「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a metal gettering layer by rubbing particulates into the ground surface of a thinned semiconductor wafer in order to manufacture a highly reliable semiconductor device even if a semiconductor chip is made thin.例文帳に追加

半導体チップの厚さを薄くした場合でも、信頼性の高い半導体装置を製造するために、薄厚化した半導体ウェーハ研削面へ微粒子を擦り込むことにより、金属ゲッタリング層を形成する。 - 特許庁

To secure sufficient gettering ability while avoiding automatic doping in a heating process in response to the requirement for flatness in a 70 (mm) generation lithography process and without regard to the gas seed of the oxidation/non-oxidation atmosphere.例文帳に追加

７０（ｎｍ）世代のリソグラフィー工程の平坦度要求に応え、且つ酸化・非酸化という雰囲気ガス種に関わらず、加熱工程におけるオートドーピングを回避しながらも十分なゲッタリング能力の確保を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an epitaxial wafer, and an epitaxial wafer, having an extremely high gettering capacity in which LPD does not increase even if doped quantity of nitrogen is increased and crystal defect in an epitaxial layer is reduced extremely.例文帳に追加

窒素ドープ量を増やしてもＬＰＤが増加せず、極めて高いゲッタリング能力を有するとともにエピ層中の結晶欠陥が極めて少ないエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To manufacture a high resistor silicon wafer excellent in gettering ability, mechanical strength and economical efficiency while effectively suppressing the occurrence of oxygen thermal donor in heat treatment for forming a circuit, which is carried out at a device maker side.例文帳に追加

ゲッタリング能、機械的強度及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal display which has a high degree of integration of TFT and has a satisfactory productivity and high reliability by efficiently gettering elements of a catalyst for accelerating the crystallization of an amorphous silicon film from a channel region.例文帳に追加

非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素をチャネル領域から効率よくゲッタリングし、ＴＦＴの集積度が高く、生産性がよくかつ信頼性の高い液晶表示装置を作製する。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a production process of a silicon wafer in which heat treatment for gettering is not required and contaminants in the silicon wafer can be gettered effectively even when the silicon wafer is made thin by grinding.例文帳に追加

ゲッタリングするための熱処理を行なう必要がなく、シリコンウェーハを研削することにより薄膜化する場合でも、シリコンウェーハ中の汚染物を効果的にゲッタリングすることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a carbon-doped silicon single crystal, from which a wafer having high density of BMD (Bulk Micro Defects: oxygen deposits) and excellent ability of IG (Intrinsic Gettering) can be cut out, in a high yield, and to provide the silicon single crystal.例文帳に追加

ＢＭＤ（酸素析出物）密度が高く、優れたＩＧ（ゲッタリング）能力を有するウェーハを切り出せる炭素ドープシリコン単結晶を高い歩留まりで育成する方法、およびそのシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, not necessitating any photolithographic process for gettering and not forming any area of CG silicon film which is unable to be used while practical and permitting mass production, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ゲッタリングのためのフォトリソグラフィ工程を必要とせず、使用不可能なＣＧシリコン膜の領域を作らない、実用的かつ量産可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method of fabricating the device including a process for promoting crystallization by a catalytic element and a process for gettering the catalytic element provides the semiconductor display device with high definition/high resolution/high image quality though it is small in size.例文帳に追加

また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a silicon wafer using a rapid heating/quenching apparatus, particularly a heat-treatment method for a silicon wafer for obtaining a wafer exhibiting enough gettering capability in a device process.例文帳に追加

シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する方法に関し、特に、デバイス工程において十分なゲッタリング能力を発揮するウエーハを得るためのシリコンウエーハの熱処理方法を提供することにある。 - 特許庁

Then, a first heat treatment is performed at 550°C to 630°C and subsequently a second heat treatment is performed at 640°C to 950°C, so that the catalyst element within the amorphous semiconductor film is transferred to the gettering region.例文帳に追加

ここで第１の加熱処理を５５０〜６３０℃の温度条件で行い、続いて第２の加熱処理を６４０〜９５０℃の温度条件で行うことにより、結晶質半導体膜中の触媒元素をゲッタリンク領域に移動させる。 - 特許庁

