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DFBを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 168件
DFB LASER DRIVER, DFB LASER DRIVING METHOD, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加
DFBレーザ駆動装置、DFBレーザ駆動方法、及び記憶媒体 - 特許庁
OPTICAL POWER MONITOR INTEGRATED DFB LASER例文帳に追加
光パワーモニタ集積DFBレーザ - 特許庁
The DFB laser part 20 contains the transition area 9, acting as an active area.例文帳に追加
この遷移領域9をDFBレーザ部10に含め、活性領域とする。 - 特許庁
ACTIVE LAYER DISCRETE TYPE PHASE SHIFT DFB LASER例文帳に追加
活性層分離型位相シフトDFBレーザ - 特許庁
By forming such a structure, a ratio that return light enters the DFB-LD is reduced to 1/10-1/30.例文帳に追加
上記構造とすることにより、戻り光がDFB-LDの内部に入射する割合を、1/10〜1/30に低減させることができる。 - 特許庁
A tuning electrode 28 is provided in the rear DFB region S2, and a current is injected into the tuning layer 22 of the rear DFB region S2 independently from the front DFB region S1.例文帳に追加
後方DFB領域S2にチューニング電極28を設け、前方DFB領域S1とは独立して、後方DFB領域S2のチューニング層22に電流を注入する。 - 特許庁
To provide a complex coupling DFB laser having a little irregularity of characteristics.例文帳に追加
特性のバラツキの少ない複素結合DFBレーザを提供する。 - 特許庁
In the distributed feedback semiconductor laser (DFB-LD), a reflectance of a front end face 2 which emits laser beams is in a range of 10-30%.例文帳に追加
分布帰還型半導体レーザ(DFB-LD)において、レーザ光が放出される前端面2の反射率を10〜30%の範囲とする。 - 特許庁
To stabilize the output of second-order higher harmonics within a drawing area, in an image projector that uses a distributed feedback (DFB) laser.例文帳に追加
分布帰還型(DFB)レーザを用いる画像投影装置において、描画領域内の2次高調波の出力を安定化させることである。 - 特許庁
Base fuel injection quantity (learned correction base fuel injection quantity) Fbase corrected with a learned value G updated one by one is corrected by FF correction and FB correction with a feed forward correction coefficient KFF and a feed back correction quantity DFB to determine a command fuel injection quantity Fi(=Fbase×KFF+DFB) in principle.例文帳に追加
逐次更新されていく学習値Gで補正した基本燃料噴射量(学習補正基本燃料噴射量)Fbaseをフィードフォワード補正係数KFFとフィードバック補正量DFBとでFF補正及びFB補正して指令燃料噴射量Fi(=Fbase・KFF+DFB)が原則的に決定される。 - 特許庁
To manufacture a gain-coupled DFB semiconductor laser, using simple processes.例文帳に追加
利得結合型DFB半導体レーザを簡便な工程で製造する。 - 特許庁
To provide a DFB semiconductor laser device oscillated by a single wavelength.例文帳に追加
単一波長で発振するDFB半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
An error distribution memory control part 13 multiplies the difference data Dfr, Dfg and Dfb by predetermined coefficients to generate distribution difference data Dfr' Dfg' and Dfb'.例文帳に追加
誤差分配メモリ制御部13は差分データDfr,Dfg,Dfbに所定の係数を乗算して分配差分データDfr’,Dfg’,Dfb’を生成する。 - 特許庁
The optical pulse testing device includes a plurality of semiconductor lasers (DFB-LD) as testing light sources, and makes output wavelengths of the DFB-LD 2-1 to 2-N mutually different.例文帳に追加
試験光源としての半導体レーザ(DFB−LD)を複数備え、これらDFB−LD2−1〜2−Nの出力波長を互いに異ならせる。 - 特許庁
IMAGE PROJECTOR AND CONTROL METHOD OF DFB LASER IN THE SAME例文帳に追加
画像投影装置及び画像投影装置におけるDFBレーザの制御方法 - 特許庁
In this way, a DFB semiconductor laser which oscillates in a single mode in an (n) order mode can be obtained.例文帳に追加
