「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial wafer, in which a silicon-epitaxial layer is formed on the surface of a nitrogen-doped silicon single-crystal wafer, is characterized in that an oxygen precipitate density of a size having the gettering ability in bulk is 10^8 piece/cm^3 or more.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハであって、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１０^８個／ｃｍ^３以上であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ。 - 特許庁

The first semiconductor layer (120) contains a gettering element and a catalyst element accelerating the crystallization of the second semiconductor layer, and the active layer (132) overlaps with the first semiconductor layer (120) when viewed from the normal direction of the back surface (112b) of the transparent substrate (112).例文帳に追加

第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 - 特許庁

At least one portion of the channel region, source region, and drain region contains a catalyst element for accelerating crystallization; and the interlayer insulating film contains a gettering element having operation for attracting the catalyst element, and contains the catalyst element at higher concentration than that of the channel region.例文帳に追加

チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一部は、結晶化を促進する触媒元素を含み、層間絶縁膜は、触媒元素を引き寄せる作用を有するゲッタリング元素を含み、かつ、チャネル領域よりも高濃度で触媒元素を含む。 - 特許庁

The SOI substrate is heat-treated at a temperature of 600-1,250°C, and gettering is performed to metal impurities accidentally mixed into the interface of the SOI film and quartz substrate and into the SOI film in the process of plasma processing, or the like to the surface region of the silicon film 12.例文帳に追加

次にこのＳＯＩ基板を６００℃〜１２５０℃の温度で熱処理し、プラズマ処理等の工程においてＳＯＩ膜／石英基板界面およびＳＯＩ膜中に偶発的に混入した金属不純物をシリコン膜１２の表面領域にゲッタリングする。 - 特許庁

A CPU 160 reads out sampled data of each CRT 10 stored in the data memory 150 by turns, calculates total emission quantity for a fixed standard time and decides success or failure of the gettering through comparison of this total emission quantity with a standard value.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１６０は、そして、このサンプリング後にデータメモリ１５０に記憶された各ＣＲＴ１０のサンプリングデータを順次読み出し、一定の基準時間に対する総発光量を算出し、この総発光量を基準値と比較することにより、ゲッタリングの成否を判定する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer which has high gettering capability and is capable of reducing the total cost of semiconductor device fabrication, by facilitating film thickness control in each device process to be carried out readily and enabling the process of thinning the silicon substrate, after finishing the device fabrication to be carried out readily.例文帳に追加

高ゲッタリング能力を有し、なおかつデバイスプロセスの各工程において膜厚管理を容易にし、またデバイス作製後のシリコン基板の薄膜化工程を容易にするなどして、半導体デバイス作製のトータルコストを削減できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。 - 特許庁

When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加

次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。 - 特許庁

Gettering sites 31 absorbing crystal defects 30 generated in a drift region 20 are arranged at part positions except the drift region 20 as an operation region on the main surface side of the N-type semiconductor layer 1 between the P-type well region 4 and an N+ type drain region 2.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４とｎ^^^+形ドレイン領域２との間におけるｎ形半導体層１の主表面側の動作領域たるドリフト領域２０以外の部位に、ドリフト領域２０に発生した結晶欠陥３０を吸収するゲッタリングサイト３１が設けられている。 - 特許庁

In a device wherein thinning is required very much, the degradation of the characteristics of the device or reliability caused by metal impurities contamination can be suppressed, since a gettering site of metal impurities can be arranged directly under the element formation region 5 so that yield stability and improvement of a device can be attained.例文帳に追加

素子形成領域５の直下に金属不純物のゲッターサイトを設けることができるので、極薄化が要求されるデバイスにおいて、金属不純物汚染によるデバイスの特性や信頼性の劣化を抑えることができ、デバイスの歩留り安定、向上が図ることができる。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a backside illumination type solid-state image pickup element capable of suppressing metal contamination and reducing the occurrence of blemish defects in a solid-state image pickup element by maintaining a sufficient gettering capacity during a device manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the epitaxial substrate for the backside illumination type solid-state image pickup element.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the semiconductor device 50 is formed by passing through the inside of an interlayer insulating film 12 between an upper surface of the interlayer insulating film 12 and upper surfaces of the polysilicon regions 17 and 18, and is provided with contact holes 13 and 15 of which insides are filled by polysilicon plug having a function as the gettering.例文帳に追加

また、半導体装置５０は、層間絶縁膜１２の上面とポリシリコン領域１７，１８の上面との間で層間絶縁膜１２内を貫通して形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコンプラグによって内部が充填されたコンタクトホール１３，１５を備えている。 - 特許庁

