「DFB」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a gain-coupled DFB laser structure, capable of single wavelength operation and high optical output operation over a wide temperature range, in regard to an optical semiconductor device and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

光半導体素子及びその製造方法に関し、広い温度範囲で単一波長動作と高光出力動作が可能な利得結合型ＤＦＢレーザ構造を実現する。 - 特許庁

A wavelength converter 34 converts a wavelength λn of a received signal Sn into a wavelength λc that is decided by a wavelength λp of a probe light from a DFB laser 30 and the wavelength λn.例文帳に追加

波長変換装置３４は、受信信号Ｓｎの波長λ_ｎを、ＤＦＢレーザ３０からのプローブ光の波長λ_ｐと波長λ_ｎにより決定される波長λ_ｃに変換する。 - 特許庁

An assembly part comprises a laser light source 2, such as a distributed feedback laser (DFB) integrated along a common waveguide with a modulator, such as an electric field absorption type modulator (EAM).例文帳に追加

電界吸収型変調器（ＥＡＭ）等の変調器と共に共通の導波路に沿って集積化された分布帰還型レーザー（ＤＦＢ）等のレーザー光源（２）を含む組立部品である。 - 特許庁

To provide a laser diode with a new structure, in particular, a DFB (or, DBR and BR) laser diode having periodic patterns of new morphology, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

新しい構造のレーザーダイオード、特に新しい形態の周期的なパターンを有するＤＦＢ（あるいは、ＤＲＢ及びＤＲ）レーザーダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To be more specific, a 0.98 μm LD 14 outputs excitation light with 976 nm oscillation wavelength, and a 1.3 μm DFB-LD 13 outputs excitation light with 1,310 nm oscillation wavelength.例文帳に追加

具体的には、０．９８μｍＬＤ１４が発振波長９７６ｎｍの励起光を出力し、１．３μｍＤＦＢ−ＬＤ１３が発振波長１３１０ｎｍの励起光を出力する。 - 特許庁

The DFB laser is a laser element having a diffraction grating where an oscillation wavelength λ_e is set independently of the light gain distribution of an active layer near the active layer in a resonator structure.例文帳に追加

本ＤＦＢレーザは、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λ_eを設定した回折格子を共振器構造内の活性層の近傍に備えたレーザ素子である。 - 特許庁

To provide a distributed feedback (DFB) semiconductor laser device which is not affected by reflected return light and includes a high single-wavelength oscillation probability.例文帳に追加

本発明の目的は、反射戻り光による影響を受けることなく、かつ高い単一波長発振確率を有する分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ装置を提供可能とすることである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical integrated device which can easily achieve compatibility between the oscillation wavelength of a DFB semiconductor laser and the absorption end wavelength of an EA modulator.例文帳に追加

ＤＦＢ半導体レーザの発振波長とＥＡ変調器の吸収端波長との調整をとることが容易な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The laser module 20 efficiently delivers an emitted light from the DFB laser element 81 not via an optical fiber to the SOA element 65, and outputs the light amplified by the SOA element 65 from an optical fiber 88.例文帳に追加

レーザモジュール２０は、ＤＦＢレーザ素子８１からの出射光を光ファイバを介すことなく効率よくＳＯＡ素子６５に導き、ＳＯＡ素子６５で増幅した光を光ファイバ８８から出力する。 - 特許庁

Data management files DFA, DFB, and DFC indicating the sharing relation of data in plural terminals are preliminarily stored in a data management file preserving part 134 for each data A, B, and C to be shared.例文帳に追加

複数の端末内におけるデータの共有関係を示すデータ管理ファイルＤＦＡ，ＤＦＢ，ＤＦＣを、共有されるデータＡ，Ｂ，Ｃごとに予めデータ管理ファイル保存部１３４に記憶させる。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type DFB semiconductor laser device, having a simple structure and a low threshold current, in which the deterioration in the temperature characteristic of current-light output characteristics is suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

