「FLOATING GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a floating gate memory device including a step for improving the thickness control of a tunnel oxide in the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造に関し、トンネル酸化物の厚さ制御を改良する工程を含む、フローティングゲートメモリデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A shielding electrode 18 biased at a predetermined potential for assuring a region for transmitting an ultraviolet ray while coating above the floating gate 13 is provided.例文帳に追加

フローティングゲート１３の上方を覆いつつ紫外線透過用の領域が確保された所定電位にバイアスされるシールド電極１８が設けられている。 - 特許庁

The second conductive film spacer 209 forms a chip on which tunneling is centralized in an erase operation, in the floating gate of the completed flash memory.例文帳に追加

この第２導電膜スペーサ２０９は、完成したフラッシュメモリのフローティングゲートにおいて、消去動作時トンネリングが集中するチップ部分を形成する。 - 特許庁

To reduce programming voltage and cell area of a floating gate type semiconductor storage device capable of writing and deleting electrically.例文帳に追加

フローティングゲートタイプの電気的に書込消去プログラムが可能な半導体記憶装置において、プログラム電圧の低減化と、セル面積の縮小を可能にすること。 - 特許庁

To prevent an anode current or cathode current from varying owing to the addition of the gate driving current of a thyristor switch held at a floating potential.例文帳に追加

フローティング電位に置かれたサイリスタスイッチのゲート駆動電流が加算されることによるアノード電流あるいはカソード電流の変動を防止する。 - 特許庁

A second floating gate electrode formed of a conductive material is formed to extend from a second active region to the element isolation structural body.例文帳に追加

導電材料からなる第２のフローティングゲート電極が、第２の活性領域から素子分離構造体上まで延在するように形成されている。 - 特許庁

A first floating gate electrode 30F formed of a conductive material is formed to extend from a first active region to the element isolation structural body 2.例文帳に追加

導電材料からなる第１のフローティングゲート電極が、第１の活性領域から素子分離構造体上まで延在するように形成されている。 - 特許庁

A multiplex level floating gate memory array (10) includes word lines (18) connected to memory cells along a row in the array, and a bit lines (12) connected along a column.例文帳に追加

多重レベル浮動ゲートメモリアレー(１０)は、アレー内の行に沿ってメモリセルに接続されたワード線(18)と、列に沿って接続されたビット線(12)を含む。 - 特許庁

A floating gate 11 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 from over the tunnel film 7 to over the region where the channel region 12 is to be formed.例文帳に追加

トンネル膜７の上からチャネル領域１２の形成予定領域上にかけてフローティングゲート１１を半導体基板１の表面上に形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 26 is deposited on all the surface of the substrate 10, and a groove (recess) is provided to a part of the interlayer insulating film 26 where a floating gate is to be formed.例文帳に追加

基板全面に層間絶縁膜２６を堆積した後、層間絶縁膜２６のうち浮遊ゲートを形成するべき部分に溝（凹部）を形成する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating nanodots at low temperature through a small number of processes, to provide a floating gate transistor having the nanodots, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。 - 特許庁

Moreover, the time required for writing is a higher speed than a non-volatile memory composed of a floating gate type MOS transistor to be used for a conventional flash memory.例文帳に追加

しかも、その書き込みに要する時間は、従来のフラッシュメモリで使用されるフローティングゲート型のＭＯＳトランジスタからなる不揮発性メモリよりも高速である。 - 特許庁

Then, as shown in the figure (b), the polysilicon layer 12 is etched with the selectively oxidized part 14 as a mask, to form a floating gate FG with a pointed end part 121.例文帳に追加

次に（ｂ）に示すように、選択酸化部１４をマスクにポリシリコン層１２をエッチングし、端部１２１が先鋭化したフローティングゲートＦＧを形成する。 - 特許庁

To enable to erase electric charges accumulated in a floating gate, in a multi-value transistor having a lower writing voltage and a wider current window than those of a conventional transistor.例文帳に追加

従来よりも書込電圧が低くかつ電流ウインドウが広い多値トランジスタにおいて、フローティングゲートに蓄積された電荷を消去可能とする。 - 特許庁

The first sense amplifier 3 determines difference between a voltage value of the floating gate and a first threshold identifying a write-in state and an erasure state of the memory cell.例文帳に追加