To provide a SOI (silicon insulator) substrate and a method for manufacturing the same by which a stable gettering effect is obtained, the number of manufacturing processes is reduced, a time for manufacturing the SOI substrate is reduced, and the film thickness of a SOI layer is controlled easily and which are suitable for manufacturing the SOI substrate having a thin-film SOI layer.例文帳に追加

安定したゲッタリング効果が得られ、製造工程数の削減、ＳＯＩ基板の製造時間の短縮が図れ、ＳＯＩ層の膜厚制御が容易で、薄膜のＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板の製造に好適なＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer of which a conductive type is N, which can deposit oxygen deposit in a periphery of a device active region even when resistivity is as low as 4 mΩ cm or lower, and which exhibit high IG (intrinsic gettering) ability, to provide an epitaxial wafer, and to provide a method of manufacturing them.例文帳に追加

導電型がＮ型で、抵抗率が４ｍΩ・ｃｍ以下と低抵抗率であっても、酸素析出物をデバイス活性領域の近傍に析出させることのできるＩＧ能力の高いシリコンウエーハとエピタキシャルウエーハ並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

This technique is characterized in that a rare gas element-doped impurity region is formed in a semiconductor film having a crystal structure and a gettering for making a metallic element being comprised in the semiconductor film segregate in the impurity region is performed by a heating treatment or a strong light irradiation.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理または強光照射により前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which the thickness of the semiconductor epitaxial layer to be an active region in a back-illuminated image pickup element and the like can be easily managed to be a desired thickness without using an SOI substrate, and gettering of contaminating impurities can be smoothly performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer with high gettering capability by increasing BMD density more than before which has an epitaxial layer grown on a P-type silicon single-crystal wafer with a high dopant concentration and a low resistivity of 0.02 Ω cm or lower.例文帳に追加

ドーパント濃度が高く、０．０２Ω・ｃｍ以下のような低い抵抗率を有するＰ型のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハであって、従来よりもＢＭＤ密度を増大させることにより、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal contaminated sample that reflects an actual heavy metal contaminated state in an actual post-process of a semiconductor device to grasp with high reliability the gettering performance of a silicon wafer accompanying heavy metal contaminated in the manufacturing process of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic device comprises steps of forming an Si3N4 film 2 as a mask having opened laser irradiation regions, and introducing lattice defects 8 for gettering metal impurities in the laser irradiation regions by irradiating it using an excimer laser 4.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程に、レ−ザ−照射領域が開口されたマスクとしてのＳｉ_3 Ｎ_4 膜２を形成する工程、エキシマレ−ザ−４を照射することによりレ−ザ−照射領域に金属不純物ゲッタリング用の格子欠陥８を導入する工程を含ませる。 - 特許庁

Using a Te film or a film mainly composed of Ta, having high heat resisting property, as a wiring material, and by covering it with a protective film 105, heating treatment can be performed at the high temperature of 400 to 700°C, and gettering treatment, etc., can be performed on the metal element in a crystallizable silicon film.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護膜で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、例えば結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリングする処理等を施すことができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses the growth of pores in a crystalline silicon film formed by crystallizing with an element for accelerating the crystallization and then gettering to decrease the concentration of the element in the crystalline silicon film.例文帳に追加

本発明では、結晶化を助長する元素を用いて結晶化した後、ゲッタリングを行うことにより当該元素の結晶質ケイ素膜中の濃度を減少させた結晶質ケイ素膜において孔の発生を抑制する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

As the result, the stable gettering effect is obtained on the entire surface of the wafer, the number of manufacturing processes of the SOI substrate is reduced, the time for manufacturing the SOI substrate is reduced, the film thickness of a SOI layer is controlled easily, and the method is suitable for manufacturing the SOI substrate having the thin-film SOI layer 10A.例文帳に追加

その結果、ウェーハ全面で安定したゲッタリング効果が得られ、ＳＯＩ基板の製造工程数が削減され、ＳＯＩ基板の製造時間が短縮され、ＳＯＩ層１０Ａの膜厚制御が容易で、薄膜のＳＯＩ層１０Ａを有するＳＯＩ基板の製造に好適となる。 - 特許庁

To remove catalyst element used for crystallization of a semiconductor film having an amorphous structure, a region whereto rare gas element is added, or a semiconductor film whereto rare gas element is added is formed, heat treatment is carried out, and catalyst element is moved there and gettering is accomplished.例文帳に追加

非晶質構造を有する半導体膜の結晶化に用いた触媒元素を除去するために、希ガス元素を添加した領域又は希ガス元素が添加された半導体膜を形成し、加熱処理を施してそこに触媒元素を移動させ、ゲッタリングを完遂させるものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon which has good gettering properties and is substantially free from defects in a region relevant to the integration of electronic devices, and to provide a very economical method which can provide the semiconductor wafer in a high yield.例文帳に追加

