「LWr」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a radiation-sensitive resin composition which ensures good LWR after development and hardly causes film shrinkage.例文帳に追加

現像後のＬＷＲが良好で、膜減りを生じ難い感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which provides a pattern having an excellent line width roughness (LWR).例文帳に追加

優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition with which a pattern having excellent line width roughness(LWR) can be obtained.例文帳に追加

優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for suppressing an increase in wiring resistivity caused by an LER and/or LWR accompanying miniaturization.例文帳に追加

微細化に伴うＬＥＲやＬＷＲに起因する配線の抵抗率の増大を抑制し得る手法を提供する。 - 特許庁

Thus the line width roughness (LWR) can be reduced and characteristics of the semiconductor device can be improved.例文帳に追加

これにより、ラインばらつき（ＬＷＲ）を低減することができ、半導体装置の特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition useful for a chemically amplified resist with excellent dry etching resistance and a low LWR.例文帳に追加

ドライエッチング耐性が優れ且つＬＷＲが小さい化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

LWR FLOW CHANNEL WHOSE DEFORMABILITY AND CONTROL BLADE COHERENCE ARE LOWERED WHEN IT IS EXPOSED TO NEUTRON RADIATION AND CORROSION FIELD例文帳に追加

中性子放射及び腐食場にさらされたときの変形性及び制御羽根干渉性を低下させたＬＷＲ流路 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a resist pattern having small LWR (line width roughness) and excellent pattern shape.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a resist pattern having a small LWR and an excellent pattern form.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is capable of forming a resist pattern that has low LWR and excellent pattern shape.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a resin for resist compositions capable of giving resist patterns having excellent line width roughness (LWR).例文帳に追加

優れたラインウィドゥスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物用の樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition showing good LWR (line width roughness), a pattern profile and extremely superior performance in pattern-falling resistance.例文帳に追加

良好なＬＷＲとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for preventing deformation of a photoresist pattern and increase in LWR when spacers are formed on side walls of the pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する際のパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法。 - 特許庁

LWR used fuel 1 is decomposed and decladded to separate UO_2 and noble metal FP 12 from UO_2 and PuO_2, and recovered.例文帳に追加

ＬＷＲ使用済燃料１を解体，脱被覆してＵＯ_2及び貴金属ＦＰ12とＵＯ_2及びＰｕＯ_2とに分離して回収する。 - 特許庁

The UF_6 20 is conveyed to a concentration, conversion and fuel processing facility 22 for UO_2 and LWR, and processed to fuel for light water reactor to be reused.例文帳に追加

ＵＦ_6 20をＵＯ_2・ＬＷＲ用濃縮・転換・燃料加工施設22に搬送し、軽水炉用燃料に加工して再使用する。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative development excellent in line width variation (LWR), exposure latitude (EL) and focal depth allowance (DOF) in order to stably form a high accuracy fine pattern for the manufacture of a highly integrated and high accuracy electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition for negative-tone development, of which variation of line width (LWR), exposure latitude (EL), and degree of focal margin (DOF) are excellent, in order to more stably form a highly precise fine pattern for manufacturing a highly integrated and highly precise electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which enables to form a resist pattern of good shape with small LWR and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

良好な形状で、ＬＷＲの小さいレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a resist pattern having a good profile reduced in line width roughness (LWR).例文帳に追加

ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が低減された良好な形状のレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which ensures good LWR and MEEF and a pattering method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition good at lithography performances such as MEEF performance and LWR performance and good at resistance to pattern falling.例文帳に追加

ＭＥＥＦ性能及びＬＷＲ性能等のリソグラフィー性能に優れ、かつパターン倒れ耐性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which has excellent resolution performance, a low LWR (Line Width Roughness), excellent pattern collapse resistance and excellent defectiveness.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、欠陥性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition as a material for a resist film with which a resist pattern having a small LWR (line width roughness) and a wide DOF (depth of focus) can be formed.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、ＤＯＦの広いレジストパターンを形成可能なレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which satisfies not only fundamental characteristics such as sensitivity, resolution or light exposure margin, but also LWR (line width roughness) performance.例文帳に追加

感度、解像性、露光量マージン等の基本特性だけでなく、ＬＷＲ性能をも満足する感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition giving a resist film with high etching durability and reduced LWR (line width roughness) in EUV lithography that can achieve formation of an ultrafine pattern.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、エッチング耐性が高く、ＬＷＲを低減したレジスト膜を与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which achieves reduction in development defects and combines the reduction with lines with roughness (LWR), and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

現像欠陥が低減され、かつ良好なラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）との両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has a large depth of focus, ensures small LWR and little residue on dissolution in development and hardly causes development defects.例文帳に追加

焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has high resolution and enables to form a resist pattern of good shape with small LWR, and a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

高い解像性で、ＬＷＲが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition that find applications in formation of microscopic patterns for semiconductor production and that is superior to conventional products in exposure latitude, LWR (line width roughness) and pattern collapse performance.例文帳に追加

半導体製造の微細なパターン形成に用いられ、従来品よりも露光ラチチュード、ＬＷＲ、パターン倒れ性能に優れた感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which forms a resist pattern with small LWR (line width roughness) and an excellent pattern shape.例文帳に追加

ＬＷＲ（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has a large depth of focus and ensures small LWR and MEEF, excellent pattern collapse resistance and excellent development defect control property.例文帳に追加

焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition as a chemically amplified resist that is excellent in depth of focus, LWR (Line Width Roughness), and MEEF (Mask Error Enhancement Factor), and excellent also in preventing the occurrence of a defect in development.例文帳に追加

焦点深度、ＬＷＲ、ＭＥＥＦに優れるとともに、現像欠陥にも優れた化学増幅型レジストである感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition with superior LWR, pattern collapse property and DOF, and to provide a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

ＬＷＲ、パターン倒れ性能及びＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist processing device, a resist applying and developing device, and a resist processing method that reduce LER or LWR by flattening a side surface of a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンの側面を平坦化することによりＬＥＲ又はＬＷＲを低減することができるレジスト処理装置、レジスト塗布現像装置、およびレジスト処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition forming a resist pattern which is prevented from top loss and pattern collapse and has good squareness and sufficient LWR suppressing performance.例文帳に追加

トップロスを抑制して矩形性が良好であり、ＬＷＲ抑制能も満足し、かつパターン倒れが抑制されたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

The LWR is thereby reduced without the resist pattern 6a getting so much narrow, which reduces the recess and protrusion of patterns 4a and 5a and a gate electrode pattern 3a compared with the conventional one.例文帳に追加

したがって、レジストパターン６ａはあまり細くならずに、ＬＷＲが低減され、パターン４ａ・５ａおよびゲート電極パターン３ａの凹凸が従来に比べ改善される。 - 特許庁

To recover nuclear fuel material and reuse the same by reprocessing the fuel used in the light water reactor (LWR) to separate nuclear fuel material such as U and Pu from fission products (FP).例文帳に追加

軽水炉（ＬＷＲ）使用済燃料を再処理してＵ，Ｐｕ等の核燃料物質と核分裂生成物（ＦＰ）を分離して、核燃料物質を回収し、再利用を図る。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolution performance, small in LWR (Line Width Roughness), favorable in PEB (Post Exposure Bake) temperature dependency and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having excellent resolution performance and forming a chemically amplifying type resist having a small MEEF and a small LWR, and also to provide a polymer used therefor.例文帳に追加

解像性能に優れ、かつ、ＭＥＥＦが小さくＬＷＲの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体を提供することである。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of forming a pattern with an excellent resolution, a wide exposure latitude (EL) and a small line width variation (LWR), a chemical amplification resist composition used in the method, and a resist film.例文帳に追加

解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition improved in a LWR, an exposure latitude and an MEEF, and fit to a liquid immersion process, of 45 nm of line width, and to provide a pattern forming method which use the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ、露光ラチチュード、ＭＥＥＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern coating agent which can suppress top loss of a resist patten, improving LWR, and achieving insolubilization of the resist pattern to improve curing property of the resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンのトップロスを抑制させ、ＬＷＲを向上させるとともに、レジストパターンを不溶化することによりレジストパターンの硬化性を向上させることができるレジストパターンコーティング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method with the excellent exposure latitude (EL) and focus margin (DOF) capable of reducing the line width irregularity (LWR) and residual defect, a chemically amplified resist composition and a resist film.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れ、線幅バラツキ（ＬＷＲ）及び残渣欠陥を低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that is improved by overcoming the problem of development defects, provided with a superior in-plane uniformity of line width, and also superior in LWR performance, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

現像欠陥の問題が改善され、優れた線幅の面内均一性が得られ、かつ、ＬＷＲ性能にも優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an acrylic acid ester derivative which is useful as the raw material for a polymer compound for a photoresist composition having excellent lithographic properties and improved LWR and forms a photoresist pattern of high resolution.例文帳に追加

リソグラフィー特性に優れ、ＬＷＲが改善され高解像度のフォトレジストパターンを形成するフォトレジスト組成物用の高分子化合物の原料として有用なアクリル酸エステル誘導体を提供する。 - 特許庁