「Ge thin」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING Nb3 (Al, Ge) OR Nb3 (Al, Si) VERY THIN MULTIPLE CORE SUPERCONDUCTIVE WIRE例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）またはＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）極細多芯超伝導線の製造方法 - 特許庁

A Pt thin film 12 is formed on a germanium (Ge) substrate 11, and an Ni thin film 13 is formed above the Pt thin film 12.例文帳に追加

ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured.例文帳に追加

キュリー温度が高い強磁性半導体物質であるＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜を製造することを可能としたＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a Ge crystal thin film of sufficient crystal quality, by applying thermal annealing to Ge crystals, even when a portion of low thermal resistance such as a silicon device is provided in a Si substrate.例文帳に追加

シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がＳｉ基板に設けられた場合でも、Ｇｅ結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のＧｅ結晶薄膜を得る。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

A thin porous oxide layer between the polycrystalline Ge and Si layers enhances the isotropy of the SiGe junction.例文帳に追加

多結晶Ｇｅ層と多結晶Ｓｉ層との間の薄い多孔性酸化物層により、ＳｉＧｅ接合の等方性が強化される。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, a thin film containing Ge and a thin film containing Sb are formed into a superlattice structure to solve the problem, and the number of times of repetitive recording and erasure are set to 10^15.例文帳に追加

本願発明は、Ｇｅを含む薄膜とＳｂを含む薄膜を超格子構造で作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を１０^１５回とした。 - 特許庁

To provide a method which is capable of manufacturing a device forming substrate that is provided with a very thin distorted Ge thin film layer formed on an insulating film and conducive to the realization of a fully-depleted high-mobility field effect transistor.例文帳に追加

絶縁膜上に極めて膜厚の薄い歪みＧｅ薄膜層を有する素子形成用基板を製造することができ、完全空乏型かつ高移動度の電界効果トランジスタの実現に寄与する。 - 特許庁

A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁

Besides, the composition ratio of Ge in the thin-film SiGe layer on the insulating film in the part constituting the MOSFETs is made higher than that in the part constituting the HBT.例文帳に追加

さらにＭＯＳＦＥＴを構成する部分の絶縁膜上の薄膜ＳｉＧｅ層のＧｅ組成を、ＨＢＴを構成する部分のそれより高くする。 - 特許庁

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ）を用いることによりＳｉ基板上にＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層を成長させ、最終的にＧｅバッファ層上にＺｎＳｅ薄膜が形成される。 - 特許庁

The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Ge-Sb-Te sputtering target of a thin film medium for recording information by utilizing the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

The method for fabricating the photodetector uses direct growth of Ge on thin SOI or an epitaxial oxide, and subsequent thermal annealing to achieve a high-quality absorbing layer.例文帳に追加

本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。 - 特許庁

The first thin film contains at least one element selected from Al, Cr, Mn, Sc, In, Ru, Rh, Co, Fe, Cu, Ni, Zn, Li, Si, Ge, Zr, Ti, Hf, Sn, Pb, Mo, V, Nb, C, Si, Ge, Sn and Pb as an additive M.例文帳に追加

また、前記第一の薄膜は、添加物Ｍとして、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする追記型光記録媒体である。 - 特許庁

This SOI substrate with a Ge film for a semiconductor includes an SOI substrate including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate, and a germanium film having been subjected to epitaxial growth on a silicon thin film of an SOQ substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上のシリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板と、上記ＳＯＱ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させたゲルマニウム膜を備える半導体用Ｇｅ膜付きＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium, wherein recording/reproducing is carried out by a laser radiation, has a recording layer that is constituted of a thin film (the first layer) composed mainly of In in the side of the laser radiation and a thin film (the second layer), positioned next to the first layer, composed mainly of Ge and Te.例文帳に追加

レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、前記第２層に酸素を導入する。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体、Ｓｂを含む第２前駆体及びＴｅを含む第３前駆体間の化学反応により基板の表面にＧｅＳｂＴｅ薄膜を形成する第１ステップ及び前記ＧｅＳｂＴｅ薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第２ステップを含むＧｅＳｂＴｅ薄膜の製造方法である。 - 特許庁

The resistor element is formed of a polycystalline SiGe thin film in which the content of Ge atoms is 20-50% and an impurity is doped so that resistivity is 3×10^-2 to 3×10^-1Ωcm.例文帳に追加

抵抗素子をＧｅ原子の含有量が２０〜５０％で、かつ抵抗率が３×１０^−２〜３×１０^−１Ω・ｃｍになるように不純物が導入されている多結晶ＳｉＧｅ薄膜により形成する。 - 特許庁

On the negative electrode collector, a thin-film-like negative electrode active material layer containing germanium (Ge) as a main constituent is formed by a spattering method, or a negative electrode active material layer comprising powder containing germanium as a main constituent is formed.例文帳に追加

そして、負極集電体上に、スパッタ法によりゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分として含む薄膜状の負極活物質層、またはゲルマニウムを主成分として含む粉体からなる負極活物質層を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the SOI substrate with a Ge film includes at least processes of: preparing an SOI substrate 5 including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate; and forming a germanium film 6 by subjecting germanium to epitaxial growth on the silicon thin film of the SOI substrate.例文帳に追加

絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上に、シリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板を用意する工程と、ゲルマニウムを上記ＳＯＩ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させてゲルマニウム膜を形成する工程とを少なくとも含んでなるＧｅ膜付きＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method is characterized by controlling a refraction index of a formed GeN thin film through controlling a nitro-pressure, a substrate temperature, and a high frequency output, with reactive high-frequency ion plating using Ge for an evaporation source in an atmosphere of introduced nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。 - 特許庁

In the optical recording medium capable of performing recording/reproduction by irradiation of a laser, a thin film (a first layer) consisting essentially of In is formed on a laser irradiation side, then a thin film (a second layer) consisting essentially of Ge and Te is formed and a gas consisting of Ar and CxHy is introduced into the second layer.例文帳に追加

レーザによる照射により記録・再生できる光記録媒体において、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であり、該第２層にＡｒとＣｘＨｙからなるガスが導入されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

The electroluminescent element 10 has a configuration in which a light-emitting layer 13 of a thin film made from a polymer or an oligomer, which is formed of the directly coupled same or different elements that are selected from Si, Ge, Sn and Pb, such as polysilane or oligosilane, is placed in between a transparent electrode 12 and an upper electrode 14.例文帳に追加

ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。 - 特許庁

The Cu alloy film is used for a source electrode and/or drain electrode as well as a signal line and/or a gate electrode and a scan line of a thin film transistor of a display apparatus, and contains Ge by 0.1-0.5 atom%.例文帳に追加

表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 - 特許庁

By a molecular beam epitaxial method, a IV group semiconductor 5 (Si, Ge) and a metal 6 are evaporated on a very thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 by the molecular beam epitaxial method to form nanometer-size fine crystals (nano-dots) of a silicon compound semiconductor at an ultrahigh density, thus obtaining a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＩＶ族半導体５（Ｓｉ、Ｇｅ）と金属６を蒸着することで、シリコン系化合物半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、半導体デバイスを得る。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method of a material of a thin film of a compound structure which absorbs visible light and ultraviolet ray of the sunlight, and simultaneously contains Ge particles of nano-scale, and an anatase-type Ti oxide crystalline phase mainly as a matrix as a means for generating hydrogen at high efficiency.例文帳に追加

本発明は、太陽光の可視光および紫外光を吸収し、高効率に水素を生成させる手段として、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供することにある。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.例文帳に追加

基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