構成が簡単で、しきい値電流が低く、電流−光出力特性の温度特性の劣化の少ないリッジ導波路型ＤＦＢ半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To minimize a refraction index coupling coefficient by minimizing the difference of refraction indices and maximizing a gain coupling coefficient between a gain region and embedded region in a gain coupling type DFB laser diode.例文帳に追加

利得結合型ＤＦＢレ−ザダイオ−ドにおいて、利得領域と埋込領域との間の屈折率差を最小化し、利得結合係数を最大化し屈折率結合係数を最小化する。 - 特許庁

The oscillation wavelength in DFB mode has a wavelength temperature dependence where it emits light of wavelength λ1 at an operation guarantee lower limit temperature T_L and emits light of wavelength λ2 at an operation guarantee upper limit temperature T_H.例文帳に追加

ＤＦＢモードにおける発振波長は、動作保証下限温度Ｔ_Ｌにおいて波長λ１で、動作保証上限温度Ｔ_Ｈで波長λ２で発光する波長温度依存性を持つ。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A modulated electric signal Vd' is inputted to not only the light modulator 10 but also the DFB laser 20 so that the incident rays of light Pin can be light-modulated, and that the insufficiently modulated rays of light are light-modulated by the light modulator 10.例文帳に追加

変調電気信号Ｖｄ′が、光変調器１０のみならずＤＦＢレーザ２０にも入力されるため、入射光Ｐｉｎも光変調され、変調不足分を光変調器１０にて光変調する。 - 特許庁

An ECU calculates a feedback value efb for making actual engine torque close to target engine torque, and reflects a value obtained by limiting the absolute value of the calculated feedback value dfb to an efb guard value or less on a throttle opening.例文帳に追加

ＥＣＵは、実エンジントルクが目標エンジントルクに近づけるためのフィードバック量ｅｆｂを算出し、算出されたフィードバック量ｅｆｂの絶対値をｅｆｂガード値以下に制限した値を、スロットル開度に反映させる。 - 特許庁

This duty ratio (a Duty value D) is set, in principle, according to a manipulation variable (a base value Dfb) of feedback control, in which an output voltage Vout is used as a control variable in a feedback control section B10.例文帳に追加

この時比率(Ｄｕｔｙ値Ｄ)は、基本的には、フィードバック制御部Ｂ１０において出力電圧Ｖｏｕｔを制御量とするフィードバック制御の操作量(ベース値Ｄｆｂ)に応じて設定される。 - 特許庁

The DFB laser LD is equipped with a semiconductor laser chip CP having an end surface E1 and an end surface E2, a high reflective film C1 prepared on the end surface E1, and a low reflective film C2 prepared on the end surface E2.例文帳に追加

ＤＦＢレーザＬＤは、端面Ｅ１及び端面Ｅ２を有する半導体レーザチップＣＰと、端面Ｅ１上に設けられた高反射膜Ｃ１と、端面Ｅ２上に設けられた低反射膜Ｃ２とを備える。 - 特許庁

To provide the DFB laser of a gain diffraction lattice connection type, which is superior in control property for forming a diffraction lattice and uniformity in a wafer face and has the high structure of a manufacture yield at the time of manufacturing the diffraction lattice.例文帳に追加

回折格子の作製に際して、回折格子形成の制御性及びウエハ面内均一性に優れ、従って製品歩留りの高い構造を備えた利得性回折格子結合型のＤＦＢレーザを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1A is equipped with: a DFB region 10 having a wavelength-reflection rate characteristic cyclically changing with a first wavelength interval and generating light due to current injection; and a DBR region 20 provided on a semiconductor substrate 3 side by side with the DFB region 10 and having a wavelength-reflection rate characteristic cyclically changing with a second wavelength interval different from the first wavelength interval.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、第１の波長間隔でもって周期的に変化する波長−反射率特性を有すると共に、電流注入により光を発生するＤＦＢ領域１０と、ＤＦＢ領域１０と並んで半導体基板３上に設けられ、第１の波長間隔とは異なる第２の波長間隔でもって周期的に変化する波長−反射率特性を有するＤＢＲ領域２０とを備える。 - 特許庁

