「Co substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The norbornene-based resin forming the substrate is a resin obtained by (co)polymerizing a monomer including one compound represented by formula (1).例文帳に追加

基板を形成するノルボルネン系樹脂は、一般式（１）：で表される１種の化合物を含む単量体を（共）重合して得られた樹脂である。 - 特許庁

A silicon oxide film 101, a polysilicon film 102, a Co film 103 and a TiN film 104 are sequentially formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にシリコン酸化膜１０１、ポリシリコン膜１０２、Ｃｏ膜１０３及びＴｉＮ膜１０４を順次形成する。 - 特許庁

Particle catching electrodes 16 are provided between arbitrary layer depositing chambers between the substrate loading chamber 2 and a Co alloy cap layer depositing chamber 11.例文帳に追加

さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium 10 having a nonmagnetic substrate 1 and a Co-Zr amorphous soft magnetic layer 3, a Co-Cr perpendicular recording layer 5 having a hcp structure successively formed on the substrate 1, the medium has a Co-Cr-Ta nonmagnetic layer 4 having a hcp structure disposed between the soft magnetic layer 3 and the perpendicular recording layer 5.例文帳に追加

非磁性の基板１と、前記基板１上に順次形成されたＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性層３とｈｃｐ構造からなるＣｏ−Ｃｒ系垂直記録層５とを有する垂直磁気記録媒体１０において、前記軟磁性層３と前記垂直記録層５との間に配置された、ｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層４を有する。 - 特許庁

The film-forming method for forming the tungsten film by supplying W(CO)_6 onto the insulating film formed on a substrate to be treated comprises the first step of heating the substrate to be treated to 150°C or higher and the second step of forming the tungsten film from thermally decomposed W(CO)_6 on the substrate.例文帳に追加

被処理基板に形成された絶縁膜上にＷ（ＣＯ）_６を供給してＷ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板を１５０℃以上に加熱する第１の工程と、Ｗ（ＣＯ）_６の熱分解により前記被処理基板上にＷ膜を成膜する第２の工程を含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

A conductor pattern 20 has a length corresponding to {(Co/f)/(εr)^1/2}/4 regarding the frequency f (Hz) of the transmission signal, the wavelength λ0 (m) in a vacuum, light velocity Co (m/s) and the dielectric constant εr of a dielectric substrate 15.例文帳に追加

伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。 - 特許庁

As for the frequency f (Hz), the wave length λ0 (m) in vacuum and the light velocity Co (m/s) of a transmission signal and the dielectric constant εr of a dielectric substrate 15, a conductor pattern 20 having a length corresponding to {(Co/f)/(εr)1/2}/4 is included.例文帳に追加

伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。 - 特許庁

An artificial lattice film 5 which is formed by alternately laminating the transition metal layers 51 consisting essentially of any element of Pt, Pd and Au and the Co magnetic layers 52 consisting essentially of Co in a plurality of layers is formed on the non-magnetic substrate layer 4.例文帳に追加

非磁性下地層４上に、Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕのいずれかを主成分とする遷移金属層５１およびＣｏを主成分とするＣｏ磁性層５２がそれぞれ複数層交互に積層された人工格子膜５を成膜する。 - 特許庁

The process for preparing an organic acid or its derivative comprises subjecting a hydrocarbon substrate to oxidation treatment with the use of an MC-type homogenous catalyst selected from Co/Br, Mn/Br, Co/Mn/Br, and Co/Mn/M/Br and an O_2/CO_2 mixed gas oxidizing agent whose oxygen partial pressure is adjusted to 30-40%.例文帳に追加

Ｃｏ／Ｂｒ、Ｍｎ／Ｂｒ、Ｃｏ／Ｍｎ／Ｂｒ、Ｃｏ／Ｍｎ／Ｍ／Ｂｒの中から選択されたＭＣ型均一触媒、および酸素分圧が３０〜４０％に調節されたＯ_2／ＣＯ_2混合気体酸化剤を用いて炭化水素基質を酸化処理して有機酸またはその誘導体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 8 is provided with a reforming part 9a where fuel gas comprising hydrogen atoms is introduced, and steam reforming is performed with a reforming catalyst 21a, and a CO removing part 9c where a hydrogen-rich gas reformed in the reforming part 9a is introduced, and CO is removed by a CO removing catalyst 25a.例文帳に追加