第１のセンスアンプ３は、フローティングゲートの電圧値と、メモリセルの書き込み状態と消去状態とを識別する第１の閾値との大小を判定する。 - 特許庁

The floating diffusions FD constituting each pair are arranged closely, and a gate electrode of a corresponding transfer transistor TX is integrally formed.例文帳に追加

各対を構成するフローティングディフュージョンＦＤは、互いに近接して設けられるとともに、対応の転送トランジスタＴＸのゲート電極が一体形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent parasitic bipolar effects caused by board floating effect and besides can reduce the gate capacitance.例文帳に追加

基板浮遊効果による寄生バイポーラ効果を防止し、且つ、ゲート容量の低減を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At least two of the layers of the floating gate are separated by an intermediate dielectric layer having predetermined thickness enabling direct tunnelling current between the layers.例文帳に追加

浮遊ゲートの少なくとも２つの層は、層間の直接トンネル電流を可能にする所定の厚さを有する中間誘電体層によって分離している。 - 特許庁

To actualize a floating gate memory which is free of writing errors causing readout destruction, even if a tunnel insulating film is made thin as to a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置に関し、トンネル絶縁膜を薄くしても、読み出し破壊に結び付く誤書き込みを生じないフローティング・ゲート・メモリを実現する。 - 特許庁

The capacitance for reducing afterimage 17 is formed between the floating diffusion 16 and the gate 37 of the selected transistor 11 of the own pixel 4.例文帳に追加

残像低減用容量１７は、自画素４１のフローティングディフュージョン１６と自画素４の選択トランジスタ１１のゲート３７との間に形成された容量である。 - 特許庁

A transfer gate electrode 248 constituting a transfer transistor 234 is formed between a diffusion layer 246, constituting a floating diffusion unit 238 and the photodiode 232.例文帳に追加

フローティングディフュージョン部２３８をなす拡散層２４６とフォトダイオード２３２との間に転送トランジスタ２３４をなす転送ゲート電極２４８を形成する。 - 特許庁

To provide an insulated gate type semiconductor device that is provided with a floating area beneath a trench and can surely realize high withstand voltage.例文帳に追加

トレンチ部の下方にフローティング領域を有するものであって，高耐圧化を確実に図ることができる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A pixel control circuit is connected to these components to direct the floating gate semiconductor device and the photosensitive semiconductor device to a plurality of controlled modes.例文帳に追加

画素制御回路がこれらの回路要素に接続されて、浮遊ゲート半導体素子及び感光性半導体素子を複数の制御モードに移行させる。 - 特許庁

A tunnel insulation film 3 is directly formed on the surface of the SiGe layer 10 and a floating gate 2 is formed on the tunnel insulation film 3.例文帳に追加

このＳｉＧｅ層１０の表面上に直接トンネル絶縁膜３が形成され、このトンネル絶縁膜３上にフローティングゲート２が形成されている。 - 特許庁

To attain a high injection efficiency at a low voltage, related to a non-volatile semiconductor storage device where a hot carrier is injected into a floating gate electrode.例文帳に追加

ホットキャリアを浮遊ゲート電極に注入する不揮発性半導体記憶装置において、低電圧で高い注入効率を達成できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the body part of a TFT is made common to a floating gate electrode of a memory cell Tr, and its manufacture.例文帳に追加

ＴＦＴのボディー部をメモリセルＴｒのフローティングゲート電極と共通化した不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, wherein dispersion in threshold is reduced and no large electric field is required for drawing out electrons from a floating gate.例文帳に追加

しきい値のばらつきを低減でき、かつ、浮遊ゲートからの電子の引き抜きに高電界を必要としない半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A floating gate electrode 16 is formed above the part of the drain region 11, which touches the channel region 13, via the film 14.例文帳に追加

ドレイン領域１１におけるチャネル領域１３と接する部分の上には、ゲート酸化膜１４を介してフローティングゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

The PMOS type floating gate transistor 52 uses the p-diffused region 68 below a p+ active region 70 which forms a drain, to provide a high breakdown voltage.例文帳に追加

このPMOSフローティングゲートトランジスタ５２は、高い破壊電圧を設けるために、ドレインを形成するｐ+アクティブ領域７０の下にｐ-型拡散領域６８を用いる。 - 特許庁

The floating gate has an at least two layer structure, and a first layer touching the first insulation layer is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate.例文帳に追加

