上に、To−Co合金膜からなる第1の磁性層2と、No−Co合金膜からなる第2の磁性層3と、酸化防止層4とが積層されて形成されている。 - 特許庁
The substrate includes in addition to WC, 5.5-8.5% by mass of Co and Cr, in the Cr/Co weight ratio of 0.08-0.12, and also small amounts of Ti and Ta.例文帳に追加
この基材はWCに加えて、5.5〜8.5質量%のCoおよびCrを、Cr/Co質量比が0.08〜0.12になるように含み、また少量のTiおよびTaも含む。 - 特許庁
In the magnetic recording medium provided with a Co based alloy magnetic recording layer on a non-magnetic substrate, a lanthanoid series rare earth transition metal is incorporated into the Co based alloy magnetic recording layer.例文帳に追加
非磁性基板上にCo系合金磁気記録層を備えてなる磁気記録媒体において、Co系合金磁気記録層にランタノイド系列希土類遷移金属を含有させる。 - 特許庁
A seed layer 3 comprising island-shaped films composed of either of a Co layer and a Co alloy layer, separated from each other and covered with a Cr based underlayer (4) is formed on a non-magnetic substrate 1 comprising an Al based alloy substrate or a glass substrate via at least an amorphous film 2.例文帳に追加
Al系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板1上に少なくともアモルファス膜2を介してCo層或いはCo合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Cr系下地層(4)で覆われた島状膜からなるシード層3を設ける。 - 特許庁
First and second crystal control layers and an intermediate layer are formed between a substrate 1 and a Co alloy magnetic recording layer 9.例文帳に追加
基板1とCo合金磁性記録層9との間に第一〜第二結晶制御層と中間層を設ける。 - 特許庁
The disk includes a substrate, a NiTa alloy planarizing layer on the substrate, a nonmagnetic Ru-containing underlayer on the planarizing layer, an oxide-free Co alloy magnetic recording layer, and an ultrathin oxide film between the Ru-containing layer and the Co-alloy magnetic recording layer.例文帳に追加
ディスクは、基板と、基板上のNiTa合金平坦化層と、平坦化層上の非磁性Ru含有下地層と、酸化物が無いCo合金磁気記録層と、Ru含有層とCo合金磁気記録層との間の極薄酸化膜とを含む。 - 特許庁
The Co atoms 31, the Pt atoms 32 and the SiO_2 molecules 33 poured onto the substrate 21 form micro-sized metal particle nuclei scattered on the surface of the substrate 21.例文帳に追加
基板21上に降り注がれたCo原子31、Pt原子32およびSiO_2 分子33は、基板21の表面で散在する微細な金属粒子核を形成する。 - 特許庁
Once a stable flow of CO gas and precursor vapor is established, the CO gas and precursor vapor are introduced to the process chamber (10), and a metal layer is consistently deposited on a substrate.例文帳に追加
一旦安定したCOガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、COガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ(10)に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 - 特許庁
To provide a dielectric composition and a laminated ceramic capacitor built-in low temperature co-fired ceramic substrate using the same.例文帳に追加
誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供すること。 - 特許庁
An undoped ZnO layer 2, a co-doped MgZnO layer 3 and a transparent conductive film 4 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1.例文帳に追加
ZnO基板1上に、アンドープZnO層2、共ドープMgZnO層3、透明導電膜4が順に積層されている。 - 特許庁
This external substrate composition is obtained by (co)polymerizing hydroxyethyl(meth)acrylamide alone or the hydroxyethyl(meth)acrylamide with other copolymerizable vinylic monomers.例文帳に追加
ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド単独、あるいはヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミドと他の共重合可能なビニル系単量体を(共)重合する。 - 特許庁
The sealant film is obtained by co-extruding a substrate layer 2, an olefinic cohesive failure layer 3 and a heat seal layer 4.例文帳に追加
シーラントフィルムは、基材層2、オレフィン系凝集破壊層3及びヒートシール層3を共押出積層してなるものである。 - 特許庁
Then, after a metal, such as the Co etc., is caused to deposit on a silicon substrate 1, the substrate 1 is introduced into a furnace and silicification is progressed by heating the substrate to a temperature of 400-550°C and further heating the substrate to a temperature of 800-930°C in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加
そして、シリコン基板1の上に、Co等の金属を堆積した後、基板を炉に導入し、窒素雰囲気中において、400℃〜550℃の温度まで加熱し、さらに、800℃〜930℃の温度まで加熱することにより、シリサイド化を進行させる。 - 特許庁
To provide a conductive paste that makes the amount of warpage of a substrate small even if co-fired with a low-temperature fired ceramic green sheet.例文帳に追加
低温焼成セラミックグリーンシートと同時焼成しても、焼成後の基板の反りの少ない導電性ペーストを提供すること。 - 特許庁
Thus, the low-temperature co-fired ceramic substrate having a uniform surface and generating no warping phenomenon can be manufactured.例文帳に追加
これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 - 特許庁
To provide a method for producing a metal covering in LTCC (Low Temperature Co-sintered Ceramics) and a ceramic substrate, which is easy, and thus advantageous with respect to cost.例文帳に追加
LTCCおよびセラミック下地における殊に容易な、従って費用の点で有利な金属被覆物の製造法を提供する。 - 特許庁
Co atoms 31, Pt atoms 32 and SiO_2 molecules 33 are poured onto the surface of a substrate 21 mounted on a sputtering device.例文帳に追加
スパッタリング装置に装着された基板21の表面には、Co原子31、Pt原子32およびSiO_2 分子33が降り注がれる。 - 特許庁
The colored glass consists of a glass substrate, a colored film containing Co oxide formed by sputtering on the surface of the glass substrate, and a colored ceramic film laminated on the colored film.例文帳に追加
ガラス基板と、該ガラス基板の表面にスパッタリングで成膜されたCo酸化物を含む着色膜と、該着色膜の上に積層された着色セラミックス膜とを有する着色ガラス。 - 特許庁
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