「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a production process of silicon wafer which ensures high integrity of a wafer surface layer and exhibits the gettering function which is equivalent to or better than before in the vicinity of the wafer surface layer.例文帳に追加

ウェーハ表層の高い完全性と、ウェーハ表層近傍での従来と同等以上のゲッタリング機能とを備えたシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

By setting the impurity concentration in the surface of this region 10 into a concentration of 1×1018 cm-3 to 5×1020 cm-3, a gettering effect is made to effectively work in a semiconductor device.例文帳に追加

この高濃度の不純物拡散領域１０の表面濃度を１×１０^18ｃｍ^-3から５×１０^20ｃｍ^-3とすることで、ゲッタリング効果を有効に働かせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of easily removing a base plate by etching while sufficiently maintaining a gettering effect, and a solid state image pickup device using the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲッタリング効果は十分に保持しつつ、エッチングによる基板の除去を容易に行うことができる半導体基板とこれを用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gettering method, capable of suppressing the rediffusion of impurity metal gettered in a semiconductor substrate, and improving degree of cleaning a device active region.例文帳に追加

半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor storage device which can obtain sufficient gettering effect, even when the width and thickness of an element is reduced which accompany the reduction of the element.例文帳に追加

素子の微細化にともない素子幅、素子厚が縮小されても十分なゲッタリング効果を得ることが可能な半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor wafer is equipped with an oxide film 2 located over a silicon layer 3, where a porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2 to function as a gettering layer.例文帳に追加

シリコン層３の上方に酸化膜２を有する半導体ウエハにおいて、上記酸化膜２の上方に、ゲッタリング層として機能する多孔質シリコン層４を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a rear irradiation type imaging element which can obtain sufficient gettering characteristics, a rear irradiation type imaging element and an imaging apparatus employing the same.例文帳に追加

十分なゲッタリング特性が得られる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを用いた撮像装置を提供する。 - 特許庁

To enhance a flexural strength, to require no detoxification process, to maintain a gettering effect at the time of polishing the grinding surface of a wafer, in order to prevent a lowering in quality of a device.例文帳に追加

ウェーハの研削面を研磨する場合において、抗折強度を高めつつ、無毒化処理を不要とし、ゲッタリング効果を維持してデバイスの品質を低下させないようにする。 - 特許庁

To provide a silicon single-crystal wafer which can fully exhibit IG (intrinsic gettering) capability, even in a low-temperature device manufacturing process, and which can be provided relatively easily and at low cost.例文帳に追加

低温デバイス製造プロセスにおいても、ＩＧ能力を十分に発揮でき、しかも、比較的簡単かつ安価で提供できるシリコン単結晶ウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide an SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) substrate where pit-like defect generation on a silicon layer surface is extremely small, and further an SIMOX substrate which has a sufficient gettering site inside.例文帳に追加

シリコン層表面のピット状欠陥発生のきわめて少ないＳＩＭＯＸ基板、およびさらに内部に十分なゲッタリングサイトを有するＳＩＭＯＸ基板の提供。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which does not deteriorate in quality of a device active layer even when the silicon wafer is thinned and has a high gettering capability, and its production method.例文帳に追加

シリコンウェーハを薄片化した場合にあっても、デバイス活性層の品質劣化がなく、かつ高いゲッタリング能力を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a polysilicon layer formed on a backside of a silicon crystal substrate doped with phosphor (P) and germanium (Ge), and has superior gettering capability.例文帳に追加

リン（Ｐ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer which has high gettering capability even when made thin, and has high flatness and free of misfit dislocation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄厚化されても高いゲッタリング能力を有するとともに、平坦性が高く、且つミスフィット転位のないエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

For this reason, a sufficient oxidation is conducted in second gettering without being concerned about the increase in the recesses or projections or the generation of the pin holes, and the concentration of Ni can be decreased down to the lowest level.例文帳に追加

そのために、第２のゲッタリングでは凹凸の増大やピンホールの発生を気にすることなく十分な酸化を行って、極低レベルまでＮiの濃度を低減できる。 - 特許庁

To provide a method of efficiently gettering a catalyst element from a semiconductor layer after a treatment crystallizing of a semiconductor film using the catalyst element is performed.例文帳に追加

触媒元素を用いる半導体膜の結晶化処理を行った後に、該触媒元素を効率よく半導体層からゲッタリング（捕獲）する方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, contamination due to heavy metal to be introduced in the device post-step is captured to the rear surface of the silicon substrate by a gettering effect of activated ion species.例文帳に追加

