「INTERFACE FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film laminate in which adhesion of an interface between layers comprising different materials is improved and to provide a method for manufacturing the thin film laminate.例文帳に追加

異なる材料からなる層の界面での密着性が改善された薄膜積層体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interface for injecting many carriers into an organic film from an electrode without depending on an energy level of an organic film material.例文帳に追加

有機膜材料のエネルギーレベルに依存することなく、電極から有機膜に多くのキャリアを注入するための界面を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor by which interface level density between a silicon layer and a gate insulating film can be lowered.例文帳に追加

シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor for obtaining a high-grade polycrystalline silicon film and MOS interface at low process temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質の多結晶シリコン膜およびＭＯＳ界面を得るための薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.例文帳に追加

シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁

Annealing is performed, whereby a titanium silicide TiS film 12 is formed on the interface between source and drain regions 12 and a a contact film is formed between the regions 12.例文帳に追加

アニールすることにより、ソースおよびドレイン領域12との界面にチタンシリサイドＴｉＳｉ2が生成し、コンタクト膜が形成される。 - 特許庁

A film of an oxide, a silicide or a nitride of an metal element added to the copper alloy is formed in an interface between the base and the film of the copper alloy.例文帳に追加

下地と銅合金膜の界面に、銅合金の添加金属元素の酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜を形成する。 - 特許庁

A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.例文帳に追加

界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING MULTILAYERED TITANIUM DIOXIDE FILM HAVING HIGHLY-EFFICIENT OPTICALLY-ACTIVE TITANIUM DIOXIDE FILM AND VISIBLE-LIGHT-RESPONSIVE INTERFACE, AND METHOD FOR PRODUCING SOLUTION COMPOSITION FOR FORMING THE FILM例文帳に追加

高効率な光活性二酸化チタン膜と可視光応答界面をもつ積層化二酸化チタン膜の製造方法および該膜形成用の溶液組成物の製造方法 - 特許庁

The interface between the mold 40 and the release film 30 is peeled, and the polymer optical waveguide is taken out where the release film 30, core 20, and clad film are formed integrally.例文帳に追加

鋳型４０と離型フィルム３０の界面を剥離して、離型フィルム３０とコア２０とクラッドフィルムとが一体に形成された高分子光導波路を取り出す。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device of improved photoelectric conversion characteristics by lowering interface resistance between a thin-film photoelectric conversion unit and a backside translucent conductive film.例文帳に追加

薄膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下げることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To secure wettability of the surface of an interlayer insulating film without increasing electron density at the interface between the interlayer insulating film and an ITO film to prevent side etching of an ITO.例文帳に追加

層間絶縁膜とＩＴＯ膜との界面において電子密度を増加させることなく、層間絶縁膜表面のぬれ性を確保し、ＩＴＯのサイドエッチングを防ぐ。 - 特許庁

This polarizing plate is made a constitution having a dielectric film between a light transmitting substrate and a polarizing film and the quantity of interface reflection of light is reduced by using the dielectric film.例文帳に追加

偏光板を、光透過性の基板と偏光フィルムとの間に誘電体膜を有する構成とし、該誘電体膜で光の界面反射量を減らす。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film which planarizes the shape of interface of silicon and an insulating film extremely when the insulating film is formed by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を極めて平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for predicting characteristics of a thin film transistor by utilizing strength reduction caused by charging a layered film interface when measuring a depth direction of a layered film in SIMS.例文帳に追加

ＳＩＭＳにおける積層膜の深さ方向測定時に積層膜界面の帯電による強度低下を利用し薄膜トランジスタの特性を予測する方法を提供。 - 特許庁

To form a polycrystalline semiconductor thin film that maintains an ideal MOS structure interface and at the same time, has a large particle size, and to manufacture a high-performance thin-film transistor by the polycrystalline semiconductor thin film.例文帳に追加

理想的なＭＯＳ構造界面を保ちつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を形成し、これを用いて高性能の薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

