「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To make it possible to carry out a delay test for detecting delay failure of an ingoing path to a memory and an outgoing path from the memory in an LSI with built-in memory.例文帳に追加

メモリが内蔵されたＬＳＩにおいて、メモリの入力への経路またはメモリの出力からの経路のディレイ故障を検出するディレイテストを実施できるようにする。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor memory device in which there are less deterioration and variation in the property of a Vpp transistor, and which provides the stable memory cell property of a flash memory.例文帳に追加

Ｖｐｐトランジスタの特性の劣化やばらつきが少なく、安定したフラッシュメモリのメモリセル特性を得ることができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

A sub-memory medium 6 which is different from a conventionally prepared HD 5 is arranged in a memory section 3 of an automatic transaction system, and journal data is written in the sub-memory medium 6.例文帳に追加

自動取引装置の記憶部３内に、従来から備えられていたＨＤ５とは別に副記憶媒体６を設け、この副記憶媒体６にジャーナルデータを書き込む。 - 特許庁

The data of this introduction part are compared with the data of the introduction part already recorded in a memory 20 by the memory controller 21, and if no coincidence exists, the data of the introduction part are stored in the memory 20.例文帳に追加

メモリコントローラ２１は、このイントロ部のデータと既にメモリ２０に記録されているイントロ部のデータとを比較し、不一致の場合、イントロ部のデータをメモリ２０に記憶する。 - 特許庁

To prevent a hit of a connector when a vibration impact is added at the time of screwing and fixing a memory pack to a main body side in a memory attaching/detaching structure in a memory pack system.例文帳に追加

メモリパック方式のメモリ着脱構造で、メモリパックを本体側にネジ締め固定する場合に、振動衝撃が加わった時のコネクタの瞬断を防止することにある。 - 特許庁

Reproduced data corrected by an inner code are written in a memory 260, read in the memory of an outer code decoder 137 from the memory 260, and an error of an outer code is corrected.例文帳に追加

内符号で訂正された再生データがメモリ２６０に書込まれ、メモリ２６０から外符号デコーダ１３７のメモリに読み込まれ、外符号の訂正がなされる。 - 特許庁

In a step S1, it is decided whether or not a memory stick is loaded in a memory stick slot and when it is decided that the memory stick is loaded, an advance to a step S2 is made.例文帳に追加

ステップＳ１において、メモリースティックスロットに対するメモリースティックの装着が判定され、メモリースティックが装着されていると判定された場合、ステップＳ２に進む。 - 特許庁

To suppress deterioration in characteristics due to a load on a nonvolatile memory and increase the access frequency to a memory cell as the result of suppression, in a nonvolatile memory using a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを用いた不揮発性メモリの、該メモリへの負荷による特性劣化を抑え、結果的にメモリセルへのアクセス回数を増大することを可能とする。 - 特許庁

To optimize a memory capacity, a price and a life, without applying a burden onto a high order software, when a frequently writing-in memory and a memory of low writing-in frequency are mixedly provided.例文帳に追加

書き込み回数の多いメモリと書き込み回数の少ないメモリが混在する場合に、上位のソフトウェアに負担をかけずに、メモリの容量、価格、寿命の最適化を図る。 - 特許庁

The value written in the winning value second memory is written in winning value memory (S95) by means of winning value memory updating processing (S7), and the winning value is changed actually.例文帳に追加

なお、当たり値第２メモリに書き込まれた値は、当たり値メモリ更新処理（Ｓ７）によって、当たり値メモリに書き込まれ（Ｓ９５）、実際に、当たり値が変更される。 - 特許庁

To provide a memory management device which suppresses an influence upon applications sharing a memory area with one application even in occurrence of the trouble of memory leak in the one application.例文帳に追加

一のアプリケーションにメモリリークの不具合が発生した際でも、メモリ領域を共有する他のアプリケーションに与える影響を抑制できるメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device has a nonvolatile memory array in which a plurality of nonvolatile memory cells are arranged in a array state, a voltage generating circuit, and an input/output terminal.例文帳に追加