n次モードで単一モード発振するDFB半導体レーザが得られる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a DFB semiconductor laser that can suppress an increase in manufacturing cost when the DFB semiconductor laser having a current constriction structure is manufactured.例文帳に追加
電流狭窄構造を有するDFB半導体レーザを製造する際に、製造コストの増加を抑制可能なDFB半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
The DFB laser element 45 and a light receiving element 46 are set on a mounting substrate 47.例文帳に追加
実装基板47の上に、DFBレーザ素子45と受光素子46がセットされる。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WIRE STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING DFB LASER ELEMENT例文帳に追加
量子細線構造を作製する方法およびDFBレーザ素子を作製する方法 - 特許庁
The DFB laser device 50 includes a DFB laser element 52 with a buried heterostrcture having a resonator length of 400μm, a differential resistance of 4 Ω and an oscillation wavelength of 1550 nm; and a heat sink 54 bonding and mounting the DFB laser element 52 in a junction-down manner so that heat resistance is ≤50 K/W.例文帳に追加
本DFBレーザ装置50は、共振器長が400μm、微分抵抗が4Ω、発振波長が1550nmの埋め込みヘテロ型のDFBレーザ素子52と、熱抵抗が50K/W以下となるように、ジャンクションダウンでDFBレーザ素子52をボンディング実装したヒートシンク54とを有する。 - 特許庁
Furthermore, an HR coat 110b is provided at one end of a gain coupling DFB laser 100.例文帳に追加
更に、利得結合DFBレーザ100の一方の端にHRコート110bを設ける。 - 特許庁
Successively, the DFB laser LD is sorted out based on the slope efficiency E_1-E_k (process S109).例文帳に追加
続いて、スロープ効率E_1〜E_kに基づいてDFBレーザLDを選別する(工程S109)。 - 特許庁
Signal light having a second wavelength not included in the stop band is inputted to the DFB laser.例文帳に追加
阻止帯域に含まれない第2の波長を有する信号光がDFBレーザに入力する。 - 特許庁
The DFB array section and SOA section are formed in the same chip having a laminate structure.例文帳に追加
DFBアレイ部とSOA部とは同一の積層構造を有するチップ内に形成されている。 - 特許庁
A DFB laser 16 of a control station 10 outputs CW laser beam with wavelength λu.例文帳に追加
制御局10のDFBレーザ16は、波長λuのCWレーザ光を出力する。 - 特許庁
On the n type InP semiconductor substrate 101, MQW 104 for DFB-LD and an electrode 110 for DFB-LD are formed to constitute a monolithic integrated semiconductor element.例文帳に追加
また、上記n型InP半導体基板101の上に、DFB−LD用MQW104及びDFB−LD用電極110が形成されてモノリシック集積半導体光素子が構成される。 - 特許庁
The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band.例文帳に追加
本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還(DFB)レーザ2と、DFBレーザが阻止帯域に含まれる第1の波長でレーザ発振するようにDFBレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁
The SOA element 65 has a function of amplifying a light received from the DFB laser element 81.例文帳に追加
SOA素子65は、DFBレーザ素子81から入力した光を増幅する機能を有している。 - 特許庁
To provide a broad area type semiconductor laser that achieves wavelength control using DFB at a practical level.例文帳に追加
DFBを用いた波長制御を実用レベルで達成したブロードエリア型の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
GRATING MANUFACTURING METHOD, GRATING MANUFACTURING APPARATUS, AND SOLID COLORANT DFB LASER TO WHICH THE GRATING APPLIES例文帳に追加
グレーティングの製造方法及びその装置並びに該グレーティングを適用した固体化色素DFBレーザー。 - 特許庁
To provide a DFB laser capable of obtaining an output essentially obtainable upon laser oscillation.例文帳に追加
レーザ発振時に本来得られるべき出力を得ることができるDFBレーザの提供を目的とする。 - 特許庁
Furthermore, a stray light from the semiconductor DFB laser is prevented from impinging on the monitor PD by a light absorbing agent.例文帳に追加
