「INTERFACE FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An interface region as a contact between the upper surface of the first thin film and the lower surface of the second thin film or an interface region as a contact between the lower surface of the first thin film and the upper surface of the second thin film is doped with impurities.例文帳に追加

第１の薄膜の上面と第２の薄膜の下面とが接する界面領域又は第１の薄膜の下面と第２の薄膜の上面とが接する界面領域には、不純物がドープされている。 - 特許庁

ELECTRODE INTERFACE PROTECTION FILM FORMING AGENT FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウム二次電池のための電極界面保護皮膜形成剤とリチウム二次電池 - 特許庁

Thus, the base film of good quality for improving a property of the insulating film is obtained in the interface between the insulating film and the substrate for the electronic device.例文帳に追加

絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device not generating peeling of a film at the interface between FSG film and anti-reflection film, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＦＳＧ膜と反射防止膜との界面で膜剥がれが生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film that indicates excellent film quality characteristics without being affected by reformed film interface that is the surface of a lower electrode layer.例文帳に追加

下部電極層の表面である再成膜界面の影響を受けずに、良好な膜質特性を示す圧電体薄膜を得ること。 - 特許庁

The film-forming process makes the semiconductor film 4 grow while spaces 24 scatter on the interface between a substrate 20 and the semiconductor film 4.例文帳に追加

成膜工程では、基板２０と半導体膜４の界面に空間２４が散在している状態で半導体膜４を成長させる。 - 特許庁

A thin oxide film is formed in an interface between a semiconductor film whereto rare gas element is added and a semiconductor film having a crystal structure.例文帳に追加

希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。 - 特許庁

To relieve projecting/recessed parts in the interface of a polycrystalline semiconductor thin film and a gate insulating film, and to improve the mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面における凹凸を緩和して薄膜トランジスタの移動度を改善する。 - 特許庁

To suppress increase in film thickness of the underlayer film during the PDA, and also to suppress deterioration of transistor interface characteristic.例文帳に追加

ＰＤＡ時の下地膜の膜厚増加を抑制すると共に、トランジスタ界面特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

That is, by making the silicon oxide film contain Kr in it, stresses are relaxed in the silicon oxide film and the interface between the silicon oxide and a silicon.例文帳に追加

本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the gate insulation film 120, an interface layer 110 and a high dielectric constant film 112 are stacked.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２０は、界面層１１０と高誘電率膜１１２とを積層した構成を有している。 - 特許庁

This is because the segregation coefficient of arsenic at the interface between a silicon film 4 and the oxide film 3 is small.例文帳に追加

その後、前記多結晶シリコン膜に偏析係数がリンのそれより小さいｎ型半導体をイオン注入する。 - 特許庁

To prevent a contamination on an insulating film interface and control a damage to an insulating film between a semiconductor substrate and a control gate.例文帳に追加

絶縁膜界面の汚染を防止し、半導体基板とコントロールゲートの間の絶縁膜の破壊を抑制する。 - 特許庁

To lower the interface resistance between a silicon-containing film and a high melting point metal film constituting an electrode structure.例文帳に追加

電極構造体を構成するシリコン含有膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

The interface reinforcing film 115 is formed to be connected integrally to an SiOC film 113, and has an air gap 117.例文帳に追加

界面補強膜１１５はＳｉＯＣ膜１１３と連続一体に形成され、エアギャップ１１７を有する。 - 特許庁

To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film.例文帳に追加

半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a gate oxide film/a semiconductor interface having an interface level density, and a method for forming the same.例文帳に追加

界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。 - 特許庁

On the other hand, on a formation area of a slit part 22S of the common electrode 22, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulation film 21, an interface E between the insulation film 21 and the first alignment film 24, and an interface F between the first alignment film 24 and liquid crystal LC exist in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と絶縁膜２１との界面Ｄ、絶縁膜２１と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁

When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加

成膜時にＴｉ膜７とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１１が、Ｔｉ膜９とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１２が形成される。 - 特許庁

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.例文帳に追加

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁

To obtain a thin film transistor (TFT) in which no impurity exists in a channel interface and an oxide semiconductor film existing in the channel interface has a good film quality and which becomes transparent against visible light and has excellent characteristics.例文帳に追加

チャネル界面に不純物が存在しなく、かつ、チャネル界面における酸化物半導体膜の膜質が良好な、可視光に対して透明となる特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得る。 - 特許庁

The irradiated light pulses are converted into heat within one picosecond in the thin film 3, and they are diffused in an interface/the thin film 1/an interface so as to reach the thin film 2.例文帳に追加

照射された光パルスは第２金属薄膜層において１ピコ秒以内に熱に変換され、界面／非金属薄膜層／界面を拡散して反対側の第１金属薄膜２に達する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin film which can prevent a contamination of an interface.例文帳に追加