複数の不揮発性メモリセルがアレイ状に配置される不揮発性メモリアレイと、電圧発生回路と、入出力端子とを有する不揮発性記憶装置である。 - 特許庁

After that, when memory cells having higher value than voltage EV exist in the plurality of memory cells, operation is returned to operation in which the threshold value of the plurality of memory cells is set to voltage EV or less.例文帳に追加

その後、複数のメモリセルに電圧ＥＶより閾値が高いメモリセルが存在する場合は、複数のメモリセルの閾値を電圧ＥＶ以下に設定する動作に戻る。 - 特許庁

To provide an automatic answering telephone set which can store the new voice information in a memory even when the idle capacity of the memory is not sufficient in a memory full state, for example.例文帳に追加

例えばメモリフル等のメモリの空き容量が十分でない場合であっても、新たな音声情報をメモリに記憶することができる優れた留守番電話機を提供する。 - 特許庁

If a memory card is attached to a digital camera upon power activation, image data stored in an internal memory and image data stored in the memory card are collated with each other.例文帳に追加

デジタルカメラの電源投入時にメモリカードが装着されていると、内蔵メモリに記憶された画像データとメモリカードに記憶された画像データの照合が行われる。 - 特許庁

In this case, the signals of the offset memory 1 and the offset memory 2 are added in a CPU 4, and then, the added value is subtracted from a value which is obtained by carrying (doubling)the signal value of the signal value memory.例文帳に追加

この際に、ＣＰＵ４において、オフセットメモリ１とオフセットメモリ２との信号を加算し、信号値メモリの信号値を桁上げ（２倍）したものから減算する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such that incidence of UL light on memory cell regions is suppressed in manufacturing processes and local variations in memory cell characteristics is suppressed.例文帳に追加

製造工程においてメモリセル領域へのＵＶ光の入射が抑えられ、メモリセル特性の局所的なバラツキが抑えられた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A whole load module is developed to the main memory 2, and a part or whole part of instruction codes in the load module developed to the main memory 2 are stored in a local memory 3.例文帳に追加

メインメモリ２にはロードモジュール全体が展開され、ローカルメモリ３にはメインメモリ２に展開されたロードモジュールの中の命令コードの一部または全部を格納する。 - 特許庁

This instruction executing device is provided by improving an instruction executing device for temporarily storing the instruction in an instruction memory in the ring memory and executing the instruction from the ring memory.例文帳に追加

本発明は、インストラクションメモリのインストラクションをリングメモリに一旦記憶させ、このリングメモリからのインストラクションを実行するインストラクション実行装置に改良を加えたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which data can be read continuously from a memory cell array or data can be written in the memory cell array even when addresses are discontinuous.例文帳に追加

アドレスが不連続の場合であっても、連続的に、メモリセルアレイからのデータの読み出し、あるいは、メモリセルアレイへのデータの書き込みが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The error detection code is written with the data in the memory cell of the same memory address Addr01, and both errors in the data and the memory address, can be detected.例文帳に追加

この誤り検出符号はデータと共に同じメモリアドレスAddr01のメモリセルに書き込まれ、データだけでなくメモリアドレスに誤りが発生した場合も誤りを検出可能とする。 - 特許庁

In this memory device, capacitance between floating gate electrodes FG is lowered for a reduction in capacitance between memory cells, and this reduces mutual interference between the memory cells.例文帳に追加

これにより、浮遊ゲート電極ＦＧ間の電気容量を小さくすることができ、メモリセル間の電気容量を低減し、互いの干渉を小さくすることができる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate, a memory cell transistor formed in a memory cell region, and a field effect transistor formed in the peripheral circuit region.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、メモリセル領域に形成されたメモリセルトランジスタと、周辺回路領域に形成された電界効果トランジスタとを備える。 - 特許庁

To provide: a memory control device capable of reducing the possibility that wrong data are written in a memory, and assuring validity of data written in the memory; and a measuring apparatus.例文帳に追加