In the multilayer structure of a DFB laser 1, upper part of an upper clad layer 16, a grating 14, an upper SCH layer 13, an MQW active layer 12, a lower SCH layer 10, and a lower clad layer 8 forms a mesa stripe.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ１の積層構造のうち、上部クラッド層１６、回折格子１４、上部ＳＣＨ層１３、ＭＱＷ活性層１２、下部ＳＣＨ層１０、及び下部クラッド層８の上部は、メサストライプを形成している。 - 特許庁

A temperature adjustment mechanism 16 detects temperature in the radiation fin 13 by a temperature sensor 15 provided in the radiation fin 13 to control the inputting power to the heater 14, and temperature in the uncooled DFB laser 11 is adjusted.例文帳に追加

温度調整機構１６は放熱フィン１３に設けられた温度センサー１５によって放熱フィン１３の温度を検出してヒーター１４への投入電力を制御し、アンクールドＤＦＢレーザ１１の温度調整を行う。 - 特許庁

The polarizing direction of an intensity-modulated light output according to a modulating electrical signal inputted the DFB laser, is selectable between TE and TM by a polarization control electric signal inputted to the phase controller as desired.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ部に入力された変調電気信号に対応して強度変調された光出力の偏光方向を、位相制御部へ入力される偏光制御電気信号により、ＴＥ／ＴＭ間で任意に選択できる。 - 特許庁

To solve a problem, in a conventional DFB laser element having a diffraction grating disposed on the surface, that it is difficult to satisfy two contradictory conditions: to set a normalized coupling coefficient KL to a suitable value and to achieve good high speed modulation characteristics.例文帳に追加

表面に回折格子を配置した従来のＤＦＢレーザ素子においては、規格化結合係数κＬを好適な値にすることと、良好な高速変調特性を得ることとを両立させることが困難である。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device such as a ridge type InGaAlAs system DFB laser element which can form a high reflection film structure having a multitude of films (a plurality of layers of dielectric multilayer films) without causing film peeling.例文帳に追加

膜剥がれなどを起こすことなく、膜数の多い（誘電体多層膜の層数が多い）高反射膜構造を実現することが可能なリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザ素子などの半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a DFB receiver capable of automatically performing wavefront adjustment of each transmission/reception module in a phased array antenna even without performing collection of an I/Q signal, calculation of a correction value, and setting of a correction value.例文帳に追加

Ｉ／Ｑ信号の収集、補正値の算出及び、補正値の設定の実施をしなくても、自動的にフェーズドアレイアンテナにおける各送受信モジュールの波面調整を行うことが可能なＤＢＦ受信器を提供すること。 - 特許庁

The optical wavelength converting device has first and second light sources 11 and 19 such as DFB lasers, and a nonlinear optical element 31 on which first light and second light emitted by the first and second light sources 11 and 19 are made incident and which outputs their sum frequency light.例文帳に追加

光波長変換装置は、ＤＦＢレーザなどの第1、第2の光源11、19と、第1、第2の光源11、19から夫々発せられる第1、第2の光を入射してその和周波光を出力する非線形光学素子31を有する。 - 特許庁

In this manner, the transmission refractive index is changed, whereby even after the variable-wavelength light source 100-1 is manufactured, the oscillation wavelength of the DFB laser can be made coincident with the central wavelength of the transmission band of the semiconductor array waveguide lattice 120-1.例文帳に追加

このようにして透過屈折率を変化させることにより、波長可変光源100-1を作製後でも、ＤＦＢレーザの発振波長と、半導体アレイ導波路格子120-1の透過帯域中心波長を一致させることができる。 - 特許庁

