「FORBIDDEN BAND」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Contact films 23a, 24a are formed on the surface of the wide forbidden band semiconductor layers 1a.例文帳に追加

広禁制帯幅半導体層１ａの表面には、コンタクト膜２３ａ，２４ａが形成されている。 - 特許庁

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped.例文帳に追加

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。 - 特許庁

A nitride semiconductor layer 7 is provided between a gate electrode 3 and the active layer 5, and is composed of a III group nitride semiconductor with a second forbidden band width which is larger than the first forbidden band width.例文帳に追加

窒化物半導体層７は、ゲート電極３と活性層５との間に設けられており、第１の禁制帯幅より大きな第２の禁制帯幅を有するIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

Light in a multiplexed/demultiplexed wavelength band which is not included in a transmitting wavelength band of the trunk waveguide 24 in the forbidden band area 212 and is included in a transmitting wavelength band of the trunk waveguide 24 in the forbidden band area 211 is reflected on the boundary 23 and demultiplexed from the trunk waveguide 24 to the branch waveguide 25.例文帳に追加

禁制帯領域２１２内の幹導波路２４の透過波長帯には含まれず禁制帯領域２１１内の幹導波路２４の透過波長帯には含まれる合分波波長帯域内の光は、境界２３において反射され、それにより幹導波路２４から枝導波路２５に分波される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY PHOTOLUMINESCENCE WITH ADDED THERMAL EXCITATION例文帳に追加

熱励起を加えたフォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法およびその測定装置 - 特許庁

The first discharge electrode is equipped with an electron emission layer made of a wide forbidden band-width semiconductor substrate 1.例文帳に追加

広禁制帯幅半導体基板１からなる電子放出層を備える第１放電電極である。 - 特許庁

Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved.例文帳に追加

禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。 - 特許庁

Stem reeds 21a, 22a are connected to the wide forbidden band semiconductor layers 1a via the contact films 23a, 24a.例文帳に追加

コンタクト膜２３ａ，２４ａを介して、ステムリード２１ａ，２２ａが広禁制帯幅半導体層１ａに接続される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 14 has a crystal structure that is different from that of the second semiconductor layer 13, and the forbidden band width Eg_1 of the first semiconductor layer 14 and the forbidden band width Eg_2 of the second semiconductor layer 13 satisfy the relation Eg_1<Eg_2.例文帳に追加

第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ_1と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ_2とが、Ｅｇ_1＜Ｅｇ_2の関係を満たす。 - 特許庁

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof.例文帳に追加

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 - 特許庁

The emitter layer 26 includes a second semiconductor having a larger forbidden band width than that of the first semiconductor.例文帳に追加

エミッタ層２６は、第１の半導体材料の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する第２の半導体を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an active layer 5 is formed of a first III group nitride semiconductor with a first forbidden band width.例文帳に追加

半導体装置１では、活性層５は、第１の禁制帯幅を有する第１のIII族窒化物半導体から成る。 - 特許庁

The discharge electrodes are provided with insulating substrates 7a, and wide forbidden band semiconductor layers 1a on the insulating substrates 7a.例文帳に追加

放電電極は、絶縁性基板７ａ、絶縁性基板７ａの上の広禁制帯幅半導体層１ａを備える。 - 特許庁

Especially, an electroconductive oxide such as an SnO_2 or ITO film, or a wide forbidden band width semiconductor such as GaN or SiC is used.例文帳に追加

特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。 - 特許庁

The gate layer 28 is formed of semiconductor material, whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

ゲート層２８が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

This deodorizing antimicrobial agent comprises a hydrotalcite compound, a semiconductor having 0.5-5 eV forbidden band width and a binder for fiber.例文帳に追加

ハイドロタルサイト化合物と、０．５〜５ｅＶの禁止帯幅を有する半導体と、繊維用バインダーとを含有してなる消臭抗菌剤。 - 特許庁

A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

To provide a photovoltaic cell comprising a semiconductor, having a localized level or an intermediate band in the forbidden band as a light-absorbing layer, and to provide its production method.例文帳に追加

禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

Since the first channel of a wide forbidden band at time of high electric field becomes the main, an avalanche voltage becomes high, and breakdown strength can be enhanced.例文帳に追加

高電界時には広禁制帯幅の第１のチャネルが主となるため、アバランシェ電圧が高くなり、耐圧を向上することが可能となる。 - 特許庁

The diffraction grating 11 operates at a transmission mode and reflection in the optical forbidden band is constituted so that it does not affect a laser condition.例文帳に追加

回折格子は伝送モードで動作し、光学的禁制帯内の反射がレーザ条件に著しい影響を与えないように構成される。 - 特許庁

The photonic crystal materials 2, 4 for forming the first and second photonic crystal optical waveguides are composed of such photonic crystals that set, as a forbidden band, the frequency band of the optical signal to use.例文帳に追加

第１及び第２のフォトニック結晶光導波路を形成するフォトニック結晶材料２、４は、使用する光信号の周波数帯を禁制帯とするようなフォトニック結晶からなる。 - 特許庁

A forbidden band width of the n-reverse conductivity layer 9 is larger than that of the luminous layer 8 and is smaller than that of the p-clad layer 10.例文帳に追加

ｎ−逆導電帯層９の禁制帯幅は、発光層８の禁制帯幅に比べて大きくかつｐ−クラッド層１０の禁制帯幅に比べて小さい。 - 特許庁

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized.例文帳に追加

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。 - 特許庁

To provide a solar battery capable of reducing any defect in a semiconductor layer functioning as a window layer, and freely changing the forbidden band width of the window layer.例文帳に追加

