「FLOATING GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

The method further comprises steps of then forming a thick insulating film 9 in the opening, patterning the polysilicon film 3 with the thick insulating film 9 as a mask, and forming a floating gate.例文帳に追加

次に、前記開口内に厚い絶縁膜９を形成し、当該厚い絶縁膜９をマスクにして前記ポリシリコン膜３をパターニングしてフローティングゲートを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

The open drain buffer includes a number of floating wells, an output switching device, and a well-bias selector corresponding to them, thereby, a gate oxide film is not subjected to a voltage more than a predetermined value.例文帳に追加

オープンドレインバッファは、多数のフローティングウェルと、出力スイッチングデバイスと、対応するウェル・バイアスセレクタとを有し、ゲート酸化膜が予め定められた値より大きい電圧を受けないようにする。 - 特許庁

Each of the nonvolatile memory cells comprises an insulating film 2, a floating gate electrode FG formed thereon, an insulating film 10 formed thereon, and a word line WL formed thereon.例文帳に追加

各不揮発性メモリセルは、絶縁膜２と、その上に形成された浮遊ゲート電極ＦＧと、その上に形成された絶縁膜１０と、その上に形成されたワード線ＷＬとを有している。 - 特許庁

After that, a leak current is made to flow between the source and the drain, source voltage is made 0 V, consequently, the tunnel current between the source and the floating gate is stopped, and erasing operation is automatically stopped.例文帳に追加

その後、ソース−ドレイン間にリーク電流が流して、ソース電圧を0Vにして、結果的にソース−浮遊ゲート間にトンネル電流を停止させ、自動的に消去動作を停止させる。 - 特許庁

The buried gate electrode 22 is formed at the bottom in the trench portion 20 in order to transfer a signal charge from the buried photodiode 23 to the buried floating diffusion 16.例文帳に追加

埋め込み型ゲート電極２２は、埋め込み型フォトダイオード２３から埋め込み型フローティングディフュージョン１６に信号電荷を転送するために、トレンチ部２０内の底部に形成されている。 - 特許庁

Further, conductive plates 11 are provided on the thick insulation film 8 on both sides of the gate electrode 10 in adjacent thereto across narrow gaps, respectively, for example, and each placed in an electrically floating state.例文帳に追加

さらにゲート電極１０の両側に例えば狭いギャップをもって隣接すると共に電気的フローティングとされた導電性プレート１１が厚い絶縁膜８上に設置される。 - 特許庁

To provide a self-alignment method for forming a floating gate memory cell array with high programming and erasure efficiency in which the size of memory cell can be reduced, and an array formed by that method.例文帳に追加

メモリセルの小型化可能でプログラミング及び消去効率の高い浮遊ゲート・メモリセル配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造される配列が提供される。 - 特許庁

An insulating film 10 is provided on insulating films 9 formed on the floating gate electrodes 5, 6 likewise insulating films 32 are respectively provided on the channel regions 4.例文帳に追加

浮遊ゲート電極５，６上に形成された絶縁膜９上、領域３上には絶縁膜１０が、絶縁膜９上、チャネル領域４上には絶縁膜３２がそれぞれ設けられる。 - 特許庁

By controlling the number of electrons to be injected to the floating gate, the threshold of the memory cell can be exactly changed while suppressing the expansion of threshold distribution.例文帳に追加

本発明によると、浮遊ゲートに注入する電子の数を制御することにより、メモリセルのしきい値をしきい値分布の広がりを抑制しつつ的確に変化させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for a non-volatile memory cell including a floating gate electrode, capable of suppressing variation of performance by reducing entry of light from lateral directions and upper diagonal directions.例文帳に追加

横方向および斜め上方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制されたフローティングゲート電極を有する不揮発性メモリの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a floating gate type nonvolatile semiconductor memory which surely performs write-in of data even for large capacity memories in which a semiconductor process is made minute and in which write-in error is less.例文帳に追加

半導体プロセスの微細化された大容量のメモリであってもデータ書込みを確実に行い，書込み誤りの少ない浮遊ゲート型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).例文帳に追加

メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁

To prevent a gate driver from malfunctioning caused by leakage of potential from adjacent scanning lines into electrically floating scanning lines in a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置において、電気的にフローティングとなっている走査線に隣接走査線から電位の漏れ込みが生じることによって、ゲートドライバが誤動作するのを防止できるようにする。 - 特許庁

Thus, dispersion of the threshold voltage after pre-write can be reduced by lengthening a pre- write time and performing pre-write until floating gate voltage VFG is made to saturation voltage.例文帳に追加