To provide a wavelength variable laser device that is provided with a DFB laser oscillator where the oscillation wavelength is controlled by temperature control, and that can prevent a change in optical output when the oscillation wavelength is changed.例文帳に追加

温度制御によって発振波長が制御されるＤＦＢレーザ発振器を備えた波長可変レーザ装置であって、発振波長を変化させた時の光出力の変動を抑制可能な波長可変レーザ装置を提供する。 - 特許庁

A band gap wavelength λ_En of the diffraction grating layer G_n is determined based on a correlation between the pre-calculated oscillating wavelength λ_n of the DFB laser DFB_n and the band gap wavelength λ_En of the diffraction grating layer G_n.例文帳に追加

回折格子層Ｇ_ｎのバンドギャップ波長λ_Ｅｎは、予め算出されたＤＦＢレーザＤＦＢ_ｎの発振波長λ_ｎと回折格子層Ｇ_ｎのバンドギャップ波長λ_Ｅｎとの相関関係に基づいて決定される。 - 特許庁

To provide a wavelength selective type variable wavelength laser device, wherein the number of DFB laser elements (or DBR laser elements) is not fewer than 10, the intensity of the optical output is not lower than 20 mW, and the spectral line width is suppressed to be not wider than 10 MHz.例文帳に追加

波長選択型の波長可変レーザ装置に含まれるＤＦＢレーザ（又はＤＢＲレーザ）の個数を１０以上、装置の光出力強度を２０ｍＷ以上にし、且つ、出力光のスペクトル線幅を１０ＭＨｚ以下に抑える。 - 特許庁

The optical semiconductor module also comprises an optical system 4 which couples the light (laser light 3) emitted from the DFB laser 1 to the optical transmission line, and includes a lens 41 which focuses the emitted light on an incident end face 2a of the optical transmission line.例文帳に追加

光半導体モジュールは、更に、ＤＦＢレーザ１からの出射光（レーザ光３）を光伝送路に結合させる光学系４であって、出射光を光伝送路の入射端面２ａに集束させるレンズ４１を含む光学系４を有する。 - 特許庁

In the wavelength variable laser diode of a TTG-DFB structure, a semiconductor barrier layer (27) is formed around a current path of a drive current or a control current to an active layer (22E) or a tuning layer (22C) to suppress carrier leakage.例文帳に追加

ＴＴＧ−ＤＦＢ構造の波長可変レーザダイオードにおいて、活性層（２２Ｅ）あるいはチューニング層（２２Ｃ）への駆動電流あるいは制御電流の電流路の周囲に、半導体障壁層（２７）を形成し、キャリアのリークを抑制する。 - 特許庁

A rectifying circuit REC is connected to the output winding Ns2 of the transformer T1, and the DC voltage of the rectifying circuit REC is supplied to a PWM control drive circuit PWD via a voltage detecting feedback circuit DFB and a photocoupler PHC.例文帳に追加

トランスＴ１の出力巻線Ｎｓ２には整流回路ＲＥＣが接続され、その整流回路ＲＥＣのＤＣ電圧は電圧検出・フィードバック回路ＤＦＢ、フォトカプラＰＨＣを介してＰＷＭ制御・駆動回路ＰＷＤに供給される。 - 特許庁

The DFB laser element 52 has the laminated structure of an MQW-SCH layer, a p-InP spacer layer, a diffraction grating whose period is about 240 nm, and a p-InP buried layer for the diffraction grating on the surface of an n-In substrate.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子５２は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層、ＭＱＷ−ＳＣＨ層、ｐ−ＩｎＰスペーサー層、周期が約２４０ｎｍの回折格子、及び回折格子のｐ−ＩｎＰ埋め込み層の積層構造を有する。 - 特許庁

To make the number of DFB-lasers (or DBR-lasers) capable of selecting wavelength not less than 10, and its optical output strength of the device not less than 20 mW, and the optical output spectral line width not more than 10 MHz, in a wavelength variable laser device.例文帳に追加

