「ELECTRON CYCLOTRON」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The power source and the magnets 220 interact with each other and cause resonance of an electron cyclotron along a passage.例文帳に追加

パワー源と磁石220とは相互作用し、通路に沿って電子サイクロトロンの共振状態を与える。 - 特許庁

The Al2O3 film is formed particularly by an electron cyclotron resonance plasma sputtering method.例文帳に追加

特にこのＡl_2Ｏ_3膜を、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ法で成膜する。 - 特許庁

ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE ASHING DEVICE FOR TREATING GLASS SUBSTRATE OR WAFER例文帳に追加

ガラス基板またはウエハー処理用電子サイクロトロン共鳴アッシング装置 - 特許庁

To provide a plasma generating device which can perform a good electron cyclotron resonance heating.例文帳に追加

良好な電子サイクロトロン共鳴加熱を行うことができるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

The electrically conductive carbon film 2 is formed on the substrate 1 using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process.例文帳に追加

導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。 - 特許庁

ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA DEPOSITION PROCESS, DEVICE FOR SINGLE-WALL CARBON NANOTUBE, AND NANOTUBE PREPARED BY USING THE SAME例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴プラズマ成膜プロセスおよび一重壁カーボンナノチューブのための装置ならびにそれによって得られたナノチューブ - 特許庁

To provide a method by which a crystalline carbon nitride film having >1 nitrogen to carbon ratio (N/C) can be formed by an ECR(electron cyclotron resonance) sputtering method.例文帳に追加

ECR（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によって、窒素対炭素比（N／C比）が1を越える結晶質の窒化炭素膜を形成できる方法を提供する - 特許庁

The substrate is a transparent one, and the lower part substrate electrode can be formed by the electron cyclotron resonance sputtering method.例文帳に追加

前記基板が透明基板であり、前記下部電極も電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成してもよい。 - 特許庁

In this case, an electron cyclotron resonance spatter method using a target comprising ZnO containing Eu may be used.例文帳に追加

この場合、Ｅｕを含有するＺｎＯからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法を用いればよい。 - 特許庁

The power source 174 and the magnetic apparatus 170 collaborate each other in giving an electron cyclotron resonance(ECR) condition at lease along a part of the passage 139.例文帳に追加

パワー源174と磁気装置170は、協働して通路139の少なくとも一部分に沿って電子サイクロトロン(ECR)の共振状態を与える。 - 特許庁

SYSTEM FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AT AMBIENT TEMPERATURE USING ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE AND METHOD FOR DEPOSITING METAL COMPOSITE USING THE SAME例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴を利用した常温化学蒸着システム及びこれを利用した複合金属膜の製造方法 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance)sputtering system capable of performing the film deposition sputtering on a substrate to which the low-temperature film deposition is requested.例文帳に追加

低温成膜が要求される基板に対して、成膜スパッタリングを可能とするＥＣＲスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment equipment which can control electron temperature of electron cyclotron resonance (ECR) plasma with high precision.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）プラズマの電子温度を高精度に制御可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus forms a multilayer film on a substrate S by generating a plasma by electron cyclotron resonance and sputtering targets 11A, 11B with ions 21 in the generated plasma.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマ中のイオン２１でターゲット１１Ａ，１１Ｂをスパッタリングして基板Ｓ上に多層膜を形成するＥＣＲスパッタ装置に関する。 - 特許庁

By composing an ion source by a plasma source due to electron cyclotron resonance and an extraction electrode, a low-acceleration voltage ion beam that is uniform and has improved parallelism over a wise area can be drawn.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ源と引き出し電極でイオン源を構成することで、広い面積にわたり均一で平行性のよい低加速電圧のイオンビームを引き出すことができる。 - 特許庁

The oxidation layer 202 can be formed by, for example, irradiating the surface of the SOI layer 201 with an electron cyclotron resonance (ECR) plasma of oxygen gas for about 4 minutes.例文帳に追加