誤ったデータがメモリに書き込まれる可能性を低減できるとともに、メモリに書き込まれているデータの正当性を保証できるメモリ制御装置および計量器。 - 特許庁

In a step S3, it id decided whether or not the memory stick is being accessed and when it is decided that the memory stick is being accessed, the memory stick is locked in a step S4.例文帳に追加

ステップＳ３において、メモリースティックに対してアクセス中であるか否かが判定され、アクセス中であると判定された場合、ステップＳ４でメモリースティックがロックされる。 - 特許庁

A control means (CPU 1d) in a server 1 stores, as a memory object, material data, which should be opened to the public by the server 1, in a memory space of a primary storage device (memory 1b).例文帳に追加

サーバ１内の制御手段（ＣＰＵ１ｄ）が、サーバ１で公開する素材データを、メモリ・オブジェクトとして、一次記憶装置（メモリ１ｂ）のメモリ空間上に記憶させる。 - 特許庁

When they are mounted in the order of the card type memory M_2 → the USB memory M_1 reversely, the copy of the card type memory M_2 → the USB memory M_1 is instructed from the dubbing direction command part 4 to the dubbing part 5.例文帳に追加

逆に、カード型メモリーＭ_２→ＵＳＢメモリーＭ_１の順で装着すると、ダビング方向指令部４からダビング部５へはカード型メモリーＭ_２→ＵＳＢメモリーＭ_１のコピーが指示される。 - 特許庁

After erasing the returned transmission data from the transmission data memory to solve the memory deficiency problem of the transmission data memory, the MFP receives the transmission data from the PC and stores it in the transmission data memory.例文帳に追加

そして、返却した送信データを送信データメモリから消去して、送信データメモリのメモリ不足を解消して、ＰＣから送信データを受信し、送信データメモリに記憶する。 - 特許庁

For ODT control in the memory module system, only one pin from a memory controller of memory devices is used to transmit a command signal indicating one activated memory device.例文帳に追加

メモリモジュールシステム内のＯＤＴ制御において、メモリ装置のうちメモリ制御器から一つのピンのみが、活性化された一つのメモリ装置を示す命令信号を伝送するために使われる。 - 特許庁

To impart stable characteristic to all memory cells contained in a memory cell block, regarding a semiconductor device having a memory cell region containing a plurality of memory cells.例文帳に追加

本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。 - 特許庁

This memory has a memory cell array region in which a plurality of twin memory cells having one word gate and first and second non-volatile memory elements controlled by first and second control gates are arranged.例文帳に追加

１つのワードゲートと、第１，第２のコントロールゲートにより制御される第１，第２の不揮発性メモリ素子とを有するツインメモリセルを、複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁

In mounting a memory card 10, a plurality of connectors 16 of a recording device 14 are brought into contact with a plurality of connecting terminals 12 of the memory card 10 respectively, and connected to the memory of the memory card 10.例文帳に追加

メモリーカード１０の装着時には、記録装置１４の複数のコネクタ１６は、メモリーカード１０の複数の接続端子１２とそれぞれ接触し、メモリーカード１０のメモリーと接続する。 - 特許庁

The switch connectors 5C and 5D open in the memory slots 1C and 1D for installing the memory modules 10C and 10D, and the memory modules 10C and 10D are connected to the signal conductor of the memory bus 18.例文帳に追加

メモリモジュール１０Ｃ、１０Ｄが装着されたメモリスロット１Ｃ、１Ｄではスイッチコネクタ５Ｃ、５Ｄが開き、メモリバス１８の信号線にメモリモジュール１０Ｃ、１０Ｄが接続される。 - 特許庁

A block selecting circuit makes the first memory cell block to substitute for the defective memory cell block when defect occurs in one or more memory block out of the second memory cell block.例文帳に追加

ブロック選択回路は前記第２メモリセルブロックのうち一つまたはそれより多いメモリセルブロックに欠陥が生じる時に、前記欠陥メモリセルブロックを前記第１メモリセルブロックに代替する。 - 特許庁

