「INTERFACE FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A reflecting film 6 is then formed on the interface 2b.例文帳に追加

次に、境界面２ｂ上に反射膜６を形成する。 - 特許庁

To reduce interface resistance in an interface between a nickel silicide film and silicon.例文帳に追加

ニッケルシリサイド膜とシリコンとの界面における界面抵抗を低減することを可能にする。 - 特許庁

To control a film quality in the interface between a thin film to be formed and a ground and improve the film quality.例文帳に追加

形成する薄膜の下地との界面の膜質向上、膜質制御を可能にする。 - 特許庁

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁

An interface between the metal silicide film 7 and control gate electrode film 6 is uneven.例文帳に追加

金属シリサイド膜７とコントロールゲート電極膜６の界面は不均一である。 - 特許庁

The capacitor insulating film is arranged on the first interface and has an undulant second interface according to the form of the first interface on the opposite side of the first interface.例文帳に追加

キャパシタ絶縁膜は、第１界面上に配設され、且つ第１界面と反対側に第１界面の形状に従った波状の第２界面を有する。 - 特許庁

To reduce an interface level without damaging a gate oxide film and an interface between the gate oxide film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。 - 特許庁

The interface position between the polycrystal silicon film and the silicon dioxide film can be specified thereby.例文帳に追加

これによって、多結晶シリコンと二酸化シリコン膜の界面位置を特定できる。 - 特許庁

To provide an electrode film comprising a film thickness optimized for preventing peeling at an piezoelectric film/electrode interface.例文帳に追加

圧電膜／電極界面での剥離を防ぐ為の適正化された膜厚からなる電極膜を提供する。 - 特許庁

The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced.例文帳に追加

ポリシリコン／シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。 - 特許庁

The semiconductor device is includes an interface roughness mitigating film 20, contacted with an insulating film as well as a wiring contacted through the surface of opposite side while an interface roughness between the wiring and the interface roughness mitigating film is smaller than an interface roughness between the insulating film and the interface roughness mitigating film.例文帳に追加

絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、その反対側の面で配線とも接触し、当該絶縁膜と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、当該配線と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜２０を設ける。 - 特許庁

INTERFACE ROUGHNESS MITIGATING FILM, FORMING MATERIAL OF INTERFACE ROUGHNESS MITIGATING FILM, WIRING LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING THESE FILM AND MATERIAL AS WELL AS MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

界面ラフネス緩和膜、界面ラフネス緩和膜形成材料、これらを用いた配線層および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

To suppress interface break between a solder ball and a conductive film.例文帳に追加

半田ボールと導電膜との間で界面破断を抑制する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the transistor, a first interface reforming film 11 including a metal film or a semiconductor film is so formed on a substrate 10 as to form successively an insulation film 12 and a semiconductor film 13 on the first interface reforming film 11.例文帳に追加

基板１０上に、金属膜又は半導体膜を含む第１の界面改質膜１１を形成し、この第１の界面改質膜１１の上に絶縁膜１２，半導体膜１３を順に形成する。 - 特許庁

Thus, an interface between the formed oxide film, the SiC can be made in a more ideal state, and proper insulating film having a small interface level of the oxide film/SiC interface can be obtained.例文帳に追加

そのため形成される酸化膜とＳｉＣ界面をより理想的な状態にすることができ、酸化膜／ＳｉＣ界面の界面準位が小さく、良好な絶縁膜を得ることができる。 - 特許庁

To prevent the diffusion of N into the vicinity of an interface while improving the interface between an Si substrate and a gate insulating film.例文帳に追加

Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面を改善しつつ、界面付近へのＮの拡散を防止する。 - 特許庁

The surface of the insulating film in the vicinity of the phase changed film is closer located to a substrate side than an interface between the insulating film and the phase changed film on the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜と前記絶縁膜上の相変化膜との界面よりも、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜の表面を基板側にする。 - 特許庁

Next, a titanium film 14 is piled up on the entire surface of the insulation film 11, and a titanium silicide film 15 is formed on an interface between the aluminum film 13 and titanium film 14.例文帳に追加

次に、絶縁膜１１の全面にチタン膜１４が堆積され、アルミニウム膜１３とチタン膜１４の界面２０にチタンシリサイド膜１５が形成される。 - 特許庁

To deposit a thin film on a substrate while preventing interface diffusion.例文帳に追加

界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。 - 特許庁

A tunnel insulating film is provided on a surface of the interface region.例文帳に追加

前記界面領域の表面にはトンネル絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

To provide a water-based coating composition from which a coating film is formed, having small load on the environment, suppressing mixing of layers at a multilayer coating film interface (an interface of an intermediate coating film and a top coating film, and an interface of the top coating film and a clear coating film), and furthermore being excellent in chipping resistance and glossiness.例文帳に追加