例えば、酸素ガスの電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを、ＳＯＩ層２０１の表面に４分程度照射することで、酸化層２０２を形成することができる。 - 特許庁

To obtain good seal performance between a plasma space and its outside, over a long period in an ECR(electron cyclotron resonance) plasma processing unit.例文帳に追加

例えばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ処理装置において、長期間に亘ってプラズマ空間と外部との間の高いシール性を得ること。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

Harmonic ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma is generated by introducing plasma source gas and microwave and applying the mirror magnetic field to perform the sputtering.例文帳に追加

プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。 - 特許庁

The formation of the BiFeO_3 crystal film 102 is performed by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma sputtering process using a target of a sintered compact mainly composed of the oxide of bismuth and iron.例文帳に追加

ここで、ＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。 - 特許庁

Next, a state where a platinum thin film 103 with a film thickness of about 200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process using a platinum target is made.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

In this ECR(Electron Cyclotron Resonance) plasma device, a substrate voltage application device 23 and a target voltage application device 24 respectively apply bias voltages to a substrate 20 and targets 22 fixed inside a vacuum chamber 11.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に基板２０とターゲット２２を固定し、これらに基板用電圧印加装置２３とターゲット用電圧印加装置２４とによってそれぞれバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescent element in which on a substrate, at least a lower part electrode, an organic thin film, and an upper part transparent electrode are provided, and the upper part transparent electrode is film-formed on the organic thin film by an electron cyclotron resonance sputtering method.例文帳に追加

基板上に、少なくとも下部電極、有機薄膜、上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する際、有機薄膜上に電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって上部透明電極を成膜する。 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering system where a device having high reliability can be produced by depositing a thin film of high quality on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に高品質の薄膜を形成することにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるＥＣＲスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

While plasma cleaning is continued, magnetic field produced by a magnetic field generator 151 from the outside of a processing container 100 produces electron cyclotron resonance around the outer periphery of the electrode 112 for placement within the processing container, and plasma density is reduced on the electrode 112 for placement.例文帳に追加

プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 - 特許庁

To exclude the generation of hydrogen in a film deposition chamber caused by hydrocarbon used as a film deposition raw material in the conventional ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma film deposition system and its intrusion into a DLC (Diamond Like Carbon) film, and to improve the film quality of the DLC film by an ECR plasma film deposition process.例文帳に追加

従来のＥＣＲプラズマ成膜装置における、成膜原材料として用いる炭化水素に起因する成膜室内における水素の発生およびそのＤＬＣ膜への混入を排除し、ＥＣＲプラズマ成膜法によるＤＬＣ膜の膜質を改善する。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。 - 特許庁

In the ECR sputtering apparatus for depositing the thin film comprising a plurality of elements on a substrate S by generating plasma by electron cyclotron resonance and sputtering a target with the generated plasma, a plurality of targets 11A, 11B corresponding to the plurality of elements A, B constituting the thin film are arranged.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマでターゲットをスパッタリングして基板Ｓ上に複数の元素から成る薄膜を形成するＥＣＲスパッタリング装置において、薄膜を構成する複数の元素Ａ，Ｂに対応して複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂを配設する。 - 特許庁

The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、発散磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method.例文帳に追加

原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。 - 特許庁

The plasma processing device for performing plasma processing of a test piece by generating plasma inside a vacuum processing chamber 1 is provided with a plurality of groups (7, 7') of high frequency induction antennas for forming an induction electric field which rotates clockwise on an ECR face of a magnetic field formed in the vacuum processing chamber 1, and plasma is generated by an electron cyclotron resonance (ECR) phenomenon.例文帳に追加

真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 - 特許庁

To deposit a hard carbon film at a high film deposition rate and also at a low temperature in a method in which Ar plasma by electron cyclotron resonance is generated in a plasma generating chamber 4, the Ar plasma is applied on a substrate 9 arranged in a vacuum chamber 7, simultaneously, gaseous hydrocarbon is fed to the vacuum chamber 7, and a hard carbon film is deposited on the substrate 9.例文帳に追加