波長選択型の波長可変レーザ装置に含まれるＤＦＢレーザ（又はＤＢＲレーザ）の個数を１０以上、装置の光出力強度を２０ｍＷ以上にし、且つ、出力光のスペクトル線幅を１０ＭＨｚ以下に抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device and its drive method, which can modulate so that difference in wavelength Δλ between oscillation wavelength of a DFB laser and a bandgap wavelength becomes the same, using a single modulator, over a wide range of wavelengths (for example, a range of 12 nm or larger).例文帳に追加

広い波長範囲（例えば１２ｎｍ以上の範囲）において、１つの変調器でＤＦＢレーザの発振波長とバンドギャップ波長との波長差Δλが同一となるように変調することができる半導体レーザ装置及びその駆動方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which includes an active layer made of semiconductor and is given by a large influence on its laser characteristic associated with oxidization, and can establish a gain-coupled DFB structure without processing an active layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化によるレーザ特性への影響が大きい半導体を活性層とする半導体レーザ素子において、活性層を加工することなく利得結合型ＤＦＢ構造を得ることができる半導体レーザ素子及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

A first optical waveguide is connected to one end of a wavelength variable DFB laser array, a second optical waveguide is connected to the other end, a first semiconductor Mach-Zehnder modulator is connected to the first optical waveguide, and a second semiconductor Mach-Zehnder modulator is connected to the second optical waveguide.例文帳に追加

波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも大きくされている。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも小さくされている。 - 特許庁

A control circuit 44 controls the oscillated wavelength λp of the DFB laser 30 via a Peltier element 42 so as to maximize the amplitude of the output of the BPF 58 and also controls a pass center wavelength of the optical BPF 48 so as to pass only the wavelength λc.例文帳に追加

制御回路４４は、ＢＰＦ５８の出力の振幅が最大になるように、ペルチェ素子４２を介してＤＦＢレーザ３０の発振波長λ_ｐを制御し、同時に、波長λ_ｃのみを通過するように光ＢＰＦ４８の通過中心波長を制御する。 - 特許庁

Application of an offset bias with respect to an-optical modulator 14 and the temperature control of a semiconductor laser chip 15 are conducted, such that the difference in wavelength Δλ between respective wavelengths in DFB lasers LD1 to LD8 and the bandgap wavelength becomes constant.例文帳に追加

ＤＦＢレーザＬＤ１〜ＬＤ８における各発振波長と光変調器１４におけるバンドギャップ波長との波長差Δλが一定になるように、光変調器１４に対するオフセットバイアスの印加、及び半導体レーザチップ１５の温度制御を行うようにした。 - 特許庁

In addition, the optical pulse testing device suppresses output light intensity of DFB-LD 2-1 to 2-N up to a degree not generating induced brillouin scattering in a fiber to be tested 18, and increases the intensity of total testing light pulses by wavelength-multiplexing each output light (testing light).例文帳に追加

また、ＤＦＢ−ＬＤ２−１〜２−Ｎの出力光強度を、被試験ファイバ１８において誘導ブリルアン散乱を生じない程度にまで抑えるとともに、各出力光（試験光）を波長多重することでトータルの試験光パルスの強度を増加させる。 - 特許庁

A stripe mask 32 having mask widths set for the regions, respectively, according to the etching rates determined, respectively, for the SCH-MQ active layer of a DFB (distributed feedback) laser region 10A and for the SCH-MQW absorption layer (active layer) of an EA optical modulator region 10B.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ領域１０ＡのＳＣＨ−ＭＱＷ活性層、及びＥＡ光変調器領域１０ＢのＳＣＨ−ＭＱＷ吸収層（活性層）のそれぞれのエッチングレートに基づいて、各領域でマスク幅が設定されたストライプマスク３２を使用する。 - 特許庁