このように、プリライト時間を長くし、フローティングゲート電圧Ｖ_FGが飽和電圧となるまでプリライトを行なうことにより、プリライト後のしきい値電圧のバラツキを低減することができる。 - 特許庁

A tunnel oxide film 13 is formed on a semiconductor substrate of an element region defined by an element separation region, and a floating gate 14 is formed on the tunnel oxide film.例文帳に追加

素子分離領域１２により区画された素子領域の半導体基板１１上にトンネル酸化膜１３が形成され、トンネル酸化膜１３上に浮遊ゲート１４が形成される。 - 特許庁

After a tunnel ring oxide film layer is formed on a silicon substrate 100 in which a predetermined lower part structure is formed, a dot floating gate layer is formed on the tunnel ring oxide film layer.例文帳に追加

所定の下部構造が形成されたシリコン基板１００上にトンネルリング酸化膜層を形成した後、前記トンネルリング酸化膜層上にドットフローティングゲート層を形成する。 - 特許庁

A first and second floating gates are formed on the both sidewalls of an active region formed on the substrate via a first and second coupling gate insulating films, respectively.例文帳に追加

基板上に形成されている活性領域の両側壁には、それぞれ第１および第２カップリングゲート絶縁膜を介在して第１および第２フローティングゲートが形成されている。 - 特許庁

Or the second capacitor with a ferroelectric film may be interposed between the floating electrode configuring the gate of the field effect transistor and the third capacitor with the paraelectric film.例文帳に追加

あるいは、電界効果型トランジスタのゲートを構成する浮遊電極と常誘電体膜を有する第３キャパシタとの間に、強誘電体膜を有する第２キャパシタを挟むようにしてもよい。 - 特許庁

The interface section includes a first MOSFET on an SOI substrate having a floating back gate, and converts a terminal switch signal of input serial data into parallel data.例文帳に追加

前記インタフェース部は、フローティング状態のバックゲートを有しＳＯＩ基板上に設けられた第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力したシリアルデータの端子切替信号をパラレルデータに変換する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The floating gate 40 overlaps a diffusion layer 80 provided in the semiconductor substrate 20 apart from a channel region 90 between the diffusion layer 60 and diffusion layer 70.例文帳に追加

フローティングゲート４０は、拡散層６０と拡散層７０との間のチャネル領域９０から離間して半導体基板２０内に設けられた拡散層８０とオーバーラップしている。 - 特許庁

A circuit simulation means 23 outputs the cell name in a net list to a display part 13 via a display control means 24 in a circuit to become the dynamic floating gate in another file.例文帳に追加

別ファイルにてダイナミックフローティングゲートとなる回路においてネットリスト上のセル名を回路シミュレーション手段２３により表示制御手段２４を介して表示部１３に出力する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a floating gate type nonvolatile semiconductor memory having a smooth substrate surface for a transistor at a peripheral circuit part formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成される周辺回路部のトランジスタ用に平滑な半導体基板表面を有する浮遊ゲート型半導体不揮発性メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing substrate floating effects, without threshold voltage variations in each position in the gate width direction, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート幅方向の各位置における閾値電圧をばらつかせることなく、基板浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first conductor film (22) for a floating gate is formed on a first insulating film (21) on a substrate (4), and then element-separating insulating films (2) and (3) stretching out in a first direction are formed.例文帳に追加

基板（４）上の第１絶縁膜（２１）の上に、フローティングゲート用の第１導電体膜（２２）を形成した後、第１方向に延伸する素子分離絶縁膜（２）（３）を形成する。 - 特許庁

A switch 101 is connected between an output terminal of a νMOS inverter INV and a floating gate FG and a switch control circuit A109 controls the on/offs of the switch 101.例文帳に追加

νＭＯＳインバータＩＮＶの出力端子とフローティングゲートＦＧとの間にスイッチ１０１を接続し、スイッチ１０１のオン／オフをスイッチ制御回路Ａ１０９によって制御する。 - 特許庁

In the method for reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

A cell transistor 11 comprises a silicon substrate 12, a control gate CG, and a pair of floating gates FG1 and FG2 that are isolated electrically, and a plurality of them are arranged in a two-dimensional matrix form.例文帳に追加

セルトランジスタ１１は、シリコン基板１２、コントロールゲートＣＧ、及び電気的に孤立した一対のフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２からなり２次元マトリクス状に複数配列されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.例文帳に追加

フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The tunnel insulating film 114, the polysilicon film pattern 106 and the gate insulating film 104 are selectively etched to expose the substrate 102, to form a pair of facing floating gates 106.例文帳に追加

トンネル絶縁膜１１４、ポリシリコン膜パターン１０６及びゲート絶縁膜１０４を選択的にエッチングして基板１０２を露出させ、一対の向き合うフローティングゲート１０６を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, a tunnel insulation film 101, a conductive film 102 for a floating gate, and a pad oxide film are successively formed, and they are selectively etched to form a trench 105.例文帳に追加

半導体基板１００上にトンネル絶縁膜１０１、フローティングゲート用導電膜１０２及びパッド酸化膜を順次形成し、それらを選択的にエッチングしてトレンチ１０５を形成する。 - 特許庁

Consequently, the electron injecting efficiency into the floating gate 4 from the side face region 13 and second surface 2 is remarkably improved and the data writing speed is improved noticeably.例文帳に追加

その結果、段差側面領域１３および第２表面領域１２から浮遊ゲート４への電子注入効率が著しく向上し、データの書き込み速度が格段に改善される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of miniaturizing an element by eliminating a jutting of a floating gate electrode over the element separation region, and concurrently obtaining the predetermined coupling ratio.例文帳に追加

素子分離領域上へのフローティングゲート電極の張り出しを無くすことで素子の微細化を図ると共に、所望のカップリング比を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, conductive films 9 as floating gate electrodes are formed on a semiconductor substrate 1 among a plurality of element isolation parts 36 through an insulating film 8.例文帳に追加

半導体装置では、複数の素子分離部分３６の間の半導体基板１上に絶縁膜８を介してフローティングゲート電極としての導電膜９が形成されている。 - 特許庁

A second capacitor 213 having a paraelectric film is interposed between a floating electrode 205 configuring the gate of the field effect transistor and a third capacitor 214 with a ferroelectric film.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲートを構成する浮遊電極２０５と強誘電体膜を有する第３キャパシタ２１４との間に、常誘電体膜を有する第２キャパシタ２１３を挟む。 - 特許庁

An ordinary transistor CTFT connected to data signal wiring DL and pixel electrode PX and a spare transistor FIFT in a floating state are formed on gate wiring GL.例文帳に追加

ゲート配線ＧＬ上に、データ信号配線ＤＬと画素電極ＰＸに接続されている通常のトランジスタＣＴＦＴと、フローティング状態の予備のトランジスタＦＴＦＴを形成する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

To obtain a highly reliable semiconductor device, by so solving various problems caused by the steps of its floating gate that the degradation of its characteristics as a semiconductor memory are suppressed, in a simple and sure manner.例文帳に追加

浮遊ゲートの段差に起因する種々の問題を解決し、半導体メモリとしての特性劣化を簡便且つ確実に抑止して、高信頼性の半導体装置を実現する。 - 特許庁

In a CMOS image sensor, having a photoelectric conversion section (photogate section) 30 for each pixel, constituting a two-dimensional pixel array, is provided with a signal-detecting section 20 consisting of a floating gate (FG).例文帳に追加

２次元画素アレイを構成する各画素に光電変換部（フォトゲート部）３０を有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フローティングゲート（ＦＧ）による信号検出部２０を設ける。 - 特許庁

The space between the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction has the same width as the space between the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent on the surface of the filler for isolation 31, and has the small trench width of the deep part as compared with that of the surface part of the filler for isolation 31.例文帳に追加

ゲート幅方向に隣接する浮遊電極５間において、分離用充填材３１の表面で隣接する前記浮遊電極５の端部間と同一の幅を有し、分離用充填材３１の表面部分に比べて深い部分のトレンチ幅が小さい。 - 特許庁

This biomolecule detecting element is constituted so that a DNA probe 8 is fixed on the surface of the floating electrode 7 connected to the gate electrode 5 of a field effect transistor and the hybridization of a target gene is performed on the surface of the floating electrode while a change in surface charge density caused at this time is detected by utilizing a field effect.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート電極５に接続されたフローティング電極７の表面にＤＮＡプローブ８を固定化し、ターゲット遺伝子とフローティング電極の表面でハイブリダイゼーションを行わせ、その際に生ずる表面電荷密度の変化を電界効果を利用して検出する。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 64 transferring charge generated by the photodiode 61 to a floating diffusion region 65 and a reset transistor 66 discharging charge in the floating diffusion region 65, are arranged.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。 - 特許庁