「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

These coatings provide various kinds of light reflection, gettering, promotion of strength, and contrast promotion functions.例文帳に追加

このコーティングは、光反射性、ゲッタリング、強度促進、及びコントラスト促進機能を種々供している。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having BMD (Bulk Micro-Defects) layers sufficient for gettering while keeping sufficient wafer strength.例文帳に追加

シリコンウェーハにおいて、ウェーハ強度を十分に保ちつつ、ゲッタリングに十分なＢＭＤ層を有すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high breakdown voltage semiconductor device which is miniaturized and has a high gettering region.例文帳に追加

小型化し、高いゲッタリング領域を有する高耐圧の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gettering site 23 is formed at least on a part just below the reference potential supplying layer 14.例文帳に追加

少なくとも基準電位供給層１４の直下領域の一部には、ゲッタリングサイト２３が形成される。 - 特許庁

To impart gettering capability to a semiconductor device which is thinned in a device post-step and has a polished rear surface.例文帳に追加

デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。 - 特許庁

A BMD layer 4 for carrying out the gettering of metal impurities is formed directly under the element formation region 5.例文帳に追加

素子形成領域５の直下に、金属不純物をゲッターするＢＭＤ層４が設けられている。 - 特許庁

A purge gas can be attracted toward a gettering plate provided on the upstream of a purge gas supply source.例文帳に追加

パージ・ガス供給源の上流に設けたゲッター板の方向に、パージ・ガスを引き付けることができる。 - 特許庁

In the silicon wafer, oxygen precipitates which act as the intrinsic gettering sites have vertical distribution.例文帳に追加

シリコンウェーハにおいて、真性ゲッタリング場所としての役割をする酸素析出物は垂直分布を示す。 - 特許庁

To uniformly and easily evaluate a silicon wafer, which has various gettering capabilities, at high sensitivity.例文帳に追加

様々なゲッタリング能力を有するシリコンウェーハを一様にかつ簡便に高感度で評価することができる。 - 特許庁

Then, heating treatment is applied thereon to effect gettering of Ni from the CG silicon film 14 into the second silicon film 16.例文帳に追加

そして加熱処理を施し、ＣＧシリコン膜１４から第２のシリコン膜１６にＮｉをゲッタリングさせる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COUPLED SUBSTRATE CONTAINING PLANAR INTRINSIC GETTERING ZONE, AND SUBSTRATE FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

プラナーイントリンシックゲッタリングゾーンを含む結合基板の形成方法とその方法により形成された基板 - 特許庁

A capturing element is introduced selectively into the obtained amorphous semiconductor film to form a gettering region.例文帳に追加

得られた結晶質半導体膜に捕獲元素を選択的に導入し、ゲッタリング領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate together with its manufacturing method which provides full gettering ability.例文帳に追加

十分なゲッタリング能力を得ることが可能な半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a gettering layer which can remove a heavy metal contamination substance efficiently in an SOI substrate.例文帳に追加

効率よく重金属汚染物質を除去することができるゲッタリング層をＳＯＩ基板に形成する。 - 特許庁

To manufacture an epitaxial wafer reduced in epitaxial flaw density and excellent in intrinsic gettering effect.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥密度を低減し、優れたＩＧ効果を発揮するエピタキシャルウェーハを製造することができる。 - 特許庁

Since the SOI layer 13 is adjoined, the gettering effect of the oxygen precipitation layer 14 can be raised.例文帳に追加

ＳＯＩ層１３と隣接するので、酸素析出層１４のゲッタリング効果を高めることができる。 - 特許庁

A capture site to metal contamination in assembly flow after rear grinding is performed, by forming a first gettering layer in a wafer rear after rear grinding, and forming a second gettering layer in the rear and the side of a chip.例文帳に追加

本願の課題は、これらの問題点を解決し、裏面研削、ダイシングおよびパッケージ組立における金属汚染による特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a means for achieving a gettering capability which provides a gettering region even in a thin silicon wafer or a silicon on insulator (SOI) wafer, preventing deterioration of flatness or particle contamination harmful to a device.例文帳に追加

薄いシリコンウェーハであっても、あるいはSOIウェーハであっても、ゲッタリング領域を設けることができ、かつ平坦度の悪化やデバイスに有害な粒子汚染を発生させることもない、ゲッタリング能力の付与手段を提供する。 - 特許庁

The silicon wafer has the gettering capability to provide the gettering region having a groove in a portion other than a region designated for a device active region on a surface of the silicon wafer having the designated region.例文帳に追加

シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域となる領域以外の部分に、溝を設けたゲッタリング領域を有することを特徴とするゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer and its manufacturing method, and a method for impurity gettering in silicon single crystal by which gettering capacity can be given to a wafer even for a small amount of contamination in the single silicon crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶中の微量汚染に対してもゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer for a semiconductor device, having high gettering performance by improving a gettering method as a technique for removing heavy metal impurities badly influencing a device operation, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

デバイス動作に悪影響を及ぼす重金属不純物を除去する技術であるゲッタリング方法を改良し、高いゲッタリング能力を持った半導体デバイス用シリコン単結晶ウェーハ及びその作製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using gettering technique for improving the yield of the semiconductor device by gettering contaminations generated by Cu etc. introduced during film-thinning processing such as MCP and SIP.例文帳に追加

