「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The same information is stored in a memory in a regulator and a memory in an open control unit, and the information of the open control unit is transmitted to the memory of the regulator under the preset condition.例文帳に追加

レギュレータのメモリ内および開制御装置のメモリ内に同一の情報が格納されており、開制御装置の情報は設定された条件のもとでレギュレータのメモリに伝送される。 - 特許庁

This memory system is provided with a management table group stored in a NAND memory 20 in which management information including the storage positions of data stored in a DRAM 20 and a NAND memory 10 is stored.例文帳に追加

ＤＲＡＭ２０およびＮＡＮＤメモリ１０に記憶されたデータの格納位置を含む管理情報が保持され、ＮＡＮＤメモリ２０に記憶される管理テーブル群が具備される。 - 特許庁

If the sector is not entered, the flash memory 2 is directly accessed in the case of read, and the sector is entered in the cache memory 1 and is written on the cache memory 1 in the case of write.例文帳に追加

セクタがエントリされていなければ、読み出しはフラッシュメモリ２に対して直接に行い、書き込みは、このセクタをキャッシュメモリ１にエントリした上で、該キャッシュメモリ１上に行う。 - 特許庁

Write voltage pulses necessary for the memory cells 10 are applied for a plurality of times in a data write operation period in which data are written in the selected memory cell out of the plurality of memory cells 10.例文帳に追加

前記複数のメモリセル１０のいずれかの選択メモリセルにデータを書き込むデータ書き込み動作期間内に、前記メモリセル１０に必要な書き込み電圧パルスが複数回印加される。 - 特許庁

The image processor stores the program in an involatile memory in a hard disk and automatically writes it in an involatile rewritable memory such as a flash memory by turn-off/on of a power supply.例文帳に追加

画像処理装置はプログラムをハードディスクなどの不揮発性記憶装置に記憶し、電源のＯＦＦ／ＯＮにより自動的にフラッシュメモリ等の不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込まれる。 - 特許庁

In order to reduce the memory capacity, image data are stored in a display memory 16 after reducing the image data by using resolution conversion resulting in reducing the memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量を削減するために、解像度変換を用いて画像を縮小してから表示メモリ１６にデータを蓄積することにより、メモリ容量を削減することができる。 - 特許庁

To take in a signal of an address or the like at high speed and surely in take-in technology of an address signal in especially a semiconductor memory having a memory cell, in a semiconductor memory.例文帳に追加

本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、メモリセルを有する半導体記憶装置におけるアドレス信号の取り込み技術に関し、アドレス等の信号を高速かつ確実に取り込むことを目的とする。 - 特許庁

The recognition result in the data memory 16 and the image in an image memory 12 are embedded in the screen components stored in the layout memory 20, and a display screen is generated in a display control part 22 and displayed on a display part 23.例文帳に追加

表示制御部２２では、配置メモリ２０に格納された画面部品に、データメモリ１６中の認識結果や画像メモリ１２中の画像イメージが埋込まれて表示画面が生成され、表示部２３に表示される。 - 特許庁

The corresponding relationship between the attaching position and the inclining angle is decided in advance, and stored in a memory in the transmitting unit 10 or a memory in a receiving unit 20 in advance.例文帳に追加

この取り付け位置−傾斜角の対応関係は、予め決められており、予め送信ユニット１０内のメモリ又は受信ユニット２０内のメモリに記憶されている。 - 特許庁

The method of operating the nonvolatile memory device included in a memory card can be provided by re-mapping addresses of bad blocks in a first nonvolatile MAT in the memory card and re-mapping addresses of bad blocks in a second nonvolatile MAT in the memory card.例文帳に追加

メモリカードに備えられた不揮発性メモリ装置の動作方法は、メモリカードの第１不揮発性マット内の不良ブロックのアドレスを再マッピングし、メモリカード内で第２不揮発性マットの不良ブロックのアドレスを再マッピングすることによって提供することができる。 - 特許庁

Whether or not an instruction code before rewrite is stored in an instruction cache memory is checked (S22), and when it is stored in the instruction cache memory (YES in S22), the instruction code after rewrite which is written in the data cache memory is directly written in the instruction cache memory (S24).例文帳に追加

書換前の命令コードが命令キャッシュメモリに記憶されているか否かが調べられ（Ｓ２２）、命令キャッシュメモリに記憶されている場合には（Ｓ２２でＹＥＳ）、データキャッシュメモリに書込まれている書換後の命令コードが、命令キャッシュメモリに直接書込まれる（Ｓ２４）。 - 特許庁

A physical memory block 102Z in which "0" values for simulatively clearing 0s in the array spaces of arrays 101A and 101B are stored is prepared in a physical memory 102 in advance, and a physical memory page 103Z showing the physical memory block 102Z is prepared in a table 103 in advance.例文帳に追加