良好なゲッタリング特性を有し、電子デバイスの集積のために重要な領域において実質的に欠陥のない単結晶シリコンからなる半導体ウェハを提供し、かつ前記半導体ウェハを高い歩留まりで提供できる極めて経済的な方法を提供する。 - 特許庁

To make the occurrence of defects on the surface and in the vicinity of the surface of a wafer less likely, to reduce crystal defects and to prevent the occurrence of leak, by making metallic contaminants attach to a gettering site near the interface between an active side wafer and an insulating film, even when the metal contaminants attach to the active side of the wafer.例文帳に追加

活性側に金属汚染が付着した場合も、汚染物が活性側ウェーハと絶縁膜との界面付近のゲッタリングサイトにゲッタリングされ、表面および表面近傍に欠陥を発生しにくくし、結晶欠陥を少なくしリーク不良を発生しにくくする。 - 特許庁

Since an intrinsic gettering structure by nitrogen introduction into a silicon melt 56 in pulling an ingot is formed in a large-diameter silicon wafer 11 having a diameter of 450 mm and a specific resistance value of 0.01-0.1 Ω cm, large warpage hardly occurs in the silicon wafer 11 after the growth of an epitaxial film 12.例文帳に追加

直径が４５０ｍｍ、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満の大口径シリコンウェーハ１１に、インゴット引き上げ時のシリコン溶融液５６への窒素導入によるイントリンシックゲッタリング構造を形成したので、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。 - 特許庁

To provide a method of measuring the concentration of nitrogen for quantitatively measuring a very small amount of nitrogen of 1×10^15 atom/cm^3 or lower, to provide a silicon substrate having an effective gettering center and its manufacturing method and a method of controlling the quality thereof, and also to provide a semiconductor integrated circuit using asilicon crystal.例文帳に追加

１×１０^１５ａｔｏｍ／ｃｍ^３ 以下の微量窒素を定量測定する窒素濃度測定方法を提供すると共に、効果的なゲッタリングセンターを有するシリコン基板、その製造方法およびその品質管理方法、さらにはそのシリコン結晶を使用した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To stabilize the quality of an annealed wafer by reliably decreasing SSDs (surface shallow defects which are recessed defects of an extremely wide and shallow shape on the surface), while ensuring generation of void defects other than the SSDs and generation of BMDs (bulk micro defects) indispensable as a gettering source in the bulk.例文帳に追加

アニールウェーハにとって必要不可欠なウェーハ表面におけるＳＳＤ（表面の非常に幅広く、浅い形状の凹状欠陥；Surface Shallow Defect）以外のボイド欠陥の低減や、バルク内のゲッタリング源としてのＢＭＤ（バルク微細欠陥；Bulk micro defect）の生成を保証しつつ、ＳＳＤを確実に低減させるようにして、アニールウェーハの品質を安定させる。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a device forming process of forming the semiconductor device on a surface of a silicon wafer, and a gettering process of, after the device forming process, gathering metal in the wafer to a reverse surface side of the silicon wafer by applying a voltage between a top surface and the reverse surface of the silicon wafer so that the potential of the reverse surface is minus.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程と、前記デバイス形成工程後、前記シリコンウェーハの前記表面と裏面の間に、裏面がマイナスになるように電圧を印加してウェーハ中の金属を前記裏面側に集めるゲッタリング工程を含む、半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁

A laser beam is irradiated from either of both sides of a semiconductor wafer to a prescribed depth position of the semiconductor wafer by aligning a focal position with the prescribed depth position of the semiconductor wafer so as to generate a multiphoton absorption process only in a specific part, located at the prescribed depth position, of the semiconductor wafer, thereby forming a gettering sink by making the specific part as a modified part.例文帳に追加

半導体ウェーハの両面のいずれか一方の面から、該半導体ウェーハの所定深さ位置に、焦点位置を合わせてレーザビームを照射し、前記所定深さ位置にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分としゲッタリングシンクを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes: a semiconductor chip 2; a frame 3 or a substrate for mounting the semiconductor chip 2 thereon; a resin without containing a halogenated flame retardant for sealing the semiconductor chip 2; and a gettering part 4 capturing impurity ions around the semiconductor chip 2.例文帳に追加

半導体チップ２と、前記半導体チップ２を搭載するフレーム３もしくは基板と、前記半導体チップ２を封止する実質的にハロゲン系難燃剤を含まない樹脂と、前記半導体チップ２の周辺に不純物イオンを捕獲するゲッタリング部４とを有することを特徴とする半導体装置１を提供する。 - 特許庁

By forming a modification region P inside a wafer W at a part other than a dicing street S and near the semiconductor element E inside the semiconductor device D, gettering effect is obtained and the traverse rupture strength of the chip C is improved, without imparting distortions to the periphery of the individual chip C, where the semiconductor device D is formed.例文帳に追加