ＭＣＰやＳＩＰなどでの薄厚加工時に導入されるCu等による汚染をゲッタリングして、半導体デバイスの歩留まりを向上させるためのゲッタリング技術を用いた、半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent a gettering layer from growing to deteriorate device characteristics and take defect elements in a silicon substrate into the gettering layer in a method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置の製造方法に関し、デバイス特性を劣化させるゲッタリング層の発生を防止しつつシリコン基板中の欠陥要素をゲッタリング層に取り込むことを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the fact that the light element can be easily accelerated is used to form a proximity gettering layer at a desired deep position with favorable productivity, and to obtain a gettering structure of the solid-state image pickup device having a favorable noise characteristic.例文帳に追加

また軽元素の加速が容易であることを利用して、良好な生産性にて所望の深い位置に近接ゲッタリング層を形成し、ノイズ特性の良好な固体撮像素子のゲッタリング構造を得る。 - 特許庁

To easily improve gettering effects while suppressing the complication of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程の煩雑化を抑制することを可能としつつ、ゲッタリング効果を容易に高めることができるようにする。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing an epitaxial semiconductor substrate whose gettering ability is improved or the method of manufacturing a semiconductor device whose operating characteristic is improved.例文帳に追加

本発明は、ゲッタリング能力が向上したエピタキシャル半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a gettering effect in the inside apart from the epitaxial layer surface without increasing the required man-hour.例文帳に追加

作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device into a high-breakdown voltage one, which is miniaturized and has a high gettering region.例文帳に追加

小型化し、高いゲッタリング領域を有する高耐圧の半導体装置とそのの製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, warpage of the epitaxial silicon wafer 10 can be reduced, and high intrinsic gettering capacity can be provided.例文帳に追加

その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 - 特許庁

To impart gettering capability to a semiconductor device which is made to be thin and has a reverse surface polished in a device post-process.例文帳に追加

デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。 - 特許庁

To provide a wafer processing device capable of integrally performing the polishing of a wafer and the formation of a gettering layer.例文帳に追加

ウェーハの研磨とゲッタリング層の形成を一体的に行うことができるウェーハ加工装置を提供する。 - 特許庁

To impart a gettering function to a semiconductor device obtained, without performing special treatment to a semiconductor wafer and chip.例文帳に追加

半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。 - 特許庁

Catalyst metal in the CG silicon film 14 and the p-Si film 15 is removed by gettering.例文帳に追加

そして、上記ＣＧシリコン膜１４中およびｐ−Ｓi膜１５中の触媒金属をゲッタリングにより除去する。 - 特許庁

LOW DEFECT EPITAXIAL SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING GETTERING FUNCTION, IMAGE SENSOR USING THE SAME, AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲッタリング機能を有する低欠陥エピタキシャル半導体基板、これを用いたイメージセンサー及びこれの製造方法 - 特許庁

Gettering is performed with copper by an Al-Si alloy layer of the aluminum-containing layer, thus preventing diffusion of copper.例文帳に追加

アルミニウム含有層のＡｌ-Ｓｉ合金層によって銅をゲッタリングすることにより、銅の拡散を防止する。 - 特許庁

The semiconductor layer includes amorphous gettering areas 1203a to 1203d and 1204a to 1204d.例文帳に追加

上記の半導体層は、非晶質のゲッタリング領域１２０３ａ〜１２０３ｄ、１２０４ａ〜１２０４ｄを含んでいる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having excellent gettering ability and electrical characteristics by improving properties of crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥の性質を改良して、ゲッタリング能力及び電気的特性の優れたシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Then, an epitaxial layer can be formed on the gettering layer.例文帳に追加

エピタキシャル半導体基板を製造する方法の一実施形態で、ゲッタリング層は半導体基板上に成長される。 - 特許庁

To improve the Q-value of an inductor while ensuring the gettering capability in a semiconductor device equipped with an inductor.例文帳に追加

インダクタを備える半導体装置において、ゲッタリング能力を確保しつつインダクタのＱ値を向上する。 - 特許庁

To improve safety and reduce the cost of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer defect reduction method using intrinsic gettering.例文帳に追加

イントリンシック・ゲッタリングによる半導体ウエハの欠陥低減法において、安全性の向上とコスト低減を図る。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LASER CIRCUIT HAVING LOW PENETRATION OHMIC CONTACT PROVIDING IMPURITY GETTERING AND THE RESULTANT LASER CIRCUIT例文帳に追加

低浸透のオーミック接触を有するレーザ回路の形成方法及びこの方法により得られるレーザ回路 - 特許庁

STRUCTURE AND FABRICATION METHOD OF DEVICE, SUCH AS LIGHT-EMITTING DEVICE OR ELECTRON-EMITTING DEVICE, HAVING GETTERING REGION例文帳に追加

ゲッタ領域を有する発光装置又は電子放出装置のような装置の構造体及び製造方法 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

Heat treatment for gettering catalytic element remaining in a semiconductor film, by adding n-type impurity element (typically phosphorus) to the gettering region of an n-channel type TFT and adding a p-type impurity element (typically boron) and a rare gas element (typically argon) to the gettering region of a p-channel type TFT.例文帳に追加

ｎチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｎ型不純物元素（代表的にリン）を添加し、ｐチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｐ型不純物元素（代表的にボロン）および希ガス元素（代表的にはアルゴン）を添加して半導体膜中に残留している触媒元素をゲッタリングするための加熱処理を行う。 - 特許庁

A first gettering layer is formed on a wafer surface after back face grinding, and a second gettering layer is formed on the back face and a side face of a chip to form a capture site to metal contamination in an assembly flow after back face grinding.例文帳に追加

本願の課題は、これらの問題点を解決し、裏面研削、ダイシングおよびパッケージ組立における金属汚染による特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