「ESD」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor integrated circuit device having enhanced ESD resistance and satisfying an ESD test according to an HBM test standard.例文帳に追加

ＨＢＭ試験規格によるＥＳＤ試験を満足し、ＥＳＤ耐圧が向上した半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

The ESD suppressing sheet is an ESD suppressor for preventing the influence of static electricity applied by electronic equipment, and is substantially made of a sheet material including a soft magnetic material which is provided on a desired part of electronic equipment.例文帳に追加

ESD抑制シートは、電子機器の静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になる。 - 特許庁

The ESD power clamp includes: trigger circuitry that determines to allow a power clamp to be on time in the ESD events; and drive circuitry that supplies ESD current by driving pull-down devices.例文帳に追加

ＥＳＤパワークランプは、ＥＳＤ事象中にパワークランプをオンタイムにすることを決めるためのトリガ回路構成要素と、プルダウン装置を駆動してＥＳＤ電流を送るための駆動回路とを含んでいる。 - 特許庁

In the I/O ESD protection cell, the V_DD ESD protection element, power clamping element, and V_SS ESD protection element are adjacent to each together such that respective elements are linearly connected, or disposed in a way of being partially overlapped.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ ＥＳＤ保護セルでＶ_ＤＤ ＥＳＤ保護素子、パワークランプ素子及びＶ_ＳＳ ＥＳＤ保護素子は各素子が一直線に連結されるように隣接するか、一部重畳して配置される。 - 特許庁

In such ESD protection diode as above configuration, it is possible to make a surge current to vertically flow (in the depth direction) and to obtain the sufficient ESD protection capability without increasing an area of the ESD protection element.例文帳に追加

このような構成の静電保護ダイオードでは、サージ電流を縦方向（深さ方向）に流すことができ、静電保護素子の面積を大きくすることなく、十分な静電保護能力が得られる。 - 特許庁

The transistor NB is turned on when ESD of +2000 [V] is inputted and the transistor PB is turned on when ESD of -2000 [V] is inputted.例文帳に追加

＋２０００［Ｖ］のＥＳＤ入力時にはトランジスタＮＢがオンし、−２０００［Ｖ］のＥＳＤ入力時にはトランジスタＰＢがオンする。 - 特許庁

To provide a bidirectional ESD power clamp which consumes less area.例文帳に追加

エリアの消費が少ない双方向ＥＳＤパワークランプを提供する。 - 特許庁

To reduce the congestion of signal wires around an ESD protection circuit resulting from the presence of a connecting wire on the ESD protection circuit.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路上の接続配線の存在に起因する、ＥＳＤ保護回路近傍における信号配線の混雑を緩和する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with improved ESD (Electro Static Discharge) resistance.例文帳に追加

ＥＳＤ（Electro Static Discharge）耐量を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ESD protection diode is provided between a signal line and a low-potential-side power source, and static electricity applied to the signal line is input to the ESD protection diode.例文帳に追加

ＥＳＤ保護ダイオードは、信号線と低電位側電源の間に設けられ、信号線に印加される静電気が入力される。 - 特許庁

ESD PROTECTION STRUCTURE BETWEEN CHIPS FOR HIGH SPEED/HIGH FREQUENCY DEVICE例文帳に追加

高速・高周波数デバイスのためのチップ間ＥＳＤ保護構造体 - 特許庁

To provide a low-power consumption switch and ESD protection element.例文帳に追加

低消費電力のスイッチ及びＥＳＤ保護素子を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit capable of suppressing an unnecessary current.例文帳に追加

不要な電流を抑制できるＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

REDUNDANT LOGIC CIRCUIT HAVING DEVICE CHARGED MODEL ESD BREAKDOWN PROTECTING CIRCUIT例文帳に追加

デバイス帯電モデルＥＳＤ破壊保護回路付冗長論理回路 - 特許庁

The ESD transient detection circuit further includes a second part (M1, M2) for detecting the occurrence of a second ESD transient in the second node.例文帳に追加