窓層として機能する半導体層中の欠陥が少なく、窓層の禁制帯幅を自由に変えることができる太陽電池を提供する。 - 特許庁

As a material of an upper electrode of this thin film type electron source, a material having a forbidden band width larger than Si, and having electroconductivity is used.例文帳に追加

薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。 - 特許庁

To provide the solar cell which has high conversion efficiency by properly combining the electron affinity, forbidden band width, and material of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The diffraction grating 11 generates GVD(group velocity dispersion) with a wavelength detached from an optical forbidden band and GVD compensation and control of dispersion in the hollow are executed.例文帳に追加

回折格子は光学的禁制帯から離れた波長でＧＶＤを生じ、空胴内分散のＧＶＤ補償及び制御であるよう構成される。 - 特許庁

The light passing the dot defects out of the light of the prescribed frequencies propagated through the waveguide from a light leading out/in section 36 and demultiplexed from the prescribed dot defects is not included in the waveguide transmission band 51 of the forbidden band region to which the frequency adjoins and is therefore reflected in the boundaries 351 and 352 of the forbidden band regions and is introduced into the prescribed dot defects.例文帳に追加

光導出入部３６から導波路を伝播し所定の点状欠陥から分波される所定周波数５２の光のうち、その点状欠陥を通過した光は、その周波数が隣接する禁制帯領域の導波路透過帯域５１に含まれないため、禁制帯領域境界３５１，３５２において反射され、所定の点状欠陥に導入される。 - 特許庁

To provide a method for measuring a level in a forbidden band by two-wavelength excitation photo-luminescence capable of simply and accurately determining a non-radiative recombination parameter.例文帳に追加

より簡便に、かつ精度よく非発光再結合パラメータの決定を可能とする２波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法を提供する。 - 特許庁

A method for measuring the fluorescence comprises the step of measuring a defective fluorescence present from a defect level of a surface site mainly having an energy level existing in a forbidden band of the energy level in the semiconductor nanoparticles.例文帳に追加

半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルを持つ主に表面サイトの欠陥準位から現れる欠陥蛍光を測定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and equipment of a mixed crystal semiconductor thin film using alkaline earth metal which has a large forbidden band width of about 1.4 eV and is made of cheap materials.例文帳に追加

禁制帯幅が１．４ｅＶ程度と大きく、しかも安価な材料によるアルカリ土類金属を用いた混晶半導体薄膜の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 - 特許庁

A trunk waveguide 24 extended to a direction inclined by +30° from a perpendicular 26 of a boundary 23 between both the forbidden band areas 211, 212 and a branch waveguide 25 extended to a direction inclined by -30° are formed.例文帳に追加

禁制帯領域２１１−２１２間の境界２３の垂線２６から+30°傾いた方向に伸びる幹導波路２４と、-30°の方向に伸びる枝導波路２５を形成する。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

E_CLD2>E_CNT, and E_CW1<E_CW2 are satisfied, where forbidden band width energies of the second cladding layer 114, the contact layer 117, the first contact well layer 116w1, and the second contact well layer 116w3 as E_CLD2, E_CNT, E_CW1, and E_CW2, respectively.例文帳に追加

第２クラッド層１１４、コンタクト層１１７、第１コンタクトウェル層１１６ｗ１及び第２コンタクトウェル層１１６ｗ３の禁制帯幅エネルギーをＥ_CLD2、Ｅ_CNT、Ｅ_CW1及びＥ_CW2としたときに、Ｅ_CLD2＞Ｅ_CNT、かつ、Ｅ_CW1＜Ｅ_CW2である。 - 特許庁

A high-purity molybdenum oxide having a forbidden band width of ≥3.45 eV is used for an electron running area provided in an electronic device, such as the diode, transistor, etc.例文帳に追加

本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

To provide a method and device for measurement, capable of finding partial troubles for each cell of a multijunction solar cell having a structure such that cells made of semiconductor materials having different forbidden band widths are laminated and connected in series.例文帳に追加

禁制帯幅の異なる半導体材料で出来たセルを積層して直列接続した構造になっている多接合型太陽電池のセル毎に部分的問題点を見つけられるような測定法と測定装置を提供すること。 - 特許庁

A multiphoton excitation type polarized electron beam generator has the cathode comprising the compound semiconductor, and a laser source for irradiating the cathode, and the wavelength of a laser beam is set from half to below the energy spread of a forbidden band of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の０.５倍以上で１.０倍未満に設定されている。 - 特許庁

The solar cell having a film, comprising the composition, as a light absorber layer, realizes a remarkably high energy conversion efficiency because of its suitability to a forbidden band width of a solar spectrum (approximately 1.5 eV), without the necessity of using rare elements.例文帳に追加

この組成からなる薄膜を光吸収層として有する太陽電池は、希少元素を使用しなくても、太陽光スペクトル（約１．５ｅＶ）の禁制帯幅に適合できるから、極めて高いエネルギー変換効率を実現できる。 - 特許庁

To find out a group III oxide semiconductor having a hexagonal structure capable of forbidden band width control; and to provide a semiconductor device, a photoelectric conversion device, an ultraviolet ray detection device, an oxide light-emitting device, and a light-emitting device that contain the group III oxide semiconductor.例文帳に追加

禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。 - 特許庁