「INTERFACE FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

INTERFACE ROUGHNESS REDUCING FILM, WIRING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

界面ラフネス緩和膜、配線層、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a heterostructure multilayered thin film with compositional steep variation at a heterojunction interface.例文帳に追加

ヘテロ接合界面の組成変化が急峻なヘテロ構造多層薄膜を製造する。 - 特許庁

The tunnel barrier film 14 has, on the film surface of the first magnetic film 11 on an interface between the first magnetic film 11 and tunnel barrier film 14, an NaCl type crystal structure (001) oriented in its normal direction.例文帳に追加

トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 - 特許庁

To provide an interface detection method and an interface detector capable of specifying accurately a position of an interface of each layer, when analyzing in depth direction of a thin film laminate.例文帳に追加

薄膜積層体の深さ方向分析を行う場合において、各層の界面の位置を正確に特定することが可能な界面検出方法及び界面検出装置を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, the hillocks 8 are prevented from reaching the surface of the second protecting film 7 and brought into a stop at an interface between the first protecting film 6 and the second protecting film 7.例文帳に追加

これにより、ヒロック８は、第２保護膜７の表面に至ることなく、第１保護膜６と第２保護膜７との界面で停止した状態となる。 - 特許庁

The insulating film 53 is of III nitride thin film structure, so that an interface between the insulating film 53 and the III nitride thin films 52 and 54 is never disordered, and no defect is induced.例文帳に追加

絶縁膜５３がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜５３とIII族窒化物薄膜５２、５４の界面が乱れず、欠陥が生じない。 - 特許庁

In a region including an interface between the second TCO film and p-type GaN-based semiconductor layer, a metal film is formed which comes into contact with the second TCO film.例文帳に追加

第２のＴＣＯ膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜に接するメタル膜を形成する。 - 特許庁

To improve impurity concentration around an interface of a silicon film and a gate insulating film and to drop silicon film resistance without need of injecting time for long time.例文帳に追加

長時間に渡る注入時間を必要とせず、シリコン膜−ゲート絶縁膜界面付近の不純物濃度を高くしてシリコン膜抵抗を低下させる。 - 特許庁

Thereafter, a thin film transistor is formed by using the microcrystalline semiconductor film having crystallinity enhanced on the interface to the gate insulating film as a channel formation region.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which an aluminum oxide film is arranged without forming a silicon oxide film on an interface between two silicon film.例文帳に追加

２つのシリコン膜の界面に酸化シリコン膜を生成することなく酸化アルミニウム膜を配することができる太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a polarizing plate using a polyester film as a polarizer protective film, wherein peeling is hardly caused at the interface between the polarizer and the protective film.例文帳に追加

ポリエステルフィルムを偏光子保護フィルムとして用いた偏光板であって、偏光子と該保護フィルムの界面での剥がれが生じ難い偏光板を提供する。 - 特許庁

To provide a non-single crystal germanium thin film transistor including a gate insulating film which can reduce interface level density between an active layer and a gate insulating film.例文帳に追加

活性層とゲート絶縁膜との界面準位密度を低減し得るゲート絶縁膜を有する非単結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

To prevent peelings from occurring at an interface between a barrier conductor film of an embedded wiring formed on the insides of a wiring groove and a connecting hole and a main conductive layer and at the interface between its barrier conductor film and an insulating film.例文帳に追加

配線溝および接続孔の内部に形成された埋め込み配線のバリア導体膜と主導電層との界面、およびそのバリア導体膜と絶縁膜との界面において剥離が発生することを防ぐ。 - 特許庁

To reduce interface level density on an interface between a silicon substrate and a gate insulating film, and to improve the mobility of a carrier on the gate insulating film in a field effect transistor provided with the gate insulating film, consisting of a high dielectric film containing hafnium.例文帳に追加

ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高めることにある。 - 特許庁

To provide a method of effectively forming an insulating film excellent in interface characteristics (interface levels, fixed electric charges) between a semiconductor layer (17) and the insulating film (18).例文帳に追加

半導体層（１７）と絶縁膜（１８）との間の界面特性(界面準位、固定電荷)に優れた絶縁膜を効率よく形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

To provide an antireflection film which is to be applied on an interface between an optical adhesive and a laser element or on an interface between the optical adhesive and an optical element and moreover which is constituted of a monolayer optical thin film.例文帳に追加

光学接着剤とレーザ素子との界面および光学接着剤と光学素子との界面に施されかつ単層の光学薄膜で構成される反射防止膜を提供する。 - 特許庁

The thickness of an interface layer 2A of a gate insulating film 52a in the first MIS transistor is thicker than that of an interface layer 2b of a gate insulating film 52b in the second MIS transistor.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ａの界面層２Ａの厚さは、第２のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ｂの界面層２ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁

At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加

下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面には、ＴａＮ膜３０によって構成される接着層が介在し、下部電極３２上に堆積した誘電体膜３４を熱処理したときにＲｕ膜３２ａと酸化シリコン膜２４との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁

To improve a leak characteristic near an interface of an insulation film in a method of manufacturing an element substrate having a laminate structure of a first conductive film, the insulation film and a second conductive film.例文帳に追加

第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させる。 - 特許庁

Consequently, the interface film 7 can be patterned so as to contain the whole plane shape of the GST film 23 as the phase-change film and be made wider than the plane shape of the GST film 23.例文帳に追加

その結果、相変化膜であるＧＳＴ膜２３の平面形状全体を含み、かつＧＳＴ膜２３の平面形状より広くなるように界面膜７をパターニングすることができる。 - 特許庁

To reduce film thickness of a silicon oxide film interposing in an interface between a single crystal silicon and a tantalum oxide film, and to prevent leakage current in the tantalum oxide film.例文帳に追加

