「Gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor substrate which makes it possible to obtain a sufficient gettering effect in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

Thereafter, heat treatment is applied again by utilizing a residual phosphor diffusion layer 2 whereby the further gettering of the metallic impurities is effected.例文帳に追加

この後、残留したリン拡散層２を利用して再度熱処理することにより、金属不純物を更にゲッタリングする。 - 特許庁

To obtain an ingot having no point defect agglomerates and exhibiting intrinsic gettering(IG) effect when formed into a wafer.例文帳に追加

点欠陥の凝集体が存在しないことに加えて、シリコンウェーハにした場合にＩＧ効果を有するインゴットを得る。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of properly obtaining the effects of gettering that suppresses generation of leakage currents.例文帳に追加

リーク電流の発生の抑制を行うゲッタリングの効果を良好に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, the variation in density of vacancy inside the wafer can be suppressed and the intrinsic gettering performance can be improved.例文帳に追加

これにより、ウェーハ内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、イントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができる。 - 特許庁

Furthermore, as the imperfect embedded oxide film 12 doubles as the gettering site to prevent the metallic contamination of the epitaxial wafer 10.例文帳に追加

しかも、不完全埋め込み酸化膜１２はゲッタリングサイトも兼ねるので、エピタキシャルウェーハ１０の金属汚染を防げる。 - 特許庁

The gettering process enables the amorphous semiconductor film with sufficient reduction in the catalyst element to be obtained.例文帳に追加

このゲッタリング工程により、触媒元素が充分に低減された結晶質半導体膜を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide an obtained semiconductor device with a gettering function, without applying a special process to a semiconductor wafer and a chip.例文帳に追加

半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。 - 特許庁

Or it is also possible to form the gettering site composed of an amorphous silicon film laminated by repeating film formation and plasma treatment.例文帳に追加

また、成膜とプラズマ処理を繰り返して積層されたアモルファスシリコン膜からなるゲッタリングサイトを形成してもよい。 - 特許庁

Due to this oxidation, hevy metal impurities on the wafer surface are captured by the silicon oxide film, to exhibit gettering effect.例文帳に追加

この酸化により、ウエハ表面の重金属不純物が前記酸化シリコン膜に捕獲され、ゲッタリング効果が得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single-crystal wafer that effectively exhibits gettering effect even on a thin film device.例文帳に追加

薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果が有効に発揮されるシリコン単結晶ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer and the same having a high close gettering effect even in an epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャルウェーハでも高い近接ゲッタリング効果を有すること。 - 特許庁

The sputtering method includes the steps of: arranging a gettering material 1X on a sputter surface of the sputter target; causing the gettering material 1X to be released in the early phase of the sputtering to increase the degree of vacuum; and then executing the sputtering of an object to be sputtered so as to achieve the film formation on the substrate with sputter particles.例文帳に追加

スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 - 特許庁

In this way, the semiconductor device 40 and the gettering layer 9 is separated from each other with a given distance to ensure a desirable withstand pressure as a semiconductor device, and consequently an SOI type semiconductor device is obtained with a high gettering capability and a reduced device area.例文帳に追加

これにより、半導体素子４０とゲッタリング層９は、任意の素子耐圧を確保するため、一定以上距離を離すことができ、高いゲッタリング能力を有しながら素子面積を縮小したＳＯＩ型半導体装置を得る。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

A gettering layer 7 comprised of a semiconductor containing a rate gas element is formed above the crystallized semiconductor film 5a, and the metal element is gettered to the gettering layer 7, thereby removing or reducing the metal element contained in the crystallized semiconductor film 5a.例文帳に追加

結晶化半導体膜５ａの上方に希ガス元素を含んだ半導体からなるゲッタリング層７を形成し、金属元素をゲッタリング層７にゲッタリングすることにより、結晶化半導体膜５ａに含まれる金属元素を除去又は低減する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer containing a gettering layer having a high gettering ability without giving a bad influence to a device active layer even when formed near the device active layer and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明の目的は、デバイス活性層の近傍に形成した場合であっても、デバイス活性層に悪影響を与えることなく、高いゲッタリング能力をもったゲッタリング層を有するエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING ACTION OF INTERNAL GETTERING IN SILICON WAFER, AND STORAGE MEDIUM WITH PROGRAM FOR EVALUATING THE ACTION STORED THEREON例文帳に追加

シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する方法および同挙動を予測するプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer which shows high gettering capability even in a device process in which low-temperature and short-term heat treatment is advanced.例文帳に追加

低温短時間熱処理化の進んだデバイスプロセスでも高いゲッタリング能力を発揮し得るエピタキシャルシリコンウェーハを実現する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 100 comprises a first electrode 2, a second electrode 6, an active layer 4, and a gettering layer 7.例文帳に追加

有機光電変換素子１００に、第一の電極２と、第二の電極６と、活性層４と、ゲッター層７とを設ける。 - 特許庁

A DZ at a sufficient depth from the surface to the inside of a wafer is combined with high gettering effect in the bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer, having extremely few defects in an epitaxial film and high gettering ability in a bulk portion.例文帳に追加

エピタキシャル膜の欠陥が極めて少なく、かつバルク部分のゲッタリング能力の大きいエピタキシャルウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a high gettering capability and can be manufactured efficiently, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高いゲッタリング能力を有するとともに効率的に製造可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, the gettering sink may be formed, for example, in a cubic shape, a rectangular parallelepiped shape, or a columnar shape.例文帳に追加