Steam is made to advance into the closely-attached interface between a semiconductor wafer 5 and the resist film 6 via cracks generated in the resist film 6 to float the resist film 6 from the semiconductor wafer 5.例文帳に追加

レジスト膜６に発生させたクラックを介して、密着界面に対して水蒸気を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

The semiconductor film 4 is composed of a material having spontaneous polarization and the direction of spontaneous polarization is parallel with the interface of the ferroelectric film 3 and the semiconductor film 4.例文帳に追加

半導体膜４は、自発分極を有する材料からなり、自発分極の方向が、強誘電体膜３と半導体膜４との界面に対して平行になっている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an interface reinforcing film 115 which covers the side faces of a recess penetrating an SiCN film 105 and an SiOC film 107 formed on a silicon board 101.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に設けられたＳｉＣＮ膜１０５およびＳｉＯＣ膜１０７を貫通する凹部の側面を覆う界面補強膜１１５を設ける。 - 特許庁

Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.例文帳に追加

したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁

The channel is annealed in a non-oxided atmosphere, then, the impurity is distributed in a higher concentration near an interface with a gate insulating film rather than near an interface with an implanted insulating film in the SOI layer.例文帳に追加

また、非酸化雰囲気中でチャネルアニールすることにより、前記ＳＯＩ層中の埋め込み絶縁膜との境界付近よりもゲート絶縁膜との境界付近に、前記不純物を高濃度に分布させる。 - 特許庁

The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over.例文帳に追加

半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

Additionally, the concentration of silicon in the High-k film 13 is larger than the concentration of the transition metal and aluminum near the interface with the SiO_2 film 12 and near the interface with a gate electrode 7.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−ｋ膜１３中のシリコンの濃度は、ＳｉＯ_２膜１２との界面近傍およびゲート電極７との界面近傍で、遷移金属およびアルミニウムの濃度よりも大きい。 - 特許庁

To form a gate insulation film containing nitrogen where nitrogen concentration near the interface to a gate electrode at the opposite side is increased while suppressing an increase in nitrogen concentration near the interface to the silicon substrate of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めた窒素含有ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The metal film is formed on the silicon substrate 1, a stress control film is formed on the metal film for adjusting the stress exerted on the interface between the metal film and the base and then the metal film on the insulation film 4 is peeled with the metal film left on the base pattern 3.例文帳に追加

シリコン基板１の上に、金属膜を成膜し、その金属膜の上に、金属膜と下地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜を形成し、その後に、下地用パターン３の上の金属膜を残し絶縁膜４の上の金属膜を剥離する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes an indexer block, a processing block for a reflection preventing film, a processing block for a resist film, a developing processing block, a processing block for a resist cover film, a resist cover film removing block, and an interface block.例文帳に追加

基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロック、レジストカバー膜用処理ブロック、レジストカバー膜除去ブロックおよびインターフェースブロックを含む。 - 特許庁

To provide a forming method of a polycrystalline silicon film, which can improve long term reliability of a gate oxide film by reducing the interface roughness between a gate oxide film and the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜と多結晶シリコン膜との間の界面ラフネスを低下させて、ゲート酸化膜の長期信頼性を向上させることができる多結晶シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The front most surface of a lower electrode 1 is made of a TiAlN film 3, and an oxide-based film 4, containing titanium oxide and aluminum oxide, is provided on an interface in between the TiAlN film 3 and the oxide dielectric film 5.例文帳に追加

下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。 - 特許庁

This can prevent water generation at the interface between the hydrogen separation film 100 and the primary electrolyte film 120, as well as interfacial delamination between the hydrogen separation film 100 and the primary electrolyte film 120.例文帳に追加

よって、水素分離膜１００と第１の電解質膜１２０との界面における水の生成を抑制でき、水素分離膜１００と第１の電解質膜１２０との界面剥離を抑制できる。 - 特許庁

In the visible wavelength range, the reflective film 4 and the color tone correction film 3 have a mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the transparent crystallized glass substrate 2 lower than the mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the reflective film 4.例文帳に追加