単結晶シリコンとタンタル酸化膜との界面に介在させるシリコン酸化膜の膜厚が厚くならないようにすると共に、タンタル酸化膜のリーク電流を防止できるようにする。 - 特許庁

To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。 - 特許庁

The interpolation calculation unit plots points showing the direction of the silicon oxide film interface or the interface (ρ, ϕ) as a point P to plot into the triangular meshes 30.例文帳に追加

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の方向を示す点である界面（ρ、φ）を点Ｐとして三角形網目３０にプロットする。 - 特許庁

To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。 - 特許庁

In this case, a junction interface is also formed within the first moisture-proof protection film at the upper part of cavity but a second moisture-proof protection film is formed by suspending growth of the junction interface through exposure of the surface of above junction interface to the atmosphere or through formation of an insulating film with a different kind of method.例文帳に追加

この時、空洞上方の第一の耐湿性保護膜中に接合界面が形成されるが、その表面を大気に暴露するか、もしくは異種の方法により絶縁膜を形成することにより、接合界面の成長を遮断して第二の耐湿性保護膜を積層形成する。 - 特許庁

In a region where a slit portion 22S of the common electrode 22 is formed, on the other hand, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulating film 21 which is an inorganic film, an interface E between the inorganic film 23 and first alignment layer 24, and an interface F between the first alignment layer 24 and liquid crystal LC are present in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と無機膜である絶縁膜２１との界面Ｄ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus having a good interface between a ferroelectric film and an insulating film, and an excellent memory property.例文帳に追加

強誘電体膜と絶縁膜との良好な界面を有し、メモリ特性の優れた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Further, a step of forming a film of cobalt may be selectively performed at high temperature to form a diffusion suppressing interface film.例文帳に追加

また、選択的にコバルトを含む膜の形成工程を高温で実施して拡散抑制界面膜を形成させることもできる。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method whereby a film characteristic and a structure of an Si substrate / insulation film interface can be measured by having only to form an insulating thin film such as a gate insulating film so as to feed back the measured result to a film forming condition of the insulating thin film in a short period of time.例文帳に追加

ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やＳｉ基板／絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。 - 特許庁

The second insulating film is formed as a high dielectric constant insulating film with a film thickness for transmitting oxygen, whose quantity makes it possible to prevent oxidation-reduction reaction from occurring on an interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

第２の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。 - 特許庁

A third insulating film (4) composed of a material different from those of the first insulating film or an air gap (31) is formed between the first insulating film and the side of the groove, and reaches at least the interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

第１絶縁膜と異なる材料からなる第３絶縁膜（4）または空隙（31）は、第１絶縁膜と溝の側面との間に形成され、少なくとも第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面に達する。 - 特許庁

The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.例文帳に追加

その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer film mirror, with which the multilayer film mirror with excellent optical characteristics is manufactured at a comparatively low cost by reducing film interface roughness and film surface roughness, and to provide the multilayer film mirror.例文帳に追加

膜の界面の粗さ及び表面粗さを低減し、優れた光学特性を有する多層膜ミラーを比較的低コストで製造することができる多層膜ミラーの製造方法及び多層膜ミラーを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which stripping can be suppressed on the interface of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の界面で生じる剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond coated tool in which separation is hardly generated on an interface between a base material and a diamond film.例文帳に追加

基材とダイヤモンド膜との界面で剥離が生じにくいダイヤモンド被覆工具を提供する。 - 特許庁

Thus, occurrence of stress is suppressed in the interface of the thermal oxide film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

このため、熱酸化膜と半導体基板の界面において、応力の発生が抑制される。 - 特許庁

The nitrogen-containing layer is formed from the high dielectric constant film 112 to the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層は高誘電率膜１１２から界面層１１０に渡って形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING HIGH QUALITY SILICON DIELECTRIC FILM ON GERMANIUM BY HIGH-QUALITY INTERFACE例文帳に追加

高品質インタフェースによってゲルマニウム上に高品質シリコン誘電膜を堆積するための方法 - 特許庁

An identification code pattern 30 is formed in the interface between the bulk silicon layer 23 and silicon oxide film 22.例文帳に追加

識別コードパターン３０は、バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される。 - 特許庁

On a linear portion 22F of a common electrode 22, an interface A between the linear portion 22E and an inorganic film 23, an interface B between the inorganic film 23 and a first alignment layer 24, and an interface C between the first alignment layer 24 and liquid crystal LC are present in this order.例文帳に追加

共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅと無機膜２３との界面Ａ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｃが、この順で存在する。 - 特許庁

Since the polyimide resin film 22 forms a stable joint surface on the interface of the surface protective film 16 and the coating part 23, charge does not accumulate easily on the interface and the charge accumulated on the interface can be reduced.例文帳に追加

したがって、ポリイミド樹脂膜２２は表面保護膜１６および被覆部２３との境界面において安定な接合面を形成するから、上記境界面に電荷が溜まりにくく上記境界面に帯電する電荷を減少させることができる。 - 特許庁

The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加

第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁

The average pore diameter of a first region 2a of the heat-resistant resin film 2 including the interface with the porous film 1 is larger than the average pore diameter of a second region 2b of the heat-resistant resin film 2 farther from the interface than the first region.例文帳に追加

耐熱樹脂膜２における多孔質フィルム１との界面を含む第一領域２ａの平均細孔径は、耐熱樹脂膜２における第一領域よりも界面から離れた第二領域２ｂの平均細孔径よりも大きい。 - 特許庁