Heating the semiconductor substrate at >50°C and ≤300°C, preferably, at 100°C for a predetermined time not less than 30 minutes nor more than two hours traps the metal impurities diffused in the semiconductor substrate to the gettering layer.例文帳に追加

この半導体基板を５０°Ｃ超え３００°Ｃ以下の温度、好適には１００°Ｃで、３０分以上２時間以内の所定時間加熱することにより、半導体基板内部に拡散した金属不純物をゲッタリング層にトラップする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer, for quickly manufacturing the silicon wafer, and further easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加

本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer and a method of manufacturing the same, reducing warpage of a wafer when an epitaxial film is grown only on a surface of a large-diameter wafer ≥450 mm, and providing high intrinsic gettering capacity.例文帳に追加

４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An outer edge part of a gate electrode is spaced at least about 0.5 μm apart from a source-drain region or the like wherein phosphorus as a gettering element is implanted for preventing segregation of nickel in an area near an outer edge part of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の外縁部を、ゲッタリング元素としての燐が注入されたソース・ドレイン領域等から少なくとも約０．５μｍ離隔するようにして、ゲート電極の外縁部近傍に於けるニッケルの偏析を防止する。 - 特許庁

Intrinsic gettering functions are imparted to a large-sized silicon wafer having a diameter of 450 mm or larger and a specific resistivity of 0.1 Ω cm or larger by introducing nitrogen, carbon, or both of them to a melt on pulling up an ingot.例文帳に追加

直径が４５０ｍｍ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハに、インゴット引き上げ時の溶融液への窒素、炭素、またはその両方の導入によりイントリンシックゲッタリング機能を付与した。 - 特許庁

In addition, two treatments of a heat treatment to the gate insulation film and an activation process of an impurity element added to the semiconductor and a gettering process of a metal element added to the semiconductor are simultaneously conducted using the RTA.例文帳に追加

また本発明は、ゲート絶縁膜に対する加熱処理と、半導体に添加された不純物元素の活性化処理又は半導体に添加された金属元素のゲッタリング工程の２つの処理を同時にＲＴＡを用いて行う。 - 特許庁

In this manufacturing method, an impurity region, where dilute gas elements are added is made in a semiconductor film, and gettering for segregating the metallic elements contained in the semiconductor film is performed for the above impurity region by laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、レーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate, capable of sufficiently gettering metal impurities not only in ion injection for buried silicon oxide film formation and its heat treatment, but also in a heat treatment in a device process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

埋め込みシリコン酸化膜形成のためのイオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、金属不純物を十分にゲッタリング可能なＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer manufacturing method that forms a modified part by generating a multiphoton absorption process only at a prescribed depth position of a semiconductor wafer by laser beam irradiation in a short period of time so as to utilize the modified part as a gettering sink.例文帳に追加

レーザビームの短時間の照射により半導体ウェーハの所定の深さ位置のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分を形成し、ゲッタリングシンクとして活用する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal film is arranged on the reverse surface of a crystal vibrating piece 2 formed integrally with a frame, whose top and reverse surfaces are sandwiched between a glass lid 3 and a glass container 6 and joined together by anodization; and the metal film 1 is irradiated with a laser beam for gettering.例文帳に追加

枠と一体に形成された水晶振動片２の下面に金属膜１を配置し、枠の上下面をガラス蓋３とガラス容器６で挟み陽極接合し、金属膜１をレーザービーム７で照射し、ゲッタリングを行う。 - 特許庁

The intrinsic gettering performance of an IGBT 1 is inspected by measuring the current amplification rate (HFE) of an PNP transistor 30 formed of a channel region 12, a drift layer 11, a buffer layer 17 and a collector layer 18.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のイントリンシックゲッタリング能力の検査は、チャネル領域１２、ドリフト層１１、バッファ層１７及びコレクタ層１８により形成されたＰＮＰトランジスタ３０の電流増幅率（ＨＦＥ）を測定することにより行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor array substrate wherein mobile ions are prevented from infiltrating into a semiconductor layer via gettering effect, neutralization, or the like when a low-grade glass is used for building the substrate.例文帳に追加