改質領域ＰをダイシングストリートＳ以外の箇所であって半導体装置Ｄ内の半導体素子Ｅの近傍であるウェーハＷ内部へ形成することにより、ゲッタリング効果を得ると共に半導体装置Ｄが形成された個々のチップＣの周囲に歪みを与えずチップＣの抗折強度向上が可能となる。 - 特許庁

To provide a process for producing a silicon wafer inexpensively in which a DZ layer of sufficient thickness is ensured in the region of a wafer surface layer and, at the same time, a sufficient amount of oxygen deposit functioning as a gettering site can be secured in a bulk region in the earlier stage of heat treatment of the device process.例文帳に追加

ウエーハ表層領域に十分な厚さのＤＺ層を確保すると同時に、デバイス工程の熱処理のより早い段階でゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物がバルク領域内に十分な量を確保できるシリコンウエーハを安価に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a non-vaporizing type getter, a display device to have the getter and their manufacturing method wherein gettering effect is superior, an air tight container inside in the display device of plane display device or the like can be maintained in a high vacuum state, and besides, mounting is easy, and the risk of polluting the inside is also less.例文帳に追加

ゲッタリング効果に優れ、特に平面表示装置などの表示装置における気密容器内部を高真空状態に保つことができ、しかも取り付けが容易で、内部を汚染するおそれも少ない非蒸発型ゲッターと、そのゲッターを具備する表示装置と、それらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-resistivity CZ silicon wafer which can prevent deterioration of resistivity due to development of a oxyfen donor and has a high gettering-effect, the high-resistivity CZ silicon wafer manufactured by its method, a SOI wafer used with the high-resistivity CZ wafer as a base wafer.例文帳に追加

酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率ＣＺシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率ＣＺシリコンウエーハならびに、この高抵抗率ＣＺウエーハをベースウエーハとして用いて得られるＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁

Since openings 10c and 10d are formed at an embedded silicon oxide film 10b by dry etching and the SOI layer 10A is connected partially with a wafer 20 for a supporting substrate at a connection area part X, iron and nickel in the SOI layer 10A can be captured to the gettering site of the wafer 20 via the connection area part X.例文帳に追加

ドライエッチングにより埋め込みシリコン酸化膜１０ｂに開口部１０ｃ，１０ｄを形成し、ＳＯＩ層１０Ａと支持基板用ウェーハ２０とを連結領域部Ｘで部分的に連結したので、ＳＯＩ層１０Ａ中の鉄、ニッケルを連結領域部Ｘを介して支持基板用ウェーハ２０のゲッタリングサイトに捕獲できる。 - 特許庁

A method for forming an SiC epitaxial layer 16 above an SiC substrate 10 and manufacturing a semiconductor element by implanting ions into the SiC epitaxial layer 16 and performing heat treatment includes a step of forming a gettering layer 13 having a higher defect density than the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a carrier substrate 1 having a gettering site 10 for capturing impurity metals therein, a buried insulating film 2 provided on the carrier substrate 1 and containing an oxide of an element having a single bond energy with oxygen larger than with silicon, and a semiconductor layer (SOI layer) 3 provided on the buried insulating film 2.例文帳に追加

不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイト１０を内部に有する支持基板１と、その支持基板１上に配置され、シリコンよりも酸素との単結合エネルギーが大きい元素の酸化物を含む埋め込み絶縁膜２と、その埋め込み絶縁膜２上に配置された半導体層（ＳＯＩ層）３とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device 50 is provided with polysilicon regions 17 and 18 which are so selectively buried and formed as not to contact with a gate insulating film 6 or an element separating insulating film 11, at portions where a drain region 8 and a source region 9 within a major surface of a SOI layer and which has a function as gettering.例文帳に追加

半導体装置５０は、ドレイン領域８及びソース領域９が形成されている部分のＳＯＩ層４の主面内において、ゲート絶縁膜６及び素子分離絶縁膜１１に接触しないように選択的に埋め込み形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコン領域１７，１８を備えている。 - 特許庁

In an SOI wafer 10 formed by placing a silicon wafer 11 for an active layer on a silicon wafer 12 for a supporting substrate via an insulating film 13, a gettering region 14 is formed on the surface of the sticking side of the silicon wafer 11 for an active layer prior to sticking.例文帳に追加

支持基板用シリコンウェーハ１２に絶縁膜１３を介して活性層用シリコンウェーハ１１を貼り合せたＳＯＩウェーハ１０として、貼り合せ前の活性層用シリコンウェーハ１１の貼り合せ側の表面に予め機械的ダメージを与えたゲッタリング領域１４を形成しておくことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