「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

After a gettering layer 21 is formed in a substrate 20 by implanting carbon ions into the substrate 20 and a p^+-type impurity layer 22 is formed on the layer 21, a p-type epitaxial layer 10 is formed on the substrate 20.例文帳に追加

基板２０に炭素をイオン注入することによりゲッタリング層２１を形成し、ｐ^+ 型不純物層２２を形成した後に、基板２０上にｐ型エピタキシャル層１０を形成する。 - 特許庁

Even if the silicon wafer is exposed to heavy metal ions of copper, nickel, or the like, in the device process, intrinsic gettering (IG) acts in the heat treatment process to capture the copper and nickel.例文帳に追加

このためデバイス工程で銅、ニッケルといった重金属イオンにさらされたとしても熱処理の過程でイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が作用して、これら銅、ニッケルを捕獲することができる。 - 特許庁

To solve the problem that a concentration of an impurity element necessary for gettering is high in a crystallizing method using a metal element to disturb a recrystallization by later annealing.例文帳に追加

金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can improve efficiency of gettering by preventing re-emission of heavy metals and growth of implantation defects to an element active region.例文帳に追加

重金属の再放出及び注入欠陥の素子活性領域への成長を防止してゲッタリングの効率を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14.例文帳に追加

無欠陥層１３内の底部付近に、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域１４を形成する。 - 特許庁

A process for forming a gettering site comprises the steps of: forming a semiconductor film containing a rare gas element; forming a semiconductor film having an amorphous structure containing a high-concentration rare gas element, amorphous silicon film as a major example, on the surface of a second semiconductor film by treating the film for generating plasma of a rare gas element, carbon, or oxygen; and gettering the semiconductor film.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、希ガス元素を含む半導体膜を形成した後、希ガス元素、炭素、または酸素のプラズマを発生させる処理を行うことで第２の半導体膜表面に高濃度の希ガス元素を含ませた非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、ゲッタリング処理を行うものである。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a high-quality silicon wafer which has a high gettering capability and is extremely few in SFs (Stacking Faults) adversely affecting device characteristics with high productivity at a low cost on an epitaxial layer.例文帳に追加

高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造する。 - 特許庁

A three-layer structure wherein a porous silicon layer is used as a high-resistance layer and is made to work as a gettering layer is comprised of a silicon thin-film, porous silicon and a silicon substrate, and it is used as a false SOI substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。 - 特許庁

A gettering sink is to be formed in an optional three-dimensional shape broadening in parallel with one surface of a single crystal wafer 2 and extending in a thickness direction of the single crystal wafer as a forming shape.例文帳に追加

ゲッタリングシンクの形成形状としては、単結晶ウェーハの一面に対して平行に広がり、かつ単結晶ウェーハ２の厚み方向に延びる任意の３次元形状に形成されれば良い。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and method of manufacturing the same capable of preventing the occurrence of the surface defect of the epitaxial film and a slip of the outer circumferential part of the film, and capable of lowering its manufacturing cost in having a gettering site.例文帳に追加

エピタキシャル膜の表面欠陥と、この膜の外周部のスリップとの発生を防止でき、ゲッタリングサイトを有して製造コストも低減可能なエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-performance semiconductor device with a simple gettering process at low temperatures, and to provide the semiconductor device and a display unit can be obtained with the use of it.例文帳に追加

低温かつ簡便なゲッタリングプロセスで高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法、及び、それを用いて得られる半導体装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a semiconductor device using the semiconductor film containing the rare gas element of 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 manufactured by the plasma CVD method as a gettering site is manufactured.例文帳に追加

また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 - 特許庁

In the device formation area 50 adjacent to the separation area 4, a gettering layer 9 made of the n^+-type impurity "phosphorus" is formed along and all around the separation area 4.例文帳に追加

分離領域４に隣接する素子形成領域５０には分離領域４に沿った形で、分離領域４の全周にＮ^＋型不純物であるリンで形成されたゲッタリング層９が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing thin film transistor by which a metallic element can be removed from inside a semiconductor film by a method which is different from the conventional gettering process performed for removing metallic elements from semiconductor films.例文帳に追加