本発明は、低級なガラスを基板として使用する時にゲッタリング効果又は中和などの作用を介してモバイルイオンが半導体層に浸透することを防止できるようにした薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the gettering layer 7 is removed, the crystallized semiconductor film 5a is irradiated with second laser light or strong light of energy density lower than that of the first laser light, so that a pin hole on the surface of the crystallized semiconductor film 5a is buried.例文帳に追加

ゲッタリング層７を除去した後、結晶化半導体膜５ａに、第１のレーザー光よりエネルギー密度が低い第２のレーザー光又は強光を照射することにより、結晶化半導体膜５ａの表面のピンホールを埋める。 - 特許庁

To provide a method for effective gettering of noble metals which may diffuse inward in a semiconductor material during a process of manufacturing a semiconductor element, by forming in the semiconductor a zone having a material precipitate.例文帳に追加

材料析出物を有するゾーンを半導体内に形成することにより、半導体素子の製造プロセス中に半導体材料内に内方拡散することが可能な貴金属を効果的にゲッタリングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and manufacturing method thereof whereby gettering can be performed more properly than conventional ones even when using a semiconductor wafer having such a structure as to provide a semiconductor layer for forming elements thereon on an insulation layer.例文帳に追加

素子の形成される半導体層が絶縁層上に設けられる構造を有する半導体ウエハを用いる場合であれ、ゲッタリングをより適切に行うことのできる半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, the polysilicon layer 10b which is to be an upper layer is formed in such conditions as the polisilicon layer 10a, which is to be a lower layer is smaller for polysilicon particle size, so that the gettering ability of the polysilicon layer 10b is enhanced more than that of the polysicon layer 10a.例文帳に追加

このとき、上層となるポリシリコン層１０ｂは下層となるポリシリコン層１０ａよりもポリシリコン粒径が小さくなる条件で形成して、ポリシリコン層１０ｂのゲッタリング能力をポリシリコン層１０ａと比較して高くする。 - 特許庁

A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer in which on growing an epitaxial film is formed only on the surface of a large-sized wafer which is 450 mm or more in diameter, the wafer can be decreased in warpage to obtain a high intrinsic gettering performance and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric vibrator with which excellent electrical characteristics is obtained by suppressing the diffusion of a bonding film during a gettering step, and also to provide an oscillator which mounts therein the piezoelectric vibrator with which excellent electrical characteristics are obtained, an electronic apparatus, and a radio wave clock.例文帳に追加

ゲッタリング工程時の接合膜の飛散を抑制し、良好な電気的特性が得られる圧電振動子の製造方法と、良好な電気的特性が得られる圧電振動子を搭載した発振器、電子機器及び電波時計を提供する。 - 特許庁

Impurities introduced into a semiconductor substrate are activated by heat treatment, and crystalline defects formed in a surface side of the non-defect layer 13 during formation of the element or insulating film 15 are captured in the gettering region 14.例文帳に追加

熱処理によって、半導体基板に導入された不純物を活性化させると共に、素子形成や素子分離絶縁膜１５の形成において無欠陥層１３の表面側に形成された結晶欠陥を、ゲッタリング領域１４に捕獲させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a back-illuminated image sensor and a manufacturing method thereof, capable of suppressing metal contaminations and reducing occurrence of a white spot defect of the image sensor, by maintaining a sufficient gettering performance in a device process.例文帳に追加

デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having an excellent partial SOI structure in which an SOI region has a sufficient gettering capacity to an adjacent non-SOI region (a bulk region) and the bulk region (an element formable region) is not narrowed.例文帳に追加

ＳＯＩ領域が、隣接する非ＳＯＩ領域（バルク領域）に対する十分なゲッタリング能力を有し、かつ、バルク領域（素子形成可能領域）を狭めていない良質な部分ＳＯＩ構造を具備する半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer that is made free from a Grown-in defect, has high gettering effect, prevents BMD from being deposited in a device active region, and is improved in thermal strength of the device active region.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無欠陥化や、高いゲッタリング効果を備え、かつ、デバイス活性領域におけるＢＭＤの析出を防止することができ、更に、デバイス活性領域の熱的強度を向上させることができるシリコンウェーハが提供される。 - 特許庁