プラズマ発生室４に電子サイクロトロン共鳴によるＡｒプラズマを発生させ、該Ａｒプラズマを真空チャンバー７内に配置した基板９に照射すると同時に、真空チャンバー７に炭化水素ガスを供給して、基板９上に硬質炭素被膜を形成する方法において、高い成膜速度でかつ低温で硬質炭素被膜を形成する。 - 特許庁

As a concrete example, by a plasma sputtering method using an electron cyclotron resonance(ECR), a strontium titanate(SrTiO_3) film of about several hundreds of nm thickness is formed on a silicon substrate, the film is irradiated with microwaves at 28 GHz in air, so as to be post-annealed, and a dense and fine crystal in several tens of nm is revealed.例文帳に追加

具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム ＳrＴi Ｏ_3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。 - 特許庁

A thin magnetic field layer perpendicular to a cathode current is applied from the outside of a plasma heating tube to the position of the grid electrode conductor in place of the grid electrode conductor, and using the phenomenon that an electron flow causes cyclotron motion, the cathode current is controlled by the strength of the magnetic field layer whereby gain action similar to the grid electrode conductor is obtained to heat a plasma while solving the thermal problems.例文帳に追加

本発明では上記格子電極導体の代わりに格子電極導体の位置にプラズマ加熱管の外部より陰極電流に直角な薄い磁界層を加え，電子流がサイクロトロン運動を生じることを利用して磁界層の強さにより陰極電流を制御することにより格子電極導体と同様の利得作用を得てプラズマを加熱すると共に熱的問題を解決している。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

To easily acquire a necessary magnetic flux density distribution required for obtaining necessary ions, in an electron cyclotron ion source which is constituted of a conduction tube to introduce a gas medium, a waveguide for injecting high frequency waves to excite the gas medium, a vacuum vessel with an ion extraction unit, and permanent magnets for impressing a magnetic field to the vacuum vessel.例文帳に追加

ガス媒質を導入する導管、ガス媒質を励振するための高周波を注入する導波管、イオンの抽出部を有する真空容器、及び真空容器に磁場を印加するための永久磁石からなる電子サイクロトロンイオン源において、所要のイオンを得るのに必要な磁束密度分布を容易に得られるようにすること。 - 特許庁

In a mass spectrometer designed to analyze a mass by ionizing a molecule, separating an molecule ion generated by ionization, and detecting the separated molecule ion, an ion source to ionize the molecule is an ECR ion source in which ECR plasma having low energy suitable for the molecule weight of a macromolecule having a molecule weight of not less than 1,000 is generated by an electron cyclotron resonance phenomenon, and the macromolecule is ionized by the ECR plasma.例文帳に追加

分子をイオン化し、イオン化により生成した分子イオンを分離し、分離した分子イオンを検出して質量を分析するようにした質量分析装置において、分子をイオン化するイオン源が、電子サイクロトロン共鳴現象により分子量が１０００以上の高分子の分子量に適した低エネルギー電子を有するＥＣＲプラズマを発生させ、上記ＥＣＲプラズマにより上記高分子をイオン化するＥＣＲイオン源であるようにした。 - 特許庁

The electrolyte membrane for the direct methanol fuel cell has stacked structure of a proton conductive polymer membrane 1 and a carbon thin membrane 6, and the carbon thin membrane 6 is formed on the proton conductive polymer membrane 1 by an electron cyclotron resonance sputtering method, and has structure mixed with graphite structure crystalline carbon 7 and amorphous carbon 8.例文帳に追加

プロトン伝導性高分子膜１とカーボン薄膜６との積層構造を有する直接メタノール型燃料電池用電解質膜であって、カーボン薄膜６は、電子サイクロトン共鳴スパッタ法を用いてプロトン伝導性高分子膜１上に成膜され、グラファイト構造の結晶性カーボン７とアモルファスカーボン８が混在した構造を有することを特徴とする直接メタノール型燃料電池用電解質膜を構成する。 - 特許庁