ＥＳＤ過渡検出回路はさらに、第２のノードでの第２のＥＳＤ過渡の発生を検出する第２の部分（Ｍ１，Ｍ２）を備える。 - 特許庁

An electrostatic capacitance of the ESD protection elements is equal to or lower than 0.35 pF.例文帳に追加

静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。 - 特許庁

This differential input/output device includes a P type transistor differential pair 500, a first ESD protection unit and a second ESD protection unit.例文帳に追加

差動入力／出力装置は、Ｐ型トランジスタ差動対５００、第１のＥＳＤ保護ユニットおよび第２のＥＳＤ保護ユニットを含む。 - 特許庁

An electrostatic discharge(ESD) protecting circuit 20 includes an active load circuit 22 connected with a lateral diffused MOS transistor having a low density doped drain(LDD).例文帳に追加

静電放電（ESD）保護回路（２０）が、低濃度ドープドレイン（LDD）を有する横方向拡散MOSトランジスタに接続された能動負荷回路（２２）を含む。 - 特許庁

The ESD device model (24) has a first ESD device model (25) allowing current to flow from the drain terminal (21) to the source terminal (22) and a second ESD device model (26) having the same constituent element as that of the first ESD device model (25) and allowing current to flow from the source terminal (22) to the drain terminal (21).例文帳に追加

ＥＳＤデバイスモデル（２４）は、ドレイン端子（２１）からソース端子（２２）に電流が流れる第１のＥＳＤデバイスモデル（２５）と、第１のＥＳＤデバイスモデル（２５）と構成要素が同じであり、ソース端子（２２）からドレイン端子（２１）に電流が流れる第２のＥＳＤデバイスモデル（２６）と、を備えている。 - 特許庁

To provide an IC provided with a transistor for an ESD protection for ensuring ESD protection performance, which has been obtained by improving the TLP characteristics, of the ESD protection transistor formed in a high concentration well region.例文帳に追加

高濃度化されたウエル領域に形成されるＥＳＤ保護トランジスタのＴＬＰ特性を改善して、ＥＳＤ保護性能を確保することができるＥＳＤ保護用トランジスタを有するＩＣを提供すること。 - 特許庁

To reduce the device area of an ESD protection semiconductor device.例文帳に追加

ＥＳＤ保護半導体装置において、装置面積の縮小化を図る。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

To more improve ESD resistance of a circuit side which receives a signal.例文帳に追加

信号を受信する回路側のＥＳＤ耐性をより向上させる。 - 特許庁

To easily enhance an ESD discharging performance in a MOSFET type ESD protection element having an LDD structure.例文帳に追加

本発明は、ＬＤＤ構造を有するＭＯＳＦＥＴ型のＥＳＤ保護素子において、ＥＳＤ放電能力を容易に向上できるようにする。 - 特許庁

To replace a protective circuit against ESD with a more accurate equivalent circuit and also to analyze the entire resistance to ESD of a protective circuit against ESD quickly and accurately, concerning a simulation method for a protective circuit against electrostatic breakdown.例文帳に追加

静電破壊保護回路のシミュレーション方法に関し、ＥＳＤ保護素子をより正確な等価回路に置き換えるとともに、ＥＳＤ保護回路全体のＥＳＤ耐性を迅速に且つ正確に解析する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING CONFIGURATION IN ESD PROTECTION CIRCUIT, AND SIMULATION METHOD例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路の構成を決定する方法及びシミュレーション方法 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ESD CIRCUITS FOR MULTI-CHIP MODULE AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

多チップモジュール用ＥＳＤ回路を含む集積回路及びその方法 - 特許庁

To provide the ESD protection circuit of a semiconductor device where the gate oxidized file of the semiconductor device is prevented and ESD immunity is increased.例文帳に追加