配列１０１Ａ、１０１Ｂの配列空間を擬似的に０クリアするための“０”値が格納された物理メモリブロック１０２Ｚが物理メモリ１０２に予め用意されており、テーブル１０３には物理メモリブロック１０２Ｚを示す物理メモリページ１０３Ｚが予め用意されている。 - 特許庁

The liquid crystal projector for which a writable non-volatile memory is being used as program memory is provided with non-volatile memory, and a means for storing an alteration history of the program in the non-volatile memory when the program in the program memory is altered.例文帳に追加

書き換え可能な不揮発性メモリがプログラムメモリとして使用されている液晶プロジェクタにおいて、不揮発性メモリ、およびプログラムメモリ内のプログラムを変更した際、プログラムの変更履歴を不揮発性メモリに記憶する手段を備えている。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory has memory cells 100 having first and second MONOS memory cells controlled by a word gate and a control gate, and a memory cell array region in which a plurality of memory cells are arranged in the direction of A and B.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートと、コントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセルとを有するメモリセルを１００、第１及び第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁

The memory device includes a first memory including a nonvolatile memory element and a second memory (data buffer) for temporarily storing data in verifying operation in which whether or not the data are correctly written into the first memory is verified.例文帳に追加

不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。 - 特許庁

In addition, the first and second memory cell arrays are arranged facing each other in a column direction, the second memory cell 102 has a larger area than the first memory cell 101, and the area of the first memory cell array 201 is two or more times the area of the second memory cell array 202.例文帳に追加

また、第１及び第２のメモリセルアレイは、互いに列方向に対向配置され、第２のメモリセル１０２は第１のメモリセル１０１よりも面積が大きく、第１のメモリセルアレイ２０１は第２のメモリセルアレイ２０２の２倍以上の面積である。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device incorporating a flash memory 2 and a RAM 3, when a defective memory exists, relieving information stored in a mat 2e for preserving relieving information of the flash memory 2 is transferred to the flash memory 2, a memory block 3_1, 3_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ２、ＲＡＭ３が内蔵された半導体集積回路装置であって、不良ビットが存在する場合、フラッシュメモリ２の救済情報保存用マット２ｅに格納された救済情報をフラッシュメモリ２、メモリブロック３_1 ，３__2 に転送する。 - 特許庁

A memory allocating part 23 allocates a memory area in a first memory bank to the data determined to have to be refreshed and allocates a memory area in a second memory bank to data determined to have no need for refreshing.例文帳に追加

次に、メモリ割当部２３は、リフレッシュの必要があると判定されたデータに対しては第１のメモリバンク中のメモリ領域を割り当て、リフレッシュの必要がないと判定されたデータに対しては第２のメモリバンク中のメモリ領域を割り当てる。 - 特許庁

To properly read and write a data signal from/in remaining memory cells when a defective memory cell causing a short circuit exists across a row line and a column line, in an integrated memory provided with memory cells having a magnetic resistance memory effect.例文帳に追加

磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、行ラインと列ラインとの間で短絡を引き起こす欠陥メモリセルが存在するときに、残りのメモリセルにおけるデータ信号の適正な読み書きを十分可能にする。 - 特許庁

The memory device is equipped with a reference circuit 1 in which a reference memory element 50 having the same property as that of a memory element 51 is used and a memory energizing circuit 2 which sets the read current of the memory element referring to the amount of a current which is made to flow in the reference circuit 1.例文帳に追加

メモリ素子５１と同じ特性の参照メモリ素子５０を用いた参照回路１と、この参照回路１に流れる電流量を参照してメモリ素子の読み出し電流を設定するメモリ通電回路２とを備えた。 - 特許庁

To provide a memory device, a memory device control method and a data processing system which realize reduction in the number of times of erasure of a flash memory without largely reducing the memory capacity of the flash memory, then, efficient update of the data of the flash memory, and consequently realize reduction in a deterioration in a storage element and quickening of data access.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリ容量を大きく減少させることなく、フラッシュメモリの消去回数を減らし、フラッシュメモリのデータの更新を効率的に行い、記憶素子の劣化を低減するとともに、データのアクセスを高速に行なうことができるメモリ装置、メモリ装置の制御方法およびデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory strengthening resistance due to the coupling noise of a memory bus without producing area penalty by a holding circuit in the capacity development of the memory so as to connect a plurality of memory blocks in the same memory bus, and without producing bus collision by the multiple selection of the two or more memory blocks in an initial state.例文帳に追加

同一のメモリバスに複数のメモリブロックを接続するようなメモリの容量展開においてホールド回路によるエリアペナルティを発生させず、かつメモリバスのカップリングノイズによる耐性を強くし、また初期状態においても二つ以上のメモリブロックの多重選択によるバス衝突を起こさない半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To simply detect a memory transistor of a non-volatile semiconductor memory being in an over-erasure state.例文帳に追加

過剰消去状態になった不揮発性半導体メモリのメモリセルトランジスタを簡単に検出する。 - 特許庁

To suppress lowering in performance of memory access by suppressing generation of page miss penalty of a memory module with long latency.例文帳に追加