The silicon layer 1 has a device forming region 4 in which devices such as MOSFET are formed, a trench forming region 5 in which device separating grooves are formed by trench etching and no device region 6 in which no device is formed but a gettering layer 8 is formed.例文帳に追加

シリコン層１は、ＭＯＳＦＥＴ等の素子が形成される素子形成領域４、トレンチエッチされ素子分離溝が形成されるトレンチ形成領域５、及び、素子が形成されずゲッタ層８が作り込まれる非素子領域６を有する。 - 特許庁

A paste-like or a sheet-like gettering material, of which the main components are a mixture of at least either material of ceramics or glass, which is selected from among a group consisting of ceramics and glass, and an alloy having gas absorptivity is used for manufacturing of a FDP.例文帳に追加

セラミックスおよびガラスよりなる群から選ばれた少なくともいずれかの材料とガス吸収能力を有する合金との混合物を主成分とするペースト状またはシート状のゲッター材料をＦＤＰの製造に使用する。 - 特許庁

To produce using CZ method under stable conditions a silicon single crystal wafer having OSF or OSF nuclei on the whole crystal surface or the whole crystal surface except the outer peripheral part when subjected to thermal oxidation treatment and having gettering ability as well.例文帳に追加

熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にＯＳＦまたはＯＳＦの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region doped with a rare earth element, and gettering the impurity region to segregate the metal element contained in a semiconductor film by heat treating and laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

Since a cavity can be formed by the light element that is about 10^20 atoms/cm^2 in peak density, and the metallic impurity is highly efficiently obtained by high density dangling bond at the inner surface; a strong gettering capability can be exerted while maintaining productivity.例文帳に追加

このキャビティは軽元素ピーク濃度10^20atoms/cm^2程度で形成でき、かつその内部表面の高密度なダングリングボンドにより高効率に金属不純物をゲッタリングできるため、生産性を確保しつつ強力なゲッタリング能力を発揮させられる。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 1, the photoelectric conversion part is arranged on a front side of a semiconductor substrate, and a gettering site separating metal impurity in the semiconductor substrate from the photoelectric conversion part is arranged on a rear side by separating it from the semiconductor substrate.例文帳に追加

固体撮像装置１を、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、半導体基板から離れて裏面側に設けられた構成とする。 - 特許庁

The wafer causes the amorphous layer to change into a second layer 16 of the single crystal semiconductor material, and further the second layer 16 is heated under conditions effective to combine the zone of the single crystal semiconductor material damaged into one, and forms an intrinsic gettering zone 17.例文帳に追加

そのウエハは、アモルファス層を単結晶半導体材料の第二の層１６へ変換させ、さらに損傷を受けた単結晶半導体材料のゾーンを合体させるのに効果的な条件下で加熱され、イントリンシックゲッタリングゾーン１７が形成する。 - 特許庁

As one example, an oxygen precipitation layer 14 forming in layers the precipitation of oxygen nucleus created by heat treating by pouring oxygen ion is used as a gettering layer to the heavy metal contamination dopant contained in a semiconductor.例文帳に追加

本発明の一例は、酸素イオンを注入し熱処理をすることによって作成された酸素析出核を層状に形成した酸素析出層１４を、半導体中に含まれる重金属汚染不純物に対するゲッタリング層とする。 - 特許庁

With this configuration, chips are thinned by grinding the rear surface of the silicon substrate 11 in the device post-step, and thus, even if the rear surface is further polished, sufficient gettering performance can be exhibited for contamination due to heavy metal to be introduced in the device post-step.例文帳に追加

これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 - 特許庁

With this configuration, chips are thinned by grinding the rear surface of the silicon substrate 11 in the device post-step, and even if the rear surface is further polished, sufficient gettering performance can be exhibited for contamination due to heavy metal to be introduced in the device post-step.例文帳に追加

これにより、デバイス後工程でシリコン基板１１の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。 - 特許庁