本発明は、半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having a sufficiently ensured denuded zone in the vicinity of the surface of a wafer and having distribution of defects so controlled as to acquire a sufficient gettering effect within a bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide an improved silicon single crystal substrate possessing an IG (intrinsic gettering) capability very superior beyond the prior art silicon single crystal substrate and capable of satisfactorily dealing with the following generation and next to the following generation semiconductor device.例文帳に追加

従来のシリコン単結晶基板をはるかに上回るＩＧ能力を持ち、次世代および次次世代の半導体デバイスに十分に対応できる改良されたシリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which any epitaxial defect does not occur in an epitaxial layer, and strong gettering capability is obtained in the neighborhood of the lower part of an epitaxial layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつエピタキシャル層下部近傍に強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a support medium of a semiconductor device and a drive method of the support medium of the semiconductor device capable of using it as an electrode for gettering structure and realizing a masking function.例文帳に追加

ゲッタリングのための構造として、電極としても用いることができ、かつ遮光を実現する構造としての、半導体素子の支持体及び半導体素子の支持体の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of obtaining gettering effects and increasing the transverse rupture strength of a chip without distorting the periphery of an individual chip where the semiconductor is formed.例文帳に追加

ゲッタリング効果を得ると共に半導体装置が形成された個々のチップの周囲に歪みを与えずチップの抗折強度向上が可能な半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a TFT having high reliability, an electro-optic device using the TFT by efficiently gettering a catalyst element for promoting a crystallization of an amorphous silicon film and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の結晶化を助長する触媒元素を効率よくゲッタリングし、信頼性の高いＴＦＴおよび該ＴＦＴを用いた電気光学装置およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a high-resistance silicon wafer which is excellent in a gettering ability, can effectively suppress the generation of an oxygen thermal donor and can avoid a change in resistance due to argon annealing and hydrogen annealing for achieving COP-free state.例文帳に追加

ゲッタリング能に優れ、酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制でき、しかもＣＯＰフリー化のためのアルゴンアニールや水素アニールに伴う抵抗変化を回避できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SOI wafer, in which an organic substance that is a gettering site source can be absorbed onto a bonding interface between bonded SOI wafers in an in-plane uniform and stable manner.例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where an increase of contact resistance caused by the concentrated gettering of voids in a wiring is suppressed at the contacting part of the wiring and a plug on it, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

配線とその上のプラグとの接触部における配線中のボイドの集中ゲッタリングに起因するコンタクト抵抗の増大を抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A polishing strain is reduced but not completely eleminated not to eliminate the gettering effect, and no chemical polishing solution such as CMP is used to require no cost for detoxification.例文帳に追加

研削歪みは減少するが、完全に除去されることはないため、ゲッタリング効果がなくなることはなく、また、ＣＭＰのように化学研磨液を使用することもないため、無毒化のためのコストもかからない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high resistance silicone wafer maintaining on high resistance even after being subjected to heat treatment in a device manufacturing step and having high mechanical strength and high gettering ability of a wafer.例文帳に追加

デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するとともに、ウェーハの機械的強度及びゲッタリング能力が高い高抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having a non-defective layer on whose surface oxygen of moderate concentration remains and from which void defects and fine oxygen precipitate and the like are dissipated, and further, which can exhibit a gettering capability.例文帳に追加

表面に適度の濃度の酸素が残存し、空孔欠陥や微小酸素析出物等が消失した無欠陥層を有し、しかもゲッタリング能力をも発揮し得るシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Further, in the SIMOX substrate initial oxygen density is 6.5×10^17 atoms/cm^3 (old ASTM) and oxygen deposits to become a gettering site are formed in the substrate.例文帳に追加

さらに初期酸素濃度が６．５×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ）以上で、基板内部にゲッタリングサイトとなる酸素析出物を形成させた上記のＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

To easily obtain in high productivity an epitaxial silicon single crystal wafer having high gettering ability, low in heavy metal impurity concentration and high in crystallinity even on a substrate of low boron concentration.例文帳に追加

低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。 - 特許庁

Consequently, a slip length of the wafer 10 is suppressed and oxygen precipitate density on the device active layer side of the wafer 10 is increased to effectively generate the gettering effect to the thin film device.例文帳に追加