また、吸光剤により、半導体DFBレーザからの迷光がモニタPDに入射するのを防止する。 - 特許庁
A DFB laser having a λ/4 phase shift provided in the center thereof can be used as the semiconductor laser.例文帳に追加
半導体レーザとしてλ/4位相シフトを中央に設けたDFBレーザを用いることができる。 - 特許庁
To provide a method of easily manufacturing from only one wafer at a time a DFB laser group consisting of a DFB laser which satisfies the predetermined de-tuning condition and emits many laser beams of different wavelengths.例文帳に追加
所定のデチューニング条件を満足し、多数の相互に異なる波長のレーザ光を出射するDFBレーザからなるDFBレーザ群を一つのウエハから一括して容易に作製する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a DFB semiconductor laser whose power can be increased and which can stably oscillate in a single mode.例文帳に追加
高出力化が可能であり、単一モードで安定に発振性するDFB半導体レーザを提供する。 - 特許庁
The compressed data are extracted from the data file Dfb to generate the data file Dfa by generating a table file TBB.例文帳に追加
テーブルファイルTBBを生成することでファイルDfbから圧縮データを抜き出してファイルDfaを生成できる。 - 特許庁
The wavelength variable laser device is provided with the DFB laser oscillator where the oscillation wavelength is controlled by temperature control.例文帳に追加
波長可変レーザ装置は、温度制御によって発振波長が制御されるDFBレーザ発振器を備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor laser capable of easily discriminating a DFB laser which fulfills desired specifications.例文帳に追加
所望の仕様を満足するDFBレーザを容易に選別できる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
The peak of edge on the long wavelength side of the stop band corresponds to the oscillation wavelengths λ_1-λ_4 of a DFB resonator.例文帳に追加
ストップバンドの長波長側のエッジのピークはDFB共振器の発振波長λ_1〜λ_4に対応する。 - 特許庁
This optical transmission module incorporates a multiplex mode distributed feedback laser diode (MM-DFB LD) and a receiver.例文帳に追加
光伝送モジュールは、多重モード分散型フィードバックレーザーダイオード(MM−DFB LD)と受信機とを備えている。 - 特許庁
This polarization-selectable semiconductor laser 22 is a phase- controlled DFB laser which has an active layer with the TE mode and the TM mode of approximately comparative gain and is composed of a DFB laser with a diffraction grating formed near the waveguide and a phase controller disposed in the resonator direction of the DFB laser for controlling the refractive index of the waveguide.例文帳に追加
偏光選択可能な半導体レーザ22は、 TEモードとTMモードの利得がほぼ拮抗する活性層を有し、導波路付近に回折格子が形成されているDFBレーザ部と、DFBレーザ部の共振器方向に配置され、導波路の屈折率を制御できる位相制御部で構成される位相制御型DFBレーザである。 - 特許庁
The width of the mask 103 in a DFB laser region and that of the mask 103 in an EA modulator region are adjusted so as to be a detuning amount by which the extinction ratio of each semiconductor laser and that of a pair of electric field absorption optical modulators become nearly equal.例文帳に追加
その際に、DFBレーザ領域とEA変調器領域のマスク103の幅は、各半導体レーザと電界吸収型光変調器の対の消光比がほぼ等しくなるデチューニング量になるように、調整される。 - 特許庁
The optical semiconductor module further comprises a detection unit 5 which detects the output from the DFB laser 1, and a control unit (APC drive circuit 6) which controls the output from the DFB laser 1 according to the detection results by the detection unit 5.例文帳に追加
光半導体モジュールは、更に、DFBレーザ1の出力を検出する検出部5と、検出部5による検出結果に応じてDFBレーザ1の出力を制御する制御部(APC駆動回路6)を有する。 - 特許庁
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