半導体装置のゲート酸化膜の損傷を防止して、ＥＳＤ免疫性を増加し得る半導体装置のＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can protect the internal circuit sufficiently against ESD destruction while decreasing the number of ESD protection circuits.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路の数を低減しつつ、内部回路をＥＳＤ破壊から十分に保護することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

PAD LOWER SIDE ESD AND BOND PAD STACK FOR PAD LOWER SIDE ACTIVE BONDING例文帳に追加

パッド下側ＥＳＤ及びパッド下側アクティブボンディング用ボンドパッドスタック - 特許庁

The first pad PD 1 is arranged on an upper layer of the first electrostatic discharge protection element ESD-L so as to overlap one part or the entire of the electrostatic discharge element ESD-L.例文帳に追加

第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌの一部又は全部と重なるようにその上層に第１のパッドＰＤ１が配置される。 - 特許庁

The ESD protective element 100 includes an n-channel GGFET structure.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子１００は、ｎチャネルＧＧＦＥＴ構造を有している。 - 特許庁

To provide a MOS transistor that is hardly damaged by ESD.例文帳に追加

ＥＳＤによる損傷を受けにくいＭＯＳトランジスタを製造すること - 特許庁

To improve the ESD resistance of a semiconductor device of a multiple power source system.例文帳に追加

多電源系の半導体装置のＥＳＤ耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide an ESD (electrostatic discharge) protection element which improves an operation characteristic of the ESD protection element and reduces the size of the ESD protection element to make it possible to reduce the size of a semiconductor chip, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子の動作特性を向上させ、かつ、ＥＳＤ保護素子の大きさを減少させて半導体チップの大きさを縮小可能なＥＳＤ保護素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an earphone speaker which has superior electrostatic discharge (ESD) protection effect.例文帳に追加

優れた静電気放電保護効果を備えるイヤホンスピーカーを提供する。 - 特許庁

To more improve ESD resistance on a circuit side where a signal is received.例文帳に追加

信号を受信する回路側のＥＳＤ耐性をより向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR LAYOUT DESIGNING FOR ESD PROTECTION CIRCUIT, AND LAYOUT PROGRAM AND LIBRARY例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路のレイアウト設計方法、及びレイアウトプログラムとライブラリ - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ESD CIRCUIT FOR MULTICHIP MODULE AND ITS METHOD例文帳に追加

多チップモジュール用ＥＳＤ回路を含む集積回路及びその方法 - 特許庁

The each ESD electrode 21 is grounded via the semi-conductor substrate 10.例文帳に追加

ＥＳＤ電極２１は、半導体基板１０を介して接地される。 - 特許庁

The level shifter circuit includes an inverter, a first switch, a second switch, a voltage level shifting circuit, a first ESD clamp, and a second ESD clamp circuits.例文帳に追加

レベルシフタ回路は、インバータ、第１スイッチ、第２スイッチ、電圧レベル移行回路、第１ＥＳＤクランプ回路及び第２ＥＳＤクランプ回路を備える。 - 特許庁

The ESD current path is conducted through the operating current range of an ESD transistor (44), and the ESD transistor (44) is controlled depending on a voltage at the intermediate tap (46) of a voltage divider (48), and the voltage divider is coupled between the first terminal (12) and the second terminal (14).例文帳に追加

前記ＥＳＤトランジスタ（４４）は、分圧器（４８）の中間タップ（４６）の電位に依存して制御され、前記分圧器は前記第１の端子（１２）と第２の端子（１４）との間に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the possibility of ESD breakdown is reduced.例文帳に追加

ＥＳＤ破壊の可能性を減少させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, influence of noise is reduced and ESD resistance improves much more.例文帳に追加

この結果、ノイズの影響を低減し、ＥＳＤ耐性がさらに向上する。 - 特許庁

To reduce a formation area of a diode and improve ESD resistance.例文帳に追加

ダイオードの形成面積の縮小およびＥＳＤ耐性の向上を図る。 - 特許庁