本発明によれば、活性化されたイオン種のゲッタリング効果によって、デバイス後工程で導入される重金属汚染がシリコン基板の裏面に捕捉される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can eliminate heavy metal impurities mixed inside an SOI layer by gettering and improves a breakdown voltage or a reliability.例文帳に追加

ＳＯＩ層の内部に混入した重金属不純物をゲッタリングにより除去することを可能とし、耐圧や信頼性の向上を実現し得る半導体装置を得る。 - 特許庁

Surfaces of a 1st wafer 10 having a getttering site and a 2nd wafer 11 having no gettering site are forcibly contaminated with a metal impurity, containing solution having specified concentration.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを有する第１ウェーハ及びゲッタリングサイトを有しない第２ウェーハの表面を所定濃度の金属不純物含有溶液によりそれぞれ強制汚染させる。 - 特許庁

A surface layer (gettering layer) of the silicon film 12 of the SOI substrate after the heat treatment is removed as a final SOI film 13, thus obtaining the semiconductor substrate (SOI substrate).例文帳に追加

そして、最後に、熱処理後のＳＯＩ基板のシリコン膜１２の表面層（ゲッタリング層）を除去して最終的なＳＯＩ膜１３とし、半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。 - 特許庁

Since the polysilicon wafer 3 is formed as a strain layer, iron and copper can be captured through action of extrinsic gettering (EG) using the polysilicon wafer 3 as the base of capturing.例文帳に追加

また歪み層としてのポリシリコン層３を形成しているためエクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）の作用により、ポリシリコン層３を捕獲拠点として鉄、銅を捕獲することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer capable of forming a good quality epitaxial layer on a substrate with a high density gettering site formed.例文帳に追加

高密度のゲッタリングサイトが形成された基板上に良質のエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Using the SiO2 film 2 and the side walls 18 as a mask, the silicon substrate 1 is implanted with Si ions to form a gettering layer in only the bottoms of the trenches 5.例文帳に追加

SiO_2膜２およびサイドウォール１８をマスクとして、Si等の欠陥形成用イオンをシリコン基板１に注入することにより、トレンチ５の底部にのみゲッタリング層１を形成する。 - 特許庁

It is preferable that the metal layer 18 is nickel vapor-deposited on the amorphous silicon layer 14, and the gettering layer 19 is a polysilicon layer formed by a CVD method.例文帳に追加

金属層１８がアモルファスシリコン層１４上に蒸着させたニッケルであり、ゲッタリング層１９がＣＶＤ法により形成されたポリシリコン層であることが好ましい。 - 特許庁

The silicon on insulator (SOI) structure has a low defect density device layer and, optionally, a handle wafer having improved gettering capabilities.例文帳に追加

欠陥密度が低いデバイス層を有し、かつ改良されたゲッタリング能を必要に応じて有するハンドルウエハを有するシリコン・オン・インシュレーター（「ＳＯＩ」）構造体を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that gettering power is deficient in both EG and IG added to a step for doping nitrogen.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理を付加したＩＧにおいても、ＥＧにおいても、ゲッタリング能力が不足する事態が発生しているが、この問題は現状では未解決になっている。 - 特許庁

Part of the impure gaseous helium from the impure cadre is introduced into a hydrogen-removing cylinder 58 filled with a gettering agent to remove hydrogen, and the resulting gaseous helium is stored again in the gas bag 52.例文帳に追加

不純カードルからの不純ヘリウムガスの一部をゲッター剤が充填された水素除去筒５８に導入して水素を除去し、このへリウムガスを再度ガスバッグ５２に貯める。 - 特許庁

The interlayer dielectric 8 has a structure that an HDP (High Density Plasma) layer 10, a gettering layer 12 and an NSG (None-doped Silicate Glass) 11 are laminated in order from the semiconductor substrate 2 side.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。 - 特許庁

Since the opening 15a of the gettering mask film 15 is formed by self-aligment technology utilizing the photoresist 16 as a mask, the opening pattern of the gettering mask film is formed, without being shifted from the opening pattern 16a of the photoresist 16 and a CGS film containing no impurity of catalytic metal can be formed by performing a photolithographic process only once.例文帳に追加

ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａは、フォトレジスト１６をマスクとして利用して、セルフアラインにより形成されるので、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンに対して、ゲッタリングマスク膜の開口部のパターンがずれることなく形成され、１回のフォトリソグラフィ工程によって、触媒金属による不純物を含まないＣＧＳ膜を形成することができる。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.例文帳に追加

デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁

Thus, the first gettering is performed in the non-oxidizing ambience, and it is possible to decrease the concentration of Ni down to a level, such that even if it is oxidized, neither recesses nor projections increase and no pin holes generate.例文帳に追加

このように、第１のゲッタリングを非酸化性雰囲気中で行って、酸化しても凹凸の増大やピンホールの発生が生じないレベルまでＮiの濃度を減じることができる。 - 特許庁

To provide a laminating SOI wafer manufacturing method for forming a gettering source at an interface between an SOI layer and an insulating layer (an oxide film), and an SOI wafer manufactured by this method.例文帳に追加

ＳＯＩ層と絶縁体層（酸化膜）の界面にゲッタリング源を形成させる貼合せＳＯＩウェーハの製造方法及びこの方法により製造されたＳＯＩウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an arsenic-doped silicon wafer capable of productively manufacturing the arsenic-doped silicon wafer having a large amount of an oxygen deposit and high gettering capacity even if an oxygen concentration is relatively low.例文帳に追加

酸素濃度が比較的低くても、酸素析出物が多く、ゲッタリング能力の高い砒素ドープシリコンウェーハを生産性よく製造できる砒素ドープシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indirect evaluation method by which the quality of a gettering layer formed on a backside of a wafer can be more easily and correctly confirmed compared to the conventional method.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の方法に比べて、簡易かつ正確に、ウェーハ裏面に形成されるゲッタリング層の良否を確認することができる評価方法の提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor wafer which can improve gettering capability without applying bad influence on device active region regarding a wafer processed in back side damage, or BSD, and a semiconductor wafer.例文帳に追加

ＢＳＤを施したウェーハについて、デバイス活性領域に悪影響を及ぼさずにゲッタリング能力を向上させる半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁

A group 18 element such as Ar and an impurity element used as a donor or acceptor are added to the semiconductor layer separated as an element, to form an n-type or p-type gettering site region.例文帳に追加

素子分離された半導体層に、Ａｒなどの第１８族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、ｎ型またはｐ型のゲッタリングサイト領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method for removing a metal element from within a semiconductor film by a method different from a conventional gettering process for removing a metal element from a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a silicon wafer for easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加

本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a technology where heavy metal gettering scarcely occurs in a semiconductor region which is covered with an insulating film for determining the withstand voltage of the capacitor and contains a high concentration of impurity.例文帳に追加

キャパシタの耐圧を決定する絶縁膜に被覆されているとともに不純物を高濃度に含んでいる半導体領域に、重金属をゲッタリングされにくくする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer by which the productivity of an epitaxial wafer having an excellent gettering effect can be improved by conducting a heat treatment efficiently.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造において効率的に熱処理を行ないゲッタリング効果の優れたエピタキシャルウエーハの生産性を向上させるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a false SOI substrate wafer wherein insufficient high-frequency characteristic of a bulk silicon substrate, complicated process of manufacturing an SOI substrate and gettering characteristic are improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, abrasive grains dispersed in the resinoid substrate 60 are pushed against the rear face of the wafer 1 while vibrating, thus making it possible to add the gettering layer uniformly to the rear face of the wafer 1 in a short time.例文帳に追加

レジノイド基板６０に分散する砥粒がウエーハ１の裏面に振動しながら押圧されることにより、ウエーハ１の裏面にゲッタリング層を短時間で均一に付与することができる。 - 特許庁

In the silicide region 8, a metal element contained in a transition layer 10 is diffused into the SOI layer 3 through heat treatment, and is subjected to gettering by the crystal defects for silicide.例文帳に追加

シリサイド領域８は、遷移層１０中に含まれている金属元素が熱処理によってＳＯＩ層３内に拡散し、結晶欠陥にゲッタリングされてシリサイド化されたものである。 - 特許庁

To provide a method of heat-treating a semiconductor wafer in which a slip of a wafer reverse surface caused in a heat treating stage is reduced and gettering effect to a thin-film device during a heat treatment can be generated.例文帳に追加

熱処理工程で発生するウェーハ裏面のスリップの低減が図れ、熱処理時の薄膜デバイスへのゲッタリング効果も発生可能な半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