ゲッタリングシンクの具体的な形状としては、例えば、立方体形状、直方体形状、円柱形状などが挙げられる。 - 特許庁

To achieve a method for inspecting an insulated gate bipolar transistor, capable of inspecting the intrinsic gettering performance efficiently and estructively.例文帳に追加

イントリンシックゲッタリング能力を非破壊で効率よく検査すること可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの検査方法を実現する。 - 特許庁

To solve the problem that manufacturing processes have been increased conventionally since the processes for forming the layers to function as gettering sites have been required additionally.例文帳に追加

ゲッタリングサイトとして機能する層を形成する工程が追加的に必要となるため、製造工程が増大してしまう。 - 特許庁

The semiconductor layer includes gettering areas 1203a-1203d and 1204a-1204d doped with rare gas elements.例文帳に追加

上記の半導体層は、希ガス元素がドープされたゲッタリング領域１２０３ａ〜１２０３ｄ、１２０４ａ〜１２０４ｄを含んでいる。 - 特許庁

DZs having a sufficient depth inward from the surface of a wafer are combined with a high gettering effect in a bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

Thus, a crystal structure of the single crystal wafer 2 is modified and a plurality of gettering sinks 4 are simultaneously formed by one-time irradiation.例文帳に追加

単結晶ウェーハ２の結晶構造が改質され、複数のゲッタリングシンク４が一回の照射で同時に形成される。 - 特許庁

To have a high proximity gettering effect even in an epitaxial wafer in a method for manufacturing a semiconductor wafer and the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハにおいて、エピタキシャルウェーハでも高い近接ゲッタリング効果を有すること。 - 特許庁

The semiconductor device having a gettering capability can be attained by the activated boron and the crystal defects 14 and 15.例文帳に追加

この活性化されたホウ素及び結晶欠陥１４、１５によってゲッタリング能力を備えた半導体装置を実現できる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer that sufficiently improves gettering capability, and to provide a method of manufacturing the silicon wafer.例文帳に追加

本発明の目的は、ゲッタリング能力を十分に向上させたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

At such a time, HCl or the like is added into an atmosphere and gettering of the nickel element residual in the crystalline silicon film 105 is executed.例文帳に追加

この時、雰囲気中にＨＣｌ等を添加し、結晶性珪素膜１０５に残存するニッケル元素のゲッタリングを行う。 - 特許庁

To use a high quality crystalline silicon film having no pin holes with few rugged surfaces as a metal and satisfactory gettering is performed thereon.例文帳に追加

十分な金属ゲッタリングが行われて表面凹凸が小さくピンホールのない高品質な結晶性珪素膜を用いる。 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER WITH HIGH-MELTING-POINT METALLIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR IMPURITY GETTERING IN SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法 - 特許庁

A composite liner layer for the copper lines uses Ti as a bottom layer, which has property of gettering carbon and other contaminants.例文帳に追加

銅線用の複合ライナ層は、最下層として、炭素および他の汚染物質をゲッタリングする性質があるＴｉを用いる。 - 特許庁

A gettering site layer is formed of a semiconductor containing a Group 18 element such as Ar, over a semiconductor layer of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a number of punch out transpositions P due to the oxygen deposit (a) are generated in the high-temperature annealing after the ion implantation, thus sufficiently achieving the gettering of the metal impurities in the high-temperature annealing and device with the punch out transpositions P as a gettering site.例文帳に追加

しかも、イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物ａに起因する多数のパンチアウト転位Ｐを発生させるので、パンチアウト転位Ｐをゲッタリングサイトとして、高温アニール時およびデバイス時に、金属不純物をそれぞれ十分にゲッタリングできる。 - 特許庁

To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加

ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁

By using a semiconductor manufacturing apparatus having a purifying apparatus, a plurality of reaction chambers, a heating chamber, a laser apparatus, and an etching apparatus, processes from the formation of a ground film to the gettering of the catalyst element and the removal of a gettering layer are continuously carried out.例文帳に追加

洗浄装置、複数の反応室、加熱室、レーザー装置およびエッチング装置を有する半導体製造装置を用いることにより、下地膜形成から、当該触媒元素のゲッタリングおよびゲッタリング層の除去までを連続的に処理するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped and annealed wafer in which the outermost layer is free of defects, sufficient gettering sites such as an oxygen deposit exist on a bulk portion, has superior gettering ability, and dopant contamination on the outermost layer is reduced to a very low level.例文帳に追加

表層が無欠陥層であり、かつバルク部には酸素析出物等のゲッタリングサイトが十分に存在し、優れたゲッタリング能力を有するとともに、表層のドーパント汚染を極めて低く抑制した窒素ドープアニールウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet applying a gettering function to a semiconductor device obtained without applying special processing to a semiconductor wafer and chip.例文帳に追加

半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する接着シートの提供。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer which has an excellent gettering ability, allows epitaxial defects in an epitaxial layer to be suppressed, and causes less variation in resistivity.例文帳に追加

ゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層内へのエピ欠陥発生が抑制され、抵抗変動率の少ないエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

Gettering effect is obtained by forming an extremely thin strain layer 100, and neither the memory function nor the transverse strength is deteriorated.例文帳に追加

極薄の歪み層１００を形成することでゲッタリング効果が得られ、メモリー機能が低下しないと共に、抗折強度も低下しない。 - 特許庁

The silicon wafer manufactured by the method is a wafer improving the gettering performance as the entire wafer (2).例文帳に追加

（２）本発明のシリコンウェーハはこの方法により製造されたウェーハであり、ウェーハ全体としてのゲッタリング能力を向上させたウェーハである。 - 特許庁