環境への負荷が小さく、また、複層塗膜界面（中塗り塗膜と上塗り塗膜との界面、上塗り塗膜とクリヤー塗膜との界面）での混層を抑制でき、さらには耐チッピング性および光沢に優れた塗膜を形成できる水性塗料組成物を提供する。 - 特許庁

In an interface between an insulating film and the variable-phase film, a hollow is formed in the insulating film and a part of the variable-phase film is embedded in this hollow.例文帳に追加

絶縁膜と相変化膜との界面において、絶縁膜に窪みを形成し、この窪みに相変化膜の一部を埋め込む。 - 特許庁

Moreover, an interface between the adhesive served as a gate insulating film and the organic semiconductor film becomes better.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜となる前記接着材と有機半導体膜との界面が良好となる。 - 特許庁

An interface 3 between the AlN film 41 and the AlO_XN_Y film 42 has a rugged shape.例文帳に追加

そして、ＡｌＮ膜４１とＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ膜４２との界面３は、凹凸形状を有する。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.例文帳に追加

低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

To obtain good interface characteristics at the interface between a gate insulation film and a semiconductor film when the gate insulation film is formed by liquid phase method.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を液相法によって形成した場合に、係るゲート絶縁膜と半導体膜との界面において良好な界面特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.例文帳に追加

界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve interface bonding between a ferroelectric film and a second electrode.例文帳に追加

強誘電体膜と第２電極との界面接合を良好にする。 - 特許庁

To control oxidization at the gate insulating film interface of a metal gate electrode.例文帳に追加

金属ゲート電極のゲート絶縁膜界面での酸化を抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING STATUS OF INTERFACE BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND INSULATING FILM例文帳に追加

シリコン基板と絶縁膜の界面の状態を評価するための方法 - 特許庁

To reduce degradation of image quality caused by interface state occurrence of oxide film interface, by means of CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機会研磨）による、酸化膜界面の界面準位発生による画質低下を低減する。 - 特許庁

To minimize occurrence of peeling of a film on the interface of the film, or leakage between adjacent interconnects in an interlayer insulating film having film quality regions different from each other.例文帳に追加

相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。 - 特許庁

To suppress increase in the film thickness of a base oxide film which is formed on the interface between a gate insulation film and a silicon substrate, when forming the gate insulation film having high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜を形成する際に、シリコン基板との界面に形成されるベース酸化膜の増膜を抑制する。 - 特許庁

On a linear part 22E of a common electrode 22, an interface A between a linear part 22E and an inorganic film 23, an interface B between the inorganic film 23 and a first alignment film 24, and an interface C between the first alignment film 24 and liquid crystal LC exist in this order.例文帳に追加

共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅと無機膜２３との界面Ａ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｃが、この順で存在する。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

Hence, hydrogen fluoride permeate through the semiconductor film 14, the film quality of the semiconductor film 14, and a state on an interface between the semiconductor film 14 and an insulating film 13 are improved.例文帳に追加

すると、フッ酸が半導体膜１４に浸透し、半導体膜１４の膜質が改善され、さらに半導体膜１４と絶縁膜１３との界面状態も改善される。 - 特許庁

To accurately determines profiles of interface between an oxide film formed by an oxidation process of a surface of a semiconductor film and the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の表面の酸化工程により形成される酸化膜と半導体膜の界面の形状を精度良く求める。 - 特許庁

Negative charge (electrons) is stored in an interface between the silicon oxide film 8 and the silicon nitride film 9 or in the silicon nitride film 9.例文帳に追加

酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING INTERFACE LAYER FOR DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM例文帳に追加

高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法 - 特許庁

The interface 12a of the oxidation-resistant film 12 contains sodium, titanium and oxygen.例文帳に追加

耐酸化膜１２の界面１２ａは、ナトリウムと、チタンと、酸素とを含有する。 - 特許庁

Then, the gate insulation film 120 has a nitrogen-containing layer containing nitrogen near an interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜１２０は、高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面近傍に、窒素を含有する窒素含有層を有している。 - 特許庁

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film.例文帳に追加

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。 - 特許庁

To form an oxynitride film which can be controlled satisfactorily in film thickness, nitrogen content, interface roughness, and nitrogen position.例文帳に追加

膜厚の制御、窒素量の制御、界面ラフネス、窒素位置の制御に優れる酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.例文帳に追加

下層絶縁膜７ａがシリコン窒化膜７ａａ／シリコン酸化膜７ａｂ／界面層７ａｃ／シリコン酸化膜７ａｄの積層構造により構成されている。 - 特許庁