その結果、ウェーハ１０のスリップ長を抑制するとともに、ウェーハ１０のデバイス活性層側に酸素析出物密度を増加させ、薄膜デバイスに対して、ゲッタリング効果を有効に発生できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device such as VLSI/ULSI which can display a high effective gettering ability for heavy metals to improve the nondefective ratio.例文帳に追加

ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ等の電子デバイス製造プロセスにおいて、重金属に対して効果の高いゲッタリング能力を発揮し、良品率を向上させることができる電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a high resistance silicon wafer whose gettering performance and economical efficiency are excellent, capable of effectively suppressing the generation of an oxygen thermal donor by thermal treatment for circuit formation performed at a device maker side.例文帳に追加

ゲッタリング能及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer having strong gettering performance without forming an epitaxial defect in an epitaxial layer and by forming BMD with high density in a bulk part.例文帳に追加

エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

Concentration of nitrogen in a semiconductor film which is to become a gettering sink is set to be 1×10^18 atoms/cm^3 or lower, its oxygen concentration is set to 8×10^19 atoms/cm^3, and its rare gas element concentration is set to 1×10^20 atoms/cm^3.例文帳に追加

ゲッタリングシンクとなる半導体膜の窒素濃度を１×１０^18atoms/cm^3以下、且つ酸素濃度を８×１０^19atoms/cm^3以下とし、更に希ガス元素の濃度が１×１０^20atoms/cm^3以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an antimony-doped single silicon crystal wafer having a small crystal defect density on the surface of the wafer and having a high gettering ability, and to provide an epitaxial wafer made to grow using the antimony-doped silicon wafer as a substrate wafer.例文帳に追加

アンチモンドープシリコンウエーハであって、ウエーハ表面の結晶欠陥密度が少なく、ゲッタリング能力が高いアンチモンドープシリコンウエーハ及び該ウエーハを基板ウエーハに用いて成長されたエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer that simplifies the heat treatment in a device production process, eliminates the need of providing a backside damage, and improves the gettering capability of the silicon wafer, and also to provide the silicon wafer.例文帳に追加

デバイス製造工程における熱処理を簡略化させ、且つバックサイドダメージを与える必要なしで、シリコンウェーハのゲッタリング能力を向上させるシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

After n-type diffused layers 5a and 5b are formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1, polysilicon layers 10a and 10b are sequentially formed on the n-type diffused layers 5a and 5b, providing a gettering site layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の表面にｎ型拡散層５ａ及び５ｂを形成した後、ｎ型拡散層５ａ及び５ｂの上にポリシリコン層１０ａとポリシリコン層１０ｂとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。 - 特許庁

To provide a silicon single-crystal wafer,capable of having gettering capability with oxygen precipitates, even in an n/n^+ wafer, and to provide a method of manufacturing the same, and an epitaxial wafer using the silicon single-crystal wafer.例文帳に追加

ｎ／ｎ^+ウェーハにおいても酸素析出物によるゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単結晶ウェーハ、その製造方法、及びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer and an epitaxial wafer, for easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加

本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate and its manufacturing method capable of suppressing metallic contamination and reducing an occurrence of white defects of a solid state image sensor by maintaining a sufficient gettering ability during a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region.例文帳に追加

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a rear irradiation type imaging element which can stabilize gettering capability and prevent an increase in dark current, a rear irradiation type imaging element and an imaging apparatus employing the same.例文帳に追加

ゲッタリング能力を安定させかつ暗電流の増大を防ぐことのできる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁

For the substance with high gettering effects, the substance with the value of oxygen gas adsorption energy of 145 kcal/mol or more is adequate, and Ta (tantalum) as the substance forming the magnetoresistive effect element is particularly preferred.例文帳に追加

ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which yields an epitaxial wafer which has no epitaxial defect and shows a good in-plane uniformity concerning oxygen precipitation density and an excellent IG (intrinsic gettering) effect, the epitaxial wafer and their manufacturing processes.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥の発生がなく、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルウェーハが得られるシリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びに製造方法の提供。 - 特許庁