界面の汚染を防止できる半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, the crystallinity of the semiconductor layer 5 which forms an interface with the second insulation film 4b can be increased, and at the same time, a defective level of an interface between the semiconductor layer and the second insulation film can be reduced.例文帳に追加

また、第２絶縁膜を酸化物で構成することで、第２絶縁膜の材料によって半導体層から酸素が奪われることを抑制できる。 - 特許庁

To improve characteristics by reforming the interface between a silicon substrate and an insulating film.例文帳に追加

シリコン基板と絶縁膜の界面を改質して、特性の向上を図ること。 - 特許庁

The interface film 13 is formed of amorphous silicon and a carbon-containing silicon compound.例文帳に追加

界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。 - 特許庁

Moreover, a shading film BM 2 is provided between the EL element 20 and the interface F1.例文帳に追加

またＥＬ素子２０と前記界面Ｆ１との間に遮光膜ＢＭ２を設ける。 - 特許庁

To enable a thin film having a low impurity content to be effectively formed on a substrate preventing a low-permittivity interface layer from being formed on an interface between the thin film and the substrate.例文帳に追加

薄膜と基板との界面に低誘電率界面層が形成されるのを防止しつつ、不純物含有量の少ない薄膜を基板上に効率良く形成する。 - 特許庁

An intermediate layer 34 is disposed at an interface between the oxygen barrier film and the lower electrode 36.例文帳に追加

酸素バリア膜と下部電極(36)との界面に中間層(34)が配置されている。 - 特許庁

To nondestructively and highly accurately measure a change in the delicate state of an interface in a thinly layered multi-layer film device in a method for measuring an interface structure of a multi-layer thin film.例文帳に追加

多層薄膜体の界面構造の計測方法に関し、薄層化された多層膜デバイスにおける微妙な界面状態の変化を非破壊で精度良く測定する。 - 特許庁

When preventing interface peeling by mitigating the film stress, the stress direction in the film is set to be the same as the stress direction in the film-deposited face of the substrate for film deposition.例文帳に追加

膜応力を緩和して界面剥離を防止することを目的とする場合、膜の応力方向と、成膜用基板の成膜面での応力方向とを同方向とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxynitride film 4 as a lower interface film 4 is formed on a silicon substrate 1, and an Hf aluminate film is formed as a high dielectric-constant gate electrode 5 on the silicon oxynitride film 4.例文帳に追加

シリコン基板１上に下部界面層４としてのシリコン酸窒化膜４を形成し、その上に高誘電率ゲート電極５としてのＨｆアルミネート膜を形成する。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity in the interface direction under low temperatures, and to provide a thin film formation device and a program.例文帳に追加

低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

Etching of the second layer film 19 is stopped at the interface of the first layer film 18 and the second layer film 19 if a gas of C4H8 system is used.例文帳に追加

第２層膜１９のエッチングは、Ｃ４Ｈ８系のガスで行うと、エッチングは第１層膜１８と第２層膜１９の界面で止まる。 - 特許庁

The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3.例文帳に追加

酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。 - 特許庁

Consequently, the amorphous semiconductor film at a part of an interface with a gate insulating film 3 is converted into a microcrystal semiconductor film 4 having crystallinity.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent peel-off at the interface between a platinum-family metal film for composing the lower electrode of a capacitive element and a silicon oxide film.例文帳に追加

容量素子の下部電極を構成する白金族金属膜と酸化シリコン膜との界面での剥離を防止する。 - 特許庁

To realize a method of forming a titanium polycide gate which has satisfactory interface roughness between a polysilicon film and a titanium silicide film.例文帳に追加

ポリシリコン膜とチタンシリサイド膜の間の良好な界面粗さを持つチタンポリサイドゲートの形成方法を提供する。 - 特許庁

To lower interface resistance between a polysilicon film and a high- melting point metal film, in a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

To nondestructively evaluate the layer structure and the interface roughness of a multilayer film as a sample, with the multilayer film being irradiated with X-rays.例文帳に追加

Ｘ線を多層膜試料に照射して、層構造や界面粗さを非破壊で評価することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of metal nanoparticles 36 are two-dimensionally arranged in an interface between the first film 32 and the second film 34.例文帳に追加

第１の膜３２と第２の膜３４との界面に、複数の金属ナノ粒子３６が２次元配列されている。 - 特許庁

An anodic reaction can be suppressed on the interface between the second gate insulating film 17 and the gate electrode 21.例文帳に追加

第２ゲート絶縁膜17とゲート電極21との界面での酸化反応を抑制できる。 - 特許庁

To obtain a technique necessary for purifying an interface between an active layer and an insulated film.例文帳に追加

活性層と絶縁膜との界面を清浄化するために必要な技術を提供する。 - 特許庁