基体８に、水素原子を含む燃料ガスが導入され、改質触媒２１ａにより水蒸気改質する改質部９ａと、該改質部９ａで改質された水素リッチガスが導入され、ＣＯ除去触媒２５ａによりＣＯを除去するＣＯ除去部９ｃとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

Depending on the substrate material, the modified platinum group metal coating material may not even include Ni or Co, but may be modified to include amounts of different elements that are consistent with the chemical composition of the substrate.例文帳に追加

基材材料によっては、変性白金族金属皮膜材料は、ＮｉやＣｏを含有しなくてもよいが、基材の化学組成に一致する別の元素を適当量含有するように変性する。 - 特許庁

The two-dimensional XY coordinate system is set as a co-operate coordinate system with respect to the substrate 16, and control of the movement of the inspection/repair apparatuses is simplified.例文帳に追加

２次元ＸＹ座標系は、基板１６に対して共動座標系として設定され、検査修理機器の運動の制御が簡素化される。 - 特許庁

For the insulating film 100 on a substrate 10 to be treated, plasma treatment using a gas which comprises at least one of a CH gas and a CO gas is performed.例文帳に追加

被処理基板１０上の絶縁膜１００に、少なくともＣＨ系ガス、ＣＯ系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The platinum group metal coating material is modified to include, in solid solution, elements of the superalloy substrate, specifically nickel (Ni) and cobalt (Co).例文帳に追加

白金族金属皮膜材料は、超合金基材の元素、即ちニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）を固溶体状態で含有するように変性した。 - 特許庁

The retainer assembly 36 has a co-operating feature for positioning an end electric lead of a flexible circuit in an electric pad array on the substrate.例文帳に追加

リテイナ・アセンブリ３６は、フレキシブル回路の末端電気リードを、基板上の電気パッドのアレイに正確に位置合わせするための協働フィーチャを有する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 600 is provided with a soft magnetic layer 63, a seed layer 64 and the recording layer 65 having alternately laminated structures of Co/Pd on a substrate 1.例文帳に追加

磁気記録媒体６００は、基板１上に軟磁性層６３、シード層６４及びＣｏ／Ｐｄ交互積層構造を有する記録層６５を備える。 - 特許庁

A method of manufacturing substrate structure includes the steps of forming a TiN thin film 12 on a silicon substrate 11, accumulating a Co particulate 13 and Ni particulate 14 both of which are mixed on the TiN thin film 12, and sequentially growing CNT 15 and 16 from the Co particulate 13 and Ni particulate 14 by changing the growth condition.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。 - 特許庁

By injecting P ions into a region, where the Co silicide film is hard to be formed since various ions, such as at least an N+ diffusion layer formed on a silicon substrate in a transistor, are injected, the Co silicide is formed easily.例文帳に追加

トランジスタにおけるシリコン基板上形成されたすくなくともＮ^^＋拡散層のような種々のイオン種が注入によって、Ｃｏシリサイド膜の形成が困難担っている領域に、Ｐイオンを注入してＣｏシリサイドの形成を容易にする。 - 特許庁

The crystal particle size dispersion suppressing layer (19) includes Co based alloy crystal particles (19a) extended in a direction perpendicular to the substrate and an oxide (19b)separating the Co based alloy crystal particles from each other in the in-plane direction.例文帳に追加

前記結晶粒サイズ分散抑制層（１９）は、前記基板に対して垂直方向に延びるＣｏ基合金結晶粒子（１９ａ）と、前記Ｃｏ基合金結晶粒子を面内方向で互いに隔てる酸化物（１９ｂ）とを含む。 - 特許庁

An NiTa adhesion layer 2, a soft magnetic layer 3, a Ta intermediate layer 4, an Ru intermediate layer 5, and a Co alloy granular magnetic recording layer 6 are formed on a nonmagnetic substrate 1 and thereafter, the surface of the Co alloy granular magnetic layer 6 is treated by hydrogen (H_2) plasma.例文帳に追加

非磁性基板１の上にＮｉTa密着層２、軟磁性層３、Ｔａ中間層４、Ｒｕ中間層５、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６を形成した後、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６の表面を水素（Ｈ_２）プラズマ処理する。 - 特許庁

A gate insulating film 2 is formed on a silicon substrate 1 that is a semiconductor substrate, next, a tungustic film 3a is formed with CVD using a gas containing W(CO)_6 on the gate insulating film 2.例文帳に追加