浮遊ゲートは少なくとも二層構造とし、第１の絶縁層に接する第１層は、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

The floating gate has an at least two layer structure, and a first layer touching the first insulation layer has a band gap preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer.例文帳に追加

浮遊ゲートは少なくとも二層構造とし、第１の絶縁層に接する第１層は、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

The capacity coupling electrode is made conductive electrically to a gate electrode for transferring signal charges from a photoelectric conversion region to a floating region.例文帳に追加

この容量結合電極は、光電変換領域からフローティング領域に信号電荷を移送するためのゲート電極と電気的に導通する。 - 特許庁

The polysilicon part 21 of the diode 10 is formed by etching the same polysilicon film as a floating gate 14 as thermal oxidation films 15, 24 are made masks.例文帳に追加

ダイオード１０のポリシリコン部２１は、浮遊ゲート１４と同一のポリシリコン膜を、熱酸化膜１５及び２４をマスクとしてエッチングすることで形成される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device capable of ensuring the function of the nonvolatile semiconductor device and having suppressed variations in threshold voltage of a floating gate.例文帳に追加

不揮発性半導体装置の機能を確保することができ、フローティングゲートのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体装置を提供する。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL WITH LOW RESISTANCE SOURCE REGION AND HIGH SOURCE COUPLING, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

低抵抗ソール領域と高ソース結合を持つフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより作られたメモリアレイ - 特許庁

Trenches are made in the substrate, to form elevated fin-shaped structures 111-114 having a monocrystalline top portion that acts as the floating gate.例文帳に追加

トレンチが基板中に形成され、フローティングゲートとして働く単結晶上部部分を有する高層フィン型構造１１１−１１４を形成する。 - 特許庁

An image sensor covers a transfer gate and a floating diffusion layer as the blocking to protect a photodiode on a diode region is expanded laterally.例文帳に追加

本発明のイメージセンサはダイオード領域上にフォトダイオードを保護するブロッキングが側方に拡張されてトランスファゲート及び浮遊拡散層まで覆う。 - 特許庁

Further, since a convex portion 5a is formed on the floating gate electrode 5 by processing a phosphorous acid in removing the silicon nitride film for processing, a coupling ratio can be improved.例文帳に追加

また、加工用シリコン窒化膜を除去する際のリン酸処理で、浮遊ゲート電極５に凸状部５ａを形成するので、カップリング比の向上も図れる。 - 特許庁

Each memory cell MC of a semiconductor device 1 includes a first transistor (for reading) TRA and a second transistor (for writing) each having a common floating gate FG.例文帳に追加

半導体装置１の各メモリセルＭＣは、共通の浮遊ゲートＦＧを有する第１のトランジスタ（読出用）ＴＲＡと第２のトランジスタ（書込用）とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory for making stable the shape of a floating gate, and making uniform erasure characteristics of each cell and the non-volatile memory.例文帳に追加

フローティングゲートの形状を安定させ、セル毎の消去特性の均一化を図った不揮発性メモリの製造方法及び不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

A floating gate 4 is partially faced to the side face region 13 through a first insulating film 3, and the other part of the gate 4 is partially faced to the second surface region 12 through the insulating film 3.例文帳に追加

浮遊ゲート４の一部分が第１絶縁膜３を介して段差側面領域１３に対向し、浮遊ゲート４の他の一部分が第１絶縁膜３を介して第２表面領域１２と対向している。 - 特許庁

In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio.例文帳に追加

この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。 - 特許庁

Floating gate regions 35" of a memory transistor 80 and a lower gate portion 35' are formed simultaneously on top of first dielectric material layers 24 and 26 provided with a tunnel region 24.例文帳に追加

本製造方法は、半導体基板にトンネル領域を備えた絶縁性層を形成する工程と、メモリトランジスタのフローティングゲート領域及び選択トランジスタの下方ゲート部分を同時に形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a DRAM cell with a floating gate storing the state of the DRAM cell in a power-off state and in a power-on or power-restored state, restoring the state from the gate onto the DRAM cell.例文帳に追加

電力停止の場合にＤＲＡＭセルの状態を記憶し、電力投入又は電力回復の場合にゲートからＤＲＡＭセル上にこの状態を回復するフローティングゲートを有するＤＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor substrate having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成する半導体基板と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