レイテンシが大きいメモリモジュールのページミスペナルティの発生を抑止し、メモリアクセスの性能低下を抑える。 - 特許庁

To provide a memory card connector enabling further reduction in a space required for packaging a memory card.例文帳に追加

メモリカードを実装するために必要とするスペースをより一層低減するメモリカードコネクタを提供する。 - 特許庁

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

Then, the memory interface 5 reads the tile image written in the external memory and transmits it to a scaling block 6.例文帳に追加

そして、メモリインタフェース５は、外部メモリに書き込まれたタイル画像を読み出し変倍ブロック６に送る。 - 特許庁

To provide a high integration nonvolatile semiconductor memory in which one memory cell has two trap sites.例文帳に追加

１メモリセルが２トラップサイトを有しながらも、高集積な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem that drain-disturb may occur in a memory cell on the same bit line at the time of writing to a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの書き込み時、同一ビット線上のメモリセルに対して、ドレインディスターブが発生する。 - 特許庁

The memory controller 23 writes plural pieces of inputted data in a common memory 24 while performing arbitration.例文帳に追加

メモリコントローラ２３は入力された複数のデータを調停を行いながら共通メモリ２４に書き込む。 - 特許庁

A map is generated, which shows the locations where memory faults have occurred in the memory mixed loaded arrays (110-113).例文帳に追加

本発明は、メモリ障害が各メモリ混載アレー（110〜113）の何処に生じているかを示すマップを生成する。 - 特許庁

A wireless transceiver capability in the USB memory key allows the memory key to be used to control external equipment.例文帳に追加

ＵＳＢメモリキーのワイヤレストランシーバ機能は、メモリキーを用いて外付けの機器を制御するために使用する。 - 特許庁

After this charging processing, the piece of music recorded in the temporary memory is copied to a storing memory card.例文帳に追加

課金処理が実行されると、テンポラリメモリに記録していた楽曲を保存用のメモリカードにコピーする。 - 特許庁

To provide a memory device which reduces processing time in addition to using a memory effectively.例文帳に追加

メモリを有効に活用させたうえ処理時間の短縮を図ったメモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

The resistance-change semiconductor memory has first through fourth memory cells arranged in the first direction.例文帳に追加

実施形態によれば、抵抗変化型半導体メモリは、第1方向に並ぶ第1乃至第4メモリセルを備える。 - 特許庁

METHOD FOR TRANSFERRING PROGRAM FROM OUTSIDE MEMORY TO BUILT-IN MEMORY AND MICROCOMPUTER USING THE TRANSFER METHOD例文帳に追加

外部メモリから内蔵メモリへのプログラム転送方法およびその転送方法を用いたマイクロコンピュータ - 特許庁

To reduce read errors of stored-value caused by the variation of characteristics of a memory transistor in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリにおいて、メモリトランジスタの特性ばらつきに起因する記憶値の誤読み出しを低減する。 - 特許庁

When the host PC 1 is in the state where host PC is mounted with the memory, the host PC 1 is requested to unmount the memory card.例文帳に追加

ホストPC1がメモリをマウントした状態の場合、ホストPC1に対しメモリカードをアンマウントするよう要求する。 - 特許庁

The slave microcomputer 11 has a flash memory 14 and a CPU 12 for carrying out a program stored in the flash memory.例文帳に追加

スレーブマイコン１１は、フラッシュメモリ１４と、そこに格納されたプログラムを実行するＣＰＵ１２を有する。 - 特許庁

MINUTE CONTACT AREA IN SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH PERFORMANCE PHASE CHANGE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE MEMORY CELL例文帳に追加

半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

Dummy cells (DML) having a low threshold value voltage are lined up into memory cells and arranged in a memory cell array (MAi).例文帳に追加

しきい値電圧の低いダミーセル（ＤＭＬ）をメモリセルアレイ（ＭＡｉ）内にメモリセルに整列して配置する。 - 特許庁

The memory cell array 1 has memory cells connected to the word lines and bit lines and arranged in matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線、及びビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

CONTROLLER FOR XIP IN SERIAL FLASH MEMORY, ITS METHOD AND FLASH MEMORY CHIP USING THE SAME例文帳に追加

シリアルフラッシュメモリにおける直接実行のための制御装置及びその方法、これを用いたフラッシュメモリチップ - 特許庁

TWO-STAGE REQUEST PROTOCOL FOR ACCESSING REMOTE MEMORY DATA IN NON-UNIFORM MEMORY ACCESS(NUMA) DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

不均等メモリ・アクセス（ＮＵＭＡ）データ処理システム内のリモート・メモリ・データをアクセスする２ステージ要求プロトコル - 特許庁

The data stored in the memory 2a are backed up by a memory card C and accordingly the reliability of data is improved.例文帳に追加

メモリ２ａのデータは、メモリカードＣでバックアップをとることにより、データの信頼性を向上させる。 - 特許庁