半導体基板であるＳｉ基板１上に、ゲート絶縁膜２を形成し、次いでゲート絶縁膜２上に、Ｗ（ＣＯ）_６ガスを含む成膜ガス用いたＣＶＤによって、Ｗ系膜３ａを形成する。 - 特許庁

On a magnetic recording medium 10 with a Co-based recording layer 3 for a nonmagnetic substrate 1, a foundation layer 2 comprising Ru and O is formed between the above substrate 1 and the above recording layer 3.例文帳に追加

非磁性の基板１上に、Ｃｏを主成分とする磁気記録層３を有する磁気記録媒体１０において、上記基板１と、上記磁気記録層３との間に、ＲｕおよびＯからなる下地層２を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A base metal 12 is formed in a substrate 1, a first soldering layer 15 of which one is Ni or Ni alloy and the other is Co or Co alloy is formed on the base metal 12, a second soldering layer 16 thinner than the first soldering layer 15 is formed on the first soldering layer 15.例文帳に追加

基板１に下地金属１２が形成され、その上に、一方はＮｉ又はＮｉ合金、他方はＣｏ又はＣｏ合金である第１のはんだ付け層１５、更にその上の第１のはんだ付け層１５より薄い第２のはんだ付け層１６を形成する。 - 特許庁

To provide an exhaust gas cleaning catalyst which suppresses the sintering of noble metals and a substrate after heat treatment and is excellent in the cleaning efficiency of HC (hydrocarbon), CO and NO_x.例文帳に追加

熱処理後の貴金属及び基材のシンタリングを抑制し、ＨＣ、ＣＯ及びＮＯｘの浄化効率に優れる排ガス浄化用触媒を提供すること。 - 特許庁

To obtain a high adhesive strength with a simple composition even when a substrate of hyperfine-grained high cemented carbide alloy with a large content of Co is coated with a diamond film.例文帳に追加

Ｃｏの含有量が多い超微粒子超硬合金の基材にダイヤモンド被膜をコーティングする場合でも、簡単な構成で高い密着力が得られるようにする。 - 特許庁

At this point, the substrate temperature is kept at a prescribed point in a temperature range of 50 to 250°C, for example at 100°C or so, and the first metal film (Co) 18 is subjected to sputtering.例文帳に追加

このときの基板温度は５０℃〜２５０℃の範囲の中から選択される所定の温度、例えばおよそ１００℃に設定され、Ｃｏのスパッタリングが実施される。 - 特許庁

The semiconductor alloy layers are formed by providing a semiconductor source compound and a co-component source compound to a processing chamber and ionizing gases to deposit a layer on a substrate.例文帳に追加

半導体合金層は、半導体源化合物と共成分源化合物を処理チャンバに提供し、ガスをイオン化して、基板上に層を堆積させることにより、形成される。 - 特許庁

A thermal spray film of an alloy containing 50 wt% Ni or Co is deposited at least on a part of the surface to be deposited with a film by film deposition in a substrate transport member.例文帳に追加

基板搬送部材の成膜により膜が付着する表面の少なくとも一部にＮｉあるいはＣｏを５０ｗｔ％以上含む合金の溶射膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a surface-protecting film comprises laminating a substrate layer and an adhesive layer by a co-extrusion method, bringing the back surface of the substrate layer once into the contact with the surface of the adhesive layer, then separating the back surface of the substrate layer from the surface of the adhesive layer, and then winding them into a roll form.例文帳に追加

基材層と粘着剤層とを共押出法により積層し、前記基材層背面を前記粘着剤層表面に一旦接触させ、次いで前記基材層背面及び前記粘着剤層表面を離間させた後、ロール状に巻き取る表面保護フィルムの製造方法。 - 特許庁

Then a soft magnetic film 3 and a Co-based magnetic film 5 are successively formed on a nonmagnetic substrate 1 to obtain a magnetic recording medium, a Cr-based nonmagnetic film 2 or NiAl is formed between the nonmagnetic substrate 1 and the soft magnetic film 3.例文帳に追加

非磁性支持体１の上に、軟磁性膜３、Ｃｏ系磁性膜５が順に形成されてなる磁気記録媒体の非磁性支持体１と軟磁性膜３との間に、Ｃｒを主成分とする非磁性膜２またはＮｉＡｌを形成する。 - 特許庁

The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium having a Co-Cr- Pt perpendicular magnetic layer or a Co-Cr-Pt-B perpendicular magnetic layer with a Ti-Cr base layer interposed on a nonmagnetic substrate, a base layer and a perpendicular magnetic layer having specific film thickness and composition ratios are formed.例文帳に追加