To reduce the number of times nonvolatile memory is rewritten in a processor system where part of either main memory or cache memory includes nonvolatile memory such as PCM having a bit variable function.例文帳に追加

メインメモリまたはキャッシュメモリのどちらかの一部が、ビット可変機能を持つＰＣＭ等の不揮発性メモリから構成されるプロセッサシステムにおける不揮発性メモリの書き換え回数を削減する。 - 特許庁

Thus, the flash memory data storage apparatus of the present invention improves the data transfer rate between the flash memory and a buffer memory, resulting in remarkable advancement of the data transfer rate between the flash memory and the external system.例文帳に追加

よって、本発明のフラッシュメモリデータ記憶装置によれば、フラッシュメモリとバッファメモリ間の伝送速度が改善され、フラッシュメモリと外部システム間のデータ伝送速度が著しく改善される。 - 特許庁

Also, data transfer from an image frame memory 100 to the transposing memory 303 and from the transposing memory 303 to the image frame memory 100 in both processings are performed through the motion compensating means 305.例文帳に追加

また、両処理において画像フレームメモリ１００から転置メモリ３０３及び転置メモリ３０３から画像フレームメモリ１００へのデータ転送は動き補償手段３０５を介して行う。 - 特許庁

The large-capacity memory file system can be realized by securing respective memory areas from the main storages of a plurality of nodes in the cluster system, connecting these memory areas and constituting one global memory storage.例文帳に追加

クラスタシステムの複数ノードの主記憶から各々メモリ領域を確保し、それらを連結して一つのグローバルなメモリストレージを構成することで大容量メモリファイルシステムを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a TAT required from obtaining data of memory information to shipping of a ROM can be shortened while attaining high memory density per memory cell.例文帳に追加

メモリセル当りの記憶密度を高めながら、記憶情報のデータ入手からＲＯＭ出荷までのＴＡＴを短縮することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller capable of taking over data stored in a memory with a limited service life to a changed memory with the limited service life at the time of changing the memory with the limited service life.例文帳に追加

寿命のあるメモリの交換時において、寿命のあるメモリに記憶されたデータを、交換後の寿命のあるメモリに受継することが可能なメモリ制御装置を提供すること。 - 特許庁

The first node of the first memory cell which is one of the memory cells and the first node of the memory cell adjoining the first memory cell in the first direction side along the second axis are connected to the same bit line.例文帳に追加

メモリセルの１つである第１メモリセルの第１ノードと、第１メモリセルと第２軸に沿った第１方向側で隣接するメモリセルの第１ノードとは、同じビット線と接続される。 - 特許庁

In an image processing device, an item of the job parameter related to the job memory is designated, and a job memory registering unit is designed to register the item after performing correlation with the job memory when the job parameter is registered as the job memory.例文帳に追加

ジョブパラメータをジョブメモリとして登録する際に、ジョブメモリに関連付けるジョブパラメータの項目を指定し、ジョブメモリ登録部はその項目をジョブメモリに関連付けて登録する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device, a memory controller, an operation methods thereof, an operation method of a memory system, and a wear-leveling method, in which deterioration of a memory cell can be accurately detected.例文帳に追加

メモリセルの劣化度を正確に検出することができる不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法を提供する。 - 特許庁

A memory allocation execution part 15 secures the memory region α or β in response to the memory allocating operation command based on the memory allocation information, and returns control to the execution part 14.例文帳に追加

メモリ割り当て実行部１５は、メモリ割り当て情報に基づいてメモリ割り当て操作命令に対応してメモリ領域αあるいはβを確保し、命令実行部１４に制御を返す。 - 特許庁

When the memory 3 is used as a write-back type disk cache, the memory controller 2 writes the same data to the backup memory 11 while writing the data in an unused area of the memory 3.例文帳に追加

メモリ３がライトバック型のディスクキャッシュとして使用される場合、メモリコントローラ２は、メモリ３の未使用領域にデータをライトすると同時に、バックアップメモリ１１にも同じデータをライトする。 - 特許庁