反射膜４と色調補正膜３とは、可視波長域において、色調補正膜３と透明結晶化ガラス基板２との間の界面における平均光反射率が、色調補正膜３と反射膜４との間の界面における平均光反射率よりも低くなるように構成されている。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極４となるＩＴＯ膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とＩＴＯとの界面における酸素移動を防いで界面でのＩＴＯのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁

A position at which the composition ratio of the second metal in the high dielectric constant insulating film 102 becomes a maximum is separated from each of the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the oxygen-containing insulating film 101, and the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the gate electrode 150.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１０２における第２の金属の組成比が最大になる位置は、高誘電率絶縁膜１０２と酸素含有絶縁膜１０１との界面及び高誘電率絶縁膜１０２とゲート電極１５０との界面のそれぞれから離れている。 - 特許庁

Consequently, there are discharged a by-product staying on an interface between an upper protective film 6 and a low dielectric interlayer insulating film 5 and a by-product staying on an interface between the etching stopper film 4 and the low dielectric interlayer insulating film 5, and hence it is possible to reduce the remaining amount of such by-products.例文帳に追加

これにより上部保護膜６と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物、およびエッチングストッパ膜４と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物が放出され、副生成物の残留量を減少させることができる。 - 特許庁

To provide an intermediate film for a light-scattering laminated glass and to provide a light-scattering laminated glass in which good adhesion property is obtd. on the interface between the glass sheet and intermediate film, and minute bubbles are not produced on the interface between the glass sheet and intermediate film when the glass sheet and the film are to be laminated.例文帳に追加

ガラス板と中間膜との界面での接着性が良好で、しかもガラス板と中間膜との合わせ加工時にガラス板と中間膜との界面に細かな気泡が発生することのない散光性合わせガラス用中間膜及び散光性合わせガラスを得る。 - 特許庁

On the other hand, on a formation area of a slit part 22S of the common electrode 22, an interface D between a pixel electrode 20 made of transparent conductive material such being ITO and an organic insulation film 21 being organic film, and an interface E between the first alignment film 23 being organic film and liquid crystal LC, exist in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極２０と有機膜である有機絶縁膜２１との界面Ｄ、有機膜である第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの界面Ｅが、この順で存在する。 - 特許庁

By forming a film continuously without exposing the metal-oxide film and the primary insulating film to air, it is possible to prevent contaminants such as dust and dirt from mixing into the interface between the metal-oxide film and the primary insulating film.例文帳に追加

金属酸化膜と第１の絶縁膜とを大気に曝されることなく連続的に成膜できることによって、金属酸化膜と第１の絶縁膜との界面へのごみなどの汚染物の混入を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like.例文帳に追加

本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜／基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁

An EL element 20 is separated from an interface F1 of a diffusion area of an thin film transistor 4 adjacent thereto.例文帳に追加

ＥＬ素子２０とこれに近接する薄膜トランジスタ４の拡散領域の界面Ｆ１を離間させる。 - 特許庁

Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜４と半導体基板１との界面での界面準位密度が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device small in leakage current flowing in an interface between a protective film and a semiconductor layer.例文帳に追加

保護膜と半導体層との界面を流れる漏れ電流の小さい半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization.例文帳に追加

炭化珪素酸化時の炭素の発生を抑制し、良好な炭化珪素/シリコン酸化膜界面を得る。 - 特許庁

A film 60 is provided at an interface between the gasket 50 and the porous body layer 30 as well as the separator 40.例文帳に追加

フィルム６０が、ガスケット５０と、多孔質体層３０、セパレータ４０との界面に設けられている。 - 特許庁

According to the structure, interface characteristics can be improved and permittivity of the high dielectric film can be optimized.例文帳に追加

これによって、界面特性を改善すると共に、高誘電体膜の誘電率を最適化できる。 - 特許庁