非磁性基板上に、Ｔｉ−Ｃｒ下地層を介して設けられたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ垂直磁性層またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、特定の膜厚および組成比を有する下地層および垂直磁性層を設ける。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a seed layer composed of an alloy mainly composed of Co, a platinum group, and B is on a nonmagnetic substrate, and a magnetic film composed of an alternately laminated film obtained by alternately laminating Co and the platinum group is formed on the seed layer.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、Ｃｏと白金族及びＢを主体とする合金からなるシード層があり、その上に、Ｃｏと白金族を交互に積層する交互積層膜よりなる磁性膜が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁

The mask layer is removed from the substrate, a ratio of the flow of CO to the flow CO_2 is selected, thereby, a second roughness smaller than a first roughness is produced.例文帳に追加

基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 - 特許庁

A layer 51 having a high refractive index and composed of such as magnesium fluoride, lead fluorination, and antimony oxide and a layer 52 having a low refractive index are alternately deposited on a substrate 3 by co-vapor-deposition.例文帳に追加

基板３にフッ化マグネシウム、フッ化鉛、及び酸化アンチモンなどから成る高屈折率を有する層５１と、低屈折率を有する層５２を共蒸着によって交互に堆積する。 - 特許庁

The metal plating layers coming in contact with the surface of the single crystal Si substrate is selected from one group consisting of Ag, Co, Cu, Ni, Pd, Fe and Pt.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板の表面に接する金属メッキ層は、好ましくはメッキ法により形成されるＡｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ及びＰｔからなる一群から選ばれる。 - 特許庁

This titanium dioxide-cobalt magnetic film which is expressed by the chemical formula of Ti1-xCoxO2 (wherein, 0<x≤0.3), in which Co is substituted for Ti lattice positions, and which is grown in epitaxy on a single crystal substrate.例文帳に追加

化学式：Ｔｉ_1-x Ｃｏ_x Ｏ_2 （ただし、０＜ｘ≦０．３）で表され、Ｔｉ格子位置にＣｏが置換した、かつ、単結晶基板上にエピタキシャル成長した二酸化チタン・コバルト磁性膜である。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 1, a core forming layer 3 and a magnetic layer 4 consisting of a Co alloy having uniaxial crystal magnetic anisotropy are successively layered on a single crystal substrate 2.例文帳に追加

磁気記録媒体１において、単結晶基板２の上に核生成層３および一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成る磁性層４を順次積層している。 - 特許庁

To directly form a tungsten film with an adequate quality and a low value of specific resistance on an insulating film by annealing a substrate before having the film formed thereon and employing a CVD process with the use of W(CO)_6.例文帳に追加

成膜を行う前にアニールを行い、Ｗ（ＣＯ）_６を用いたＣＶＤ法を用いたことで、良質で比抵抗値の低いＷ膜を絶縁膜上に直接成膜する。 - 特許庁

A substrate W is stored inside a treatment vessel 1, film deposition raw material comprising cobalt amidinate or nickel amidinate and a reducing agent comprising carboxylic acid are introduced in a gaseous phase state into the treatment vessel state so as to deposit a Co film or an Ni film on the substrate.例文帳に追加

処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 1 is constituted by successively laminating a first protective film 3 consisting of a silicon nitride film, for example, a magneto-optical recording film 4 consisting of a Tb-Fe-Co amorphous alloy and a second protective film 5 consisting of a silicon nitride film on a carrier substrate 2 as a substrate for recording media consisting of, for example, an Si substrate.例文帳に追加

光磁気記録媒体１は、例えばＳｉ基板からなる記録媒体用基板としての担持基板２上に、窒化珪素膜からなる第１の保護膜３、例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系アモルファス合金からなる光磁気記録膜４、窒化珪素膜からなる第２の保護膜５を順に積層して構成されている。 - 特許庁

The surface-protecting film comprises at least one substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer formed by co-extrusion, where the outermost layer of one side thereof is the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate layer as the outermost layer of the other side is comprised of a polyamide resin.例文帳に追加

少なくとも１層の基材層と粘着層とが共押出により成膜された表面保護フィルムであって、表面保護フィルムの一方側の最外層が粘着層であり、他方側の最外層である基材層がポリアミド系樹脂からなる、表面保護フィルム。 - 特許庁